JP2007180264A - アレイ型半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体レーザアレイに応力が発生することなく、アレイ型半導体レーザ装置を構成する部材間の隙間を均一化して信頼性の高い高出力アレイ型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ベース材15上に応力緩和材14を介して接合された半導体レーザアレイ1の幅を5mmにする。半導体レーザアレイ1の幅を5mmにすることで、反り量を5μmとした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにできる。半導体レーザアレイ1に応力が発生することなく部材間の隙間が均一化され、半導体レーザアレイ1を均一に冷却できるので、寿命が長く信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
【選択図】図4
【解決手段】ベース材15上に応力緩和材14を介して接合された半導体レーザアレイ1の幅を5mmにする。半導体レーザアレイ1の幅を5mmにすることで、反り量を5μmとした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにできる。半導体レーザアレイ1に応力が発生することなく部材間の隙間が均一化され、半導体レーザアレイ1を均一に冷却できるので、寿命が長く信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
【選択図】図4
Description
この発明は、アレイ型半導体レーザ装置に関し、特に固体レーザ装置の励起や半導体レーザの直接加工等に用いられるアレイ型半導体レーザ装置に関する。
アレイ型半導体レーザ装置は、ベース材上に応力緩和材を介して接合された半導体レーザアレイを備えている。そして、半導体レーザアレイは、アレイ状に配置され、発光領域を有する複数個の半導体レーザ素子から構成されている。
半導体レーザアレイの電極表面には金等の金属蒸着が施されており、AuSn等の導電性の接合材を表面に有した応力緩和材の表面と200〜300℃の温度下で加熱合金化が行われ、半導体レーザアレイと応力緩和材との融合が達成される。
応力緩和材とベース材との間においても、半導体レーザアレイと応力緩和材との間の合金化と同様に、接合材を介して加熱接合される。
一般に、半導体レーザアレイは、GaAs、InP等を材料としている。例えば、GaAsは、約6.5×10-6/Kの線膨張率を有している。
また、ベース材は、熱伝導率、加工性及び価格等を考慮して、一般的には銅が使用され、約17×10-6/Kの線膨張率を有している。
そのため、半導体レーザアレイとベース材を直接接合すると、線膨張率差に起因する大きな熱応力が半導体レーザアレイに発生し、脆弱なGaAsからなる半導体レーザアレイは破壊される。
そこで、半導体レーザアレイとベース材の間には一般に応力緩和材を介在させている。応力緩和材の材料としてはCuW、CuMo等が用いられる。
半導体レーザアレイの面のうち、応力緩和材との接合面と反対側の面は、銅箔や、金線等によって、絶縁層上に形成された導体層に電気的に接合されている。
そして、ベース材と、絶縁層上の導体層とを電極とし、それら電極間に電圧を印加してある一定の電流を流すことにより、半導体レーザ素子からレーザビームを出射することができる。
また、応力緩和材及びベース材は、半導体レーザアレイに生じる熱を放散するヒートシンクとしても機能する。そして、半導体レーザアレイの複数の半導体レーザ素子全体で、高品質かつ高出力なレーザビームを得ることができる。
このようなアレイ型半導体レーザ装置においては、半導体レーザアレイの幅が10mmと長く、しかも厚さが100μmと薄いために、半導体レーザアレイ、及び応力緩和材双方において、高平面度を有する部材を作成することは困難である。
その結果、双方の部材に反りが生じる。このような反りを事実上無くすように加工することは、加工費が高価となり、量産品に対しては現実的ではない。
そして、反りを有する部材を接合すると、場所により部材間の隙間が均一ではなくなり、厚い部分と薄い部分が生じる。
アレイ型半導体レーザ装置を構成する部材間の接合には、一般的にはんだが用いられるが、はんだの熱伝導率は半導体レーザアレイ、応力緩和材、ベース材等と比較して小さいため、部材間の隙間の違いにより、各半導体レーザ素子の冷却が非均一となる。
つまり、隙間が厚い部分に対応する半導体レーザアレイの活性層の温度は高く、薄い部分に対応する活性層の温度は低くなる。
アレイ型半導体レーザ装置の寿命は、アレニウスの予測式(以下の式(1))で示されるように温度と相関があり、温度が上がると、寿命が短くなることが知られている。
アレイ型半導体レーザ装置の寿命 ∝ eE/kT ・・・(1)
ここで、E:活性エネルギー、k:ボルツマン定数、 T:活性層の絶対温度である。
ここで、E:活性エネルギー、k:ボルツマン定数、 T:活性層の絶対温度である。
従って、部材の反りの影響により部材間の隙間が不均一になると、均一に隙間がある場合に比較して、アレイ型半導体レーザ装置は、温度が上昇して寿命が短くなる。
また、アレイ型半導体レーザの主要な用途の一つは、固体レーザ装置の励起である。そして、固体レーザ媒質の吸収スペクトルが狭いため、高効率な固体レーザ装置を得るには、半導体レーザアレイから出射されるレーザビームの波長を、前記吸収スペクトルに合わせる必要がある。
ここで、半導体レーザアレイから出射されるレーザビームの波長は、活性層の温度が高くなると長波長になることが知られている。そのため、部材間の隙間が均一でないと、レーザビームの波長が均一でなくなり、波長の幅が広くなる。
レーザビームの波長の幅が広くなると、固体レーザ媒質の吸収スペクトルに合わせることが困難となり、高効率な固体レーザ装置を得ることが困難となる。
以上の問題を解決するために、アレイ型半導体レーザ装置を構成する部材間の接合時には、部材間を加圧しながら接合して、部材間の不均一な隙間を均一化している。
ここで、部材の反りを抑えて部材間の隙間を均一化するには、加圧量を上げる必要がある。そして、加圧量を上げて接合すると、半導体レーザアレイには、高い応力が発生する。
アレイ型半導体レーザ装置の寿命は、温度ばかりでなく、半導体レーザアレイに発生する応力によっても短くなることが知られている。そのため、隙間を均一化するために、加圧量を上げて接合すると、アレイ型半導体レーザ装置の寿命が短くなるという問題を生じる。
そこで、非特許文献1に記載の発明では、半導体レーザアレイの幅を6.4mmに形成し、反り量を低減した半導体レーザ装置が開示されている。
半導体レーザアレイの反り量は、例えば各層の熱膨張の差に起因する場合、理想的には幅の長さの2乗に比例した量となるため、半導体レーザアレイの幅を10mmから6.4mmにすることで反り量を低減することができる。
反り量を低減すると、部材間の接合時の加圧量を低減でき、半導体レーザアレイに発生する応力を低減できる。
"Cooling of SIRILAS 30W High Power Laser Diode SPL LG81 Application Note Jan.2005"、[online]、[平成17年11月1日検索]、インターネット<URL:http://catalog.osram-os.com/media/_en/Graphics/00018321_0.pdf>
しかしながら、半導体レーザアレイの幅を6.4mmとした場合であっても、隙間を均一化するために必要な加圧量はまだ大きく、半導体レーザアレイに発生する応力を十分低くすることは難しいという問題があった。
また一般的な半導体レーザアレイの幅が10mmであるので、互換性が無くなるとともに、同じ出力を得るためには、電流密度を上げる必要があり、そのため寿命が短くなるという問題があった。
そこで本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、半導体レーザアレイに応力が発生することなく、アレイ型半導体レーザ装置を構成する部材間の隙間を均一化して信頼性の高い高出力アレイ型半導体レーザ装置を提供することである。
請求項1に記載のアレイ型半導体レーザ装置は、ベース材と、前記ベース材上に接合され、直線状に配列された複数の半導体レーザ素子を有する半導体レーザアレイと、を備えるアレイ型半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザアレイの幅は、5mm以下であることを特徴とする。
請求項1に係る発明によれば、半導体レーザアレイの幅を5mm以下にしているので、半導体レーザアレイの反り量を5μmにした場合であっても、半導体レーザアレイに発生する応力をゼロにできる。
半導体レーザアレイの反り量は5μmであるので、半導体レーザアレイとベース材間の隙間はほぼ均一化され、さらに半導体レーザアレイには応力が発生しないので、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
<実施の形態1>
<A.全体構成>
まず、一般的なアレイ型半導体レーザ装置の構成について図1から3を参照して説明する。図1は、一般的なアレイ型半導体レーザ装置の構成を示す斜視図である。
<A.全体構成>
まず、一般的なアレイ型半導体レーザ装置の構成について図1から3を参照して説明する。図1は、一般的なアレイ型半導体レーザ装置の構成を示す斜視図である。
ベース材15上に応力緩和材14が接合されている。そして応力緩和材14上には、接合材13を介して半導体レーザアレイ1が接合されている。すなわち、半導体レーザアレイ1は、応力緩和材14を介してベース材15上に接合されている。
半導体レーザアレイ1は、直線状に配列された複数の半導体レーザ素子2から構成されている。夫々の半導体レーザ素子2は、下方にレーザ光を発光する発光領域11を備えている。
ベース材15上には、半導体レーザアレイ1に隣接して絶縁層16が配置され、絶縁層16上には導体層17が設けられている。
半導体レーザアレイ1の上部には接合部19が設けられており、ワイヤ20を介して導体層17の接合部21に接合されている。
図2は、一般的な半導体レーザアレイ1の構成を示す斜視図である。図2において、半導体レーザアレイ1は、例えば19個あるいは49個といった複数の半導体レーザ素子2を直線状に配列した構造であり、一般的には例えば、幅約10mm、共振器長1mm、厚さ100μmのような大きさである。
ここで、図2に示した半導体レーザアレイ1は、図1に図示された半導体レーザアレイ1とは上下が逆に図示されており、応力緩和材14上への接合時には、図1に示すように発光領域11が下方に位置するように接合される。
次に、図3を参照して、半導体レーザアレイ1の構造について説明する。図3は、半導体レーザアレイ1の構造を示す拡大斜視図である。半導体基板4上に、バッファ層5が形成されている。バッファ層5上には、活性層6が形成されている。活性層6上には、クラッド層7が形成されている。そして、クラッド層7上にはコンタクト層8が形成され、コンタクト層8上にはp電極9が形成されている。活性層6には発光領域11が形成されている。そして、半導体基板4のバッファ層5が形成された面と反対側の面にはn電極10が形成されている。
活性層6、クラッド層7、コンタクト層8及びp電極9は、特性分離溝18によって区切られ、電気的に絶縁されている。そして特性分離溝18によって区切られた領域が一つの半導体レーザ素子2に対応している。
半導体基板4は例えばGaAsからなり、この半導体基板4上にバッファ層5、活性層6、クラッド層7及びコンタクト層8を結晶成長させて積層するため、これらを総合して、成長層と呼ぶ。成長層の厚さは数ミクロンと非常に薄い。
なお、図3も図2と同様に、図1の半導体レーザアレイ1とは上下が逆に図示されている。
次に、本実施の形態1に係るアレイ型半導体レーザ装置の構成について説明する。図4は、本実施の形態1に係るアレイ型半導体レーザ装置の構成を示す概略正面図である。
図4において、半導体レーザアレイ1が、応力緩和材14を介して、ベース材15上に接合されている。
応力緩和材14は、接合材13によりベース材15上に接合されている。また、半導体レーザアレイ1は、図示しない接合材により応力緩和材14上に接合されている。
半導体レーザアレイ1の幅は、前述したように、一般的には10mm程度であるが、本実施の形態1に係る半導体レーザアレイ1の幅は、5mmとなっている。
その他の構成は、一般的なアレイ型半導体レーザ装置の構成と同様であるので詳細な説明は省略する。
<B.動作>
次に、以上のように構成されたアレイ型半導体レーザ装置の動作について説明する。
次に、以上のように構成されたアレイ型半導体レーザ装置の動作について説明する。
p電極9を陽極、n電極10を陰極として両電極間に順方向に電圧を印加することによって電流を流すと、各半導体レーザ素子2における活性層6の発光領域11からレーザビームが出射される。
<C.効果>
次に、図5を参照して、半導体レーザアレイ1に発生する応力について説明する。
次に、図5を参照して、半導体レーザアレイ1に発生する応力について説明する。
図5は、半導体レーザアレイ1の幅と、接合時の加圧により半導体レーザアレイ1に発生する応力の相関を示す図である。
図5は、半導体レーザアレイ1の反り量が5μmとなるように加圧したときに、半導体レーザアレイ1に発生する応力を示している。ここで、反り量は、半導体レーザアレイ1底面の中心位置に対する、半導体レーザアレイ1底面の端の高さA(図4参照)に対応している。
また、図5は、10mmの幅の半導体レーザアレイ1は反り量が20μmであり、反り量は幅の2乗に比例して大きくなるものと仮定した場合の計算結果を示している。
図5に示すように、半導体レーザアレイ1の幅を5mm以下にすることで、半導体レーザアレイ1の反り量を5μmとした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにすることができる。
本実施の形態1に係るアレイ型半導体レーザ装置は、半導体レーザアレイ1の幅を5mmにしているので、半導体レーザアレイ1の反り量を5μmにした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにできる。
半導体レーザアレイ1の反り量は5μmであるので、半導体レーザアレイ1とベース材15間の隙間はほぼ均一化され、さらに半導体レーザアレイ1には応力が発生しないので、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
本実施の形態1に係るアレイ型半導体レーザ装置は、半導体レーザアレイ1が応力緩和材14を介してベース材15上に接合されている。そのため、半導体レーザアレイ1とベース材15との間に大きな熱膨張率差があっても、半導体レーザアレイ1に熱応力が発生するのを抑制し、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
なお、本実施の形態1に係るアレイ型半導体レーザ装置では、半導体レーザアレイ1の幅を5mmとしたが、図5の結果から明らかなように、5mmより小さい場合であっても、同様の効果を得ることができる。
<実施の形態2>
<A.構成>
図6は、本実施の形態2に係るアレイ型半導体レーザ装置を示す概略正面図である。
<A.構成>
図6は、本実施の形態2に係るアレイ型半導体レーザ装置を示す概略正面図である。
実施の形態1に係るアレイ型半導体レーザ装置では、応力緩和材14を介して半導体レーザアレイ1がベース材15上に接合されていたが、本実施の形態2に係るアレイ型半導体レーザ装置では、接合材13を介して半導体レーザアレイ1がベース材13上に直接接合されている。
ここで、接合材13は、インジウムはんだのようにソフトソルダを用い、応力緩和材の効果を兼ねている。
その他の構成は、実施の形態1と同様であり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<B.動作>
本実施の形態2に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため説明は省略する。
本実施の形態2に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため説明は省略する。
<C.効果>
以上から、実施の形態1と同様に、半導体レーザアレイ1の幅が5mmであるので、半導体レーザアレイ1の反り量を5μmにした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにできる。
以上から、実施の形態1と同様に、半導体レーザアレイ1の幅が5mmであるので、半導体レーザアレイ1の反り量を5μmにした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにできる。
その結果、半導体レーザアレイ1に応力が発生することなく部材間の隙間が均一化され、寿命が長く信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
また、本実施の形態2に係るアレイ型半導体レーザ装置は、応力緩和材14を用いていないので、部品点数を少なくでき製造コストを下げることができる。
<実施の形態3>
<A.構成>
図7は、本実施の形態3に係るアレイ型半導体レーザ装置を示す概略正面図である。
<A.構成>
図7は、本実施の形態3に係るアレイ型半導体レーザ装置を示す概略正面図である。
実施の形態1では、半導体レーザアレイ1の幅のみ5mmとしたが、本実施の形態3では、応力緩和材14の幅も、半導体レーザアレイ1の幅と同等あるいは少し長めに構成されている。応力緩和材14の幅は、例えば5.5mmである。
その他の構成は、実施の形態1と同様であり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<B.動作>
本実施の形態3に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため、説明は省略する。
本実施の形態3に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため、説明は省略する。
<C.効果>
本実施の形態3に係るアレイ型半導体レーザ装置は、応力緩和材14の幅を5.5mmとしているので、応力緩和材14の反り量も小さくできる。
本実施の形態3に係るアレイ型半導体レーザ装置は、応力緩和材14の幅を5.5mmとしているので、応力緩和材14の反り量も小さくできる。
そのため、応力緩和材14とベース材15との間の隙間も小さくかつほぼ均一にでき、半導体レーザアレイ1の冷却をより均一化に行うことができる。
その結果、実施の形態1のアレイ型半導体レーザ装置に比べてさらに寿命が長く、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
また、図8に示すように、応力緩和材14が図7の場合と逆方向に反った場合であっても、応力緩和材14の反り量を小さくできるので、半導体レーザアレイ1と応力緩和材14間、応力緩和材14とベース材15間の隙間を小さくほぼ均一にできる。
その結果、寿命が長く、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
なお、応力緩和材14の幅は、半導体レーザアレイ1の幅より少なくとも0.5mm大きければよい。これ以下にすると、応力緩和材14による半導体レーザアレイ1の端面での応力緩和効果がそがれるため、応力緩和材14の幅は半導体レーザアレイ1の幅より少なくとも0.5mm大きくする必要がある。
<実施の形態4>
<A.構成>
実施の形態1では、一つのベース材15に対して一つの半導体レーザアレイ1を接合する場合について示したが、本実施の形態4では、図9に示すように一つのベース材15に対して複数(図の例では二つ)の半導体レーザアレイ1を接合している。夫々の半導体レーザアレイ1の幅は5mmである。
<A.構成>
実施の形態1では、一つのベース材15に対して一つの半導体レーザアレイ1を接合する場合について示したが、本実施の形態4では、図9に示すように一つのベース材15に対して複数(図の例では二つ)の半導体レーザアレイ1を接合している。夫々の半導体レーザアレイ1の幅は5mmである。
その他の構成は、実施の形態1と同様であり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<B.動作>
本実施の形態4に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため説明は省略する。
本実施の形態4に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため説明は省略する。
<C.効果>
本実施の形態4に係る半導体レーザアレイ装置は、実施の形態1と同様に、半導体レーザアレイ1と応力緩和材14間の隙間を小さく均一にした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにでき、寿命が長く信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
本実施の形態4に係る半導体レーザアレイ装置は、実施の形態1と同様に、半導体レーザアレイ1と応力緩和材14間の隙間を小さく均一にした場合であっても、半導体レーザアレイ1に発生する応力をゼロにでき、寿命が長く信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
一般的な半導体レーザアレイの幅が10mmであるので、互換性が無くなるとともに、同じ出力を得るためには、電流密度を上げる必要があり、そのため寿命が短くなるという問題があった。
本実施の形態4に係る半導体レーザアレイ装置では、幅が5mmの半導体レーザアレイ1を二つ備えている。
そのため、幅が10mmの半導体レーザアレイ1と同じ電流密度で同等の出力を得るために、電流密度を上げる必要がない。その結果、一般的な半導体レーザアレイ装置と互換性を保持しつつ、長寿命で信頼性の高い半導体レーザアレイ装置を得ることができる。
なお、図10に示すように、5.5mm程度の幅の応力緩和材14を二つ用意し、夫々の応力緩和材14に幅5mmの半導体レーザアレイ1を接合するようにしてもよい。
即ち、複数(図10の例では2つ)の半導体レーザアレイが、夫々個別の応力緩和材14を介してベース材15上に接合されてもよい。
半導体レーザアレイ1を夫々個別の5.5mm程度の幅の応力緩和材14を介してベース板上に接合することで、応力緩和材14とベース材15間の隙間を小さくすることができ、さらに寿命が長く、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
さらに、図11に示すように、幅5mmの半導体レーザアレイ1を二つベース材15上に直接接合してもよい。応力緩和材14を用いない場合であっても、幅が10mmの半導体レーザアレイ1を備える半導体レーザアレイ装置と同じ電流密度で同等の出力を、長寿命で得ることができる。
<実施の形態5>
<A.構成>
実施の形態4では、一つのベース材15に対して二つ半導体レーザアレイ1を接合したアレイ型半導体レーザ装置について説明したが、本実施の形態5においては、図12に示すように、半導体レーザアレイ1の幅をさらに短くして、一つのベース材15に対して三つの半導体レーザアレイ1を接合している。
<A.構成>
実施の形態4では、一つのベース材15に対して二つ半導体レーザアレイ1を接合したアレイ型半導体レーザ装置について説明したが、本実施の形態5においては、図12に示すように、半導体レーザアレイ1の幅をさらに短くして、一つのベース材15に対して三つの半導体レーザアレイ1を接合している。
その他の構成は、実施の形態4と同様であり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<B.動作>
本実施の形態5に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため説明は省略する。
本実施の形態5に係るアレイ型半導体レーザ装置の動作は、実施の形態1と同様であるため説明は省略する。
<C.効果>
本実施の形態5に係るアレイ型半導体レーザ装置では、実施の形態4に係る半導体レーザアレイ装置に比べて、半導体レーザアレイ1の幅をさらに短くし、一つのベース材15に対して、さらに多くの半導体レーザアレイ1を接合している。
本実施の形態5に係るアレイ型半導体レーザ装置では、実施の形態4に係る半導体レーザアレイ装置に比べて、半導体レーザアレイ1の幅をさらに短くし、一つのベース材15に対して、さらに多くの半導体レーザアレイ1を接合している。
半導体レーザアレイ1の幅が短いほど、半導体レーザアレイ1の反り量は小さくなるため、半導体レーザアレイ1と応力緩和材14間の隙間をさらに小さくできる。
そのため、さらに長寿命で信頼性の高い半導体レーザアレイ装置を得ることができる。
また、三つの半導体レーザアレイ1の全体の幅を10mmとすることで、幅が10mmの半導体レーザアレイ1と同じ電流密度で同等の出力を得るために、電流密度を上げる必要がなくなる。その結果、一般的な半導体レーザアレイ装置と互換性を保持しつつ、長寿命で信頼性の高い半導体レーザアレイ装置を得ることができる。
なお、図13に示すように、複数(図13の例では三つ)の応力緩和材14を用意し、夫々の応力緩和材14に個別に半導体レーザアレイ1を接合するようにしてもよい。
複数の幅の小さな応力緩和材14を用いることで、応力緩和材14とベース材15間の隙間を小さくすることができ、さらに寿命が長く、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
さらに、図14に示すように、三つの半導体レーザアレイ1をベース材15上に直接接合してもよい。応力緩和材14を用いない場合であっても、半導体レーザアレイ1とベース材15間の隙間が小さいので、寿命が長く、信頼性の高いアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。
1 半導体レーザアレイ、2 半導体レーザ素子、4 半導体基板、5 バッファ層、6 活性層、7 クラッド層、8 コンタクト層、9 p電極、10 n電極、11 発光領域、13 接合材、14 応力緩和材、15 ベース材、16 絶縁層、17 導体層。
Claims (5)
- ベース材と、
前記ベース材上に接合され、直線状に配列された複数の半導体レーザ素子を有する半導体レーザアレイと、
を備えるアレイ型半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザアレイの幅は、5mm以下であることを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置。 - 複数の前記半導体レーザアレイを備えることを特徴とする請求項1に記載のアレイ型半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザアレイは、応力緩和材を介して前記ベース材上に接合されることを特徴とする請求項1又は2に記載のアレイ型半導体レーザ装置。
- 複数の前記半導体レーザアレイを備え、
前記複数の半導体レーザアレイは、夫々個別の応力緩和材を介して前記ベース材上に接合されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ型半導体レーザ装置。 - 前記応力緩和材の幅は、前記半導体レーザアレイの幅より少なくとも0.5mm大きいことを特徴とする請求項3又は4に記載のアレイ型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
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JP2005376979A JP2007180264A (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | アレイ型半導体レーザ装置 |
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JP2005376979A JP2007180264A (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | アレイ型半導体レーザ装置 |
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JP2007180264A true JP2007180264A (ja) | 2007-07-12 |
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JP (1) | JP2007180264A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2011074262A1 (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | 三菱電機株式会社 | レーザモジュール |
WO2016117539A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源装置およびその製造方法 |
WO2017126035A1 (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH08153932A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
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JP2003158332A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-05-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードアレイ、レーザー装置、合波レーザー光源および露光装置 |
-
2005
- 2005-12-28 JP JP2005376979A patent/JP2007180264A/ja active Pending
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