JP6186877B2 - 光源装置およびプロジェクター - Google Patents

Description

本発明は、光源装置およびプロジェクターに関するものである。

プロジェクターは、光源装置から射出された光を液晶パネル等によって変調して画像を形成し、形成した画像を投写光学系によって拡大して投写するものである。
近年、基板上に配置された複数の半導体レーザーを上述のような光源装置として利用する技術が知られている（例えば、下記特許文献１参照）。

特開２０１２−１６４９８１号公報

しかしながら、上述したような複数の半導体レーザーを用いた光源装置では、半導体レーザーにおける発光特性の温度依存性が十分考慮されていないため、光源装置全体として発光効率が低下するといった問題があった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、発光効率の低下が低減された光源装置およびプロジェクターを提供することを目的とする。

本発明の光源装置は、第１の方向に相対する一対の辺を有する基体と、複数の第１の発光素子と、少なくとも一つの第２の発光素子と、を備えた光源装置であって、前記複数の第１の発光素子の発光特性の温度依存性は、前記少なくとも一つの第２の発光素子の発光特性の温度依存性よりも大きく、前記複数の第１の発光素子は、前記基体の前記第１の方向における両端部である第１の領域に設けられており、前記少なくとも一つの第２の発光素子は、前記第１の領域の間である第２の領域に設けられており、前記第１の領域の放熱性は、前記第２の領域の放熱性よりも高いことを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る光源装置は、第１の方向に相対する一対の辺を有する基体と、少なくとも一つの第１の発光素子と、複数の第２の発光素子と、冷却機構と、を備えた光源装置であって、前記少なくとも一つの第１の発光素子の発光特性の温度依存性は、前記複数の第２の発光素子の発光特性の温度依存性よりも大きく、前記複数の第２の発光素子は、前記基体の前記第１の方向における両端部である第２の領域に設けられており、前記少なくとも一つの第１の発光素子は、前記第２の領域の間である第１の領域に設けられており、前記冷却機構は、前記第１の領域の放熱性が前記第２の領域の放熱性よりも高いように前記基体を冷却するように構成されていることを特徴とする。

本発明の光源装置によれば、発光特性の温度依存性が相対的に高い第１の発光素子が、放熱性が相対的に高い第１の領域に設けられるので、第１の発光素子の温度上昇を小さくすることができる。その結果、装置全体としての発光特性の低下を低減できる。また、第１の発光素子の発光特性の低下が低減されるため、発光特性の低下に伴う出力低下を補うべく、第１の発光素子を余分に設置する必要が無くなる。よって、基体上に設ける第１の発光素子の数を減らすことができるので、結果的に光源装置のサイズを小型化することができる。

上記光源装置においては、前記第１の領域は、前記基体の端部である構成としてもよい。
この構成によれば、熱の籠りの影響が小さい基体の端部に第１の領域が設定されるので、第１の領域の放熱性を簡便且つ確実に向上させることができる。

上記光源装置においては、前記基体の前記第１の領域には、放熱部材が設けられる構成としてもよい。
この構成によれば、第１の領域の放熱性を簡便且つ確実に向上させることができる。

上記光源装置においては、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の少なくとも一方は、応力緩和部材を介して前記基体上に設けられる構成としてもよい。
この構成によれば、例えば、第１の発光素子および第２の発光素子と基体との間における線膨張係数の違いによって生じる両者の実装面に生じる応力を緩和することができる。よって、第１の発光素子および第２の発光素子を基体上に長期に亘って安定的に実装することができ、光源装置の長寿命化を図ることができる。

本発明のプロジェクターは、上記光源装置と、前記光源装置から射出される光を変調する光変調素子と、前記光変調素子によって変調された光を投写する投写光学系と、を備えることを特徴とする。

本発明のプロジェクターによれば、上記光源装置を備えるので、プロジェクター自体も発光効率が高く、小型化が図られたものとなる。

第一実施形態に係るプロジェクターの概略構成を示す図。 光源装置の概略構成を示す斜視図。 第二実施形態に係る光源装置の概略構成を示す図。 変形例に係る光源装置の概略構成を示す図。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。

（第一実施形態）
本発明の第一実施形態に係るプロジェクターについて説明する。図１は、プロジェクターの概略構成を示す図である。本実施形態においては、プロジェクター１００として光変調パネルで生成された画像情報を含む色光を投写光学系を介してスクリーン（被投写面）上に投写する投写型のプロジェクターを例に挙げて説明する。

プロジェクター１００は、図１に示すように、照明光学系２０、色分離導光光学系２９、液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ（光変調装置）、クロスダイクロイックプリズム４０、及び投射光学系６０を備えており、外部から入力される画像信号に応じた画像光をスクリーンＳＣＲに向けて投射することによりスクリーンＳＣＲ上に画像を表示する。

本実施形態において、照明光学系２０は、光源装置１０と、集光レンズ９と、インテグレーター光学系１４と、を含む。

図２は、光源装置１０の概略構成を示す斜視図である。
図２に示すように、光源装置１０は、ベースプレート（基体）１と、サブマウント（応力緩和部材）２と、赤色光源１１と、緑色光源１２と、青色光源１３と、を備えている。なお、以下、赤色光源１１、緑色光源１２、および青色光源１３を総称して、光源１１Ａと呼ぶこともある。光源１１Ａを効率的に冷却するためには、冷却機構１９を設けることが好ましい。

ベースプレート１は、光源装置１０の全体構成のフレームをなす平面視矩形状のプレート部材である。ベースプレート１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の熱伝導性が高い材料から構成される。

ベースプレート１の表面１ａ側に、サブマウント２を介して光源１１Ａが実装されている。ベースプレート１の裏面１ｂ側の全域に亘って、ヒートシンク構造３が設けられている。ヒートシンク構造３は、複数のフィン３ａから構成される。複数のフィン３ａ（ヒートシンク構造３）は、ベースプレート１の裏面１ｂを加工することで形成されている。なお、ヒートシンク構造３は、ベースプレート１とは別部材から構成されていてもよい。この場合、複数のフィンが形成されたヒートシンク構造をなす部材は、ベースプレート１の裏面１ｂに接着或いはボルトや螺子等による固定により取り付けられる。

サブマウント２は、赤色光源１１、緑色光源１２、および青色光源１３と、ベースプレート１との間における線膨張係数の違いによって生じる応力を緩和するために使用されるものである。サブマウント２は、例えば、窒化アルミ（ＡｌＮ）から構成される。本実施形態において、サブマウント２は、平面視矩形状からなるベースプレート１よりも小さいプレート材から構成される。

なお、サブマウント２の材料は、窒化アルミに限定されることはなく、上述したような応力緩和部材として機能し得る材料であれば適宜選択可能である。本実施形態において、サブマウント２は、光源１１Ａを一括して支持する構成を採用するが、複数のサブマウント２により赤色光源１１、緑色光源１２、および青色光源１３をそれぞれ支持する構成を採用しても良い。

赤色光源１１は、波長が６２０ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の実質的に赤色の赤光Ｌ１を端面から射出する半導体レーザー素子から構成されるものである。
緑色光源１２は、波長が４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の実質的に緑色の緑光Ｌ２を端面から射出する半導体レーザー素子から構成されるものである。
青色光源１３は、波長が４３０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満の実質的に青色の青光Ｌ３を端面から射出する半導体レーザー素子から構成されるものである。

サブマウント２を介してベースプレート１上には、複数の赤色光源１１、複数の緑色光源１２、および複数の青色光源１３が、ベースプレート１の長辺方向に沿って実装されている。本実施形態において、光源装置１０は、ベースプレート１上に、例えば、赤色光源１１が４つ、緑色光源１２が６つ、青色光源１３が２つずつ実装されている。なお、各光源１１Ａ間のピッチは、例えば、１ｍｍ程度に設定されている。そのため、本実施形態においては、ベースプレート１上に光源１１Ａが密集した状態に配置されたものとされている。

このような構成に基づき、本実施形態に係る光源装置１０は、色毎に光源の数を異ならせることで、全体として、赤光Ｌ１、緑光Ｌ２、および青光Ｌ３を含んだ白色光を射出することが可能となっている。

上記光源１１Ａは、レーザー光の射出に伴って発熱するため、半導体レーザー素子の温度が上昇する。温度上昇した光源１１Ａの熱は、サブマウント２を介してベースプレート１へと伝わる。

本実施形態においては、上記冷却機構１９によりベースプレート１を冷却する構造を採用する。冷却機構１９は、ベースプレート１の裏面１ｂ側に設けられた上記ヒートシンク構造３に対して空気等の冷却ガスを吹き付けるファン１９ａを含む。本実施形態においては、ヒートシンク構造３がベースプレート１から熱を受け取り、ヒートシンク構造３へ吹き付けられる冷却ガスがヒートシンク構造３から熱を奪うことによって、ベースプレート１を冷却することができる。

ところで、本実施形態においては、上述のようにベースプレート１上に光源１１Ａが密集した状態に実装されている。このような場合、ベースプレート１の長辺方向における中央では光源１１Ａの熱が逃げ難くなるため、熱が籠り易くなってしまう。これに対し、ベースプレート１の長辺方向における端部では、光源１１Ａの熱が外部に逃げ易くなるため、熱が籠り難くなる。

本実施形態において、ベースプレート１は、長辺方向における中央部Ｃ１に相対的に熱の放熱性が低い領域を有し、長辺方向における端部Ｅ１に相対的に熱の放熱性が高い領域を有していると換言することができる。すなわち、ベースプレート１の中央部Ｃ１は、特許請求の範囲に記載の第２の領域に相当し、ベースプレート１の端部Ｅ１は、特許請求の範囲に記載の第１の領域に相当する。

ところで、本実施形態において、上記赤色光源１１を構成する半導体レーザーは、ＧａＡｓ基板をベース（以下、ＧａＡｓ系と称す場合もある）とする半導体レーザー素子である。また、上記緑色光源１２および青色光源１３を構成する半導体レーザーは、ＧａＮ基板をベース（以下、ＧａＮ系と称す場合もある）とする半導体レーザー素子である。

一般に、ＧａＡｓ系の半導体レーザー素子は、ＧａＮ系の半導体レーザー素子に比べて、発光特性の温度依存性が大きいことが知られている。ここで、発光特性の温度依存性が大きいとは、素子の温度が上昇した場合に、例えば、発光効率が低下したり、レーザー光の色味が変化したりすることで所望の光が得られなくなる状態を意味する。

これに対し、本実施形態では、発光特性の温度依存性が相対的に大きいＧａＡｓ系の半導体レーザー素子（赤色光源１１）をベースプレート１のうち相対的に放熱性が高い領域である端部Ｅ１（第１の領域）に配置する。また、発光特性の温度依存性が相対的に小さいＧａＮ系の半導体レーザー素子（緑色光源１２および青色光源１３）をベースプレート１のうち相対的に放熱性が低い中央部Ｃ１（第２の領域）に配置する。すなわち、赤色光源１１は、特許請求の範囲に記載の第１の発光素子に相当し、緑色光源１２および青色光源１３は、特許請求の範囲に記載の第２の発光素子に相当する。

なお、ＧａＮ系の半導体レーザー素子のうち青色光源１３は、緑色光源１２よりも発光特性の温度依存性が小さい。そこで、本実施形態においては、図２に示したように、青色光源１３を中央部Ｃ１の中で最も放熱性が低い中心部Ｃ１ａに配置し、緑色光源１２を端部Ｅ１に近づくことで中央部Ｃ１のうち中心部Ｃ１ａよりも放熱性が高い中間部Ｃ１ｂに配置している。

図１に戻り、インテグレーター光学系１４は、第１レンズアレイ１５、第２レンズアレイ１６、偏光変換素子１７、及び重畳レンズ１８を備え、光源装置１０からの白色光を均一化する機能を有する。

第１レンズアレイ１５及び第２レンズアレイ１６は、それぞれ、光源装置１０の光軸と直交する平面に二次元的に配列された複数のレンズを有する。第１レンズアレイ１５のレンズは、第２レンズアレイ１６のレンズと１対１の対応で設けられている。複数のレンズは、光源装置１０の光軸に直交する平面での形状が、後述する液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの被照明領域と相似形状（ここでは、略矩形）である。被照明領域は、液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂにおいて複数の画素が配列された領域の全体を含む領域である。

偏光変換素子１７は、偏光分離層、反射層、及び位相差板（何れも図示省略）を有しており、第１レンズアレイ１５により分割された各部分光束の偏光方向を、偏光方向の揃った略１種類の直線偏光光として射出する。ここで、偏光分離層は、白色光に含まれる偏光成分のうちの一方の直線偏光成分をそのまま透過させ、他方の直線偏光成分を照明光軸ＡＸに垂直な方向に反射する。また、反射層は、偏光分離層で反射された他方の直線偏光成分を照明光軸ＡＸに平行な方向に反射する。更に位相差板は、反射層で反射された他方の直線偏光成分を一方の直線偏光成分に変換する。

重畳レンズ１８は、その光軸が光源装置１０の光軸と一致するように配置されており、偏光変換素子１７からの各部分光束を集光して液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの画像形成領域近傍に重畳させる。

色分離導光光学系２９は、ダイクロイックミラー２１，２２、反射ミラー２３〜２５、リレーレンズ２６，２７、及び集光レンズ２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂを備えており、光源装置１０からの光を赤色光、緑色光、及び青色光に分離して液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂにそれぞれ導光する。ダイクロイックミラー２１，２２は、所定の波長領域の光を反射して他の波長領域の光を通過させる波長選択透過膜が透明基板上に形成されたミラーである。具体的に、ダイクロイックミラー２１は赤色光成分を通過して緑色光及び青色光成分を反射させ、ダイクロイックミラー２２は緑色光成分を反射して青色光成分を通過させる。

反射ミラー２３は赤色光成分を反射するミラーであり、反射ミラー２４，２５は青色光成分を反射するミラーである。リレーレンズ２６はダイクロイックミラー２２と反射ミラー２４との間に配設され、リレーレンズ２７は、反射ミラー２４と反射ミラー２５との間に配設される。これらリレーレンズ２６，２７は、青色光の光路の長さが他の色光の光路の長さよりも長いため、光の発散等による光の利用効率の低下を防止するために設けられる。集光レンズ２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、反射ミラー２３で反射された赤色光成分、ダイクロイックミラー２２で反射された緑色光成分、及び反射ミラー２５で反射された青色光成分を、液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの画像形成領域にそれぞれ集光する。

ダイクロイックミラー２１を通過した赤色光は、反射ミラー２３で反射され、集光レンズ２８Ｒを介して赤色光用の液晶光変調装置３０Ｒの画像形成領域に入射する。ダイクロイックミラー２１で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー２２で反射され、集光レンズ２８Ｇを介して緑色光用の液晶光変調装置３０Ｇの画像形成領域に入射する。ダイクロイックミラー２１で反射されダイクロイックミラー２２を通過した青色光は、リレーレンズ２６、反射ミラー２４、リレーレンズ２７、反射ミラー２５、及び集光レンズ２８Ｂを順に介して青色光用の液晶光変調装置３０Ｂの画像形成領域に入射する。

液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂは、一対の透明なガラス基板の間に電気光学物質である液晶を密閉封入した透過型の液晶光変調装置であり、例えば、ポリシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）をスイッチング素子として備える。上述した不図示の入射側偏光板の各々を介した色光（直線偏光）の偏光方向が、液晶光変調装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの各々に設けられたスイッチング素子のスイッチング動作によって変調されることにより、画像信号に応じた赤色の画像光、緑色の画像光、及び青色の画像光がそれぞれ生成される。

クロスダイクロイックプリズム４０は、上述した不図示の射出側偏光板の各々から射出された画像光を合成してカラー画像を形成する。具体的に、クロスダイクロイックプリズム４０は、４つの直角プリズムを貼り合わせてなる略立方体形状の光学部材であり、直角プリズム同士を貼り合わせた略Ｘ字状の界面には、誘電体多層膜が形成されている。略Ｘ字状の一方の界面に形成された誘電体多層膜は赤色光を反射するものであり、他方の界面に形成された誘電体多層膜は青色光を反射するものである。これらの誘電体多層膜によって赤色光及び青色光は曲折され、緑色光の進行方向と揃えられることにより、３つの色光が合成される。投射光学系６０は、クロスダイクロイックプリズム４０で合成されたカラー画像をスクリーンＳＣＲに向けて拡大投射する。

以上述べたように、本実施形態に係る光源装置１０によれば、発光特性の温度依存性が相対的に高い赤色光源１１が、相対的に放熱性の高いベースプレート１の端部Ｅ１に設けられ、発光特性の温度依存性が相対的に低い緑色光源１２および青色光源１３が、相対的に放熱性の低いベースプレート１の中央部Ｃ１に設けられるので、光源装置１０全体としての発光特性の低下を低減できる。

また、温度上昇による赤色光源１１の発光特性の低下が低減されるため、発光特性の低下に伴う出力低下を補うべく、赤色光源１１を余分に設置する必要が無くなる。よって、ベースプレート１上に設ける赤色光源１１の数を減らすことができるので、結果的に光源装置１０のサイズを小型化することができる。

また、本実施形態に係る光源装置１０は、サブマウント２を介して光源１１Ａがベースプレート１上に実装されているため、光源１１Ａとベースプレート１との間における線膨張係数の違いによって生じる応力を緩和することができる。よって、光源１１Ａをベースプレート１上に長期に亘って安定的に実装することができ、光源装置１０の長寿命化を図ることができる。

また、本実施形態に係るプロジェクター１００によれば、上記光源装置１０を備えるので、プロジェクター１００自体も発光効率が高く、小型化が図られたものを提供できる。

（第二実施形態）
続いて、本発明の第二実施形態について説明する。
第一実施形態では、ベースプレート１の構造上、熱が籠り難いことで放熱性が相対的に高い端部Ｅ１に赤色光源１１を配置し、放熱性が相対的に低い中央部Ｃ１に緑色光源１２および青色光源１３を配置する場合を例に挙げたが、本実施形態では、中央部Ｃ１を冷却機構１９により選択的に冷却することで端部Ｅ１よりも放熱性を向上させ、中央部Ｃ１を第１の領域とし、端部Ｅ１を第２の領域とした点が大きく異なり、それ以外の構成は共通である。そのため、第一実施形態と同一の構成および部材については、同じ符号を付し、その詳細な説明については省略する。

図３は本実施形態に係る光源装置１０Ａの概略構成を示す図である。
図３に示すように、光源装置１０Ａは、ベースプレート１と、サブマウント２と、光源１１Ａと、を備えている。本実施形態において、ベースプレート１の裏面１ｂには、ヒートシンク構造３が部分的に設けられている。ヒートシンク構造３は、ベースプレート１の中央部Ｃ１の裏面１ｂに選択的に設けられている。光源１１Ａを効率的に冷却するためには、冷却機構１９を設けることが好ましい。

本実施形態において、冷却機構１９は、ファン１９ａにより、ベースプレート１の裏面１ｂに対して空気等の冷却ガスを吹き付ける。冷却ガスがヒートシンク構造３から熱を奪うことによって、ベースプレート１の中央部Ｃ１を端部Ｅ１よりも効率的に冷却することができる。

このように本実施形態において、ベースプレート１は、長辺方向における中央部Ｃ１に相対的に熱の放熱性が高い領域を有し、長辺方向における端部Ｅ１に相対的に熱の放熱性が低い領域を有していると換言することができる。すなわち、本実施形態において、ベースプレート１の中央部Ｃ１が、特許請求の範囲に記載の第１の領域に相当し、ベースプレート１の端部Ｅ１が、特許請求の範囲に記載の第２の領域に相当する。

本実施形態では、発光特性の温度依存性が相対的に大きいＧａＡｓ系の半導体レーザー素子（赤色光源１１）をベースプレート１のうち相対的に放熱性が高い領域である中央部Ｃ１（第１の領域）に配置し、発光特性の温度依存性が相対的に小さいＧａＮ系の半導体レーザー素子（緑色光源１２および青色光源１３）をベースプレート１のうち相対的に放熱性が低い端部Ｅ１（第２の領域）に配置する構成を採用している。

このように本実施形態では、ベースプレート１の中央部Ｃ１から端部Ｅ１に向かって、サブマウント２を介して、赤色光源１１、緑色光源１２、および青色光源１３がこの順に配置されたものとなっている。

本実施形態に係る光源装置１０Ａにおいても、発光特性の温度依存性が相対的に高い赤色光源１１が、ヒートシンク構造３が設けられることで相対的に放熱性が高いベースプレート１の中央部Ｃ１に設けられ、発光特性の温度依存性が相対的に低い緑色光源１２および青色光源１３が、相対的に放熱性が低いベースプレート１の端部Ｅ１に設けられるので、光源装置１０全体としての発光特性の低下を低減できる。

（変形例）
なお、本発明は、上記実施形態に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能である。例えば、以下に示す変形例が可能である。
上記実施形態では、光源装置１０をプロジェクター１００に適用した場合を説明したが、光源装置１０を照明装置として使用しても良い。このように照明装置として使用する場合、光源装置は白色光を射出する必要は無い。例えば、図４に示すように、照明装置１０Ｂとして、ベースプレート１上にサブマウント２を介して、赤色光源１１および青色光源１３のみが実装されたものを用いても良い。この場合、照明装置１０Ｂは、赤光Ｌ１および青光Ｌ３を含んだ紫色光を射出することが可能となっている。なお、照明装置１０Ｂは、赤色光源１１および青色光源１３のいずれか一方のみを駆動させることで、赤光Ｌ１および青光Ｌ３のいずれか一方のみを射出するようにしてもよい。

本変形例において、照明装置１０Ｂは、ベースプレート１の中央部Ｃ１に青色光源１３が４個配置され、ベースプレート１の２つの端部Ｅ１にそれぞれ赤色光源１１が６個ずつ配置されている。

本変形例においても、発光特性の温度依存性が相対的に高い赤色光源１１が、相対的に放熱性の高いベースプレート１の端部Ｅ１に設けられ、発光特性の温度依存性が相対的に低い青色光源１３が、相対的に放熱性の低いベースプレート１の中央部Ｃ１に設けられるので、光源装置１０全体としての発光特性の低下を低減できる。

また、上記実施形態では、サブマウント２を介して光源１１Ａがベースプレート１上に実装された場合を例に挙げたが、サブマウント２を用いずにベースプレート１上に光源１１Ａを直接実装するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、光変調装置として液晶光変調装置を用いる例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。光変調装置としては、一般に、画像信号に応じて入射光を変調するものであればよく、マイクロミラー型光変調装置等を用いても良い。マイクロミラー型光変調装置としては、例えばＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）（ＴＩ社の商標）を用いることができる。

また、上記実施形態では、プロジェクターとして透過型のプロジェクターを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、反射型のプロジェクターにも本発明を適用することができる。ここで、「透過型」とは、透過型の液晶表示装置等のように光変調装置が光を透過すものであることを意味し、「反射型」とは、反射型の液晶表示装置等のように光変調装置が光を反射するものであることを意味する。反射型のプロジェクターに本発明を適用した場合にも、透過型のプロジェクターと同様の効果を得ることができる。

また、上記の実施形態では、３板式のプロジェクターを説明しているが、上記のプロジェクターは、例えばフィールドシーケンシャル方式等の単板式のプロジェクターでもよい。上記の実施形態のプロジェクターは、ヘッドマウントディスプレイやヘッドアップディスプレイなどにも利用できる。

１…ベースプレート（基体）、２…サブマウント（応力緩和部材）、３…ヒートシンク構造（放熱部材）、１０…光源装置、１０Ａ…光源装置、１０Ｂ…照明装置、３０Ｂ…液晶光変調装置（変調素子）、３０Ｇ…液晶光変調装置（変調素子）、３０Ｒ…液晶光変調装置（変調素子）、６０…投射光学系、Ｃ１…中央部（第２の領域）、Ｅ１…端部（第１の領域）、１００…プロジェクター

Claims (6)

1. 第１の方向に相対する一対の辺を有する基体と、複数の第１の発光素子と、少なくとも一つの第２の発光素子と、を備えた光源装置であって、
   前記複数の第１の発光素子の発光特性の温度依存性は、前記少なくとも一つの第２の発光素子の発光特性の温度依存性よりも大きく、
   前記複数の第１の発光素子は、前記基体の前記第１の方向における両端部である第１の領域に設けられており、
   前記少なくとも一つの第２の発光素子は、前記第１の領域の間である第２の領域に設けられており、
   前記第１の領域の放熱性は、前記第２の領域の放熱性よりも高い
   ことを特徴とする光源装置。
2. 第１の方向に相対する一対の辺を有する基体と、少なくとも一つの第１の発光素子と、複数の第２の発光素子と、冷却機構と、を備えた光源装置であって、
   前記少なくとも一つの第１の発光素子の発光特性の温度依存性は、前記複数の第２の発光素子の発光特性の温度依存性よりも大きく、
   前記複数の第２の発光素子は、前記基体の前記第１の方向における両端部である第２の領域に設けられており、
   前記少なくとも一つの第１の発光素子は、前記第２の領域の間である第１の領域に設けられており、
   前記冷却機構は、前記第１の領域の放熱性が前記第２の領域の放熱性よりも高いように前記基体を冷却するように構成されている
   ことを特徴とする光源装置。
3. 前記基体の前記第１の領域には、放熱部材が設けられている
   ことを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
4. 放熱部材が前記基体の前記第１の領域に選択的に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
5. 前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の少なくとも一方は、応力緩和部材を介して前記基体上に設けられている
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光源装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項の光源装置と、前記光源装置から射出される光を変調する光変調素子と、前記光変調素子によって変調された光を投写する投写光学系と、を備える
   ことを特徴とするプロジェクター。

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