JPWO2015063973A1 - 半導体レーザ光源 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザ光源100の構造図である。半導体レーザアレイ2は、複数本の半導体レーザを有すると共に、複数本の半導体レーザのストライプ(図示せず)がストライプの幅方向に等間隔で配列され、半導体レーザアレイ2の端面には各半導体レーザに対応してレーザ光の出射端面部1を有している。ヒートシンク3aは、半導体レーザアレイ2が搭載される第1の面と、第1の面と対向した第2の面とを有している。半導体レーザアレイ2は、各半導体レーザの放熱部がヒートシンク3aの第1の面に接することで、各半導体レーザで発生する熱が放熱されるようにしている。ヒートシンク3aを冷却する冷却部4は、ヒートシンク3aの第2の面と接合される。なお、半導体レーザアレイ2に電流を供給すると発光するストライプ及びストライプに電流を供給するためのストライプ状電極は図示していないが、図1において左右方向がストライプの長さ方向で図1において前後方向がストライプの幅方向となっている。
図3は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザ光源300の構造図である。本実施の形態は、実施の形態1とはヒートシンク3cの構造が異なっており、それ以外は実施の形態1と同様である。ここで、ヒートシンク3cの中央側を第1の部分3c1(実施の形態1と区別するために符号を実施の形態2とは異ならせている。)と呼び、両端側を第2の部分3c2(実施の形態1と区別するために図3に示した実施の形態2の例では符号をそれ以外とは異ならせている。)と呼ぶものとする。
さらに、ヒートシンク3cの第1の部分3c1及び第2の部分3c2は、冷却部4と第4の面で接している。
2b1 半導体レーザアレイ群、3a ヒートシンク、3a1 第1の部分、
3a2 第2の部分、3b ヒートシンク、3b1 第1の部分、3b2 第2の部分、
3c ヒートシンク、3c1 第1の部分、3c2 第2の部分、3d ヒートシンク、3d1 第1の部分、3d2 第2の部分、3e ヒートシンク、3e1 第1の部分、3e2 第2の部分、100 半導体レーザ光源、200 半導体レーザ光源、
300 半導体レーザ光源、400 半導体レーザ光源、500 半導体レーザ光源。
Claims (6)
- 複数本の半導体レーザを有し、前記複数本の半導体レーザのストライプが前記ストライプの幅方向に等間隔で配列された半導体レーザアレイと、
前記半導体レーザアレイが搭載される第1の面と前記第1の面と対向し冷却部が接する第2の面とを有し、前記複数本の半導体レーザのうちで前記ストライプの幅方向において中央側の半導体レーザの放熱部が接する前記第1の面のうちの第1の領域に対向する前記第2の面のうちの第2の領域の面積が前記複数本の半導体レーザのうちで前記ストライプの幅方向において前記中央側の半導体レーザ以外の放熱部が接する前記第1の面のうちの第3の領域に対向する前記第2の面のうちの第4の領域の面積よりも前記半導体レーザ1本当たりの面積に換算すると小さいヒートシンクと、
を備えた半導体レーザ光源。 - 複数本の半導体レーザを有し、前記複数本の半導体レーザのストライプが前記ストライプの幅方向に等間隔で配列された半導体レーザアレイと、
前記半導体レーザアレイが搭載される第3の面と前記第3の面と対向し冷却部が接する第4の面とを有し、前記複数本の半導体レーザのうちで前記ストライプの幅方向において中央側の半導体レーザの放熱部が接する第5の領域に対応する第1の部分の材質よりも前記中央側の半導体レーザ以外の放熱部が接する第6の領域に対応する第2の部分の材質の方が熱伝導率が高いヒートシンクと、
を備えた半導体レーザ光源。 - 前記ヒートシンクは、前記第1の部分の材質が空気であること
を特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ光源。 - 前記複数の半導体レーザのうちで、前記中央側の半導体レーザの本数は前記中央側以外の半導体レーザの本数よりも多いこと
を特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ光源。 - 前記ヒートシンクは、前記第4の領域の前記半導体レーザ1本当たりの面積が、前記ストライプの幅方向において中央側から両端側にかけて徐々に大きくなっていくこと
を特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ光源。 - 前記ヒートシンクは、前記ストライプの長さ方向に見た断面視で前記第1の部分に対応する前記第2の部分の割合が前記ストライプの幅方向において中央側から両端側にかけて徐々に大きくなる部分を含むこと
を特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ光源。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013228387 | 2013-11-01 | ||
JP2013228387 | 2013-11-01 | ||
PCT/JP2014/003398 WO2015063973A1 (ja) | 2013-11-01 | 2014-06-25 | 半導体レーザ光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015063973A1 true JPWO2015063973A1 (ja) | 2017-03-09 |
JP6156510B2 JP6156510B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=53003611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015544761A Expired - Fee Related JP6156510B2 (ja) | 2013-11-01 | 2014-06-25 | 半導体レーザ光源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9667029B2 (ja) |
EP (1) | EP3065236B1 (ja) |
JP (1) | JP6156510B2 (ja) |
CN (1) | CN105659448B (ja) |
CA (1) | CA2928970C (ja) |
WO (1) | WO2015063973A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7022513B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2022-02-18 | 日本ルメンタム株式会社 | 光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
GB2567880B (en) * | 2017-10-30 | 2022-11-30 | Bae Systems Plc | Laser diode array |
WO2019163276A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
JP7152652B2 (ja) | 2018-06-13 | 2022-10-13 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
DE112019003830T5 (de) * | 2018-07-30 | 2021-04-15 | Panasonic Corporation | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Laservorrichtung vom externen Resonanztyp |
JP7145977B2 (ja) * | 2019-01-10 | 2022-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP7297121B2 (ja) * | 2019-01-10 | 2023-06-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
WO2020225952A1 (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-12 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置および外部共振型レーザ装置 |
DE102020112806A1 (de) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlaserbauelement und verfahren zum betrieb zumindest eines halbleiterlasers |
CN117954957A (zh) * | 2024-03-25 | 2024-04-30 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 一种散热装置及半导体激光器 |
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JP2009111230A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sony Corp | レーザモジュール |
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2863678B2 (ja) | 1992-09-28 | 1999-03-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
DE102011055891B9 (de) * | 2011-11-30 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode |
-
2014
- 2014-06-25 CA CA2928970A patent/CA2928970C/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-25 US US15/028,488 patent/US9667029B2/en active Active
- 2014-06-25 JP JP2015544761A patent/JP6156510B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-25 WO PCT/JP2014/003398 patent/WO2015063973A1/ja active Application Filing
- 2014-06-25 EP EP14859126.6A patent/EP3065236B1/en active Active
- 2014-06-25 CN CN201480058124.3A patent/CN105659448B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2009111230A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sony Corp | レーザモジュール |
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3065236B1 (en) | 2020-09-23 |
WO2015063973A1 (ja) | 2015-05-07 |
CA2928970C (en) | 2018-08-28 |
US20160254639A1 (en) | 2016-09-01 |
CN105659448B (zh) | 2018-12-28 |
JP6156510B2 (ja) | 2017-07-05 |
EP3065236A1 (en) | 2016-09-07 |
US9667029B2 (en) | 2017-05-30 |
CA2928970A1 (en) | 2015-05-07 |
EP3065236A4 (en) | 2017-06-28 |
CN105659448A (zh) | 2016-06-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170321 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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