JP2008004743A - 半導体レーザアレイおよび光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成でスペックルノイズを低減することの可能な半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】互いに等しいストライプ幅を有する複数のリッジ部１３を並列に備える。複数のリッジ部１３の間隔Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が配列の端部側から中央側に向かって段階的に狭くなっている。また、複数のリッジ部１３は中央部に密に配列され、端部に疎に配列されている。これにより、合成光のスペクトル帯域幅が大幅に広がると共に、合成光のスペクトル分布が均一となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ディスプレイの光源などに好適に用いられる半導体レーザアレイおよびこの半導体レーザアレイを備えた光学装置に関する。

半導体レーザは、出射光の単色性が良好である他に、他の光源と比べて小型で高効率であることから、それを投影型ディスプレイなどの光源として用いることが期待されている。しかし、レーザ光を被照射面に照射するとスペックルノイズと呼ばれる斑点模様が現れ、画像がちらついて見える。これは、レーザ光が、波長が単一で位相の揃った光であり、コヒーレンスが非常に高いために生じる独特の現象である。

このスペックルノイズを低減するためには、例えば、被照射面や、半導体レーザと被照射面との間の光路中に配置された光学素子を振動させる方法がある。他に、例えば、図５に示したように、半導体レーザアレイ２１０と、ヒートシンク２２０とを備えた半導体レーザ装置２００において、基板１１１上に設けられた半導体層１１２の上部に複数のリッジ部１１３を等間隔に配置し、上部電極１１５および下部電極１１６から各リッジ部１１３に電流を注入し、各リッジ部１１３に対応する発光領域１１４から出力されるレーザ光を合成する方法がある。

特開２００３−２０９３１３号公報

しかし、前者の方策では、振動させるための機構が新たに必要となり、構成が複雑となるので、コストや信頼性の面で好ましくない。また、後者の方策は、半導体レーザがチップ温度に応じて波長が変化する性質を有していることを利用したものであり、各発光領域１１４から発生する熱によって配列方向に温度分布を生じさせ（例えば図６（Ａ））、その温度分布に応じた波長の光を各発光領域１１４から出力させ（例えば図６（Ｂ））、これらの光を合成することによりスペクトル帯域幅を広げることはできる。

ところが、後者の方策により得られるスペクトル帯域幅は、リッジ部１１３を１つだけ備えた半導体レーザのそれと比べてわずかに広いだけであり、依然としてコヒーレンスが高い。また、一般に、チップ温度が高くなると発光効率が低下し、それに伴い発光強度が低くなるので、後者の方策では、相対的に温度の高い中央部の発光領域１１４において発光強度が相対的に低くなる傾向がある。そのため、中央部の発光領域１１４から出力される長波長領域の発光強度が相対的に低くなり、スペクトル分布が不均一となるので、スペクトル帯域幅を広げたとしても、スペックルノイズを緩和する効果はほとんどない。そこで、スペクトル分布を均一に近づけるために、特許文献１または図７の半導体レーザ装置３００に示したように、半導体レーザアレイ３１０の中央部における発光領域１１４同士の間隔を端部における発光領域１１４同士の間隔よりも広くして、中央部の温度を低減させることが考えられる。しかし、このようにすると、中央部の温度と端部の温度との温度差が小さくなるので、波長差も小さくなり、スペックルノイズがむしろ大きくなってしまう。このように従来の方法では、簡易な構成でスペックルノイズを低減することが困難であった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡易な構成でスペックルノイズを低減することの可能な半導体レーザアレイおよびこの半導体レーザアレイを備えた光学装置を提供することにある。

本発明の半導体レーザアレイは、互いに等しいストライプ幅を有する複数の導波路を並列に備えたものである。複数の導波路のうち中央に配列された導波路同士の間隔が複数の導波路のうち端部に配列された導波路同士の間隔よりも狭くなっている。本発明の光学装置は、上記半導体レーザアレイと、上記半導体レーザアレイから出力された光を集光する光学系とを備えたものである。

本発明の半導体レーザアレイおよび光学装置では、複数の導波路のうち中央に配列された導波路同士の間隔が複数の導波路のうち端部に配列された導波路同士の間隔よりも狭くなっているので、導波路に対応して形成される発光領域の間隔についても、中央の方が端部よりも狭くなる。ここで、発光領域は熱源でもあるので、各導波路を等間隔に並列に配列した場合よりも、配列方向の温度分布がより不均一となる。これにより、配列方向の波長分布も配列方向の温度分布に応じてより不均一となる。

本発明の半導体レーザアレイおよび光学装置によれば、複数の導波路のうち中央に配列された導波路同士の間隔を複数の導波路のうち端部に配列された導波路同士の間隔よりも狭くしたので、各導波路を等間隔に並列に配列した場合よりも、配列方向の波長分布がより不均一となる。これにより、各導波路に対応して形成される発光領域から出力される光の合成スペクトルの帯域幅を大幅に広げることができるので、新たな構成や、特殊な構成などを用いることなく、コヒーレンスを低減することができる。従って、簡易な構成でスペックルノイズを低減することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザアレイ１０を備えた半導体レーザ装置１の断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置１は、例えば、半導体レーザアレイ１０をリッジ部１３側を下にしてヒートシンク２０上に載置したものである。なお、半導体レーザアレイ１０をリッジ部１３側を上にしてヒートシンク２０上に載置してもよい。図２は、本発明の一実施の形態に係る光学装置２の概略構成を表すものである。この光学装置２は、半導体レーザ装置１と、半導体レーザ装置１から出力された光を集光する光学系とを備えたものである。ここで、光学系は、例えば、コリメートレンズ３０およびフライアイレンズ４０を半導体レーザ装置１側から順に配置したものであり、この光学系によって集光された光を被照射面Ｓに照射するようになっている。

半導体レーザアレイ１０は、基板１１の一面側に半導体層１２を形成したものである。この半導体層１２は、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層およびコンタクト層（いずれも図示せず）を基板１１上にこの順に積層すると共に、上部クラッド層の上部およびコンタクト層を選択的にエッチングすることにより形成された複数のリッジ部１３を有している。

基板１１は、例えばｎ型ＧａＡｓにより構成されている。なお、ｎ型不純物は、例えばケイ素（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などである。

また、半導体層１２は、例えばＡｌＧａＩｎＰ系半導体により構成されている。なお、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体とは、長周期型周期表における３Ｂ族元素のアルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）またはインジウム（Ｉｎ）と、５Ｂ族元素のリン（Ｐ）とを含む化合物半導体のことをいう。

ここで、下部クラッド層は、例えばｎ型Ａｌ_a Ｇａ_1-a-b Ｉｎ_b Ｐ（０＜ａ＜１，０＜ｂ＜１）により構成されている。活性層は、例えば不純物が含まれていないＧａ_c Ｉｎ_1-c Ｐ（０＜ｃ＜１）により構成されている。この活性層は、各リッジ部１３に対応してストライプ状の発光領域１４を有している。すなわち、各発光領域１４は共通の半導体層１２内に形成されている。各発光領域１４はリッジ部１３で狭窄された電流が注入される電流注入領域に対応しており、各発光領域１４のストライプ幅は、横方向の温度分布によって多少変化するが、対応するリッジ部１３の底部と同等の大きさとなっている。

上部クラッド層は、例えばｐ型Ａｌ_d Ｇａ_1-d-e Ｉｎ_e Ｐ（０＜ｄ＜１，０＜ｅ＜１）により構成されている。コンタクト層は、例えばｐ型Ａｌ_f Ｇａ_1-f-g Ｉｎ_g Ｐ（０＜ｆ＜１，０＜ｇ＜１）もしくはｐ型ＧａＡｓにより構成されている。なお、ｐ型不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などである。

上部クラッド層の上部およびコンタクト層には、レーザ光の射出方向（軸方向）に延在するストライプ状の複数のリッジ部１３が並列に形成されている。各リッジ部１３は、互いに等しいストライプ幅を有しており、活性層の電流注入領域を制限すると共に、横方向の屈折率閉じ込め作用によって軸方向に導波させるようになっている。ここで、「互いに等しいストライプ幅」とは、各リッジ部１３のストライプ幅が厳密に等しいことを意味するものではなく、各リッジ部１３の抵抗成分が互いにおおよそ等しくなる程度に等しいことを意味している。なお、以下、上記半導体層１２を積層した方向を縦方向と称し、軸方向および縦方向に垂直な方向（各リッジ部１３の配列方向）を横方向と称する。

また、複数のリッジ部１３の間隔が配列の端部側から中央側に向かって段階的に狭くなっている。そこで、リッジ部１３同士の間隔が互いに等しい領域ごとに半導体レーザアレイ１０を分けて考えると、半導体レーザアレイ１０の中央部ではリッジ部１３同士の間隔Ｐ１が最も狭くなっており、半導体レーザアレイ１０の端部ではリッジ部１３同士の間隔Ｐ３が最も広くなっている。そして、これらの領域に挟まれた領域ではリッジ部１３同士の間隔Ｐ２はＰ１よりも大きくＰ３よりも小さくなっている。すなわち、中央部に配列されたリッジ部１３同士の間隔が端部に配列されたリッジ部１３同士の間隔よりも狭くなっている。

ここで、各領域に含まれるリッジ部１３の数は中央部で最も多く、端部で最も少なくなっている。例えば、図１では、各領域の境界に相当する部分に配置されているリッジ部１３はその境界に接する２つの領域のうち中央側の領域に含まれるものとして計算すると、中央部にはリッジ部１３が５つ含まれ、端部にはリッジ部１３が１つ含まれ、これらに挟まれた領域にはリッジ部１３が２つ含まれている。つまり、各領域に含まれるリッジ部１３の数は、配列の端部側から中央側に向かって徐々に多くなっている。

また、この半導体レーザアレイ１０は、上部電極１５および下部電極１６を有している。上部電極１５は、例えば、各リッジ部１３の表面を含む領域に一体に形成されており、各リッジ部１３を全て覆う１つの電極となっている。この上部電極１５は、例えば、チタン（Ｔｉ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）を半導体層１２上にこの順に積層した構造を有しており、各リッジ部１３の上部のコンタクト層と電気的に接続されると共に、例えばヒートシンク２０と接続されている。ここで、ヒートシンク２０は、半導体レーザアレイ１０の各発光領域１４から発生する熱を半導体レーザアレイ１０から放散させるためのものである。なお、上部電極１５は、リッジ部１３ごとにストライプ状に分割されると共に互いに電気的に分離された複数の電極としてもよい。下部電極１６は、基板１１の裏面側に形成されている。この下部電極１５は、例えば、ＡｕＧｅ，ＮｉおよびＡｕをこの順に積層した構造を有しており、基板１１と電気的に接続されている。

さらに、上部電極１５および下部電極１６は、ワイヤ（図示せず）を介して電源（図示せず）に接続されている。なお、上部電極１５を各リッジ部１３を全て覆う１つの電極とした場合には単一の電源を上部電極１５と接続すればよく、上部電極１５を上記したような複数の電極とした場合には単一の電源を個々の電極に接続してもよいし、複数の電源の各々を個々の電極に接続するようにしてもよい。

ここで、各リッジ部１３のストライプ幅は上記したように互いに等しく、各リッジ部１３の抵抗値が互いに等しいので、電源から各リッジ部１３に印加される電圧は全て等しくなり、各リッジ部１３に流れる電流の大きさおよびその密度も全て等しくなる。これにより、各リッジ部１３をほぼ同一の駆動条件で駆動することができるので、上部電極１５および下部電極１６に接続する電源は１つあれば足りる。また、半導体レーザアレイ１０に温度分布がなく、各発光領域１４における発光効率が互いに等しいときには、各発光領域１４から出力される光の発光強度が互いに等しくなる。

もっとも、後述するように、半導体レーザアレイ１０では熱干渉により横方向に温度分布が生じるので、相対的に温度の高い発光領域１４では相対的に温度の低い発光領域１４と比べて発光効率が低くなり、発光強度も低くなる。そこで、本実施の形態では、相対的に温度の高くなる中央部にリッジ部１３を密に配列して中央部全体の発光強度を増やし、逆に、相対的に温度の低くなる端部にリッジ部１３を疎に配列して端部全体の発光強度を低減することにより、各領域から出力されるレーザ光の発光強度が均一となるようにしている。

コリメートレンズ３０は、例えば、縦方向に凸形状を有する縦方向コリメートレンズと、横方向に凸形状を有する横方向コリメートレンズとからなり、縦方向および横方向のビームの発散を抑えて、ビームの縦方向成分および横方向成分を平行光化するようになっている。コリメートレンズ３０は、光学装置２の用途などに適した位置に配置されている。例えば、光学装置２を投影型ディスプレイなどの光源として用いる場合には、図２に示したように、コリメートレンズ３０を、各発光領域１４から出力された光がコリメートレンズ３０の入射面において一部重なり合う程度の位置に配置したり、各半導体レーザアレイ１０の各領域（中央部、端部、これらに挟まれた領域）から出力された光がコリメートレンズ３０の入射面において互いに重なり合わない程度の位置に配置することが可能である。

フライアイレンズ４０は、アレイ状に配置された複数のマイクロレンズ４１を備えており、コリメートレンズ３０で平行光化された光束を個々のマイクロレンズ４１で微小な光束に分割すると共に分割した個々の光束を被照射面Ｓで合成するようになっている。これにより、合成光の被照射面Ｓにおける面内強度分布がほぼ均一となる。

このような構成の半導体レーザアレイ１０は、例えば次のようにして製造することができる。

上記の構成で例示したＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体で半導体レーザアレイ１０を製造するためには、基板１１上の化合物半導体層を、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により形成する。この際、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、フォスフィン（ＰＨ₃ ）を用い、ドナー不純物の原料としては、例えば、セレン化水素（Ｈ₂ Ｓｅ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば、ジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いる。

具体的には、まず、基板１１上に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層およびコンタクト層（いずれも図示せず）をこの順に積層したのち、コンタクト層上にマスク層（図示せず）を形成し、例えば反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）法により、上部クラッド層の上部およびコンタクト層を選択的に除去する。これにより、上部クラッド層の上部およびコンタクト層に、ストライプ状の複数のリッジ部１３が端部側から中央側に向かって段階的に間隔が狭くなるように並列に形成される。その後、上記マスク層を除去する。

次に、例えば蒸着法により、各リッジ部１３を含む領域と対向する領域に上部電極１５を、基板１１の裏面側に下部電極１７をそれぞれ形成したのち、軸方向の一対の端面に反射鏡膜（図示せず）を形成する。このようにして本実施の形態の半導体レーザアレイ１０が形成される。

次に、本実施の形態の光学装置２の作用について説明する。半導体レーザアレイ１０において、上部電極１５と下部電極１６との間に駆動回路２によって所定の電圧が印加されると、リッジ部１３により電流狭窄され、活性層の電流注入領域（発光領域１４）に電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対の反射鏡膜（図示せず）により反射され、素子内を一往復したときの位相の変化が２πの整数倍となる波長でレーザ発振を生じ、レーザビームとして各発光領域１４から出力される。各発光領域１４から出力された光は、コリメートレンズ３０およびフライアイレンズ４０からなる光学系によって合成され、被照射面Ｓに照射される。

ところで、一般に、図４（Ａ）に示したような、単一のリッジ部１１３を有する半導体レーザ１１０と、ヒートシンク２２０とを備えた半導体レーザ装置１００では、上部電極１１５および下部電極１１６に対して電圧を印加して、半導体層１１２のうちリッジ部１１３に対応する発光領域１１４からレーザ光を出力させると、発光領域１１４に注入されたエネルギーのうち発光に寄与しなかった成分は熱となる。そのため、発光領域１１４は図４（Ｂ）に示したような分布の発熱量を発生する熱源として作用する。発光領域１１４で発生した熱は、主にリッジ部１１３および上部電極１１５を介してヒートシンク２２０に放散され、一部は基板１１１および下部電極１１６を介して外部に放散される。その結果、発光領域１１４およびその近傍は、図４（Ｃ）に示したような温度分布を持つようになる。

従って、図５の半導体レーザ装置２００のように、複数のリッジ部１１３を等間隔に配列した場合には、熱干渉により配列の中央部の温度が配列の端部の温度よりも高くなる。例えば、半導体レーザアレイ２１０をＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系の半導体材料により構成し、各リッジ部１１３のストライプ幅を６０μｍ、共振器長を７００μｍ、各リッジ部１１３の間隔を４００μｍ、リッジ部１１３の数を２５とし、上部電極１１５および下部電極１１６の間に１０Ａの駆動電流を流すと共に、ヒートシンク２２０の温度を２０℃に調節した場合には、半導体レーザアレイ２１０の中央部と端部との間で、およそ５℃の温度差が生じる。

ここで、一般的な半導体レーザは、リッジ部内部の温度が上昇するにつれて発振波長が長波長側に変化し、逆に、リッジ部内部の温度が低下するにつれて発振波長が短波長側に変化する、という性質を有している。そのため、上記したように、横方向に温度分布が生じると、その温度分布に応じた波長の光が各発光領域１１４から出力される。その結果、その温度分布によって中央部と端部との間でおよそ１ｎｍの波長差が生じていることがわかる。

このように、複数のリッジ部１１３を等間隔に配列した場合には、熱干渉により横方向にわずかに温度分布が生じ、その温度分布に応じた波長の光が各発光領域１１４から出力される。これにより、単一のリッジ部１１３を備えた半導体レーザ装置１００と比べて、各発光領域１１４から出力される光の合成光のスペクトル帯域幅を広げることが可能となる。

しかし、半導体レーザ装置２００のスペクトル帯域幅は上記した例ではたかだか１ｎｍであり、リッジ部１１３を１つだけ備えた半導体レーザ装置１００のそれと比べてわずかに広いだけであり、依然としてコヒーレンスが高い。また、一般に、チップ温度が高くなると発光効率が低下し、それに伴い発光強度が低くなるので、相対的に温度の高い中央部の発光領域１１４において発光強度が相対的に低くなる傾向がある。そのため、中央部の発光領域１１４から出力される長波長領域の発光強度が相対的に低くなり、スペクトル分布が不均一となるので、スペクトル帯域幅を広げたとしても、スペックルノイズを緩和する効果はほとんどない。

そこで、スペクトル分布を均一に近づけるために、図７の半導体レーザ装置３００に示したように、半導体レーザアレイ３１０の中央部における発光領域１１４同士の間隔を端部における発光領域１１４同士の間隔よりも広くして、中央部の温度を低減させることが考えられる。しかし、このようにすると、中央部の温度と端部の温度との温度差が小さくなるので、波長差も小さくなり、スペックルノイズがむしろ大きくなってしまう。

一方、本実施の形態の半導体レーザ装置１では、ストライプ状の複数のリッジ部１３を端部側から中央側に向かって段階的に間隔が狭くなるように並列に形成している。これにより、複数のリッジ部１１３を等間隔に配列した場合よりも、中央部の温度を増加させると共に、端部の温度を低減させている。つまり、中央部の温度と端部の温度との温度差が半導体レーザ装置２００における温度差よりも大きくなっている。

例えば、半導体レーザアレイ１０をＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系の半導体材料により構成し、各リッジ部１１３のストライプ幅を６０μｍ、共振器長を７００μｍ、中央部のリッジ部１１３同士の間隔Ｐ１を１００μｍ、端部のリッジ部１１３同士の間隔Ｐ３を８００μｍ、これらに挟まれた領域のリッジ部１１３同士の間隔Ｐ２を４００μｍ、中央部のリッジ部１１３の数を５、端部のリッジ部１１３の数を１、これらに挟まれた領域のリッジ部１１３の数を２とし、上部電極１５および下部電極１６の間に7 Ａの駆動電流を流すと共に、ヒートシンク２０の温度を２０℃に調節した場合には、半導体レーザアレイ１０の中央部と端部との間で、およそ１５℃の温度差が生じる（図３（Ａ））。

このように、横方向に不均一な温度分布が生じると、その温度分布に応じた波長の光が各発光領域１１４から出力される。その結果、その温度分布によって中央部と端部との間でおよそ３ｎｍの波長差が生じていることがわかる（図３（Ｂ））。これにより、この場合には、上記光学系を用いて各発光領域１１４から出力される光を合成することにより合成光のスペクトル帯域幅をおよそ３ｎｍにまで広げることができる。

もっとも、中央部と端部との間で温度差が大きくなると、中央部の発光領域１４から出力される長波長領域の発光強度が大幅に低くなるが、上記したように、中央部にリッジ部１３を密に配列して中央部全体の発光強度を増やし、逆に、端部にリッジ部１３を疎に配列して端部全体の発光強度を低減することにより、その低下分を補っている。これにより、各領域から出力されるレーザ光の発光強度を均一にすることができるので、各発光領域１１４から出力される光の合成光のスペクトル分布を均一にすることができる。

従って、本実施の形態では、ストライプ状の複数のリッジ部１３を端部側から中央側に向かって段階的に間隔が狭くなるように並列に配列すると共に、中央部にリッジ部１３を密に配列し、端部にリッジ部１３を疎に配列するようにしたので、合成光のスペクトル帯域幅を大幅に広げると共に、合成光のスペクトル分布を均一にすることができる。これにより、コヒーレンスを大幅に低減することができる。

また、本実施の形態では、複数のリッジ部１１３を配列してなる半導体レーザ装置１や、一般的な光学系を用いているだけであり、特殊な構成を必要としていない。

以上のことから、本実施の形態では、簡易な構成でスペックルノイズを低減することができる。

また、本実施の形態では、各リッジ部１３のストライプ幅が互いに等しくなっているので、各リッジ部１３の抵抗値も互いに等しく、各リッジ部１３を同一の駆動条件で駆動することができる。これにより、各リッジ部１３を駆動する電源を複数用意する必要はなく、１つ設ければ足りるので、半導体レーザ装置１を簡易な構造で安価に製造することができる。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。

例えば、上記実施の形態では、半導体レーザアレイ１０において、複数のリッジ部１３の間隔を配列の端部側から中央側に向かって段階的に狭くしていたが、配列の端部側から中央側に向かって連続的に狭くしてもよい。

また、上記実施の形態では、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体レーザを例にして本発明を説明したが、他の化合物半導体レーザ、例えばＡｌＩｎＰ系、ＧａＩｎＡｓＰ系などの赤色半導体レーザ、ＧａＩｎＮ系およびＡｌＧａＩｎＮ系などの窒化ガリウム系の半導体レーザ、ＺｎＣｄＭｇＳＳｅＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族の半導体レーザにも適用可能である。また、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＰ系、ＧａＩｎＡｓＮＰ系などの、発振波長が可視域とは限らないような半導体レーザにも適用可能である。

また、上記実施の形態では、インデックスガイド構造の半導体レーザを例に挙げて、本発明について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の構造、例えば、ゲインガイド構造の半導体レーザに対しても適用可能である。

本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の断面構成図である。 図１の半導体レーザ装置を備えた光学装置の概略構成図である。 図１の半導体レーザアレイの温度分布図および波長分布図である。 一参考例に係る半導体レーザ装置の断面構成図、発熱量分布図および温度分布図である。 他の参考例に係る半導体レーザ装置の断面構成図である。 図５の半導体レーザアレイの温度分布図および波長分布図である。 他の参考例に係る半導体レーザ装置の断面構成図である。

符号の説明

１，１００，２００，３００…半導体レーザ装置、２…光学装置、１０，２１０，３１０…半導体レーザアレイ、１１，１１１…基板、１２，１１２…半導体層、１３，１１３…リッジ部、１４，１１４…発光領域、１５，１１５…上部電極、１６，１１６…下部電極、２０，２２０…ヒートシンク、３０…コリメートレンズ、４０…フライアイレンズ、４１…マイクロレンズ、１１０…半導体レーザ、Ｓ…被照射面、Ｐ１〜Ｐ３…リッジ部同士の間隔。

Claims (4)

1. 互いに等しいストライプ幅を有する複数の導波路を並列に備え、
   前記複数の導波路のうち中央に配列された前記導波路同士の間隔が前記複数の導波路のうち端部に配列された前記導波路同士の間隔よりも狭くなっている
   ことを特徴とする半導体レーザアレイ。
2. 前記複数の導波路の間隔が配列の端部側から中央側に向かって段階的または連続的に狭くなっている
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザアレイ。
3. 前記複数の導波路上に一体に形成された共通電極を備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザアレイ。
4. 半導体レーザアレイと、
   前記半導体レーザアレイから出力された光を集光する光学系と
   を備え、
   前記半導体レーザアレイは、
   互いに等しいストライプ幅を有する複数の導波路を並列に有し、
   前記複数の導波路のうち中央に配列された前記導波路同士の間隔が前記複数の導波路のうち端部に配列された前記導波路同士の間隔よりも狭くなっている
   ことを特徴とする光学装置。
   

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