JP2008288379A - 半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベースプレート11に該ベースプレート11の熱伝導率より高い熱伝導材料で形成した素子実装部14を設けて、この素子実装部14に半導体素子15を実装し、半導体素子15の熱を、熱伝導率の高い素子実装部14で熱拡散された後、ベースプレート11全体に熱拡散させるように構成したものである。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 他の部位に比して熱伝導率の高い熱伝導材料で形成した素子実装部が設けられたベースプレートと、
このベースプレートの素子実装部に実装される半導体素子と、
を具備することを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記素子実装部は、ベースプレート上に接合されて設けられることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記素子実装部は、前記半導体素子の実装面積より大形状に形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体パッケージ。
- 前記素子実装部は、ダイヤモンドで形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の半導体パッケージ。
- 前記ベースプレートは、ヒートシンクと熱的に結合されて配されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の半導体パッケージ。
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- 2007-05-17 JP JP2007131848A patent/JP2008288379A/ja active Pending
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