JP2008205342A - 光源装置及びプロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】間隔を設けて並列された複数の発光部を有し、発光部は、複数の発光部を並列させた部分の両端部EL、ER付近における間隔を、複数の発光部を並列させた部分の中心部C付近における間隔より小さくさせて配置され、発光部からの光を共振させる外部共振器15と、発光部及び外部共振器15の間の光路中に設けられ、発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子14と、を有し、波長変換素子14は、中心部C付近の発光部に対応する位置にて、両端部EL、ER付近の発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長と略同じ波長の光を波長変換させる。
【選択図】図3
Description
Claims (10)
- 間隔を設けて並列された複数の発光部を有し、
前記発光部は、複数の前記発光部を並列させた部分の両端部付近における前記間隔を、複数の前記発光部を並列させた部分の中心部付近における前記間隔より小さくさせて配置されることを特徴とする光源装置。 - 前記発光部からの光を共振させる外部共振器と、
前記発光部及び前記外部共振器の間の光路中に設けられ、前記発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、
前記波長変換素子は、前記中心部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記両端部付近の前記発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長と略同じ波長の光を波長変換させることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。 - 間隔を設けて並列された複数の発光部を有し、
前記発光部は、複数の前記発光部を並列させた部分の中心部付近における前記間隔を、複数の前記発光部を並列させた部分の両端部付近における前記間隔より小さくさせて配置されることを特徴とする光源装置。 - 前記発光部からの光を共振させる外部共振器と、
前記発光部及び前記外部共振器の間の光路中に設けられ、前記発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、
前記波長変換素子は、前記中心部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記両端部付近の前記発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長より長い波長の光を波長変換させることを特徴とする請求項3に記載の光源装置。 - 前記波長変換素子及び前記外部共振器の間に設けられた波長選択素子を有し、
前記波長選択素子は、前記中心部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記両端部付近の前記発光部に対応する位置にて透過させる光の波長より長い波長の光を透過させることを特徴とする請求項4に記載の光源装置。 - 間隔を設けて並列された複数の発光部を有し、
前記発光部は、複数の前記発光部を並列させた部分の第1端部付近における前記間隔を、複数の前記発光部を並列させた部分の第2端部付近における前記間隔より小さくさせて配置されることを特徴とする光源装置。 - 前記発光部からの光を共振させる外部共振器と、
前記発光部及び前記外部共振器の間の光路中に設けられ、前記発光部からの光の波長を変換させる波長変換素子と、を有し、
前記波長変換素子は、前記第1端部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記第2端部付近の前記発光部に対応する位置にて波長変換させる光の波長より長い波長の光を波長変換させることを特徴とする請求項6に記載の光源装置。 - 前記波長変換素子及び前記外部共振器の間に設けられた波長選択素子を有し、
前記波長選択素子は、前記第1端部付近の前記発光部に対応する位置にて、前記第2端部付近の前記発光部に対応する位置にて透過させる光の波長より長い波長の光を透過させることを特徴とする請求項7に記載の光源装置。 - 前記発光部は、レーザ光を出射させることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の光源装置。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置からの光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、を有することを特徴とするプロジェクタ。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010129530A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP2012204364A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Rohm Co Ltd | マルチビーム半導体レーザ装置 |
JP2013211482A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子、発光装置、光伝送装置及び光半導体素子の製造方法 |
JP5416293B1 (ja) * | 2013-02-27 | 2014-02-12 | アイリスオーヤマ株式会社 | 照明装置 |
WO2014148541A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | ウシオ電機株式会社 | レーザ光源装置 |
WO2014184844A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2014236075A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
JP2014236076A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
JP2017098532A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-06-01 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ及びレーザ装置 |
WO2019021802A1 (ja) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
JP2020009749A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-16 | 株式会社リコー | 光源、投影装置、計測装置、ロボット、電子機器、移動体、および造形装置 |
JP2020155403A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-24 | 株式会社リコー | 光源装置、検出装置及び電子機器 |
JPWO2019163276A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2021-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
JPWO2020144794A1 (ja) * | 2019-01-10 | 2021-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2022089985A (ja) * | 2019-01-10 | 2022-06-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9391425B2 (en) | 2014-10-17 | 2016-07-12 | Lumentum Operations Llc | Wavelength combined laser system |
CN108886232B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-08-17 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 线束光源及线束照射装置以及激光剥离方法 |
US10250012B2 (en) * | 2016-06-02 | 2019-04-02 | Lumentum Operations Llc | Variable emission area design for a vertical-cavity surface-emitting laser array |
US10355456B2 (en) * | 2017-09-26 | 2019-07-16 | Lumentum Operations Llc | Emitter array with variable spacing between adjacent emitters |
GB2567880B (en) * | 2017-10-30 | 2022-11-30 | Bae Systems Plc | Laser diode array |
JP7072047B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2022-05-19 | パナソニックホールディングス株式会社 | 半導体発光素子 |
US12027824B2 (en) * | 2018-09-04 | 2024-07-02 | Ams Sensors Asia Pte. Ltd. | Linear VCSEL arrays |
US20220158418A1 (en) * | 2019-03-14 | 2022-05-19 | Takumi Satoh | Light source device, detection device, and electronic apparatus |
WO2020224811A1 (en) | 2019-05-09 | 2020-11-12 | Lumileds Holding B.V. | Light-emitting device |
DE102020112806A1 (de) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlaserbauelement und verfahren zum betrieb zumindest eines halbleiterlasers |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06132610A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザアレイ素子及びその製造方法 |
JPH09252166A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2001148536A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2002335046A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザアレイ |
JP2003209313A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2005537643A (ja) * | 2002-09-02 | 2005-12-08 | ヘンツェ−リソチェンコ パテントフェルヴァルトゥングス ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー | 半導体レーザ装置 |
JP2006343712A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-12-21 | Seiko Epson Corp | 光源装置、走査型表示装置、プロジェクタ |
JP2007096326A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | レーザダイオード装置、少なくとも1つのレーザダイオード装置を有するレーザシステムおよび光学式ポンピングレーザ |
JP2008004743A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Sony Corp | 半導体レーザアレイおよび光学装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751711A (en) * | 1985-08-16 | 1988-06-14 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Asymmetric offset stripe laser for emission in a single lobe |
US4718069A (en) * | 1986-10-27 | 1988-01-05 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Semiconductor laser array with single lobed output |
WO2004021524A2 (de) | 2002-09-02 | 2004-03-11 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg | Halbleiterlaservorrichtung |
JP4165179B2 (ja) | 2002-10-21 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 照明装置及び画像表示装置 |
JP2005116933A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Sony Corp | 面発光レーザ素子アレイおよび面発光レーザ素子アレイの製造方法 |
US7357513B2 (en) | 2004-07-30 | 2008-04-15 | Novalux, Inc. | System and method for driving semiconductor laser sources for displays |
US20060023757A1 (en) | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Aram Mooradian | Apparatus, system, and method for wavelength conversion of mode-locked extended cavity surface emitting semiconductor lasers |
WO2006015133A2 (en) | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Novalux, Inc. | Projection display apparatus, system, and method |
US7322704B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-01-29 | Novalux, Inc. | Frequency stabilized vertical extended cavity surface emitting lasers |
KR20070116960A (ko) | 2005-03-30 | 2007-12-11 | 노바룩스 인코포레이티드 | 제조가능 수직 연장 공동 표면 발광 레이저 어레이 |
-
2007
- 2007-02-22 JP JP2007041851A patent/JP4341685B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-20 US US12/034,249 patent/US7936800B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06132610A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザアレイ素子及びその製造方法 |
JPH09252166A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2001148536A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2002335046A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザアレイ |
JP2003209313A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2005537643A (ja) * | 2002-09-02 | 2005-12-08 | ヘンツェ−リソチェンコ パテントフェルヴァルトゥングス ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー | 半導体レーザ装置 |
JP2006343712A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-12-21 | Seiko Epson Corp | 光源装置、走査型表示装置、プロジェクタ |
JP2007096326A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | レーザダイオード装置、少なくとも1つのレーザダイオード装置を有するレーザシステムおよび光学式ポンピングレーザ |
JP2008004743A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Sony Corp | 半導体レーザアレイおよび光学装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010129530A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP2012204364A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Rohm Co Ltd | マルチビーム半導体レーザ装置 |
JP2013211482A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子、発光装置、光伝送装置及び光半導体素子の製造方法 |
JP5416293B1 (ja) * | 2013-02-27 | 2014-02-12 | アイリスオーヤマ株式会社 | 照明装置 |
WO2014148541A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | ウシオ電機株式会社 | レーザ光源装置 |
WO2014184844A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US9455547B2 (en) | 2013-05-13 | 2016-09-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
JP2014236075A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
JP2014236076A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
JP2017098532A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-06-01 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ及びレーザ装置 |
WO2019021802A1 (ja) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
JPWO2019021802A1 (ja) * | 2017-07-26 | 2020-05-28 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
JPWO2019163276A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2021-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
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