CN112835156B - 具有多个导电终端的温度控制装置及实施其的光次组件模组 - Google Patents

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Abstract

大致上来说，使用于镭射组件及光次组件中的温度控制装置被揭露为包含至少二导电终端以致能与相关的元件(如监控光二极体及镭射二极体)的灵活电性耦合，藉以在无须供应负电压轨的情况下适应各种镭射组件态样；详细来说，根据本发明的温度控制装置包含底板、顶板及设置于它们之间的多个半导体元件；顶板包含至少提供第一及第二导电终端/垫片的元件安装面；第一及第二导电终端/垫片例如能藉由间隙电性隔离且分别用以提供第一及第二电位。

Description

具有多个导电终端的温度控制装置及实施其的光次组件模组
技术领域
本发明关于一种光通讯装置，特别系一种用于使用于光次组件中的温度控制装置，此温度控制装置具有二或更多个导电终端以耦接于相关的元件并选择性地提供相同或相异的电位(voltage potential)。
背景技术
光收发器可用来发出及接收光学讯号以适用于但不限于网络数据中心(internetdata center)、线缆电视宽频(cable TV broadband)及光纤到府(fiber to the home，FTTH)等各种应用。举例来说，相较于以铜制成的线缆来传输，以光收发器来传输可在更长的距离下提供更高的速度及频宽。为了在较小的光收发器模组中提供较高的速度例如会面临空间管理及良率(manufacturing yield)等挑战。
光收发器模组一般包含一或多个用于发射光讯号的光发射次组件(transmitteroptical subassembly，TOSA)以及一或多个用于接收光讯号的光接收次组件(receiveroptical subassembly，ROSA)。一般来说，光发射次组件包含一或多个镭射器以及相关电路，其中镭射器用于发射一或多个频道波长的讯号，相关电路用于驱动镭射器及监控功率以确保额定的效能。光发射次组件中的光功率监控能包含设置相邻于相关的镭射二极体的监控光二极体(MPD)以接收部分的光(如1％的光)并量测光功率。然而，持续的缩小尺寸(scaling)及增加的频道密度产生数个使监控光二极体放置、位向及电性互连复杂化的技术挑战。
发明内容
根据本发明一态样揭露有一种使用于多个光次组件中的温度控制装置。温度控制装置包含一底板、一顶板、一第一导电终端以及一第二导电终端。底板热耦接于一散热件。顶板通过设置在底板及顶板之间的多个半导体元件耦接于底板。顶板界定出一元件安装面。元件安装面用于至少耦接于一第一光学元件及一第二光学元件。第一导电终端设置于顶板以提供一第一电位。第二导电终端设置于顶板以提供一第二电位。第一导电终端及第二导电终端藉由延伸于第一导电终端及第二导电终端之间的一间隙彼此隔离。
附图说明
这些及其他的特征与优点将通过阅读以下的详细描述及附图被更透彻地了解。在附图中：
图1A呈现用设置在温度控制装置的电吸收调变镭射器实施的示例性罐型(TO-can)镭射组件。
图1B单独呈现图1A中的温度控制装置。
图2为根据本发明一实施例的示例性多频道光收发器模组的方块图。
图3为根据本发明一实施例的镭射组件的立体图。
图4为根据本发明一实施例的另一镭射组件的立体图。
图5呈现适用于图3及图4中的镭射组件的温度控制装置的一实施例。
【附图标记说明】
罐型镭射器100
热电致冷器102
电吸收调变镭射器配置104
监控光二极体106
导电垫片108
次安装件110
光收发器模组200
光收发器基板202
收发器壳体203
光发射次组件模组204
发射连接电路206
多频道光接收次组件配置208
光纤插座210
接收连接电路212
光发射次组件连接垫214
线路216
线路218
光发射次组件模组连接垫220
输入讯号223
解多工装置224
光二极体阵列226
跨阻抗放大器228
镭射组件300
头部301
温度控制装置302
安装面303
电性互连装置304
次安装件305
监控光二极体306
焊线307
镭射二极体308
第一终端309-1
第二终端309-2
电路板转接件310
电力轨接脚311
第一导电终端312-1
第二导电终端312-2
焊线313
焊线314
接脚315
光路径318
焊线319
镭射组件400
底板502
顶板504
半导体元件506
配合面508
元件安装面510
部分512
长轴550
频道波长λ1、λ2、λ3、λ4
驱动电讯号TX_D1至TX_D4
具体实施方式
如上所述，光模组及次组件的尺寸缩小使监控光二极体配置的实施及设计复杂化。能藉由示例更佳地理解这种挑战。图1A呈现示例性的罐型镭射器100，罐型镭射器100具有电吸收调变镭射器(electro-absorption modulate laser，EML)配置104及相关的监控光二极体106。电吸收调变镭射器特别适用于长距离的光通讯，如高达或超过10公里。然而，使用电吸收调变镭射器维持额定的效能大部分系取决于运作温度的控管。如热电致冷器(thermoelectric cooler，TEC)的温度控制装置能被用来维持目标温度。
如图1A所示，罐型镭射器100包含一热电致冷器102，且电吸收调变镭射器配置104设置于热电致冷器102。此外，监控光二极体106安装于热电致冷器102并被光学地对齐，以接收从电吸收调变镭射器配置104发出的频道波长的至少一部分。监控光二极体106及互连电路的合适设计包含相对阴极终端在监控光二极体106的阳极终端供应有低电位。如图所示，热电致冷器的导电垫片108(请参阅图1B)供应接地连接(如0伏特)给监控光二极体106的阴极终端以及次安装件110，其中次安装件110电性连通于电吸收调变镭射器配置104的元件。监控光二极体106的阳极终端因此例如从外部电路得到负电压。然而，因为许多光模组包含提供正电压(如3.3伏特、5伏特、12伏特、24伏特)的电力轨(power rail)，所以提供这种负电压会实质上增加设计复杂度。降压(step down)并供应负电压给监控光二极体106的电路会产生实质上的产本并使设计复杂化，且包含这种电路在如空间限制的因素的前提下为不实际的。
因此，根据一实施例，使用于镭射组件及其他光次组件中的温度控制装置被揭露为包含至少二导电终端以致能与相关元件(如监控光二极体及镭射二极体)的灵活电性耦合，藉以在无需供应负电压轨的情况下适应各种镭射组件态样。详细来说，根据本发明的温度控制装置包含底板、顶板及设置于底板及顶板之间的多个半导体元件。顶板包含至少提供第一及第二导电终端/垫片的元件安装面。第一及第二导电终端/垫片能例如通过间隙而为电性隔离的并分别用以提供第一及第二电位，其中第一及第二电位彼此相异。或者，第一及第二导电终端/垫部例如能通过焊线电性耦接在一起以提供单个共享的电位。
因此，根据本发明的温度控制装置能藉由提供一或多个不同的电位而被使用于各种镭射组件态样中。举例来说，能在无须额外电路(如负电压电力轨)来确保监控光二极体适当运作的状态下，实施例如位在如光发射次组件的光次组件中的外部电力及驱动电路。这显著地降低在相关的光次组件中用来驱动镭射组件的电路的设计复杂度及整体占位面积(footprint)。
虽然于此描述的示例及情形绘示并描述罐型镭射组件，但本发明并不以此为限。同样地，虽然与此呈现并描述电吸收调变镭射器，但其他类型的镭射器也属于本发明的范畴。
于此，“频道波长(channel wavelength)”指与光学频道相关的波长，且可包含中心波长附近的特定波长带。于一示例中，频道波长可由国际电信(InternationalTelecommunication，ITU)标准定义，例如ITU-T高密度波长分波多工(dense wavelengthdivision multiplexing，DWDM)网格(grid)。本发明同样地可应用于低密度分波多工(coarse wavelength division multiplexing，CWDM)。于特定的一示例性实施例中，频道波长根据局域网络(local area network，LAN)波长分割多工(wavelength divisionmultiplexing，WDM)实施，而局域网络波长分割多工也可称为LWDM。
用语“耦合”于此系指任何连接、耦接、连结或相似的关系，且“光学地耦合”系指光从一个元件传递(impart)到另一个元件的耦合关系。这种“耦合”装置并不需要直接彼此连接，且可由中间元件或能操控或修改这样的讯号的装置分隔开。
用语“实质上”于此一般性地使用并指可接受的误差范围内的精准程度，其中可接受的误差范围视为并反映因制造过程中的材料组成、材料缺陷及/或限制/奇异(peculiarity)所产生的次要真实世界变化(minor real-world variation)。这种变化可因此被描述为大致地(largely)，但不需完全地达成所述的特性。为了提供一种非限制性的示例来量化“实质上”，除非另有说明，否则次要变化可造成的误差小于或等于特定描述的数量/特性的正负5％。
请参阅附图，图2绘示根据本发明的实施例的光收发器模组200。为了清楚及方便描述而非为了限制，光收发器模组200以高度简化的形式呈现。于本实施例中，光收发器模组200能为可插拔的(pluggable)，如符合可插拔小尺寸(pluggable small form factor，SFFP)标准。光收发器模组200能使用四个不同的频道波长λ1、λ2、λ3、λ4发射及接收四个频道且可具有每频道至少约25Gbps的传输速度。于一示例中，频道波长λ1、λ2、λ3、λ4可位于±13纳米(nm)的范围内并分别具有1270nm、1290nm、1310nm及1330nm的频道波长。其他的频道波长及态样也属于本发明的范畴，包含相关于局域网络波长分割多工的那些频道波长及态样。举例来说，光收发器模组200能包含高达八个或更多个频道并提供每频道至少25Gbps的传输速度。须注意的是，本发明同样地可应用于其他类型光次组件模组及光学装置，如单频道及多频道的光发射器以及单频道及多频道的光接收器。
光收发器模组200也可具有2公里到至少约10公里的传输距离。光收发器模组200例如可用于网络数据中心应用或光纤到府应用。
于一实施例中，光收发器模组200设置于一收发器壳体203中。根据所需的态样，收发器壳体203能构造有一或多个空腔以容纳一或多个光收发器模组。
光收发器模组200包含数个元件以支持收发器作业。如图所示，光收发器模组200包含一光收发器基板202、多个光发射次组件模组204、一发射连接电路206、一多频道光接收次组件配置208、一光纤插座210以及一接收连接电路212。光发射次组件模组204用于发射具有不同的频道波长的光讯号。多频道光接收次组件配置208用于接收不同的频道波长的光讯号。光纤插座210用于容纳光纤连接器并将光纤连接器(如套管)对齐于光接收次组件。须注意的是，如阵列波导光栅(arrayed waveguide grating，AWG)的外部多工装置(图中未示出)能接收由光发射次组件模组发射的频道波长λ1～λ4并将频道波长λ1～λ4多工成发射讯号，如波长分波多工讯号。然而，为了输出具有多个频道波长的光讯号，光收发器模组200能包含内部的(local)多工装置，如安装于光收发器基板202的阵列波导光栅。图2中的光收发器模组200的具体态样并不用于限制。
接着，光收发器基板202包含线路、连接垫及其他电路以支持收发器作业。光收发器基板202可包含光发射次组件连接垫214(或终端)，光发射次组件连接垫214使各个光发射次组件模组204能安装并电性耦接于光收发器基板202。光发射次组件连接垫214也可于此仅称为连接垫。光收发器基板202可包含线路216，线路216将光发射次组件连接垫214耦接至发射连接电路206。如以下所详述，光发射次组件连接垫214能电性耦接于罐型镭射封装并提供驱动讯号给罐型镭射封装。
光接收次组件配置包含光纤插座210、解多工装置224、光二极体(photodiode，PD)阵列226以及跨阻抗放大器(transimpedance amplifier，TIA)228。光收发器基板202能包含线路218，线路218将多频道光接收次组件配置208电性耦接至接收连接电路212。光接收次组件配置能通过光纤插座210接收经多工的输入讯号223。解多工器包含对齐于光纤插座的输入部以接收经多工的输入讯号。解多工装置224将经多工的输入讯号分离成子波长(constituent wavelength)并通过相对应的输出部将各个分离开的频道波长输出到光二极体阵列226上。光二极体阵列226输出与所侦测到的波长成比例的电讯号。跨阻抗放大器228接收从光二极体阵列226输出的电讯号并对此电讯号进行滤波及/或放大。跨阻抗放大器228藉由线路218将放大的讯号输出到接收连接电路212。
光收发器基板202可提供光收发器模组，此光收发器模组可插入(plugged)到光收发器架体中。因此，发射连接电路206及接收连接电路212可电性耦接于光收发器架体的外部电路。光收发器基板202可由多层印刷电路板(printed circuitry board，PCB)制造，但也可使用其他类型的基板且其他类型的基板也属于本发明的范畴。
各个光发射次组件模组204可用以接收驱动电讯号TX_D1至TX_D4并发射相关的频道波长。所发出的频道波长λ1至λn能接着被输出到多工器(图中未示出)以将频道波长λ1至λn多工成发射讯号。各个光发射次组件模组204可通过光发射次组件模组连接垫220电性耦接于光发射次组件连接垫214及线路216。各个光发射次组件模组204包含镭射配置，且镭射配置包含镭射二极体装置及支持电路其中至少一者。如以下参照图3至图5的说明，较佳地，各个光发射次组件模组204包含实施电吸收调变镭射器配置的罐型镭射器/组件。光发射次组件模组204的镭射配置能包含其他类型的镭射器，例如包含分布回馈镭射器(distributed feedback laser，DFB)、垂直外部空腔表面发射镭射器(VerticalExternal-cavity Surface-emitting laser，VECSEL)或其他合适的镭射装置。
请参阅图3，根据一实施例呈现有示例性的镭射组件300。镭射组件300适用于上述的光发射次组件模组204中且能用以发出至少一相关的频道波长。如图所示，镭射组件300包含具有所谓的“暴露的”头部的罐型形成因子，如没有TO盖体以提供气密的密封。然而，本发明并不以此为限，且以相关于镭射组件300的方式描述的态样及特征能使用于各种镭射器态样而不需限于使用罐型镭射器的态样。同样地，虽然以下的描述特别针对电吸收调变镭射器，但本发明并不以此为限，其他类型的镭射器也属于本发明的范畴，例如包含分布回馈镭射器、分布布拉格反射镭射器(Distributed Bragg Reflex Laser，DBR)、垂直空腔表面发射镭射器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)及Fabry-Perot镭射器(FP镭射器)。
接着，镭射组件300包含具有实质上为圆柱状的轮廓的一头部301。如以下所详述，为了耦接及支撑光学元件，头部301界定出一安装面303。多个电性互连装置304延伸过头部301的通孔而使得各个电性互连装置的第一端邻近于安装面303且各个电性互连装置的第二端远离于安装面303。如图所示，电性互连装置304作为接脚实施，此接脚例如通过可挠式印刷电路(flexible printed circuit，FPC)致能与发射连接电路206(图2)的电性耦合。如焊线(wire bond)314的额外电性互连装置将光学元件电性耦接于接脚。
电性互连装置304能用外部电力轨提供电性连接并提供射频(radio frequency，RF)驱动讯号以调变相关的镭射二极体308并使相关的镭射二极体308发出频道波长。电性互连装置304例如能在没有通过如焊线的中间电性互连装置情况下直接耦接于相关的元件。举例来说，耦接于安装面303的电路板转接件(riser)310能包含用以(直接)耦接于电力轨接脚311的至少一导电线路。电路板转接件310例如使用焊线313而有利地允许与元件的相对短的电性互连。
如图所进一步呈现，温度控制装置302耦接于安装面303并至少分别提供第一导电终端312-1及第二导电终端312-2。如以下所详述，温度控制装置302包含顶板及底板，且多个半导体元件夹设于顶板及底板之间。
于图3中，温度控制装置302作为热耦接于头部301的热电致冷器实施，其中头部301作为为了散热而传送(communicate)热量的散热件。温度控制装置302至少包含第一终端309-1及第二终端309-2，以通过电性互连装置304电性耦接于外部电路。外部电路能包含温度控制器(图中未示出)，温度控制器能输出控制讯号(如DC讯号)以控管镭射组件300的温度，具体来说系控管镭射二极体308及其他相关元件的温度。温度控制装置302例如能通过第一终端309-1及第二终端309-2接收控制讯号，并例如能通过帕尔帖效应(Peltiereffect)在顶板及底板之间产生温度差。
次安装件305牢固地安装于温度控制装置302，且具体来说系牢固地安装于至少部分的第二导电终端312-2。次安装件305能由导电材料形成，如铜、铝或其他合适的材料。次安装件包含镭射配置，镭射配置至少包含镭射二极体308及支持电路。镭射二极体308可作为电吸收调变镭射器实施，并具有沿光路径318发出频道波长的发光面，其中光路径318实质上从安装面303横向延伸。
接着，监控光二极体306设置于第一导电终端312-1。于图3中的实施例中，监控光二极体306包含底面或配合面(图中未示出)，此底面或配合面具有(直接)耦接于第一导电终端312-1的阴极终端。相对于阴极终端，监控光二极体306包含具有阳极终端的顶面。监控光二极体306的阳极终端通过焊线314电性耦接于电性互连装置304，但也可使用其他的互连装置且本发明并不以此为限。因此，监控光二极体306的阳极终端能接收第一电位且监控光二极体306的阴极终端能接收第二电位，其中第一电位小于第二电位。举例来说，第一电位能为0伏特(如接地)，且第二电位例如能量测为约3至5伏特。
如图3所示，第一导电终端312-1及第二导电终端312-2通过焊线307电性耦接。焊线307能作为跨接线(jumper)以电性桥接(bridge)其他电性隔离的第一导电终端312-1及第二导电终端312-2。因此，在镭射组件300的运作过程中，第一导电终端312-1及第二导电终端312-2具有相同/共享的电位。如上所述，这能包含0伏特的电位，如接地连接。次安装件305能电性耦接于接地连接以为相关的镭射配置提供接地面(ground plane)。次安装件305也能为了待从相关的光学元件(如镭射二极体308)传送至温度控制装置302的热量提供热传导路径。
图4呈现根据本发明的镭射组件400的另一示例。镭射组件400与以上参照图3说明的镭射组件300可具有实质上相似的构造，故不再赘述。然而，如图4所示，监控光二极体306包含例如直接电性耦接于第一导电终端312-1的阴极以接收第一电位。此外，监控光二极体306包含阳极终端，阳极终端相对阴极终端设置且电性耦接于第二导电终端312-2以接收第二电位，其中第一电位高于第二电位。
于此示例中，第一导电终端312-1通过电性耦接于接脚315的电力轨耦接于正电压，如3.3伏特。第二导电终端312-2通过电路板转接件310及次安装件305电性耦接于接地连接以接收第二电位。次安装件305可因此提供接地面并例如通过直接的表面接触将第二电位电性连通于第二导电终端312-2。如图4所示，监控光二极体306的阳极终端通过如焊线319的电性互连装置电性耦接于第二导电终端312-2以接收第二电位。
因此，温度控制装置302有利地根据提供多个电性隔离的导体终端(如第一导电终端312-1及第二导电终端312-2)来提供高达二或多个不同的电位。例如能通过焊线选择性地引入相对较简单的跨接线，藉以允许这些导电终端分享共享的电位(例如如3所示)。另一方面，例如如图4所示，导电终端也可藉由维持电性隔离而选择性地供应两个不同的电位。在此情形中，如监控光二极体306的元件能藉由安装至第一导电终端312-1而在阴极接收第一电位，并进一步藉由引入如焊线319的电性互连装置而在阳极终端接收第二电位。
图5单独呈现图3及图4中的温度控制装置302的一实施例。如图所示，温度控制装置302包含一底板502(或第一板体)、一顶板504(或第二板体)以及夹设于底板502及顶板504之间的多个半导体元件506。
底板502及顶板504包含相同或相异的材料。于一实施例中，底板502及顶板504包含陶瓷或其他合适的导热材料。某些额外的示例性材料包含如铝、铜或任何上述的合金的金属。如图所示，底板502及顶板504能包含长方形的轮廓，或能依据所需的态样而具有其他的外形/轮廓。
半导体元件包含阵列形式的P型及N型元件。于一实施例中，半导体元件包含帕尔帖元件(Peltier element)。于此实施例中，半导体元件能由碲化铋(Bismuth Telluride，BiTe)或其他合适的材料形成。较佳地，半导体材料由选自铋(Bismuth，Bi)、碲(Tellurium，Te)、硒(Selenium，Se)及锑(Antimony，Sb)中的一或多者的合金所形成，且会使用掺杂物以达成所需的N型或P型材料。
于任何情况中，底板502及顶板504包含多个电性垫片以与设置在这些电性垫片之间的这些半导体元件形成电性接合(electrical junction)，其中电性垫片例如由铜形成。
顶板504包含一元件安装面510，且元件安装面510背对底板502的配合面508。元件安装面510能包含设置于其上的预镀锡(pre-tin)层(图中未示出)。第一导电终端312-1及第二导电终端312-2设置/形成于元件安装面510。第一导电终端312-1及第二导电终端312-2能包含铜、金或任何其他合适的导体金属/金属合金。
如图所进一步呈现，第一导电终端312-1及第二导电终端312-2实质上共平面，但其他的态样也属于本发明的范畴。第一导电终端312-1的整体表面积小于第二导电终端312-2的整体表面积。较佳地，第一导电终端312-1的整体表面积等于或小于元件安装面510所提供的整体表面积的约三分之一，且第二导电终端312-2的整体表面积等于或大于元件安装面510所提供的整体表面积的一半。
第二导电终端312-2能包含从较宽的部分(或称为区域)过渡(transition)到相对较窄的部分512(或称为区域)的轮廓，其中较宽的部分实质上延伸过顶板504的宽度。较窄的部分512能沿长轴550从较宽的部分延伸。这样的轮廓使得第二导电终端312-2能至少部分地沿至少两侧环绕第一导电终端312-1。这样的轮廓更允许依据实际需求使用相对较短的互连装置(如焊线)来将第一导电终端312-1电性耦接至较窄的部分512(请参阅图3)。
因此，根据本发明的温度控制装置能藉由提供一或多个不同的电位而被使用于各种镭射组件态样。举例来说，能在无须额外电路(如负电压电力轨)来确保监控光二极体适当运作的状态下，实施例如位在如光发射次组件的光次组件中的外部电力及驱动电路。这显著地降低在相关的光次组件中用来驱动镭射组件的电路的设计复杂度及整体占位面积(footprint)。
根据本发明一态样揭露有一种使用于多个光次组件中的温度控制装置。温度控制装置包含一底板、一顶板、一第一导电终端以及一第二导电终端。底板热耦接于一散热件。顶板通过设置在底板及顶板之间的多个半导体元件耦接于底板。顶板界定出一元件安装面。元件安装面用于至少耦接于一第一光学元件及一第二光学元件。第一导电终端设置于顶板以提供一第一电位。第二导电终端设置于顶板以提供一第二电位。第一导电终端及第二导电终端藉由延伸于第一导电终端及第二导电终端之间的一间隙彼此隔离。
根据本发明另一态样揭露有一种使用于一光次组件中的镭射组件。镭射组件包含一基座、一第一电性互连装置、一第二电性互连装置、一温度控制装置以及一监控光二极体。基座具有一安装面，安装面用于耦接于至少一光学元件。第一电性互连装置以及第二电性互连装置邻设于安装面以分别提供一第一电压及一第二电压。第一电性互连装置及第二电性互连装置用于电性耦接于光次组件的电路。温度控制装置耦接于安装面并至少提供一第一导电终端及一第二导电终端。第一导电终端及第二导电终端分别电性耦接于第一电性互连装置及第二电性互连装置。监控光二极体设置于第一导电终端。监控光二极体的一阳极及一阴极其中一者设置于第一导电终端，以提供第一电位给阳极及阴极的其中该者。监控光二极体的阳极及阴极其中另一者电性耦接于第二导电终端以提供第二电位。
虽然本发明的原理已于此描述，但是可以理解的是，本领域普通技术人员可理解这些叙述仅为示例性的而不用于限定本发明的范围。除了于此描述及呈现的示例性实施例之外，其他的实施例也位于本发明的范围内。本领域普通技术人员当可进行一些修改及替换，且这些修改及替换也位于本发明的保护范围内。

Claims (15)

1.一种温度控制装置，使用于多个光次组件中，该温度控制装置包含：
一底板，热耦接于一散热件；
一顶板，通过设置在其间的多个半导体元件耦接于该底板，该顶板界定出用于至少耦接于一第一及一第二光学元件的一元件安装面；
一第一导电终端，设置于该元件安装面以提供一第一电位；以及
一第二导电终端，设置于该元件安装面以提供一第二电位，该第一及第二导电终端藉由延伸于其间的一间隙彼此电性隔离；
其中该第一导电终端及该第二导电终端彼此电性耦接以提供电位相同的该第一电位及该第二电位，或是电性耦接于该第一光学元件以提供电位不同的该第一电位及该第二电位；
其中该第一及第二导电终端用以至少通过该顶板、该多个半导体元件及该底板热耦接于该散热件；
其中一第一热传送路径从该第一导电终端延伸至该散热件，且一第二热传送路径从该第二导电终端延伸至该散热件。
2.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第一及第二导电终端实质上彼此共平面。
3.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第一光学元件包含一监控光二极体，且其中该监控光二极体包含电性耦接于该第一导电终端的相关的一阳极终端或阴极终端，以接收具有该第一电位的一电压。
4.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第二光学元件包含一镭射配置，该镭射配置包含一镭射二极体，且其中该镭射二极体电性耦接于该第二导电终端。
5.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第二导电终端提供一接地面。
6.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第一及第二导电终端藉由一焊线电性耦接在一起以提供相同的电位。
7.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第一导电终端具有小于该第二导电终端的整体表面积的一整体表面积。
8.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第一板包含多个电性终端以接收一电讯号以于该多个半导体元件中产生电流。
9.如权利要求1所述的温度控制装置，其中该第二导电终端至少部分地环绕该第一导电终端。
10.一种镭射组件，使用于一光次组件中，该镭射组件包含：
一基座，具有用于耦接于至少一光学元件的一安装面；
至少第一电性互连装置以及第二电性互连装置，邻设于该安装面以分别提供第一及第二电位，该第一及第二电性互连装置用于电性耦接于该光次组件的电路；
一温度控制装置，耦接于该安装面，该温度控制装置至少提供与该基座相对的一表面以及设置于该表面且藉由延伸于其间的一间隙彼此电性隔离的第一及第二导电终端，该第一及第二导电终端分别电性耦接于该第一及第二电性互连装置；以及
一监控光二极体，设置于该第一导电终端，该监控光二极体具有电性设置于该第一导电终端的一阳极或阴极以提供该第一电位给该阳极或阴极，且该监控光二极体具有电性耦接于该第二导电终端的该阳极或该阴极其中另一者以提供低于该第一电位的该第二电位。
11.如权利要求10所述的镭射组件，其中该基座包含一罐型头部，且该第一及第二电性互连装置包含从该罐型头部延伸的多个接脚。
12.如权利要求10所述的镭射组件，其中该温度控制装置的该第一导电终端具有小于该第二导电终端的一整体表面积。
13.如权利要求10所述的镭射组件，其中该温度控制装置包含用于热耦接于该安装面的一底板及透过设置于其间的多个半导体元件耦接于该底板并具有该表面的一顶板。
14.如权利要求13所述的镭射组件，其中该第一及第二导电终端用以至少通过该顶板、该多个半导体元件及该底板热耦接于该安装面。
15.如权利要求10所述的镭射组件，其中一第一热传送路径从该第一导电终端延伸至该安装面，且一第二热传送路径从该第二导电终端延伸至该安装面。
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