JP4341685B2 - 光源装置及びプロジェクタ - Google Patents

光源装置及びプロジェクタ Download PDF

Info

Publication number
JP4341685B2
JP4341685B2 JP2007041851A JP2007041851A JP4341685B2 JP 4341685 B2 JP4341685 B2 JP 4341685B2 JP 2007041851 A JP2007041851 A JP 2007041851A JP 2007041851 A JP2007041851 A JP 2007041851A JP 4341685 B2 JP4341685 B2 JP 4341685B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
light emitting
source device
emitting unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007041851A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008205342A (ja
Inventor
政敏 米窪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2007041851A priority Critical patent/JP4341685B2/ja
Priority to US12/034,249 priority patent/US7936800B2/en
Publication of JP2008205342A publication Critical patent/JP2008205342A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4341685B2 publication Critical patent/JP4341685B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0607Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
    • H01S5/0612Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4062Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00Details of colour television systems
    • H04N9/12Picture reproducers
    • H04N9/31Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3129Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM] scanning a light beam on the display screen
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00Details of colour television systems
    • H04N9/12Picture reproducers
    • H04N9/31Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3141Constructional details thereof
    • H04N9/315Modulator illumination systems
    • H04N9/3161Modulator illumination systems using laser light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Description

本発明は、光源装置及びプロジェクタ、特に、レーザ光を供給する光源装置の技術に関する。
近年、プロジェクタの光源装置として、レーザ光を供給するレーザ光源を用いる技術が提案されている。プロジェクタの光源装置として従来用いられているUHPランプと比較すると、レーザ光源を用いる光源装置は、高い色再現性、瞬時点灯が可能、長寿命である等の利点がある。従来、プロジェクタは、高輝度化が求められている。レーザ光源を高出力化させるためには、レーザ光を出射させる複数の発光部を並列させる構成とすることができる(例えば、非特許文献1、Fig.3参照)。
アラム・ムーラディアン(Aram Mooradian)、他13名、「ハイ・パワー・エクステンディッド・バーティカル・キャビティ・サーフィス・エミッティング・ダイオード・レーザーズ・アンド・アレイズ・アンド・ゼア・アプリケーションズ(HIGH POWER EXTENDED VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING DIODE LASERS AND ARRAYS AND THEIR APPLICATIONS)」、マイクロ・オプティクス・コンファレンス(Micro−Optics Conference)、[online]、ノバラックス(Novalux, Inc.)、[平成19年1月30日検索]、インターネット<URL: http://www.novalux.com/assets/downloads/NECSEL_Arrays_Apps.pdf>
レーザ光源による発振波長の最適値は、温度に応じて変化することが知られている。複数の発光部を並列させた部分では、中心部から離れるほど容易に放熱可能となる。複数の発光部を並列させた部分の両端ほど高い放熱性を示すこととなると、中心部に配置された発光部と両端部に配置された発光部との温度差により、発振波長にも差が生じる場合がある。この場合、特定波長に対応する波長変換素子や外部共振器を用いることとすると、レーザ光の出射効率が低下することとなる。この場合、発振波長が均一化されたレーザ光を供給可能であることが望ましい。この他、コヒーレント光であるレーザ光を拡散面に照射させると、明点及び暗点がランダムに分布するスペックルパターンと呼ばれる干渉模様が現れることがある。かかるスペックルノイズを低減させるために、発光部ごと僅かに波長を異ならせることが有用である。この場合、互いに異なる波長のレーザ光を供給可能であることが望ましい。このように複数の発光部を備えるレーザ光源は、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給できることが求められている。本発明は、上述に鑑みてなされたものであり、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給可能とする光源装置、及びその光源装置を用いるプロジェクタを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、間隔を設けて並列された複数の発光部を有し、発光部は、複数の発光部を並列させた部分の両端部付近における間隔を、複数の発光部を並列させた部分の中心部付近における間隔より小さくさせて配置されることを特徴とする光源装置を提供することができる。
中心部付近における間隔より両端部付近における間隔を小さくさせて発光部を並列させることで、各発光部の温度を均一化させることが可能となる。各発光部の温度を均一化させることで、波長が均一化された光を供給することができる。波長を均一化させることで、高い効率で光を出射させることが可能となる。各発光部同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整された光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給可能とする光源装置を得られる。
また、本発明の好ましい態様としては、発光部からの光を共振させる外部共振器と、発光部及び外部共振器の間の光路中に設けられ、発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、波長変換素子は、中心部付近の発光部に対応する位置にて、両端部付近の発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長と略同じ波長の光を波長変換させることが望ましい。波長が均一化された光に対して、略同じ波長の光を波長変換させる波長変換素子を組み合わせることにより、各発光部からの光について効率的な波長変換が可能となる。これにより、波長変換された光を効率良く出射させることができる。
さらに、本発明によれば、間隔を設けて並列された複数の発光部を有し、発光部は、複数の発光部を並列させた部分の中心部付近における間隔を、複数の発光部を並列させた部分の両端部付近における間隔より小さくさせて配置されることを特徴とする光源装置を提供することができる。
両端部付近における間隔より中心部付近における間隔を小さくさせて発光部を並列させることで、発光部間の温度差を大きくすることが可能となる。発光部は、高温であるほど長い波長の光を出射させる。発光部間の温度差を大きくすることで、異なる波長の光を供給可能とし、スペックルノイズを低減させることが可能となる。各発光部同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整された光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給可能とする光源装置を得られる。
また、本発明の好ましい態様としては、発光部からの光を共振させる外部共振器と、発光部及び外部共振器の間の光路中に設けられ、発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、波長変換素子は、中心部付近の発光部に対応する位置にて、両端部付近の発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長より長い波長の光を波長変換させることが望ましい。高温となる中心部に対応する位置において長い波長の光を波長変換可能とすることで、各発光部からの光について効率的な波長変換が可能となる。これにより、波長変換された光を効率良く出射させることができる。
また、本発明の好ましい態様としては、波長変換素子及び外部共振器の間に設けられた波長選択素子を有し、波長選択素子は、中心部付近の発光部に対応する位置にて、両端部付近の発光部に対応する位置にて透過させる光の波長より長い波長の光を透過させることが望ましい。波長選択素子にて各発光部からの光を選択的に透過させることで、外部共振器を用いて光を共振させることができる。これにより、簡易な構成により、互いに異なる波長の光を共振させることができる。
さらに、本発明によれば、間隔を設けて並列された複数の発光部を有し、発光部は、複数の発光部を並列させた部分の第1端部付近における間隔を、複数の発光部を並列させた部分の第2端部付近における間隔より小さくさせて配置されることを特徴とする光源装置を提供することができる。
第2端部付近における間隔より第1端部付近における間隔を小さくさせて発光部を並列させることで、各発光部の温度差を大きくすることが可能となる。各発光部の温度差を大きくすることで、異なる波長の光を供給可能とし、スペックルノイズを低減させることが可能となる。各発光部同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整された光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給可能とする光源装置を得られる。
また、本発明の好ましい態様としては、発光部からの光を共振させる外部共振器と、発光部及び外部共振器の間の光路中に設けられ、発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、波長変換素子は、第1端部付近の発光部に対応する位置にて、第2端部付近の発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長より長い波長の光を波長変換させることが望ましい。発光部は、高い温度であるほど長い波長の光を出射させる。高温となる第1端部に対応する位置において長い波長の光を波長変換可能とすることで、各発光部からの光について効率的な波長変換が可能となる。これにより、波長変換された光を効率良く出射させることができる。
また、本発明の好ましい態様としては、波長変換素子及び外部共振器の間に設けられた波長選択素子を有し、波長選択素子は、第1端部付近の発光部に対応する位置にて、第2端部付近の発光部に対応する位置にて透過させる光の波長より長い波長の光を透過させることが望ましい。波長選択素子にて各発光部からの光を選択的に透過させることで、外部共振器を用いて光を共振させることができる。これにより、簡易な構成により、互いに異なる波長の光を共振させることができる。
また、本発明の好ましい態様としては、発光部は、レーザ光を出射させることが望ましい。これにより、目的に応じて波長が調整されたレーザ光を供給することができる。
さらに、本発明によれば、上記の光源装置と、光源装置からの光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、を有することを特徴とするプロジェクタを提供することができる。上記の光源装置を用いることで、目的に応じて波長が調整された光を容易に供給することができる。これにより、簡易な手法により、明るく高品質な画像を表示可能とするプロジェクタを得られる。
以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例1に係る光源装置10の上面構成を示す。光源装置10は、半導体レーザ11を有する。半導体レーザ11は、コヒーレント光であるレーザ光を供給する光源部であって、面発光型の半導体レーザである。半導体レーザ11は、互いに間隔を設けて並列された複数の発光部12を備える。なお、発光部12の数は図示する通りである場合に限られず、複数であれば良い。
各発光部12は、複数の発光部12を並列させた部分の中心部Cから左端部ELへ向かうに従って、また中心部Cから右端部ERへ向かうに従って、発光部12同士の間隔が漸次小さくなるように配置されている。左端部ELに最も近い発光部12同士の間隔d1は、中心部Cに最も近い発光部12同士の間隔d0より小さい(d1<d0)。右端部ERに最も近い発光部12同士の間隔d2は、中心部Cに最も近い発光部12同士の間隔d0より小さい(d2<d0)。このように、発光部12は、両端部EL、ER付近における間隔d1、d2を、中心部C付近における間隔d0より小さくさせて配置されている。
図2は、発光部12の位置、及び発光部12の温度の関係を表すものである。複数の発光部12を備える従来の光源装置は、通常、略一定の間隔で発光部12を並列させる。複数の発光部12を並列させた部分では、中心部から離れるほど容易に放熱可能となる。この場合、図中破線で示すように、中心部Cで最も高温となり両端部EL、ERへ向かうほど低温となるような温度分布が生じることになる。中心部Cに配置された発光部12と両端部EL、ERに配置された発光部12との温度差により、発振波長にも差が生じる場合がある。
これに対して、本発明の光源装置10は、中心部C付近における間隔より両端部EL、ER付近における間隔を小さくさせて発光部12を並列させることで、図中実線で示すように、各発光部12の温度を均一化させることが可能となる。各発光部12の温度を均一化させることで、波長が均一化されたレーザ光を供給することができる。波長を均一化させることで、高い効率でレーザ光を出射させることが可能となる。各発光部12同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整されたレーザ光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給できるという効果を奏する。
図3は、上記の半導体レーザ11に、波長変換素子14及び外部共振器15を組み合わせた光源装置13の概略構成を示す。外部共振器15は、半導体レーザ11に設けられた各発光部12(図1参照)からのレーザ光を共振させる。波長変換素子14は、複数の発光部12及び外部共振器15の間の光路中に設けられている。波長変換素子14は、各発光部12からのレーザ光の波長を変換させる。
波長変換素子14としては、例えば第二高調波発生(Second−Harmonic Generation;SHG)素子を用いることができる。SHG素子は、半導体レーザ11からのレーザ光を、2分の1の波長のレーザ光に変換して出射させる。SHG素子としては、例えば、非線形光学結晶を用いることができる。非線形光学結晶としては、例えば、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)の分極反転結晶(Periodically Poled Lithium Niobate;PPLN)を用いることができる。波長変換素子14は、発光部12からのレーザ光の波長に対応するピッチの分極反転構造を有する。
外部共振器15は、波長変換素子14で波長変換されずに透過したレーザ光を選択的に反射させる。外部共振器15から半導体レーザ11の方向へ進行したレーザ光は、半導体レーザ11のミラー層(不図示)で反射する。ミラー層及び外部共振器15により反射されたレーザ光は、発光部12から新たに出射されるレーザ光と共振して増幅される。波長変換素子14で波長変換されたレーザ光は、外部共振器15を透過し、光源装置13から出射する。なお、外部共振器15は、図1に示す光源装置10に適用することとしても良い。
波長変換素子14は、中心部C付近の発光部12に対応する位置にて、両端部EL、ER付近の発光部12に対応する位置にて波長変換させるレーザ光の波長と略同じ波長のレーザ光を波長変換させる。発振波長が均一化されたレーザ光を供給可能な半導体レーザ11に対して、略同じ波長のレーザ光を波長変換させる波長変換素子14を組み合わせることで、各発光部12からのレーザ光について効率的な波長変換が可能となる。これにより、波長変換された光を効率良く出射させることができる。
光源装置10、13は、発光部12同士の間隔が中心部Cから両端部EL、ERへ向かうに従い漸次小さくなる構成に限られない。各発光部12の温度を均一化させることが可能であれば、複数の発光部12のうち一部の発光部12同士について同一の間隔で配置することとしても良い。例えば、図4に示す半導体レーザ16は、中心部Cを中心とする一定領域AR内において等間隔d0で発光部12を配置する。長い範囲において発光部12を並列させる構成では、一定領域ARにおいて等間隔d0とし、両端部EL、ER近くで小さい間隔d1、d2としても、各発光部12の温度を均一化させることが可能である。この他、半導体レーザの放熱度合いに応じて発光部12同士の間隔を適宜決定しても良い。
光源装置10、13は、発光部12同士の間隔を狭めた部分を設けることで、略一定の間隔で発光部12を並列させる場合と比較して多くの発光部12を並列させることが可能となる。また、一定の領域において多くの発光部12を並列させても発光部12同士の温度差を低減させることが可能であるため、出射効率の低下を低減させることができる。
図5は、本発明の実施例2に係る光源装置20の上面構成を示す。光源装置20は、半導体レーザ21を有する。半導体レーザ21は、コヒーレント光であるレーザ光を供給する光源部であって、面発光型の半導体レーザである。半導体レーザ21は、互いに間隔を設けて並列された複数の発光部12を備える。上記実施例1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
各発光部12は、複数の発光部12を並列させた部分の左端部ELから中心部Cへ向かうに従って、また右端部ERから中心部Cへ向かうに従って、発光部12同士の間隔が漸次小さくなるように配置されている。中心部Cに最も近い発光部12同士の間隔d3は、左端部ELに最も近い発光部12同士の間隔d4より小さい(d3<d4)。中心部Cに最も近い発光部12同士の間隔d3は、右端部ERに最も近い発光部12同士の間隔d5より小さい(d3<d5)。このように、発光部12は、中心部C付近における間隔d3を、両端部EL、ER付近における間隔d4、d5より小さくさせて配置されている。
図6は、発光部12の位置、及び発光部12の温度の関係を表すものである。略一定の間隔で発光部を並列させる場合、図中破線で示すように、中心部Cで最も高温となり両端部EL、ERへ向かうほど低温となるような温度分布が生じることになる。本発明の光源装置20は、両端部EL、ER付近における間隔より中心部C付近における間隔小さくさせて発光部12を並列させることで、図中実線で示すように、発光部12間の温度差を拡張させることが可能となる。
図7は、発光部12の位置、及び発光部12から出射されたレーザ光の波長の関係を表すものである。発光部12は、高温であるほど長い波長のレーザ光を出射させる。図6に示す温度分布により、半導体レーザ21は、中心部Cで最も長く両端部EL、ERへ向かうほど短くなるような波長分布のレーザ光を出射させる。発光部12間の温度差を大きくすることで、広い波長域のレーザ光を供給することが可能となる。本実施例の場合、例えば、数nm〜10nm程度の範囲でレーザ光を供給することが可能となる。異なる波長のレーザ光を供給することで、スペックルノイズを低減させることが可能となる。各発光部12同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整されたレーザ光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給できるという効果を奏する。
図8は、上記の半導体レーザ21に波長変換素子23及び外部共振器25を組み合わせた光源装置22の概略構成を示す。外部共振器25は、半導体レーザ21に設けられた各発光部12(図5参照)からのレーザ光を共振させる。波長変換素子23は、複数の発光部12及び外部共振器25の間の光路中に設けられている。波長変換素子23は、各発光部12からのレーザ光の波長を変換させる。波長変換素子23としては、例えばSHG素子を用いることができる。波長選択素子24は、波長変換素子23及び外部共振器25の間に設けられている。波長選択素子24は、所定の波長のレーザ光を選択的に透過させる。なお、波長選択素子24及び外部共振器25は、図5に示す光源装置20に適用することとしても良い。
図9は、波長変換素子23上の位置、及び波長変換させるレーザ光の波長の関係を表すものである。波長変換素子23で波長変換させるレーザ光の波長は、中心部Cに対応する位置で最も長くなり、両端部EL、ERへ向かうほど短くなる。波長変換素子23は、中心部C付近の発光部12に対応する位置にて、両端部EL、ER付近の発光部12に対応する位置にて波長変換させるレーザ光の波長より長い波長のレーザ光を波長変換させる。このような波長変換特性を持つ波長変換素子23は、例えば、両端部EL、ERに対応する位置に近いほど小さいピッチの分極反転構造を形成することで得られる。各発光部12からのレーザ光の波長に対応させて分極反転構造のピッチを調整することで、各発光部12からのレーザ光について効率的な波長変換が可能となる。
図10は、波長選択素子24上の位置、及び波長選択素子24で透過させるレーザ光の波長の関係を表すものである。波長選択素子24で透過させるレーザ光の波長は、中心部Cに対応する位置で最も長くなり、両端部EL、ERへ向かうほど短くなる。波長選択素子24は、中心部C付近の発光部12に対応する位置にて、両端部EL、ER付近の発光部12に対応する位置にて透過させるレーザ光の波長より長い波長のレーザ光を透過させる。このような透過特性を持つ波長選択素子24としては、例えば、両端部EL、ERに対応する位置に近いほど薄く形成された誘電体多層膜を用いることができる。
図8に戻って、外部共振器25は、波長変換素子23で波長変換されずに透過し、さらに波長選択素子24を透過したレーザ光を、選択的に反射させる。外部共振器25は、外部共振器25上の位置に関わらず、各発光部12からの所定の波長域のレーザ光を反射し得る反射特性を持つ。波長選択素子24にて各発光部12からのレーザ光を選択的に透過させることで、外部共振器25を用いてレーザ光を共振させることができる。よって、簡易な構成により、互いに異なる発振波長のレーザ光を共振させることができる。
波長選択素子24は、上述の透過特性の他、波長変換素子23で波長変換されたレーザ光も透過させる。波長変換素子23で波長変換されたレーザ光は、波長選択素子24及び外部共振器25を透過し、光源装置22から出射する。互いに異なる発振波長のレーザ光を波長変換することで、光源装置22は、互いに異なる波長のレーザ光を出射させる。異なる波長のレーザ光を供給することで、スペックルノイズを低減させることが可能となる。各発光部12同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整されたレーザ光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給できるという効果を奏する。
光源装置20、22は、発光部12同士の間隔が両端部EL、ERから中心部Cへ向かうに従い漸次小さくなる構成に限られない。各発光部12から互いに異なる波長のレーザ光を供給可能であれば、複数の発光部12のうち一部の発光部12同士について同一の間隔で配置することとしても良い。
図11は、本発明の実施例3に係る光源装置30の上面構成を示す。光源装置30は、半導体レーザ31を有する。半導体レーザ31は、コヒーレント光であるレーザ光を供給する光源部であって、面発光型の半導体レーザである。半導体レーザ31は、互いに間隔を設けて並列された複数の発光部12を備える。上記実施例1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
各発光部12は、複数の発光部12を並列させた部分の第2端部である右端部ERから第1端部である左端部ELへ向かうに従って、発光部12同士の間隔が漸次小さくなるように配置されている。左端部ELに最も近い発光部12同士の間隔d6は、右端部ERに最も近い発光部12同士の間隔d7より小さい(d6<d7)。このように、発光部12は、左端部EL付近における間隔d6を、右端部ER付近における間隔d7より小さくさせて配置されている。
図12は、発光部12の位置、及び発光部12の温度の関係を表すものである。光源装置30は、左端部ELから右端部ERへ向かうに従って容易に放熱可能となる。光源装置30は、左端部ELで最も高温となり右端部ERへ向かうほど低温となるような温度分布が生じることになる。
図13は、発光部12の位置、及び発光部12から出射されたレーザ光の波長の関係を表すものである。発光部12は、高温であるほど長い波長のレーザ光を出射させる。図12に示す温度分布により、半導体レーザ31は、左端部ELで最も長く右端部ERへ向かうほど短くなるような波長分布のレーザ光を出射させる。本実施例の場合、例えば、数nm〜10nm程度の範囲でレーザ光を供給することが可能となる。異なる波長のレーザ光を供給することで、スペックルノイズを低減させることが可能となる。各発光部12同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整されたレーザ光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給できるという効果を奏する。
光源装置30は、図12に示す温度分布を助長させるような態様で半導体レーザ31を冷却させる構成とすることにより、レーザ光の波長域をさらに広くさせることが可能である。例えば、半導体レーザ31の右端部ERから左端部ELに向けて冷媒を流動させる場合、右端部ERで熱の伝播を受けた冷媒によって左端部ELを冷却することとなる。この場合、左端部ELと比較して右端部ERを高い効率で冷却可能とし、図12に示す温度分布を助長させることが可能となる。
図14は、上記の半導体レーザ31に波長変換素子33及び外部共振器35を組み合わせた光源装置32の概略構成を示す。外部共振器35は、半導体レーザ31に設けられた各発光部12(図11参照)からのレーザ光を共振させる。波長変換素子33は、複数の発光部12及び外部共振器35の間の光路中に設けられている。波長変換素子33は、各発光部12からのレーザ光の波長を変換させる。波長変換素子33としては、例えばSHG素子を用いることができる。波長選択素子34は、波長変換素子33及び外部共振器35の間に設けられている。波長選択素子34は、所定の波長のレーザ光を選択的に透過させる。なお、外部共振器35は、図11に示す光源装置30に適用することとしても良い。
図15は、波長変換素子33上の位置、及び波長変換させるレーザ光の波長の関係を表すものである。波長変換素子33で波長変換させるレーザ光の波長は、左端部ELに対応する位置で最も長くなり、右端部ERへ向かうほど短くなる。波長変換素子33は、左端部EL付近の発光部12に対応する位置にて、右端部ER付近の発光部12に対応する位置にて波長変換させるレーザ光の波長より長い波長のレーザ光を波長変換させる。このような波長変換特性を持つ波長変換素子23は、例えば、右端部ERに対応する位置に近いほど小さいピッチの分極反転構造を形成することで得られる。各発光部12からのレーザ光の波長に対応させて分極反転構造のピッチを調整することで、各発光部12からのレーザ光について効率的な波長変換が可能となる。
図16は、波長選択素子34上の位置、及び波長選択素子34で透過させるレーザ光の波長の関係を表すものである。波長選択素子34で透過させるレーザ光の波長は、左端部ELに対応する位置で最も長くなり、右端部ERへ向かうほど短くなる。波長選択素子34は、左端部EL付近の発光部12に対応する位置にて、右端部ER付近の発光部12に対応する位置にて透過させるレーザ光の波長より長い波長のレーザ光を透過させる。このような透過特性を持つ波長選択素子34としては、例えば、左端部ELに対応する位置から右端部ERに対応する位置へ向かうほど薄く形成された誘電体多層膜を用いることができる。
図14に戻って、外部共振器35は、波長変換素子33で波長変換されずに透過し、さらに波長選択素子34を透過したレーザ光を、選択的に反射させる。外部共振器35は、外部共振器35上の位置に関わらず、各発光部12からの所定の波長域のレーザ光を反射し得る反射特性を持つ。波長選択素子34にて各発光部12からのレーザ光を選択的に透過させることで、外部共振器35を用いてレーザ光を共振させることができる。よって、簡易な構成により、互いに異なる発振波長のレーザ光を共振させることができる。
波長選択素子34は、上述の透過特性の他、波長変換素子33で波長変換されたレーザ光も透過させる。波長変換素子33で波長変換されたレーザ光は、波長選択素子34及び外部共振器35を透過し、光源装置32から出射する。互いに異なる発振波長のレーザ光を波長変換することで、光源装置32は、互いに異なる波長のレーザ光を出射させる。異なる波長のレーザ光を供給することで、スペックルノイズを低減させることが可能となる。各発光部12同士の間隔を調整するだけの簡易な方法により、波長が調整されたレーザ光を供給することができる。これにより、簡易な手法により、目的に応じて波長が調整された光を供給できるという効果を奏する。
光源装置30、32は、発光部12同士の間隔が右端部ERから左端部ELへ向かうに従い漸次小さくなる構成に限られない。各発光部12から互いに異なる波長のレーザ光を供給可能であれば、複数の発光部12のうち一部の発光部12同士について同一の間隔で配置することとしても良い。
各実施例に係る光源装置は、面発光型の半導体レーザを用いるものに限られない。発光型に代えて、端面発光型の半導体レーザを用いても良い。光源装置は、光源部として半導体レーザを用いる他、半導体レーザ励起固体(Diode Pumped Solid State;DPSS)レーザや、固体レーザ、液体レーザ、ガスレーザ等を用いる構成としても良い。さらに、光源部としては、他の固体光源、例えばLEDや有機ELを用いても良い。


図17は、本発明の実施例4に係るプロジェクタ70の概略構成を示す。プロジェクタ70は、スクリーン88に光を供給し、スクリーン88で反射する光を観察することで画像を鑑賞するフロント投写型のプロジェクタである。プロジェクタ70は、赤色(R)光用光源装置80R、緑色(G)光用光源装置80G、青色(B)光用光源装置80Bを有する。プロジェクタ70は、各色光用光源装置80R、80G、80Bからの光を用いて画像を表示する。
R光用光源装置80Rは、R光を供給する光源装置である。R光用光源装置80Rは、例えば、上記実施例1で説明する光源装置10(図1参照)と同様の構成とすることができる。R光用光源装置80Rは、R光を供給する半導体レーザを備える。拡散素子81は、照明領域の整形、拡大、照明領域におけるレーザ光の光量分布の均一化を行う。拡散素子81としては、例えば、回折光学素子である計算機合成ホログラム(Computer Generated Hologram;CGH)を用いることができる。フィールドレンズ82は、拡散素子81からのレーザ光を平行化させ、R光用空間光変調装置83Rへ入射させる。R光用光源装置80R、拡散素子81及びフィールドレンズ82は、R光用空間光変調装置83Rを照明する照明装置を構成する。R光用空間光変調装置83Rは、照明装置からのR光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。R光用空間光変調装置83Rで変調されたR光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム84へ入射する。
G光用光源装置80Gは、G光を供給する光源装置である。G光用光源装置80Gは、例えば、上記実施例1で説明する光源装置13(図3参照)と同様の構成とすることができる。G光用光源装置80Gは、半導体レーザからのレーザ光を波長変換させることによりG光を供給する。拡散素子81及びフィールドレンズ82を経たレーザ光は、G光用空間光変調装置83Gへ入射する。G光用光源装置80G、拡散素子81及びフィールドレンズ82は、G光用空間光変調装置83Gを照明する照明装置を構成する。G光用空間光変調装置83Gは、照明装置からのG光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。G光用空間光変調装置83Gで変調されたG光は、R光とは異なる側からクロスダイクロイックプリズム84へ入射する。
B光用光源装置80Bは、B光を供給する光源装置である。B光用光源装置80Bは、例えば、上記実施例1で説明する光源装置13(図3参照)と同様の構成とすることができる。B光用光源装置80Bは、半導体レーザからのレーザ光を波長変換させることによりB光を供給する。拡散素子81及びフィールドレンズ82を経たレーザ光は、B光用空間光変調装置83Bへ入射する。B光用光源装置80B、拡散素子81及びフィールドレンズ82は、B光用空間光変調装置83Bを照明する照明装置を構成する。B光用空間光変調装置83Bは、照明装置からのB光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。B光用空間光変調装置83Bで変調されたB光は、R光、G光とは異なる側からクロスダイクロイックプリズム84へ入射する。透過型液晶表示装置としては、例えば高温ポリシリコンTFT液晶パネル(High Temperature Polysilicon;HTPS)を用いることができる。
クロスダイクロイックプリズム84は、互いに略直交させて配置された2つのダイクロイック膜85、86を有する。第1ダイクロイック膜85は、R光を反射し、G光及びB光を透過させる。第2ダイクロイック膜86は、B光を反射し、R光及びG光を透過させる。クロスダイクロイックプリズム84は、それぞれ異なる方向から入射したR光、G光及びB光を合成し、投写レンズ87の方向へ出射させる。投写レンズ87は、クロスダイクロイックプリズム84で合成された光をスクリーン88の方向へ投写する。
上記の光源装置10、13と同様の構成を有する各色光用光源装置80R、80G、80Bを用いることにより、高い効率で光を出射させる目的に応じたレーザ光を容易に供給することができる。これにより、簡易な手法により、明るい画像を表示できるという効果を奏する。また、上記実施例2又は実施例3の光源装置と同様の構成の光源装置を用いることにより、スペックルノイズを低減させる目的に応じたレーザ光を容易に供給することができ、高品質な画像を表示することができる。
プロジェクタ70は、空間光変調装置として透過型液晶表示装置を用いる場合に限られない。空間光変調装置としては、反射型液晶表示装置(Liquid Crystal On Silicon;LCOS)、DMD(Digital Micromirror Device)、GLV(Grating Light Valve)等を用いても良い。プロジェクタ70は、色光ごとに空間光変調装置を備える構成に限られない。プロジェクタ70は、一の空間光変調装置により2つ又は3つ以上の色光を変調する構成としても良い。さらに、プロジェクタ70は、画像信号に応じて変調されたレーザ光を走査させることにより画像を表示する構成であっても良い。
プロジェクタは、スクリーンの一方の面に光を供給し、スクリーンの他方の面から出射される光を観察することで画像を鑑賞する、いわゆるリアプロジェクタであっても良い。さらに、本発明の光源装置は、プロジェクタに適用する場合に限られない。例えば、レーザ光を用いて露光を行う露光装置や、レーザ光により照明された像をモニタするモニタ装置等に適用することとしても良い。
以上のように、本発明に係る光源装置は、プロジェクタに用いる場合に適している。
本発明の実施例1に係る光源装置の上面構成を示す図。 発光部の位置、及び発光部の温度の関係を表す図。 波長変換素子及び外部共振器を有する光源装置の概略構成を示す図。 一定領域内において等間隔で発光部を配置する構成を説明する図。 本発明の実施例2に係る光源装置の上面構成を示す図。 発光部の位置、及び発光部の温度の関係を表す図。 発光部の位置、及び発光部から出射されたレーザ光の波長の関係を表す図。 波長変換素子及び外部共振器を有する光源装置の概略構成を示す図。 波長変換素子上の位置、及びレーザ光の波長の関係を表す図。 波長選択素子上の位置、及び透過させるレーザ光の波長の関係を表す図。 本発明の実施例3に係る光源装置の上面構成を示す図。 発光部の位置、及び発光部の温度の関係を表す図。 発光部の位置、及び発光部からのレーザ光の波長の関係を表す図。 波長変換素子及び外部共振器を有する光源装置の概略構成を示す図。 波長変換素子上の位置、及びレーザ光の波長の関係を表す図。 波長選択素子上の位置、及び透過させるレーザ光の波長の関係を表す図。 本発明の実施例4に係るプロジェクタの概略構成を示す図。
符号の説明
10 光源装置、11 半導体レーザ、12 発光部、C 中心部、EL 左端部、ER 右端部、13 光源装置、14 波長変換素子、15 外部共振器、16 半導体レーザ、AR 領域、20 光源装置、21 半導体レーザ、22 光源装置、23 波長変換素子、24 波長選択素子、25 外部共振器、30 光源装置、31 半導体レーザ、32 光源装置、33 波長変換素子、34 波長選択素子、35 外部共振器、70 プロジェクタ、80R R光用光源装置、80G G光用光源装置、80B B光用光源装置、81 拡散素子、82 フィールドレンズ、83R R光用空間光変調装置、83G G光用空間光変調装置、83B B光用空間光変調装置、84 クロスダイクロイックプリズム、85 第1ダイクロイック膜、86 第2ダイクロイック膜、87 投写レンズ、88 スクリーン

Claims (6)

  1. 間隔を設けて並列された複数の発光部と、
    前記発光部からの光を共振させる外部共振器と、
    前記発光部及び前記外部共振器の間の光路中に設けられ、前記発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、
    前記発光部は、複数の前記発光部を並列させた部分の中心部付近における前記間隔を、複数の前記発光部を並列させた部分の両端部付近における前記間隔より小さくさせて配置され
    前記波長変換素子は、前記中心部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記両端部付近の前記発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長より長い波長の光を波長変換させることを特徴とする光源装置。
  2. 前記波長変換素子及び前記外部共振器の間に設けられた波長選択素子を有し、
    前記波長選択素子は、前記中心部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記両端部付近の前記発光部に対応する位置にて透過させる光の波長より長い波長の光を透過させることを特徴とする請求項に記載の光源装置。
  3. 間隔を設けて並列された複数の発光部と、
    前記発光部からの光を共振させる外部共振器と、
    前記発光部及び前記外部共振器の間の光路中に設けられ、前記発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、
    前記発光部は、複数の前記発光部を並列させた部分の第1端部付近における前記間隔を、複数の前記発光部を並列させた部分の第2端部付近における前記間隔より小さくさせて配置され
    前記波長変換素子は、前記第1端部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記第2端部付近の前記発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長より長い波長の光を波長変換させることを特徴とする光源装置。
  4. 前記波長変換素子及び前記外部共振器の間に設けられた波長選択素子を有し、
    前記波長選択素子は、前記第1端部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記第2端部付近の前記発光部に対応する位置にて透過させる光の波長より長い波長の光を透過させることを特徴とする請求項に記載の光源装置。
  5. 前記発光部は、レーザ光を出射させることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の光源装置。
  6. 請求項1〜のいずれか一項に記載の光源装置と、
    前記光源装置からの光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、を有することを特徴とするプロジェクタ。
JP2007041851A 2007-02-22 2007-02-22 光源装置及びプロジェクタ Expired - Fee Related JP4341685B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007041851A JP4341685B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 光源装置及びプロジェクタ
US12/034,249 US7936800B2 (en) 2007-02-22 2008-02-20 Light source device and projector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007041851A JP4341685B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 光源装置及びプロジェクタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008205342A JP2008205342A (ja) 2008-09-04
JP4341685B2 true JP4341685B2 (ja) 2009-10-07

Family

ID=39715848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007041851A Expired - Fee Related JP4341685B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 光源装置及びプロジェクタ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7936800B2 (ja)
JP (1) JP4341685B2 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129530A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP5981092B2 (ja) * 2011-03-23 2016-08-31 ローム株式会社 マルチビーム半導体レーザ装置
JP5901391B2 (ja) * 2012-03-30 2016-04-06 富士通株式会社 光半導体素子、発光装置、光伝送装置及び光半導体素子の製造方法
JP5416293B1 (ja) * 2013-02-27 2014-02-12 アイリスオーヤマ株式会社 照明装置
JP2014187138A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Ushio Inc レーザ光源装置
EP2999062B1 (en) * 2013-05-13 2021-11-10 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor laser device
JP6244668B2 (ja) * 2013-05-31 2017-12-13 住友電気工業株式会社 量子カスケードレーザ
JP6244667B2 (ja) * 2013-05-31 2017-12-13 住友電気工業株式会社 量子カスケードレーザ
US9391425B2 (en) 2014-10-17 2016-07-12 Lumentum Operations Llc Wavelength combined laser system
JP6848302B2 (ja) * 2015-11-13 2021-03-24 株式会社リコー 面発光レーザアレイ及びレーザ装置
CN108886232B (zh) * 2015-12-25 2021-08-17 鸿海精密工业股份有限公司 线束光源及线束照射装置以及激光剥离方法
US10250012B2 (en) * 2016-06-02 2019-04-02 Lumentum Operations Llc Variable emission area design for a vertical-cavity surface-emitting laser array
WO2019021802A1 (ja) * 2017-07-26 2019-01-31 パナソニック株式会社 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置
US10355456B2 (en) * 2017-09-26 2019-07-16 Lumentum Operations Llc Emitter array with variable spacing between adjacent emitters
GB2567880B (en) * 2017-10-30 2022-11-30 Bae Systems Plc Laser diode array
WO2019163276A1 (ja) * 2018-02-26 2019-08-29 パナソニック株式会社 半導体発光装置
US11398715B2 (en) * 2018-02-26 2022-07-26 Panasonic Holdings Corporation Semiconductor light emitting device
JP7379859B2 (ja) * 2018-06-29 2023-11-15 株式会社リコー 光源、投影装置、計測装置、ロボット、電子機器、移動体、および造形装置
US12027824B2 (en) * 2018-09-04 2024-07-02 Ams Sensors Asia Pte. Ltd. Linear VCSEL arrays
DE112019006646B4 (de) * 2019-01-10 2024-04-18 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiter-Laservorrichtung
JP7297121B2 (ja) * 2019-01-10 2023-06-23 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JP7505183B2 (ja) * 2019-03-14 2024-06-25 株式会社リコー 光源装置、検出装置及び電子機器
EP3938830A1 (en) * 2019-03-14 2022-01-19 Ricoh Company, Ltd. Light source device, detection device, and electronic apparatus
WO2020224811A1 (en) * 2019-05-09 2020-11-12 Lumileds Holding B.V. Light-emitting device
DE102020112806A1 (de) * 2020-05-12 2021-11-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaserbauelement und verfahren zum betrieb zumindest eines halbleiterlasers

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4751711A (en) * 1985-08-16 1988-06-14 Spectra Diode Laboratories, Inc. Asymmetric offset stripe laser for emission in a single lobe
US4718069A (en) * 1986-10-27 1988-01-05 Spectra Diode Laboratories, Inc. Semiconductor laser array with single lobed output
JPH06132610A (ja) * 1992-10-21 1994-05-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザアレイ素子及びその製造方法
JP3999287B2 (ja) * 1996-03-15 2007-10-31 株式会社リコー 半導体発光装置
JP2001148536A (ja) * 1999-09-10 2001-05-29 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2002335046A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザアレイ
JP3736462B2 (ja) 2002-01-17 2006-01-18 ソニー株式会社 半導体レーザ装置
WO2004021525A2 (de) * 2002-09-02 2004-03-11 Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg Halbleiterlaservorrichtung mit externem resonator und konkavem spiegel
JP4580236B2 (ja) 2002-09-02 2010-11-10 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー 半導体レーザ装置
JP4165179B2 (ja) 2002-10-21 2008-10-15 ソニー株式会社 照明装置及び画像表示装置
JP2005116933A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Sony Corp 面発光レーザ素子アレイおよび面発光レーザ素子アレイの製造方法
WO2006015193A2 (en) * 2004-07-30 2006-02-09 Novalux, Inc. Apparatus, system, and method for wavelength conversion of mode-locked extended cavity surface emitting semiconductor lasers
KR20070046831A (ko) * 2004-07-30 2007-05-03 노바룩스 인코포레이티드 투사 디스플레이 장치, 시스템 및 방법
US7322704B2 (en) * 2004-07-30 2008-01-29 Novalux, Inc. Frequency stabilized vertical extended cavity surface emitting lasers
US7357513B2 (en) * 2004-07-30 2008-04-15 Novalux, Inc. System and method for driving semiconductor laser sources for displays
KR20070116960A (ko) * 2005-03-30 2007-12-11 노바룩스 인코포레이티드 제조가능 수직 연장 공동 표면 발광 레이저 어레이
JP2006343712A (ja) * 2005-05-12 2006-12-21 Seiko Epson Corp 光源装置、走査型表示装置、プロジェクタ
EP1770836B1 (de) * 2005-09-29 2015-04-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Laserdiodenvorrichtung, Laseranordnung mit mindestens einer Laserdiodevorrichtung und optisch gepumpter Laser
JP5187474B2 (ja) * 2006-06-22 2013-04-24 ソニー株式会社 半導体レーザアレイおよび光学装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080205459A1 (en) 2008-08-28
JP2008205342A (ja) 2008-09-04
US7936800B2 (en) 2011-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4341685B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
US7972034B2 (en) Laser light source, laser light source unit, illumination device, monitor apparatus, and image display apparatus
JP4416018B2 (ja) 波長変換素子、光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ
JP5082862B2 (ja) 光源装置、照明装置及び画像表示装置
JP5277807B2 (ja) 光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置
JP4325683B2 (ja) 画像表示装置、及び画像表示装置の制御方法
JP5262231B2 (ja) 光源装置及び画像表示装置
US8050300B2 (en) Laser beam source device, lighting device, image display apparatus, and monitoring apparatus
JP6186877B2 (ja) 光源装置およびプロジェクター
US7801196B2 (en) Light source device, lighting device, monitoring device, and image display apparatus
JP2009259854A (ja) 固体レーザー装置およびこれを用いた画像表示装置
JP2009094186A (ja) 光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置
JP2009152524A (ja) 光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置
JP2009200284A (ja) レーザ光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
JP2008083482A (ja) レーザ光源装置、照明装置、モニタ装置およびプロジェクタ
JP2008286823A (ja) 光源装置、照明装置及びプロジェクタ
JP2009192873A (ja) 光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
JP2008153332A (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP2008192579A (ja) 光源装置、照明装置及びプロジェクタ
JP2010067466A (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP2009212418A (ja) 光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
JP2009251005A (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP2009054672A (ja) 光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置
JP2008281670A (ja) 照明装置及びプロジェクタ
JP2010067465A (ja) 光源装置及びプロジェクタ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080711

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080916

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090303

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090420

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090616

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090629

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4341685

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130717

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees