JP2017103391A - 発光デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】より効率的に発光部を冷却することができる、発光デバイスを提供すること。
【解決手段】発光デバイスは、p型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるp型添加部分と、n型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるn型添加部分と、p型添加部分とn型添加部分との境界部分に形成されるpn活性部分と、を有し、電流が印加されることにより電子が添加され、電子が付与されることによって、p型添加部分、pn活性部分およびn型添加部分の一部またはすべてからなる発光領域が発光する発光部と、発光部の厚み方向に対して直交する、発光部の少なくともひとつの側面に設けられた第1放熱部と、を備えている。
【選択図】図2
【解決手段】発光デバイスは、p型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるp型添加部分と、n型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるn型添加部分と、p型添加部分とn型添加部分との境界部分に形成されるpn活性部分と、を有し、電流が印加されることにより電子が添加され、電子が付与されることによって、p型添加部分、pn活性部分およびn型添加部分の一部またはすべてからなる発光領域が発光する発光部と、発光部の厚み方向に対して直交する、発光部の少なくともひとつの側面に設けられた第1放熱部と、を備えている。
【選択図】図2
Description
本発明は、間接遷移型の半導体レーザ装置等に適用される発光デバイスに関する。
電流注入によってレーザ発信を得る間接遷移型半導体レーザの素子として、特許文献1に記載のものがある。この素子は、シリコン等の間接遷移型半導体にp型不純物が添加されたp型添加部分と、前記間接遷移型の半導体にn型不純物が添加されたn型添加部分と、p型添加部分とn型添加部分との境界部分に形成されるpn活性部分とを備えている。
p型添加部分およびn型添加部分は、その一部の領域、また、pn活性部分は、そのすべてが、電流が印加されて電子が付与されることにより発光する発光領域となっている。また、n型添加部分およびp型添加部分には電源装置が接続され、レーザの発信時には、n型添加部分側が正電圧、p型添加部分側が負電圧となるように順方向にバイアス電圧が印加される。これにより、n型添加部分、pn活性部分およびn型添加部分に電流が注入され、n型添加部分、pn活性部分およびn型添加部分の発光領域に電子が付与されることにより、その一部またはすべてが発光する。
ここで、電圧の印加時、素子のうちの発光領域を有する発光部は、発光領域が発光することによって加熱される。特に、大きな電圧を印加した際は、発光部が高温になる。そのため、動作時に発光部の冷却が不十分である場合、不具合が生じるおそれがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、より効率的に発光部を冷却することができる、発光デバイスを提供することである。
第1の発明の発光デバイスは、p型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるp型添加部分と、n型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるn型添加部分と、前記p型添加部分と前記n型添加部分との境界部分に形成されるpn活性部分と、を有し、電流が印加されることにより電子が添加され、電子が付与されることによって、前記p型添加部分、前記pn活性部分および前記n型添加部分の一部またはすべてからなる発光領域が発光する発光部と、前記発光部の厚み方向に対して直交する、前記発光部の少なくともひとつの側面に設けられた第1放熱部と、を備えている。
本発明では、第1放熱部は、発光部の厚み方向に対して直交する、発光部の少なくともひとつの側面に設けられている。従って、発光部の厚み方向の表面のみならず、厚み方向と直交する側面からも放熱することができる。これにより、発光部の厚み方向のみから放熱を行う場合と比較して、発光部をより効率的に冷却することができる。
第2の発明の発光デバイスは、前記第1の発明において、前記第1放熱部は、前記発光部の厚み方向に対して直交する2つの側面を狭持するように設けられている。
本発明では、第1放熱部材は、発光部の厚み方向に対して直交する発光部の2つの側面を狭持するように設けられている。これにより、2つの側面からより効率的に放熱することができる。
第3の発明の発光デバイスは、前記第1または2の発明において、前記第1放熱部は、前記p型添加部分および前記n型添加部分とを構成する間接遷移型半導体からなり、前記発光部と一体形成されている。
本発明では、第1放熱部は、p型添加部分およびn型添加部分とを構成する間接遷移型半導体からなり、発光部と一体形成されている。従って、第1放熱部と発光部とがそれぞれ別部材からなり、それらを接合して発光デバイスを製造する場合と比較して、製造工程を少なくすることができる。これにより、製造作業を短縮することができるため、生産性を向上させることができる。
第4の発明の発光デバイスは、前記第1〜3のいずれかの発明において、前記発光部の前記p型添加部分の表面に形成される第1電極と、前記発光部の前記n型添加部分の表面に形成される第2電極と、前記第1電極の表面に設けられる第2放熱部と、をさらに有し、前記第1電極と前記第1放熱部とは、第1絶縁部材を介して間接的に接続されている。
本発明では、発光部のp型添加部分の表面に形成される第1電極と、発光部のn型添加部分の表面に形成される第2電極と、第1電極の表面に設けられる第2放熱部と、をさらに有し、第1電極と第1放熱部とは、第1絶縁部材を介して間接的に接続されている。従って、第1放熱部材からの放熱のみならず、第1絶縁部材と第1電極とを介して、発光部の側面から伝達される熱を第2放熱部材からも放熱することができる。これにより、発光部をより効率的に冷却することができる。
第5の発明の発光デバイスは、前記第1〜4のいずれかの発明において、前記第2電極の表面に設けられる第3放熱部をさらに有し、前記第2電極と前記第1放熱部とは、第2絶縁部材を介して間接的に接続されている。
本発明では、第2電極の表面に設けられる第3放熱部をさらに有し、第2電極と第1放熱部とは、第2絶縁部材を介して間接的に接続されている。従って、第1放熱部からの放熱のみならず、第2絶縁部材と第1電極とを介して、発光素子の側面から伝達される熱を第3放熱部からも放熱することができる。これにより、発光部をより効率的に冷却することができる。
第6の発明の発光デバイスは、前記第4または5の発明において、前記発光部は、前記第2放熱部または/および前記第3放熱部との接触面積が大きくなる面と直交する方向が最も熱伝導率の高い面方位となるように配置されている。
本発明では、発光部は、第2放熱部または/および第3放熱部との接触面積が大きくなる面と直交する方向が最も熱伝導率の高い面方位となるように配置されている。従って、第2放熱部または/および第3放熱部と発光部との接触面積の最も大きい面から、発光部に生じた熱を効率的に逃がすことができる。これにより、発光部をより効率的に冷却することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態は、半導体レーザとして利用され、n型添加部分2側が正電圧、p型添加部分1側が負電圧となるように、順方向にバイアス電圧を印加することにより発光する発光デバイス100に本発明を適用した一例である。なお、以下では、図1、図2に示す上下、左右、前後の各方向を、上下方向、左右方向および前後方向と定義し、これらの方向語を適宜使用して説明する。
図1に示すように、発光デバイス100は、所定厚みを有し、上下方向から見て矩形状をなす直方体形状である。発光デバイス100は、素子10と第1絶縁部材4および第2絶縁部材5とp型電極6およびn型電極7とからなる。
素子10は、所定厚みを有し、上下方向から見て矩形状をなす直方体形状である。図2に示すように、素子10は、厚み方向が最も熱伝導率の高い面方位である<100>となるように配置されている。素子10は、前後方向に延在するように左右方向中央部に形成された発光部10aと、発光部10aの左右両側に発光部10aに対して一体形成された非発光部10bとからなる。
発光部10aは、シリコン等の間接遷移型の半導体にp型不純物が添加されたp型添加部分1と、同間接遷移型の半導体にn型不純物が添加されたn型添加部分2と、p型添加部分1とn型添加部分2との境界部分に形成されたpn活性部分3とからなる。また、p型添加部分1およびn型添加部分2は、その一部が電流が印加されて電子が付与されることによって発光する発光領域となっている。また、pn活性部分3は、そのすべてが電流が印加されて電子が付与されることによって発光する発光領域となっている。
非発光部10bは、発光部10aを構成する間接遷移型の半導体からなる。なお、非発光部10bは、発光部10aを構成する間接遷移型の半導体にp型不純物が添加されたもの、すなわち、p型添加部分1と同じ構成であっても構わない。また、非発光部10bは、発光部10aを構成する間接遷移型の半導体にn型不純物が添加されたもの、すなわち、n型添加部分1と同じ構成であっても構わない。
第1絶縁部材4は、非発光部10bの上側表面に設けられている。第1絶縁部材4は、薄い板状である。第1絶縁部材4は、絶縁可能且つ熱伝導率の高いものからなる。第2絶縁部材5は、非発光部10bの下側表面に設けられている。第2絶縁部材5は、薄い板状である。第2絶縁部材5は、絶縁可能且つ熱伝導率の高いものからなる。
p型電極6は、発光部10aの上側表面および第1絶縁部材4の表面全域を覆うように形成されている。p型電極6は、発光部10aの下側表面および第2絶縁部材5の表面全域を覆うように形成されている。p型電極6およびn型電極7の表面には、配線部材(不図示)が接合され、この配線部材(不図示)に接続された電源装置(不図示)から電流が供給される。
ここで、発光部10aに電流が印加されると、発光部10a内の発光領域は、発光するとともに発熱する。特に、大きな電流を印加した際、発光部10aは高温になるため、動作時に発光部10aの冷却が不十分である場合、発光デバイス100に不具合が生じるおそれがある。
本実施形態では、発光部10aの左右の両側面には、非発光部10bが設けられている。従って、図2の矢印で示すように、発光部10aは、その上側表面および下側表面から熱を逃がして空冷されるのみならず、左側表面および右側表面から非発光部10bに熱を逃がすことができる。これにより、発光部10aの上側表面および下側表面のみから放熱する場合と比較して、発光部10aをより効率的に冷却することができる。
また、非発光部10bは、p型添加部分1およびn型添加部分2を構成する間接遷移型の半導体からなり、発光部10aと一体形成されている。すなわち、発光部10aと非発光部10bとからなる素子10は、ひとつの部材からなる。より具体的には、素子10は、間接遷移型の半導体の左右方向中央部の上側にp型不純物を添加し、下側にn型不純物を添加されることにより形成されている。もしくは、間接遷移型の半導体にn型不純物(もしくはp型不純物)を添加し、その左右方向中央部の上側にp型不純物(もしくはn型不純物)を添加することによって形成されている。従って、発光部10aと非発光部10bとがそれぞれ別部材からなり、それらを接合して発光デバイス100を製造する場合と比較して、製造工程を少なくすることができる。これにより、製造作業を短縮することができるため、生産性を向上させることができる。
また、p型電極6と非発光部10bとの間には第1絶縁部材4が配置され、n型電極7と非発光部10bとの間には第2絶縁部材5が配置されている。従って、非発光部10bへの放熱のみならず、図2の矢印で示すように、第1絶縁部材4とp型電極6、第2絶縁部材5とn型電極7とを介して、発光部10aの左右の側面から伝達される熱を、上下方向に逃がして空冷することができる。これにより、発光部10aをより効率的に冷却することができる。
また、図2に示すように、素子10は、その厚み方向が最も熱伝導率の高い面方位である<100>となるように配置されている。従って、熱伝導率の高い面方位<100>を、例えば、左右の側面等、p型電極6およびn型電極7との接触面積の小さい面と直交するように配置する場合と比較して、p型電極6およびn型電極7との接触面積の最も大きい面10a1,10a2から、発光部10aに生じた熱を効率的に逃がすことができる。これにより、発光部10aをより効率的に冷却することができる。
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施形態や実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。
本実施形態では、非発光部10bは、発光部10aの左右の両側面にそれぞれ設けられていると記載したが、非発光部10bは、左右の側面のうちのどちらか一方のみに設けられていても構わない。また、前後の側面にも設けられていても構わない。
また、本実施形態では、非発光部10bは、p型添加部分1およびn型添加部分2とを構成する間接遷移型の半導体からなり、発光部10aと一体形成されていると記載したが、例えば、第1放熱部と発光部10aとは、それぞれ別部材且つ別素材からなるもので構成しても構わない。
また、本実施形態では、p型電極6と非発光部10bとの間には第1絶縁部材4が配置され、n型電極7と非発光部10bとの間には第2絶縁部材5が配置されていると記載したが、例えば、第1絶縁部材4および第2絶縁部材5を設けることなく、p型電極4を発光部の上側表面のみ、n型電極5を発光部10aの下側表面のみに設けても構わない。この構成によっても、発光部10aの左右の側面から伝達される熱を、非発光部10bから逃がして空冷することができる。
また、本実施形態では、おもに上下方向から空冷によって放熱する場合について記載したが、例えば、p型電極6の上側表面または/およびn型電極7の下側表面にヒートシンクを設置しても構わない。これにより、空冷により放熱する場合と比較して、上下方向における放熱能力をより高めることができる。従って、発光部10aをより効率的に冷却することができる。
また、本実施形態では、素子10の上側表面にp型電極6、下側表面にn型電極7を設け、レーザ発信装置として発光デバイス100を適用する場合について記載したが、p型電極6およびn型電極7素子10に形成することなく、LED光源として適用しても構わない。
1 p型添加部分
2 n型添加部分
3 pn活性部分
4 第1絶縁部材
5 第2絶縁部材
6 p型電極
7 n型電極
10 素子
10a 発光部
10b 非発光部
100 発光デバイス
2 n型添加部分
3 pn活性部分
4 第1絶縁部材
5 第2絶縁部材
6 p型電極
7 n型電極
10 素子
10a 発光部
10b 非発光部
100 発光デバイス
Claims (6)
- p型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるp型添加部分と、n型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるn型添加部分と、前記p型添加部分と前記n型添加部分との境界部分に形成されるpn活性部分と、を有し、
電流が印加されることにより電子が添加され、電子が付与されることによって、前記p型添加部分、前記pn活性部分および前記n型添加部分の一部またはすべてからなる発光領域が発光する発光部と、
前記発光部の厚み方向に対して直交する、前記発光部の少なくともひとつの側面に設けられた第1放熱部と、
を備えていることを特徴とする発光デバイス。 - 前記第1放熱部は、前記発光部の厚み方向に対して直交する2つの側面を狭持するように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 前記第1放熱部は、前記p型添加部分および前記n型添加部分とを構成する間接遷移型半導体からなり、
前記p型添加部分、前記n型添加部分および前記pn活性部分と一体形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光デバイス。 - 前記発光部の前記p型添加部分の表面に形成される第1電極と、
前記発光部の前記n型添加部分の表面に形成される第2電極と、
前記第1電極の表面に設けられる第2放熱部と、
をさらに有し、
前記第1電極と前記第1放熱部とは、第1絶縁部材を介して間接的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光デバイス。 - 前記第2電極の表面に設けられる第3放熱部をさらに有し、
前記第2電極と前記第1放熱部とは、第2絶縁部材を介して間接的に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光素子。 - 前記発光部は、前記第2放熱部または/および前記第3放熱部との接触面積が大きくなる面と直交する方向が最も熱伝導率の高い面方位となるように配置されていることを特徴とする請求項4または5に記載の発光デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236783A JP2017103391A (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 発光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236783A JP2017103391A (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 発光デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017103391A true JP2017103391A (ja) | 2017-06-08 |
Family
ID=59015682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015236783A Pending JP2017103391A (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 発光デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017103391A (ja) |
-
2015
- 2015-12-03 JP JP2015236783A patent/JP2017103391A/ja active Pending
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