JP5981092B2 - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
すなわち、SD(%)=(1−(P2−P3)/P1)×100
SDには、LD1のサーマルクロストーク特性成分とドループ特性成分が含まれている。
以上のようにして、各LD1〜LD4までのSDを算出することができる。
この熱源は、リッジ下5μm×500um×112nmの領域である。マルチビーム半導体レーザ装置の大きさは、各レーザ発光部の共振器長は500μm、チップ幅は450μmとした。基板裏面熱伝達率は60000W/m2Kである。
構造において、外側レーザ発光部と内側レーザ発光部の配線距離は28umである。このため、電極配線接触面積の面積比を
外側LD:内側LD=1:1.16〜1.40
とすることで、外側LDと内側LDの抵抗差を小さくすることができる。
21a パッド電極
21b パッド電極
21c パッド電極
21d パッド電極
22a 配線層
22b 配線層
22c 配線層
22d 配線層
Claims (8)
- 基板上に並列配置された4つのストライプ状の半導体レーザ発光部と、
前記各半導体レーザ発光部を分離する複数の分離溝と、
前記並列配置された最も外側の半導体レーザ発光部の外側に配置された複数のパッド電極と、
前記パッド電極と隣り合う半導体レーザ発光部との間に形成された前記分離溝とを備え、
前記半導体レーザ発光部のうち最も外側に配置された半導体レーザ発光部の両側に形成された2つの分離溝間の距離の方が、前記最も外側に配置された半導体レーザ発光部以外の内側に配置された半導体レーザ発光部の両側に形成された2つの分離溝間の距離よりも、小さく、
前記各半導体レーザ発光部間の距離は28μmであり、前記内側に配置された前記半導体レーザ発光部の両側に形成された前記2つの分離溝間の距離と、前記最も外側に配置された前記半導体レーザ発光部の両側に形成された前記2つの分離溝間の距離との差が、13.5μm〜15.00μmであることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 前記分離溝のうち最も外側に形成された分離溝の深さの方が、前記最も外側に形成された分離溝以外の内側に形成された分離溝の深さよりも、大きいことを特徴とする請求項1に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
- 前記最も外側に形成された分離溝は、前記パッド電極に最も近い分離溝であることを特徴とする請求項2に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
- 前記各半導体レーザ発光部に設けられた複数のストライプ状のリッジ部と、
前記ストライプ状の各リッジ部上に形成される複数のリッジ電極と、
前記各リッジ電極と電気的に接続するために、前記リッジ部のストライプ方向を横切る方向に形成された複数の配線層とをさらに備え、
前記並列配置された半導体レーザ発光部のうち前記内側に配置された半導体レーザ発光部では、前記配線層に金メッキ層が接触しないように、前記リッジ電極上に、前記金メッキ層を形成していることを特徴とする請求項1に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。 - 前記パッド電極は、前記複数の配線層に接続され、
前記配線層と前記リッジ電極との接触面積は、前記内側に配置された半導体レーザ発光部の方が、前記最も外側に配置された半導体レーザ発光部よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。 - 前記各配線層と前記リッジ電極とを接触させる面積は、前記半導体レーザ発光部の中央に近づくにしたがい、次第に大きく形成されていることを特徴とする請求項5に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
- 前記各配線層と前記リッジ電極とを接触させる面積は、前記各配線層のストライプ方向の長さに比例することを特徴とする請求項5に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
- 前記各配線層と前記リッジ電極とを接触させる面積の形状は、楕円状であることを特徴とする請求項5に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
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