JP6576592B2 - レーザ光源ユニット - Google Patents

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Description

本発明は、複数のレーザ発振素子を含むレーザ光源ユニットに関する。
近年、プロジェクタ等の投射型表示装置の光源として、半導体レーザ等のレーザ発振素子が注目されている。レーザ発振素子は、発振される光の単色性、当該光の高指向性といった優れた特性を有する。また、レーザ発振素子は、低消費電力で駆動するというメリットも有する。そのため、レーザ発振素子は、現在普及しているランプの代わりとなる光源として期待されている。
しかしながら、1つのレーザ発振素子に、投射型表示装置で必要な光量を発生させることは困難である。そのため、投射型表示装置では、一般的に、複数のレーザ発振素子から構成される光源が使用される。
特許文献1、2では、プロジェクタ(投射型表示装置)において、複数のレーザ発振素子(半導体レーザ)から構成される光源を使用した技術が開示されている。以下においては、特許文献1に示される技術を、「関連技術A」とも称する。また、以下においては、特許文献2に示される技術を、「関連技術B」とも称する。
特開2012−009760号公報 特開2012−156233号公報
複数のレーザ発振素子(半導体レーザ)を備える光源装置等のレーザ光源ユニットでは、低コスト化のために、構成の簡素化が要求されている。関連技術A,Bでは、複数のレーザ発振素子(半導体レーザ)の駆動のために、基板が必要であるため、上記の要求を満たすことはできない。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、構成が簡素化されたレーザ光源ユニットを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るレーザ光源ユニットは、第1および第2のレーザ発振素子と、前記第1および第2のレーザ発振素子を保持する筐体と、を備え、前記第1および第2のレーザ発振素子の各々は、第1電極および第2電極を有し、前記筐体には、前記第1のレーザ発振素子の前記第2電極と、前記第2のレーザ発振素子の前記第1電極とが挿入されている溝が設けられており、前記溝の内部には、前記第1のレーザ発振素子の前記第2電極と、前記第2のレーザ発振素子の前記第1電極とを電気的に接続する導電層が存在する。
本発明によれば、前記筐体には、前記第1のレーザ発振素子の前記第2電極と、前記第2のレーザ発振素子の前記第1電極とが挿入されている溝が設けられている。前記溝の内部には、前記第1のレーザ発振素子の前記第2電極と、前記第2のレーザ発振素子の前記第1電極とを電気的に接続する導電層が存在する。
これにより、基板を使用することなく、筐体の溝の内部において、前記第1のレーザ発振素子の前記第2電極と、前記第2のレーザ発振素子の前記第1電極とが電気的に接続される。そのため、構成が簡素化されたレーザ光源ユニットを提供することができる。
この発明の目的、特徴、態様、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
本発明の実施の形態1に係るレーザ光源ユニットの断面図である。 本発明の実施の形態1に係るレーザ光源ユニットの構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態1に係るレーザ発振素子の外観を示す図である。 本発明の実施の形態2に係るレーザ光源ユニットの断面図である。 本発明の実施の形態3に係るレーザ光源ユニットの構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態4に係るレーザ光源ユニットの構成の一部を示す斜視図である。 本発明の実施の形態3に係る部品の断面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面では、同一の各構成要素には同一の符号を付してある。同一の符号が付されている各構成要素の名称および機能は同じである。したがって、同一の符号が付されている各構成要素の一部についての詳細な説明を省略する場合がある。
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、当該各構成要素の相対配置などは、本発明が適用される装置の構成、各種条件等により適宜変更されてもよい。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ光源ユニット100の断面図である。レーザ光源ユニット100は、例えば、プロジェクタの光源として使用されるユニットである。
図1において、X方向、Y方向およびZ方向は、互いに直交する。以下の図に示されるX方向、Y方向およびZ方向も、互いに直交する。以下においては、X方向と、当該X方向の反対の方向(−X方向)とを含む方向を「X軸方向」ともいう。また、以下においては、Y方向と、当該Y方向の反対の方向(−Y方向)とを含む方向を「Y軸方向」ともいう。また、以下においては、Z方向と、当該Z方向の反対の方向(−Z方向)とを含む方向を「Z軸方向」ともいう。
また、以下においては、X軸方向およびY軸方向を含む平面を、「XY面」ともいう。また、以下においては、X軸方向およびZ軸方向を含む平面を、「XZ面」ともいう。また、以下においては、Y軸方向およびZ軸方向を含む平面を、「YZ面」ともいう。
図1を参照して、レーザ光源ユニット100は、n個のレーザ発振素子30と、筐体10と、固定部材18と、電極Eda,Edbとを備える。「n」は、2以上の自然数である。本明細書においては、一例として、「n」は、6であるとする。すなわち、レーザ光源ユニット100は、6個のレーザ発振素子30を備える。以下においては、レーザ光源ユニット100が備えるn個のレーザ発振素子30を、「レーザ発振素子30a,30b,30c,30d,30e,30f」とも称する。なお、「n」は、6に限定されず、2から5のいずれか、または、7以上であってもよい。
図2は、本発明の実施の形態1に係るレーザ光源ユニット100の構成を示す平面図である。なお、実施の形態1の特徴をわかり易くするために、図2では、レーザ発振素子30a,30b,30c,30d,30e,30fの輪郭を点線で示し、かつ、後述の固定部材18は示していない。
図3は、本発明の実施の形態1に係るレーザ発振素子30の外観を示す図である。レーザ発振素子30は、レーザ光を発振(射出)する素子である。以下においては、レーザ発振素子30のうち、レーザ光を発振する面を、「光発振面」とも称する。図3(a)は、レーザ発振素子30の光発振面を主に示す斜視図である。図3(b)は、レーザ発振素子30の底面側を主に示す斜視図である。なお、レーザ発振素子30の内部に存在するレーザ素子(図示せず)、レーザ発振素子30の構造、レーザ発振素子30の動作原理等の説明は省略する。
図1、図3(a)および図3(b)を参照して、レーザ発振素子30は、ガラス32、ステム34、キャップ36、電極3a,3b、および、レーザ素子(図示せず)を有する。
ステム34は、板状の部材である。ステム34は、主面34aと,裏面としての冷却面34bとを有する。ステム34の主面34aには、レーザ素子(図示せず)が設けられる。冷却面34bは、レーザ発振素子30を冷却するための面である。
キャップ36は、レーザ素子を収容する部材である。キャップ36は、当該キャップ36がレーザ素子を収容するように、ステム34の主面34aに固定されている。すなわち、レーザ素子は、キャップ36により封止されている。キャップ36の上面には、開口が設けられる。ガラス32は、透光性を有する。ガラス32は、キャップ36の開口を塞ぐように、キャップ36に設けられる。
レーザ発振素子30は、電極3aおよび電極3bを利用して駆動する素子である。具体的には、レーザ素子には、電極3a,3bを利用して、電流が供給される。レーザ素子は、当該レーザ素子に電流が供給されることにより、レーザ光を発振(射出)する。当該レーザ光は、ガラス32を介して、外部へ射出される。以下においては、電極3a,3bの各々を、「電極3」とも称する。電極3の形状は、棒状である。
また、図1および図2を参照して、筐体10の形状は、一例として、直方体である。平面視(XY面)における筐体10の形状は、長尺状(長方形)である。筐体10は、例えば、金属で構成されている。筐体10は、上面10aと、裏面10bとを有する。裏面10bは平面である。裏面10bは、筐体10を冷却するための冷却面として機能する。
詳細は後述するが、筐体10は、n個のレーザ発振素子30を保持する。筐体10には、複数の溝V1aと、複数の溝V1bとが設けられている。図2では、一例として、4個の溝V1aと、4個の溝V1bが示されている。以下においては、溝V1aおよび溝V1bの各々を、「溝V1」とも称する。平面視(XY面)における溝V1の形状は、長尺状である。
図2を参照して、筐体10は、長尺状の領域Rg1,Rg2を有する。筐体10の領域Rg1,Rg2の各々には、直線状に並ぶ4個の溝V1が設けられている。領域Rg1,Rg2の各々の4個の溝V1は、溝V1b、2個の溝V1a、および、溝V1bである。すなわち、筐体10の一方の端部には、2個の溝V1bが設けられている。筐体10の他方の端部には、2個の溝V1bが設けられている。
各溝V1は、筐体10の上部(上面10a側)に設けられている。詳細は後述するが、各溝V1は、レーザ発振素子30の電極3が挿入される溝である。
筐体10には、一例として、4つの溝V1aと、4つの溝V1bとが設けられている。各溝V1aは、複数のレーザ発振素子30を一定の間隔で配置できるように、構成されている。各溝V1aの形状および位置は、レーザ発振素子30の外形、電極3aと電極3bとの間隔を考慮して、設定されている。また、各溝V1aの深さは、電極3の長さを考慮して、設定されている。各溝V1aは、当該溝V1aが筐体10を貫通しないように、構成されている。
領域Rg1,Rg2の各々に含まれる2個の溝V1bには、それぞれ、電極Edaおよび電極Edbが設けられている。電極Edaおよび電極Edbは、複数のレーザ発振素子30に電流を供給するための電極である。電極Eda,Edbは、当該電極Eda,Edbと、複数のレーザ発振素子30との電気的接続を容易にするために設けられている。電極Eda,Edbの形状、大きさ等は、レーザ光源ユニット100を搭載するプロジェクタの形態にあうように、決定される。また、レーザ光源ユニット100を搭載するプロジェクタの形態によって、電極Eda,Edbの要否も決定される。
筐体10の領域Rg1には、レーザ発振素子30a,30b,30cが配置されている。また、筐体10の領域Rg2には、レーザ発振素子30d,30e,30fが配置されている。
なお、図1は、図2の領域Rg1に対応する、レーザ光源ユニット100の断面図である。レーザ発振素子30a,30b,30cの各々の電極3a,3bは、隣接する2個の溝V1の間の領域を跨ぐ。例えば、レーザ発振素子30aの電極3a,3bは、それぞれ、隣接する溝V1b,V1aに挿入されている。また、例えば、レーザ発振素子30bの電極3a,3bは、それぞれ、隣接する2つの溝V1aに挿入されている。
筐体10の溝V1aには、隣接する2個のレーザ発振素子30の一方の電極3bと、当該2個のレーザ発振素子30の他方の電極3aとが挿入されている。例えば、溝V1aには、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとが挿入されている。
溝V1aの内部には、導電層12および絶縁層11が設けられている。すなわち、溝V1aの内部には、導電層12および絶縁層11が存在する。絶縁層11は、筐体10と、溝V1に挿入されている1以上の電極3とを絶縁する層である。例えば、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとが挿入されている溝V1aの絶縁層11は、筐体10と、当該レーザ発振素子30aの電極3b、および、当該レーザ発振素子30bの電極3aとを絶縁する。
絶縁層11は、例えば、当該絶縁層11が溝V1aの側面および底面に接するように、設けられている。
導電層12は、絶縁層11上に設けられている。導電層12は、導体である。溝V1aの導電層12は、隣接する2個のレーザ発振素子30の一方の電極3bと、当該2個のレーザ発振素子30の他方の電極3aと接続される。すなわち、導体である導電層12は、隣接する2個のレーザ発振素子30の一方の電極3bと、当該2個のレーザ発振素子30の他方の電極3aとを電気的に接続する層である。
導電層12は、例えば、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aと接続される。すなわち、導電層12は、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとを電気的に接続する。
なお、電極Edaは、レーザ発振素子30aの電極3aと電気的に接続される。また、電極Edbは、レーザ発振素子30cの電極3bと電気的に接続される。これにより、電極Edaと電極Edbとの間において、レーザ発振素子30a,30b,30cは、電気的に直列に接続されている。
なお、図2の領域Rg2の構成は、図1を使用して説明した、領域Rg1の構成と同様であるので、詳細な説明は行わない。
固定部材18は、n個のレーザ発振素子30を、筐体10に固定するための部材である。具体的には、n個のレーザ発振素子30は、固定部材18により、筐体10の上面10aに固定される。なお、各レーザ発振素子30の冷却面34bは、筐体10のうち、溝V1以外の部分と接触する。そのため、各レーザ発振素子30の冷却面34bの接触面積は、大きい。これにより、各レーザ発振素子30が発する熱を、筐体10を介して、裏面10bから放出することができる。
なお、筐体10の裏面10bは、溝、突起等がない平面である。そのため、筐体10の裏面10bと、排熱のための冷却装置との接触面積を大きくとることができる。また、筐体10の裏面10bが平面であるため、冷却装置の構成、筐体10と冷却装置との組み立て等も容易にすることができる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、筐体10には、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとが挿入されている溝V1aが設けられている。溝V1aの内部には、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとを電気的に接続する導電層12が存在する。
これにより、基板を使用することなく、筐体10の溝V1aの内部において、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとが電気的に接続される。そのため、構成が簡素化されたレーザ光源ユニットを提供することができる。また、簡易な構成で、複数のレーザ発振素子を保持することができる。
また、本実施の形態によれば、簡易な形状の筐体10に、レーザ発振素子30を固定した構成である。そのため、レーザ発振素子30の冷却面34bの大部分を、筐体10に接合できる。レーザ光源ユニット100の筐体10の裏面10b(冷却面)は、平面である。したがって、筐体10と冷却装置との組み立てが容易であるとともに、より大きな放熱面積を得ることが可能となる。そのため、優れた排熱特性を有するレーザ光源ユニット100を提供することができる。
なお、複数のレーザ発振素子を使用して、プロジェクタ等の光源を構成する場合、安定したレーザ出力を確保するために、各レーザ発振素子の温度を一定に保つ必要がある。また、レーザ発振素子の温度が高温になった場合、レーザ出力が低下する場合がある。そのため、レーザ発振素子の冷却のために、当該レーザ発振素子に冷却構造が付加される場合がある。この場合、排熱効率が高いことが望ましい。
そこで、関連技術Aでは、以下の構成が使用される。具体的には、関連技術Aでは複数の励起光源が光源保持体に設けられている、複数の励起光源は、基板により、電気的に接続される。また、複数の励起光源は、ヒートシンクと当接する。
この構成では、光源装置に、基板を内包するための空間を設ける必要がある。また、励起光源からヒートシンクまでの距離が大きい。そのため、励起光源を効率よく冷却することが困難であるという問題がある。
また、関連技術Bでは、支持部材、保持部材等を組み合わせた構成が使用される。そのため、光源装置の部品点数が多く、光源装置の組み立てが複雑である。そのため、コストの面でも不利であるという問題がある。
また、1個のレーザ発振素子の出力は、一般的に、数ミリワット(mW)から数ワット(W)である。すなわち、1個のレーザ発振素子の出力は、プロジェクタ等の光源に要求されるの出力(数十ワット(W))より、大幅に小さい。そのため、複数のレーザ発振素子を並べることにより、1つの光源を構成するのが一般的である。なお、レーザ発振素子を安定的に駆動させるためには、ステムの冷却面を一定の温度に制御する必要がある。
しかしながら、複数のレーザ発振素子を並べた構成に、各レーザ発振素子の2つの電極に電流を供給するための電気回路と、ステムの冷却面を冷却する構造とを設ける場合、当該構成が複雑になるという問題がある。
そこで、本実施の形態のレーザ光源ユニット100は上記のように構成されるため、上記の各問題を解決することができる。
<実施の形態2>
本実施の形態の構成は、はんだを使用した構成(以下、「構成CtA」とも称する)である。以下においては、構成CtAが適用されたレーザ光源ユニットを、「レーザ光源ユニット100A」とも称する。
図4は、本発明の実施の形態2に係るレーザ光源ユニット100Aの断面図である。レーザ光源ユニット100Aは、図1のレーザ光源ユニット100と比較して、固定部材18を備えない点が異なる。レーザ光源ユニット100Aのそれ以外の構成は、レーザ光源ユニット100と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
レーザ光源ユニット100Aでは、n個のレーザ発振素子30は、はんだ(金属)により、筐体10と接合されている。具体的には、レーザ光源ユニット100Aの各レーザ発振素子30の冷却面34bは、はんだにより、筐体10と接合されている。そのため、レーザ光源ユニット100Aでは、各レーザ発振素子30を、筐体10に固定するための固定部材18が不要である。
以上説明したように、本実施の形態によれば、固定部材18が不要であるため、レーザ光源ユニット100Aの組み立てを簡素化することができる。そのため、レーザ光源ユニット100Aの製造コストを抑えることが可能となる。
また、はんだ等の金属により、各レーザ発振素子30の冷却面34bが筐体10と接合されるため、各レーザ発振素子30が発する熱を、効率よく、筐体10へ伝えることができる。したがって、各レーザ発振素子30の出力を安定させることができる。
なお、実施の形態1のレーザ光源ユニット100に、構成CtAを適用した構成(以下、「構成CtNA」とも称する)としてもよい。構成CtNAでは、各レーザ発振素子30の冷却面34bが、はんだにより、筐体10と接合されているのに加え、さらに、固定部材18により、当該各レーザ発振素子30が筐体10に固定される。そのため、構成CtNAでは、実施の形態2の効果に加え、各レーザ発振素子30を筐体10に強固に固定することができるという効果が得られる。
<実施の形態3>
本実施の形態の構成は、レーザ光源ユニットが備えるn個のレーザ発振素子30が直列に接続される構成(以下、「構成CtB」とも称する)である。以下においては、構成CtBが適用されたレーザ光源ユニットを、「レーザ光源ユニット100B」とも称する。
レーザ光源ユニット100Bは、n個のレーザ発振素子30を備える。本実施の形態では、「n」は、一例として、6である。以下においては、レーザ光源ユニット100Bが備えるn個のレーザ発振素子30を、「レーザ発振素子30a,30b,30c,30d,30e,30f」とも称する。
図5は、本発明の実施の形態3に係るレーザ光源ユニット100Bの構成を示す平面図である。なお、実施の形態3の特徴をわかり易くするために、図5では、レーザ発振素子30a,30b,30c,30d,30e,30fの輪郭を点線で示し、かつ、固定部材18は示していない。
レーザ光源ユニット100Bは、図1および図2のレーザ光源ユニット100と比較して、筐体10の代わりに筐体10Bを備える点と、2個の電極Edaの代わりに1個の電極Edaを備える点と、2個の電極Edbの代わりに1個の電極Edbを備える点と、領域Rg1,Rg2の代わりに領域Rg1B,Rg2Bを有する点と、領域Rg3をさらに有する点とが異なる。レーザ光源ユニット100Bのそれ以外の構成は、レーザ光源ユニット100と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
筐体10Bは、筐体10と比較して、4個の溝V1bの代わりに2個の溝V1bが設けられている点と、溝V1axをさらに有する点とが異なる。筐体10Bのそれ以外の構成は、筐体10と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
また、筐体10Bにおける、2個の溝V1bの内部構成は、図1の筐体10の溝V1bの内部構成と同様なので詳細な説明は繰り返さない。また、筐体10Bにおける、4個の溝V1aの内部構成は、図1の筐体10の溝V1aの内部構成と同様なので詳細な説明は繰り返さない。すなわち、各溝V1bの内部、および、各溝V1aの内部には、図1と同様に、導電層12および絶縁層11が設けられている。
絶縁層11は、筐体10Bと、溝V1に挿入されている1以上の電極3とを絶縁する層である。例えば、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとが挿入されている溝V1aの絶縁層11は、筐体10Bと、当該レーザ発振素子30aの電極3b、および、当該レーザ発振素子30bの電極3aとを絶縁する。
レーザ光源ユニット100Bのn個のレーザ発振素子30は、図1のように、固定部材18により、筐体10Bに固定されている。また、前述したように、n個のレーザ発振素子30の各々は、電極3aおよび電極3bを利用して駆動する素子である。レーザ光源ユニット100Bでは、1個の電極Edaと1個の電極Edbとの間において、n個のレーザ発振素子30(レーザ発振素子30a,30b,30c,30d,30e,30f)が、電気的に直列に接続されている。
領域Rg1Bは、図2の領域Rg1と比較して、2個の溝V1bの代わりに1個の溝V1bを含む点が異なる。すなわち、領域Rg1Bには、1個の溝V1bと、2個の溝V1aとが設けられている。
領域Rg1Bにおける、1個の溝V1b、および、2個の溝V1aには、図1と同様に、レーザ発振素子30a,30bが固定される。例えば、領域Rg1Bの溝V1bには、レーザ発振素子30aの電極3aが挿入されている。レーザ発振素子30aの電極3aは、1個の電極Edaと電気的に接続される。
また、領域Rg1Bにおいて、2個の溝V1aのうち左側の溝V1aには、例えば、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとが挿入されている。なお、導電層12により、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとが電気的に接続される。
領域Rg3は、溝V1axを含む。溝V1axの形状は、一例として、コの字状である。溝V1axには、レーザ発振素子30cの電極3bと、レーザ発振素子30dの電極3aとが挿入されている。溝V1axの内部には、溝V1aと同様に、導電層12および絶縁層11が設けられている。溝V1axの導電層12は、当該溝V1axに挿入されている2つの電極3を電気的に接続する。すなわち、溝V1axの導電層12は、レーザ発振素子30cの電極3bと、レーザ発振素子30dの電極3aとを電気的に接続する。
領域Rg2Bは、図2の領域Rg2と比較して、2個の溝V1bの代わりに1個の溝V1bを含む点が異なる。すなわち、領域Rg2Bには、1個の溝V1bと、2個の溝V1aとが設けられている。領域Rg2Bにおける、1個の溝V1b、および、2個の溝V1aには、電気的に直列に接続されたレーザ発振素子30d,30e,30fが固定される。例えば、領域Rg2Bの溝V1bには、レーザ発振素子30fの電極3bが挿入されている。レーザ発振素子30fの電極3bは、領域Rg2Bにおける1個の電極Edbと電気的に接続される。
また、領域Rg1Bにおいて、2個の溝V1aのうち右側の溝V1aには、例えば、レーザ発振素子30dの電極3bと、レーザ発振素子30eの電極3aとが挿入されている。
以上説明したように、本実施の形態によれば、1個の電極Edaと1個の電極Edbとの間において、n個のレーザ発振素子30が、電気的に直列に接続されている。すなわち、1個の電極Edaと1個の電極Edbとを使用することにより、レーザ光源ユニット100Bのn個のレーザ発振素子30に電流を供給することができる。つまり、外部から、レーザ光源ユニット100Bに対し電流を供給するための端子は、2つのみである。
これにより、レーザ光源ユニット100Bの構成を簡素化できる。そのため、レーザ光源ユニットをプロジェクタ(投射型表示装置)へ組み込む際のインターフェースを簡素化することができる。したがって、プロジェクタ(投射型表示装置)内でのレーザ光源ユニットの配置の自由度を高めることができる。
なお、本実施の形態の構成CtBに、前述の構成CtA適用した構成(以下、「構成CtBa」とも称する)としてもよい。構成CtBaでは、n個のレーザ発振素子30は、はんだ(金属)により、筐体10Bと接合されている。また、構成CtBaでは、固定部材18が使用されない。
また、構成CtBaにおいて、固定部材18を使用した構成(以下、「構成CtNBa」とも称する)としてもよい。構成CtNBaでは、はんだ(金属)および固定部材18により、各レーザ発振素子30が筐体10Bに固定される。
<実施の形態4>
本実施の形態の構成は、筐体に対し、絶縁、導電等の機能を追加可能な構成(以下、「構成CtC」とも称する)である。以下においては、構成CtCが適用されたレーザ光源ユニットを、「レーザ光源ユニット100C」とも称する。
図6は、本発明の実施の形態4に係るレーザ光源ユニット100Cの構成の一部を示す斜視図である。レーザ光源ユニット100Cは、図1のレーザ光源ユニット100と比較して、筐体10の代わりに筐体10Nを備える点と、複数の部品50を備える点とが異なる。レーザ光源ユニット100Cのそれ以外の構成は、レーザ光源ユニット100と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
筐体10Nは、筐体10と比較して、各溝V1aの内部に、導電層12および絶縁層11が存在しない点が異なる。筐体10Nのそれ以外の構成および機能は、筐体10と同様なので詳細な説明は繰り返さない。筐体10Nは、機械的な加工のみで形成された部品である。
次に、部品50について説明する。図7は、本発明の実施の形態3に係る部品50の断面図である。部品50は、例えば、図7(a)に示す構成を有する。図6および図7(a)を参照して、部品50の形状は、底を有し、蓋が存在しない箱形状である。
部品50は、部材51と、導電層12とを含む。部材51の形状は、底を有し、蓋が存在しない箱形状である。部材51は、絶縁材料で構成される。当該絶縁材料は、例えば、プラスチック、シリコン等である。部材51の内部の一部(底面)には、図7(a)のように、導電層12が形成されている。
なお、部品50の構成は、図7(a)の構成に限定されない。部品50の構成は、例えば、図7(b)の構成であってもよい。すなわち、図7(b)のように、部品50の部材51の内部全体に、導電層12が形成されていてもよい。
筐体10Nの各溝V1aには、部品50が、当該筐体10Nの外部から挿入される。以下においては、筐体10Nの各溝V1aに部品50が挿入されている、当該筐体10Nの状態を、「状態St1」とも称する。状態St1の筐体10Nの各溝V1aには、部材51および導電層12が存在する。
すなわち、状態St1の筐体10Nの各溝V1aに存在する導電層12は、筐体10Nの外部から溝V1aに挿入されたものである。また、前述したように、部材51は、絶縁材料で構成される。そのため、状態St1の筐体10Nの部材51は、絶縁層として機能する。すなわち、状態St1の筐体10Nの各溝V1aに存在する、絶縁層としての部材51は、筐体10Nの外部から溝V1aに挿入されたものである。したがって、状態St1の筐体10Nは、図1の筐体10と同様に、導電層12および絶縁層(部材51)を有する。
レーザ光源ユニット100Cでは、図1のレーザ光源ユニット100と同様に、固定部材18により、状態St1の筐体10Nに対し、n個のレーザ発振素子30が固定されている。そのため、状態St1の筐体10Nに存在する導電層12および絶縁層(部材51)は、それぞれ、筐体10の導電層12および絶縁層11と同様な機能を有する。
例えば、状態St1の筐体10Nに存在する溝V1aに挿入されている部品50の導電層12は、レーザ発振素子30aの電極3bと、レーザ発振素子30bの電極3aとを電気的に接続する。また、例えば、状態St1の筐体10Nに存在する溝V1aに挿入されている部品50の絶縁層(部材51)は、筐体10Nと、当該レーザ発振素子30aの電極3b、および、当該レーザ発振素子30bの電極3aとを絶縁する。
以上説明したように、本実施の形態によれば、筐体10Nは機械的な加工のみで形成されたものであり、部品50は、絶縁および導電の機能を有する。これにより、筐体10N等の部品の加工を容易にすることができる。また、筐体10N自身の構成を簡素化できる。そのため、レーザ光源ユニット100Cのコストを抑えることが可能となる。
また、筐体10Nの溝V1aに部品50を挿入するという簡易な構成とすることにより、組み立て作業を容易にすることが可能となる。
なお、本実施の形態の構成CtCに、前述の構成CtA適用した構成(以下、「構成CtCa」とも称する)としてもよい。構成CtCaでは、n個のレーザ発振素子30は、はんだ(金属)により、状態St1の筐体10Nと接合されている。また、構成CtCaでは、固定部材18が使用されない。
また、構成CtCaにおいて、固定部材18を使用した構成(以下、「構成CtNCa」とも称する)としてもよい。構成CtNCaでは、固定部材18により、各レーザ発振素子30が、状態St1の筐体10Nに固定される。
<変形例1>
本変形例の構成は、レーザ光源ユニットの筐体の材料が、熱伝導に優れた金属である構成(以下、「構成CtX」とも称する)である。当該熱伝導に優れた金属は、例えば、アルミ、銅などである。構成CtXは、実施の形態1から4までの構成に適用可能である。
以下においては、構成CtXを、実施の形態1のレーザ光源ユニット100に適用した構成を、「構成Ct1x」とも称する。構成Ct1xにおけるレーザ光源ユニット100の筐体10は、アルミまたは銅で構成されている。
構成Ct1xによれば、レーザ発振素子30が発する熱を、効率よく、筐体10の裏面10b(冷却面)へ伝えることができる。そのため、冷却性能に優れた筐体を実現することができる。したがって、裏面10b(冷却面)に伝わった熱を、図示しない冷却装置により排熱することが可能となる。
図1の筐体10の厚みTh1は、筐体10の剛性、熱伝導の効率等を考慮して、決められている。一般的には、厚みTh1が大きい程、熱伝達のための熱抵抗が増大し、筐体10の排熱効率が低下する。また、厚みTh1が小さい程、筐体10の剛性が低下する。この場合、レーザビームの出射方向が安定せず、図示しない投射型表示装置の光学系での利用効率が低下する。このため、厚みTh1は、3ミリから5ミリ程度が望ましい。
以上の本変形例によれば、筐体10は、熱伝導に優れた金属で構成されている。そのため、複数のレーザ発振素子30を、同時に効率よく冷却することができる。
以下においては、構成CtXを、実施の形態2の構成CtAに適用した構成を、「構成CtAx」とも称する。構成CtAxにおけるレーザ光源ユニット100Aの筐体10は、アルミまたは銅で構成されている。また、構成CtXは、実施の形態2の構成CtNAに適用してもよい。
また、以下においては、構成CtXを、実施の形態3の構成CtBに適用した構成を、「構成CtBx」とも称する。構成CtBxにおけるレーザ光源ユニット100Bの筐体10Bは、アルミまたは銅で構成されている。また、構成CtXは、実施の形態3の構成CtBaに適用してもよい。また、構成CtXは、実施の形態3の構成CtNBaに適用してもよい。
また、以下においては、構成CtXを、実施の形態4の構成CtCに適用した構成を、「構成CtCx」とも称する。構成CtCxにおけるレーザ光源ユニット100Cの筐体10Nは、アルミまたは銅で構成されている。また、構成CtXは、実施の形態4の構成CtCaに適用してもよい。また、構成CtXは、実施の形態4の構成CtNCaに適用してもよい。
なお、本発明は、上記の各実施の形態の形態、および、変形例のみに限定されるものではない。すなわち、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態、変形例を自由に組み合わせたり、各実施の形態、変形例を適宜、変形、省略することが可能である。
例えば、n個のレーザ発振素子30の配置状態は、例えば、図2のような状態に限定されない。
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての態様において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
3,3a,3b,Eda,Edb 電極、10,10B,10N 筐体、11 絶縁層、12 導電層、18 固定部材、30,30a,30b,30c,30d,30e,30f レーザ発振素子、100,100A,100B,100C レーザ光源ユニット、V1,V1a,V1ax,V1b 溝。

Claims (8)

  1. 第1および第2のレーザ発振素子(30a,30b)と、
    前記第1および第2のレーザ発振素子(30a,30b)を保持する筐体(10,10B,10N)と、を備え、
    前記第1および第2のレーザ発振素子(30a,30b)の各々は、第1電極(3a)および第2電極(3b)を有し、
    前記筐体(10,10B,10N)には、前記第1のレーザ発振素子(30a)の前記第2電極(3b)と、前記第2のレーザ発振素子(30b)の前記第1電極(3a)とが挿入されている溝(V1a)が設けられており、
    前記溝(V1a)の内部には、前記第1のレーザ発振素子(30a)の前記第2電極(3b)と、前記第2のレーザ発振素子(30b)の前記第1電極(3a)とを電気的に接続する導電層(12)が存在する
    レーザ光源ユニット。
  2. 前記導電層(12)は、前記筐体(10N)の外部から前記溝(V1a)に挿入されたものである
    請求項1に記載のレーザ光源ユニット。
  3. 前記溝(V1a)の内部には、前記筐体(10,10B,10N)と、前記第1のレーザ発振素子(30a)の前記第2電極(3b)、および、前記第2のレーザ発振素子(30b)の前記第1電極(3a)とを絶縁する絶縁層(11,51)が存在する
    請求項1または2に記載のレーザ光源ユニット。
  4. 前記絶縁層(51)は、前記筐体(10N)の外部から前記溝(V1a)に挿入されたものである
    請求項3に記載のレーザ光源ユニット。
  5. 前記レーザ光源ユニットは、さらに、
    前記第1および第2のレーザ発振素子(30a,30b)を、前記筐体(10,10B,10N)に固定するための固定部材(18)を備える
    請求項1から4のいずれか1項に記載のレーザ光源ユニット。
  6. 前記第1および第2のレーザ発振素子(30a,30b)は、はんだにより、前記筐体(10,10B,10N)と接合されている
    請求項1から5のいずれか1項に記載のレーザ光源ユニット。
  7. 前記レーザ光源ユニットは、前記第1および第2のレーザ発振素子(30a,30b)を含む複数のレーザ発振素子(30)を備え、
    前記複数のレーザ発振素子(30)は、前記筐体(10,10B,10N)に固定されており、
    前記複数のレーザ発振素子(30)の各々は、前記第1電極(3a)および前記第2電極(3b)を有し、
    前記複数のレーザ発振素子(30)の各々は、前記第1電極(3a)および前記第2電極(3b)を利用して駆動する素子であり、
    前記複数のレーザ発振素子(30)は、電気的に直列に接続されている
    請求項1から6のいずれか1項に記載のレーザ光源ユニット。
  8. 前記筐体(10,10B,10N)は、アルミまたは銅で構成されている
    請求項1から7のいずれか1項に記載のレーザ光源ユニット。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6844993B2 (ja) * 2016-11-25 2021-03-17 古河電気工業株式会社 レーザ装置及び光源装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2284946A1 (en) * 1999-10-04 2001-04-04 Institut National D'optique Laser diode array assembly made from a ridged monolithic substrate
US7016383B2 (en) * 2003-08-27 2006-03-21 Northrop Grumman Corporation Immersion-cooled monolithic laser diode array and method of manufacturing the same
JP5505719B2 (ja) 2010-06-28 2014-05-28 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
US8198109B2 (en) * 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
JP2012156233A (ja) 2011-01-25 2012-08-16 Seiko Epson Corp 光源装置及びプロジェクター
CN102361218B (zh) * 2011-10-28 2013-02-06 中国科学院半导体研究所 半导体激光器二极管封装夹具
DE102012213193B4 (de) * 2012-07-26 2023-09-14 Coretronic Corporation Anordnung von optischen halbleiterelementen
US8804782B2 (en) * 2012-10-29 2014-08-12 Coherent, Inc. Macro-channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars
DE102013224420A1 (de) * 2013-05-13 2014-11-13 Osram Gmbh Laserbauelement und Verfahren zur seiner Herstellung
JP6272067B2 (ja) * 2014-02-13 2018-01-31 三菱電機株式会社 レーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置
JP6500223B2 (ja) * 2014-04-17 2019-04-17 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源装置および投写型映像表示装置
JP6492462B2 (ja) * 2014-08-29 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 光源装置
CN105703215B (zh) * 2016-04-08 2019-02-05 无锡亮源激光技术有限公司 一种用于固体激光器泵浦源的半导体激光器

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