JP7022513B2 - 光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光伝送装置1及び光モジュール2の構成を示す模式図である。光伝送装置1は、プリント回路基板11とIC12を備えている。光伝送装置1は、例えば、大容量のルータやスイッチである。光伝送装置1は、例えば交換機の機能を有しており、基地局などに配置される。光伝送装置1に、複数の光モジュール2が搭載されており、光モジュール2より受信用のデータ(受信用の電気信号)を取得し、IC12などを用いて、どこへ何のデータを送信するかを判断し、送信用のデータ(送信用の電気信号)を生成し、プリント回路基板11を介して、該当する光モジュール2へそのデータを伝達する。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る光送信モジュール30の一部分を示す模式図である。図6に示す光送信モジュール30の一部分は、図4に示す第1の実施形態に係る光送信モジュール30の一部分に対応している。当該実施形態に係る光送信モジュール30は、サブマウント104の載置面に配置される複数(ここでは、4個)の半導体レーザ素子200と複数(ここでは、4個)の子基板210(熱抵抗体)の構成が、第1の実施形態と異なっているが、それ以外については同じ構造を有している。当該実施形態に係るサブマウント104に搭載される4個の半導体レーザ素子200は、第1半導体レーザ素子200A、第2半導体レーザ素子200B、第3半導体レーザ素子200C、及び第4半導体レーザ素子200Dであり、各半導体レーザ素子200とサブマウント104との間に、それぞれ子基板210が配置される。すなわち、サブマウント104と4個の半導体レーザ素子200との間に、第1子基板210A、第2子基板210B、第3子基板210C、及び第4子基板210Dがそれぞれ配置される。ここでは、複数(ここでは、4個)の子基板210はすべて、実質的に同じ寸法をしている。材質については、第1子基板210A及び第3子基板210Cが共通しており、第2子基板210B及び第4個基板210Dが共通している。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る光送信モジュール30の一部分を示す模式図である。図7に示す光送信モジュール30の一部分は、図4に示す第1の実施形態に係る光送信モジュール30の一部分に対応している。当該実施形態に係る光送信モジュール30は、サブマウント104を備えておらず、ペルチェ110に複数の半導体レーザ素子200が搭載されており、かかる点が第1の実施形態と異なっているが、それ以外については同じ構造をしている。
図8は、本発明の第4の実施形態に係る光送信モジュール30の一部分を示す模式図である。図8に示す光送信モジュール30の一部分は、図6に示す第2の実施形態に係る光送信モジュール30の一部分に対応している。当該実施形態に係る光送信モジュール30は、複数の半導体レーザ素子200それぞれにする複数のサブマウント104をそれぞれ備えている。ここで、第1半導体レーザ素子200Aとペルチェ110との間に配置される第1サブマウント104Aが、第1熱抵抗体であり、第2半導体レーザ素子200Bとペルチェ110との間に配置される第2サブマウント104Bが、第2熱抵抗体である。第3サブマウント104C及び第4サブマウント104Dについても同様である。
Claims (15)
- 複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子に対して一括して温度調整をする、1の温度調整手段と、
前記複数の半導体レーザ素子のうち第1半導体レーザ素子と、前記1の温度調整手段と、の間に配置される、第1熱抵抗体と、を備え、
前記1の温度調整手段が駆動されるときに、前記第1半導体レーザ素子の温度は、前記第1半導体レーザ素子と異なる他の半導体レーザ素子の温度より高い、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項1に記載の光送信モジュールであって、
前記第1半導体レーザ素子は、前記1の温度調整手段によって制御される駆動温度において、予め定められた波長とは異なる第1波長の光を出射し、
前記1の温度調整手段が駆動されるときに、前記第1熱抵抗体により、前記第1半導体レーザ素子が出射する光の波長は、前記第1波長から前記予め定められた波長へ近づけられる、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項1又は2に記載の光送信モジュールであって、
前記複数の半導体レーザ素子を搭載するとともに、前記1の温度調整手段と熱的に接続する、サブマウントを、さらに備え、
前記第1熱抵抗体は、前記第1半導体レーザ素子と前記サブマウントとの間に配置され、それぞれと熱的に接続する、第1子基板である、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項3に記載の光送信モジュールであって、
前記複数の半導体レーザ素子のうち、前記第1半導体レーザ素子とは異なる第2半導体レーザ素子は、前記サブマウントに直接搭載される、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項3に記載の光送信モジュールであって、
前記複数の半導体レーザ素子のうち、前記第1半導体レーザ素子とは異なる第2半導体レーザ素子と、前記サブマウントと、の間に配置され、それぞれと熱的に接続するとともに、前記1の温度調整手段が駆動されるときに前記第2半導体レーザ素子の温度を、前記第1半導体レーザ素子の温度と異ならせる、第2子基板を、さらに備える、光送信モジュール。 - 請求項5に記載の光送信モジュールであって、
前記第2半導体レーザ素子は、前記1の温度調整手段によって制御される温度範囲では、予め定めれられた波長とは異なる第2波長の光を出射し、
前記1の温度調整手段が駆動されるときに、前記第2子基板により、前記第2半導体レーザ素子が出射する光の波長は、前記第2波長から前記予め定められた波長へ近づけられる、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項3に記載の光送信モジュールであって、
前記複数の半導体レーザ素子それぞれと、前記サブマウントと、の間に配置され、それぞれと熱的に接続するとともに、前記1の温度調整手段が駆動されるときに、前記複数の半導体レーザ素子のうち少なくとも二つの前記半導体レーザ素子の温度を異ならせる、複数の子基板を、さらに備える、光送信モジュール。 - 請求項7に記載の光送信モジュールであって、
前記複数の子基板の厚みは実質的に等しい、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項5又は6に記載の光送信モジュールであって、
前記サブマウントと前記第1半導体レーザ素子との間に対する前記第1子基板の熱抵抗は、前記サブマウントと前記第2半導体レーザ素子との間に対する前記第2子基板の熱抵抗と、異なっている、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項3乃至9のいずれかに記載の光送信モジュールであって、
前記第1子基板を構成する材料の熱伝導率は、前記サブマウントを構成する材料の熱伝導率よりも小さい、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項1又は2に記載の光送信モジュールであって、
前記第1熱抵抗体は、前記1の温度調整手段に直接搭載される、第1子基板であり、
前記第1半導体レーザ素子は、前記第1子基板に直接搭載され、
前記複数の半導体レーザ素子のうち、前記第1半導体レーザ素子とは異なる第2半導体レーザ素子は、前記1の温度調整手段に直接搭載される、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項1又は2に記載の光送信モジュールであって、
第2子基板を、さらに備え、
前記第1熱抵抗体は、前記1の温度調整手段に直接搭載される、第1子基板であり、
前記第1半導体レーザ素子は、前記第1子基板に直接搭載され、
前記第2子基板は、前記1の温度調整手段に直接搭載され、
第2半導体レーザ素子が、前記第2子基板に直接搭載され、
前記1の温度調整手段が駆動されるときに、前記第1半導体レーザ素子と前記第2半導体レーザ素子の温度は異なる、
ことを特徴とする、光送信モジュール。 - 請求項1乃至12のいずれかに記載の光送信モジュールと、
光受信モジュールと、
を備える、光モジュール。 - 請求項13に記載の光モジュールが搭載される、光伝送装置。
- 複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子に対して一括して温度調整をする、1の温度調整手段と、
前記複数の半導体レーザ素子のうち第1半導体レーザ素子と、前記1の温度調整手段と、の間に配置される、第1熱抵抗体と、
を備える、光送信モジュールの製造方法であって、
前記第1半導体レーザ素子を作製するステップと、
基準温度において、前記第1半導体レーザ素子が出射する光の出力波長を測定するステップと、
前記出力波長と、前記第1半導体レーザ素子に対応する基準の波長範囲と、の波長の差を比較するステップと、
前記波長の差に基づいて、前記第1熱抵抗体の材質と寸法を決定するステップと、
を備える、ことを特徴とする、光送信モジュールの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017059048A JP7022513B2 (ja) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | 光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
US15/928,229 US11081858B2 (en) | 2017-03-24 | 2018-03-22 | Optical transmitter module, optical module, optical transmission equipment and method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017059048A JP7022513B2 (ja) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | 光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018163926A JP2018163926A (ja) | 2018-10-18 |
JP7022513B2 true JP7022513B2 (ja) | 2022-02-18 |
Family
ID=63582952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017059048A Active JP7022513B2 (ja) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | 光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11081858B2 (ja) |
JP (1) | JP7022513B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018163926A (ja) | 2018-10-18 |
US20180278019A1 (en) | 2018-09-27 |
US11081858B2 (en) | 2021-08-03 |
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