JP4416018B2 - 波長変換素子、光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ - Google Patents

波長変換素子、光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ Download PDF

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Description

本発明は、波長変換素子、光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ、特に、レーザ光を射出する光源装置に用いられる波長変換素子の技術に関する。
近年、プロジェクタの光源装置としてレーザ光源を用いる技術が提案されている。レーザ光源は、高出力化及び多色化に伴い、プロジェクタの光源として開発されている。プロジェクタの光源として従来用いられているUHPランプと比較すると、レーザ光源は、高い色再現性、瞬時点灯が可能、長寿命である等の利点がある。レーザ光源は、光源からの基本波光をそのままの波長で射出するものの他、基本波光の波長を変換して射出するものが知られている。基本波光の波長を変換する波長変換素子として、例えば第二高調波発生(Second−Harmonic Generation;SHG)素子が知られている。SHG素子を用いることで、容易に入手可能な汎用の光源を用いて、所望の波長かつ十分な光量のレーザ光を供給することが可能となる。高い効率で安定した光量の高調波光を得るための波長変換素子の技術は、例えば特許文献1に提案されている。特許文献1に提案される技術は、非線形光学結晶のうち光を入射させる側の面、及び光を射出する側の面にて温度差を設けるものである。
特開平6−289446号公報
SHG素子は、温度変化によって屈折率分布が変化する場合、位相整合条件が崩れ、波長を変換する効率が低下することが知られている。非線形光学結晶に温度勾配を設ける場合、位相整合条件が崩れる部分が非線形光学結晶内に生じることとなる。位相整合条件が崩れる部分が生じると、波長変換素子全体としては波長変換効率が低下してしまう。このように、従来の技術によると、高い波長変換効率を得ることが困難であるという問題を生じる。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、高い波長変換効率を得ることが可能であり、かつ所定の位相整合温度に短時間で設定可能な波長変換素子、その波長変換素子を用いる光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る波長変換素子は、第1波長の光を入射させることにより、第1波長とは異なる波長である第2波長の光を射出する波長変換素子であって、分極方向を反転させた分極反転層が特定方向へ並列された分極反転結晶と、分極反転結晶の温度を調節する複数の温度調節素子と、を有し、分極反転層は、特定方向に略直交する第1面に略平行に形成され、複数の温度調節素子は、第1面に略直交する第2面に配置されることを特徴とする。
第2面に複数の温度調節素子を配置することで、分極反転構造を構成する各分極反転層及び各自発分極層について均等に温度調節することが可能である。複数の温度調節素子を適宜制御することで、分極反転結晶の温度の変動を抑制することも可能となる。分極反転結晶の設定温度に対する温度変化を低減させることで、高い波長変換効率を得ることが可能となる。これにより、高い波長変換効率を得ることが可能であり、かつ所定の位相整合温度に短時間で設定可能な波長変換素子を得られる。
また、本発明の好ましい態様としては、第1温度調節素子と、第1温度調節素子の容量より大きい容量の第2温度調節素子と、を有することが望ましい。第1温度調節素子と第2温度調節素子を用いることで、分極反転結晶の設定温度と計測温度との偏差に応じた高精度な温度調節ができる。
また、本発明の好ましい態様としては、第1温度調節素子及び第2温度調節素子は、熱を供給することにより分極反転結晶の温度を設定温度にする調節を行い、第2温度調節素子は、設定温度及び分極反転結晶の温度の偏差が一定値以内である場合に、温度の調節を停止することが望ましい。これにより、短時間において分極反転結晶の温度を設定温度にまで上昇させ、かつ設定温度からの温度のぶれを抑制することができる。さらに、装置の立ち上げに必要な時間が短縮され、瞬時点灯が可能となる。
また、本発明の好ましい態様としては、第2温度調節素子は、第2面の略中央に配置されることが望ましい。これにより、分極反転結晶の温度を短時間で均一に上昇させることができる。
また、本発明の好ましい態様としては、分極反転結晶へ伝導させる熱を拡散させる熱拡散部を有することが望ましい。これにより、分極反転結晶の温度をさらに均一化できる。
また、本発明の好ましい態様としては、温度調節素子及び熱拡散部を接続する接続部と、熱拡散部に対して分極反転結晶の側とは反対側であって、接続部が設けられた部分以外の部分に設けられた絶縁層と、を有することが望ましい。これにより、温度調節素子に接続された配線同士の不要な導通を遮断させ、かつ温度調節素子からの熱を効率良く熱拡散部へ伝導することができる。また、絶縁層上に温度調節素子を直接実装可能とすることで、簡易な組み立てを可能にできる。
また、本発明の好ましい態様としては、温度調節素子に対して分極反転結晶の側とは反対側に設けられ、熱を放散させる放熱部を有することが望ましい。ヒートポンプとしての機能を持つペルチェ素子等を温度調節素子として用いる場合、放熱部を用いることで、分極反転結晶側への効率的な熱供給が可能となる。これにより、効率的な温度調節ができる。
また、本発明の好ましい態様としては、温度調節素子は、第2面と、第2面とは反対側の面である第3面に配置されることが望ましい。これにより、第2面及び第3面に直交する方向について、分極反転結晶の温度を均一化することができる。
さらに、本発明に係る光源装置は、第1波長の光を射出する光源部と、光源部からの第1波長の光を入射させることにより、第1波長とは異なる波長である第2波長の光を射出する波長変換素子と、を有し、波長変換素子は、上記の波長変換素子であることを特徴とする。上記の波長変換素子を用いることにより、高い効率で光源部からの光を波長変換できる。これにより、高い効率で安定した光量の光を射出することが可能な光源装置を得られる。
さらに、本発明に係る照明装置は、上記の光源装置を有し、光源装置からの光を用いて被照射物を照明することを特徴とする。上記の光源装置を用いることにより、高い効率で安定した光量の光を射出できる。これにより、高い効率で安定した光量の光を供給可能な照明装置を得られる。
さらに、本発明に係るモニタ装置は、上記の照明装置と、照明装置により照明された被写体を撮像する撮像部と、を有することを特徴とする。上記の照明装置を用いることで、高い効率で安定した光量の光を供給できる。これにより、安定して明るい像をモニタすることが可能なモニタ装置を得られる。
さらに、本発明に係るプロジェクタは、上記の光源装置を有し、光源装置からの光を用いて画像を表示することを特徴とする。上記の光源装置を用いることで、高い効率で安定した光量の光を射出できる。これにより、安定して明るい画像を表示可能なプロジェクタを得られる。
以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例1に係る光源装置10の概略構成を示す。光源装置10は、半導体素子11、SHG素子14、及び外部共振器15を有する半導体レーザである。半導体素子11は、第1波長の基本波光を射出する光源部であって、例えば、面発光型の半導体素子である。第1波長は、例えば1064nmである。半導体素子11は、第1波長の光を反射させるミラー層12、及びミラー層12に積層された活性層13を有する。
ミラー層12は、高屈折率の誘導体と低屈折率の誘導体の積層体によって構成されている。ミラー層12の積層構造は、半導体素子11により射出される基本波光の波長である第1波長に対して最適化され、基本波光が干渉し強め合う条件に設定されている。不図示の電流供給部から所定量の電流が供給されると、活性層13は、第1波長の基本波光を射出する。
SHG素子14は、第1波長の基本波光を入射させることにより、第2波長の高調波光を射出する波長変換素子である。SHG素子14は、半導体素子11及び外部共振器15の間の光路中に設けられている。第2波長は、第1波長の半分の波長であって、例えば532nmである。
外部共振器15は、ミラー層12との間において、半導体素子11からの光を共振させる。外部共振器15は、第1波長の光を選択的に反射し、第1波長とは異なる波長(第2波長を含む)の光を透過させる。外部共振器15としては、例えば、VHG(Volume Holographic Grating)を用いることができる。VHGは、LiNbO、BGO等のフォトリフラクティブ結晶、ポリマー等を用いて形成できる(例えば、Ondax, Inc. “Volume Holographic Grating (VHG)” インターネット<URL: http://www.ondaxinc.com/PDFs/whitepaper-VHG.pdf> 参照)。
VHGには、二方向から入射させた入射光によって生じた干渉縞が記録されている。干渉縞は、高屈折率部分と低屈折率部分とが周期的に配列された周期構造として記録される。VHGは、かかる干渉縞とブラッグ条件が適合する光のみを、回折により選択的に反射させる。外部共振器15は、直方体形状をなしている。外部共振器15は、板状に形成された材料を切り分けることで得られる。外部共振器15は、切り分け前の材料の厚みや、材料から切り出すサイズを適宜変更することで、所望の大きさとすることができる。
半導体素子11の活性層13から射出した基本波光は、SHG素子14へ入射する。SHG素子14で生じた高調波光は、外部共振器15を透過し、光源装置10の外部へ射出する。半導体素子11側からSHG素子14を透過した基本波光は、外部共振器15で反射する。外部共振器15で反射した基本波光は、SHG素子14へ入射する。外部共振器15からSHG素子14へ入射し、SHG素子14を透過した基本波光は、半導体素子11へ入射する。半導体素子11へ入射した基本波光は、ミラー層12で反射した後、半導体素子11からSHG素子14へ向けて射出される。ミラー層12及び外部共振器15により反射された基本波光は、活性層13から新たに射出される基本波光と共振して増幅される。
図2は、SHG素子14の断面構成を示す。SHG素子14は、分極反転結晶20を有する。分極反転結晶20は、例えば、非線形光学結晶であるニオブ酸リチウム(LiNbO)の分極反転結晶(Periodically Poled Lithium Niobate;PPLN)である。分極反転結晶20は、自発分極層21及び分極反転層22を交互に並列させた分極反転構造を有する。自発分極層21及び分極反転層22は、光を透過させる特定方向であるZ軸方向へ並列している。
図3は、分極反転結晶20の分極反転構造について説明するものである。図示する自発分極層21及び分極反転層22は、模式的に表したものである。分極反転構造は、コヒーレント長lごとに非線形光学定数dの符号を反転させて構成されている。分極反転構造の形成には、自発分極を持つ非線形光学結晶へ電圧を印加する手法が多く用いられている。分極反転構造は、例えば、ニオブ酸リチウム(LN)基板上に絶縁層の微細なパターンを形成し、金属膜或いは電解液を介して電圧を印加することにより得ることができる。分極反転層22は、分極反転結晶20のうち非線形光学結晶の自発分極から分極方向を反転させた層状領域である。自発分極層21は、分極反転結晶20のうち非線形光学結晶の自発分極が残された層状領域である。自発分極層21及び分極反転層22は、Z軸方向に略直交する第1面であるXY平面に略平行に形成されている。
図4は、メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24、サーミスタ27の配置について説明するものである。メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24、及びサーミスタ27は、分極反転結晶20の上面S1に配置されている。上面S1は、第1面であるXY平面に略直交する第2面であって、XZ平面である。メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24は、分極反転結晶20へ熱を供給することにより分極反転結晶20の温度を調節する温度調節素子である。
第1温度調節素子であるメインヒータ23a〜23dは、いずれも略同等の容量を持つ。第2温度調節素子であるサブヒータ24は、メインヒータ23a〜23dの容量より大きい容量を持つ。メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24としては、ペルチェ素子を用いることができる。上面S1にメインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を配置することで、各自発分極層21及び各分極反転層22について均等に温度調節することが可能となる。
4つのメインヒータ23a〜23dは、矩形形状の上面S1の隅近傍にそれぞれ配置されている。サブヒータ24は、上面S1の略中央に配置されている。メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を、それぞれ間隔を設けて上面S1に配置することで、分極反転結晶20の温度を均一化することが可能となる。図2の断面構成に示すように、メインヒータ23a、23b、及びサブヒータ24は、接着層25を介して上面S1に固定されている。図示を省略したメインヒータ23c、23dも、接着層25を介して上面S1に固定されている。
接着層25は、熱伝導性接着剤を用いて構成されている。例えば、熱伝導性接着剤としては、アクリル系材料等の柔軟性材料に、熱伝導性のフィラー、例えば金属粒を添加したものを用いることができる。仮に、接着層25に硬化性材料を用いると、硬化による材料の収縮から、接着界面に応力が生じる場合がある。かかる応力によって分極反転構造が歪むと、位相整合条件が崩れ、高い波長変換効率を得ることが難しくなる。このため、接着層25には、柔軟性材料を用いることが望ましい。
サーミスタ27は、分極反転結晶20の温度を計測する温度計測部である。サーミスタ27は、上面S1のうち2つのメインヒータ23a、23cの間に配置されている。なお、サーミスタ27は、分極反転結晶20の温度を計測可能であればいずれの位置に配置することとしても良い。メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24、及びサーミスタ27に対して分極反転結晶20の側とは反対側には、放熱板26が設けられている。放熱板26は、分極反転結晶20と略同じ大きさの矩形形状をなしている。放熱板26は、熱を放散させる放熱部として機能する。ペルチェ素子は、二種類の金属部材の接合部へ電流を供給することで、一方の金属部材から他方の金属部材へ熱を移動させる。メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24は、分極反転結晶20とは反対側に設けられた放熱板26を用いた放熱により、分極反転結晶20へ効率良く熱を供給することができる。
図5は、サーミスタ27による計測結果に基づいて分極反転結晶20の温度を調節するためのブロック構成を示す。サーミスタ27は、温度の変化を抵抗値の変化として温度制御部28へ出力する。温度制御部28は、サーミスタ27により計測された計測温度、及び所定の設定温度の偏差からメインヒータ23a〜23d、サブヒータ24へ供給する電力量を計算し、計算された電力量に応じた電力をメインヒータ23a〜23d、サブヒータ24へ供給する。分極反転結晶20の温度が設定温度であるとき、位相整合条件が成立する。なお、サブヒータ24は、メインヒータ23a〜23dとは別に駆動可能とする。各メインヒータ23a〜23dは、個別に駆動可能であっても良く、一括して駆動可能であっても良い。
図6は、分極反転結晶20の温度を調節する手順を説明するフローチャートである。光源装置10の電源をONにすると、温度制御部28は、ステップS1において、分極反転結晶20について設定された設定温度を読み込む。また、ステップS2において、温度制御部28は、サーミスタ27により計測された計測温度を読み込む。そして、ステップS3において、温度制御部28は、ステップS1において読み込まれた設定温度、及びステップS2において読み込まれた計測温度の偏差を計算する。
ステップS4において、温度制御部28は、ステップS3において計算された偏差が一定値以内か否かを判断する。判断の基準となる一定値とは、設定温度と、設定温度以下の所定の閾値との偏差である。ステップS4において、偏差が一定値以内ではないと判断した場合、ステップS6において、メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24の双方により温度調節を行う。偏差が一定値以内ではない場合とは、言い換えると、計測温度が閾値以下であった場合である。
ステップS4において、偏差が一定値以内であると判断された場合、ステップS5において、サブヒータ24は駆動を停止し、メインヒータ23a〜23dのみにより温度調節を行う。偏差が一定値以内である場合とは、言い換えると、計測温度が閾値以上であった場合である。ステップS5の温度調節モードと、ステップS6の温度調節モードとは、サブヒータ24のON/OFFにより、容易に切り換えることができる。
ステップS5の後、及びステップS6の後、温度制御部28は、ステップS7において、光源装置10の電源がOFFにされたか否かを判断する。ステップS7において光源装置10の電源がOFFにされたと判断した場合、ステップS8において、メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24はいずれも駆動を停止する。ステップS7において、光源装置10の電源がOFFにされていないと判断した場合、ステップS2に戻り、温度制御部28は、計測温度を読み込む。
図7は、分極反転結晶20の温度変化について説明するものである。図中縦軸は分極反転結晶20の温度、横軸は時間を表している。本実施例による分極反転結晶20の温度変化は、実線の曲線C1で表している。破線の曲線C2及び一点鎖線の曲線C3は、比較例の場合の温度変化を表している。ここでは、分極反転結晶20の温度が室温T1から上昇し、設定温度T3で安定するまでの過程を説明する。
光源装置10の電源をONにする間、温度制御部28は、サーミスタ27により計測された分極反転結晶20の温度を常時読み込む。分極反転結晶20の温度が閾値T2以下である場合、メインヒータ23a〜23d、及びサブヒータ24は、分極反転結晶20へ熱を供給する。メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24による温度調節により、分極反転結晶20の温度は、時間の経過とともに上昇する。メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を上面S1にて分散させることで、上面S1にて分極反転結晶20の温度を均一化することができる。また、サブヒータ24を上面S1の略中央に配置することで、大きい容量のサブヒータ24からの熱を上面S1全体に伝え易くすることができる。
分極反転結晶20の温度が閾値T2以上となった時点で、サブヒータ24は、温度調節を停止する。大きい容量を持つサブヒータ24を停止させ、小さい容量のメインヒータ23a〜23dによって熱を供給することで、分極反転結晶20の温度上昇は徐々に緩やかになる。そして、メインヒータ23a〜23dの制御により、分極反転結晶20の温度は、設定温度T3で安定する。このように、温度制御部28は、サーミスタ27による計測結果に基づいて、メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24のフィードバック制御を行う。
メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24の制御には、例えば、出力値(計測温度)及び目標値(設定温度T3)の偏差、その積分、及び微分を要素として入力値(電力量)を制御するPID制御を採用することができる。分極反転結晶20の計測温度が閾値T2以下であるとき、温度制御部28は、メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24へ供給する電力量が計測温度及び設定温度T3の偏差に比例するように制御する比例制御(P)を行う。これにより、分極反転結晶20の温度を短時間で設定温度T3にまで上昇させることができる。
分極反転結晶20の計測温度が閾値T2以上となったとき、温度制御部28は、サブヒータ24への電力供給を停止させ、メインヒータ23a〜23dへの電力量を徐々に少なくする微分制御(D)を行う。これにより、設定温度T3から分極反転結晶20の温度が上昇及び下降するハンチング(振動)を抑制することができる。計測温度が設定温度T3に到達したとき、温度制御部28は、計測温度及び設定温度T3の偏差をなくすようにメインヒータ23a〜23dへの電力量を調整する積分制御(I)を行う。これにより、分極反転結晶20の温度を設定温度T3で安定させることができる。閾値T2は、閾値T2にてメインヒータ23a〜23dのみの駆動とすることでハンチングを十分抑制可能な温度であって、適宜決定することができる。閾値T2は、設定温度T3にできるだけ近い温度とすることで、分極反転結晶20の温度を設定温度T3とするまでの時間をできるだけ短くすることができる。
サブヒータ24のみによって分極反転結晶20へ熱を供給する場合、曲線C2で示すように、本実施例の場合と同様に短時間において、分極反転結晶20の温度を設定温度T3にまで上昇させることが可能である。但し、大きい容量を持つサブヒータ24は、計測温度及び設定温度T3の偏差をなくすような微調整が困難である。このため、分極反転結晶20の温度は、設定温度T3に対して上昇及び下降をしばらく繰り返し、設定温度T3で安定するまでに長い時間を要することになる。
メインヒータ23a〜23dのみによって分極反転結晶20へ熱を供給する場合、曲線C3で示すように、本実施例の場合と同様に、分極反転結晶20の温度を設定温度T3まで上昇させた後、設定温度T3で安定させることができる。但し、小さい容量のメインヒータ23a〜23dは、室温T1から設定温度T3まで短時間において分極反転結晶20の温度を上昇させることが困難である。分極反転結晶20の温度は、設定温度T3となるまでに長時間を要することとなる。また、光源装置10の稼動中に分極反転結晶20の温度を変化させる要因が生じた場合、短時間のうちに分極反転結晶20の温度を設定温度T3に戻すことも困難である。
本発明の光源装置10は、メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を用いることで、分極反転結晶20の温度を上昇させる時間の短縮化、及び分極反転結晶20の設定温度T3での安定化を両立できる。分極反転結晶20の温度を設定温度T3で略一定にできることで、SHG素子14は、高い効率で半導体素子11からの基本波光を波長変換できる。従って、光源装置10は、高い効率で安定した光量のレーザ光を射出できる。分極反転結晶20の温度は、光源装置10の立ち上げ時の他、光源装置10の稼動中であっても、例えば、周辺温度の変化等により変化する場合がある。この場合も、計測温度及び設定温度T3の偏差に応じた同様の制御により、安定した光量のレーザ光を射出できる。これにより、高い効率で安定した光量の光を射出できるという効果を奏する。
光源装置10は、メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24のフィードフォワード制御を行うこととしても良い。フィードフォワード制御は、分極反転結晶20の温度を変化させる要因、例えば、光源装置10の周辺温度や半導体素子11の出力の検出結果に基づいて行うことができる。かかる検出結果に対しても同様の制御を行うことにより、短時間で安定した光量が得られる。フィードフォワード制御を併用することで、分極反転結晶20の温度変化に先回りしてメインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を制御可能とし、さらに安定した光量のレーザ光を射出できる。光源装置10は、サーミスタ27による計測温度に基づいてメインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を制御する場合に限られない。
図8は、分極反転結晶20の温度を調節する他の手順を説明するフローチャートである。ここでは、光源装置10の電源をONにしてからの経過時間と分極反転結晶20の温度との関係を予め求めておき、かかる経過時間に基づいてメインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を制御する。光源装置10の電源をONにしてからの経過時間は、タイマ等を用いて計測できる。光源装置10の電源をONにすると、温度制御部28は、ステップS11において、設定時間を計算する。設定時間とは、メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24の熱供給により分極反転結晶20の温度が室温T1から閾値T2となるまでに要する時間である。また、ステップS12において、温度制御部28は、タイマ等により計測された経過時間を読み込む。
ステップS13において、温度制御部28は、設定時間を経過したか否かを判断する。ステップS13において設定時間が経過していないと判断した場合、温度制御部28は、ステップS15において、メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24の双方により温度調節を行う。ステップS13において設定時間が既に経過したと判断した場合、温度制御部28は、ステップS14において、サブヒータ24は駆動を停止し、メインヒータ23a〜23dのみにより温度調節を行う。
ステップS14、ステップS15の後、温度制御部28は、ステップS16において、光源装置10の電源がOFFにされたか否かを判断する。ステップS16において光源装置10の電源がOFFにされたと判断した場合、ステップS17において、温度制御部28は、メインヒータ23a〜23d、サブヒータ24はいずれも駆動を停止する。ステップS16において、光源装置10の電源がOFFにされていないと判断した場合、ステップS12に戻り、温度制御部28は、経過時間を読み込む。かかる手順によっても、分極反転結晶20の温度を制御することができる。光源装置10は、光源装置10の電源をONにしてから設定時間が経過した後は、サーミスタ27による計測温度に基づく制御に切り換えることとしても良い。
光源装置10は、光源部として半導体素子を用いる他、半導体レーザ励起固体(Diode Pumped Solid State;DPSS)レーザや、固体レーザ、液体レーザ、ガスレーザ等を用いる構成としても良い。光源部は、複数の光を射出するアレイ光源であっても良い。光源装置10は、本実施例で説明する構成である場合に限られず、構成を適宜変更しても良い。
図9は、本発明の実施例2に係るSHG素子30の構成を説明するものである。本実施例のSHG素子30は、上記実施例1の光源装置10に適用することができる。本実施例のSHG素子30は、熱拡散板31を有することを特徴とする。上記実施例1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。分極反転結晶20上には、熱拡散板31、及び絶縁層32が設けられている。
熱拡散板31及び絶縁層32は、いずれも、分極反転結晶20と略同じ大きさの矩形形状をなしている。熱拡散板31は、分極反転結晶20へ伝導させる熱を拡散させる熱拡散部として機能する。熱拡散板31は、高い熱伝導率を持つ部材、例えば金属部材である銅を用いて構成されている。絶縁層32は、絶縁性を持つ部材、例えばエポキシ樹脂を用いて構成されている。
メインヒータ33a〜33d、サブヒータ34は、分極反転結晶20へ熱を供給することにより分極反転結晶20の温度を調節する温度調節素子である。メインヒータ33a〜33d、サブヒータ34としては、電熱ヒータを用いることができる。メインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34は、SHG素子30の上面S2に配置されている。上面S2は、絶縁層32のうち熱拡散板31側とは反対側の面である。上面S2は、第1面であるXY平面に略直交する第2面であって、XZ平面である。
図10は、SHG素子30のうち、1つのメインヒータ33aが設けられた部分の断面構成を示す。熱拡散板31及びメインヒータ33aは、接続部35により接続されている。接続部35は、絶縁層32を貫かせて設けられている。絶縁層32は、熱拡散板31に対して分極反転結晶20側とは反対側であって、接続部35が設けられた部分以外の部分に設けられている。接続部35は、絶縁層32を構成する樹脂部材と比較して高い熱伝導率を持つ部材、例えば銅、インジウム、半田等を用いて構成されている。熱拡散板31及び接続部35は、一体としても良い。図9に戻って、各メインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34は、それぞれ接続部35上に配置されている。なお、不図示のサーミスタは、上記実施例1と同様に、分極反転結晶20上に配置されている。図9及び図10では、次に説明する配線パターン及び電極の図示を省略している。
図11及び図12は、メインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34を駆動するための構成を説明するものである。図11に示すように、絶縁層32上には、配線パターン36が形成されている。配線パターン36は、絶縁層32のうち、熱拡散板31側とは反対側の面に設けられている。メインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34は、配線パターン36に接続されている。
図12に模式的に示すように、メインヒータ33aの電極37は、配線パターン36に接続されている。配線パターン36は、電源38、ヒータ駆動部39と電極37とを接続する。電源38は、メインヒータ33aへ電力を供給する。ヒータ駆動部39は、温度制御部28(図5参照)の制御に応じて、メインヒータ33aを駆動する。電極37及び配線パターン36は、絶縁層32上に配置されている。他のメインヒータ33b、33c、33d及びサブヒータ34についても、図12に示すメインヒータ33aについての構成と同様の構成を有する。
絶縁層32を設けることで、熱拡散板31を介した電極37、配線パターン36の不要な導通を遮断することができる。また、絶縁層32上にメインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34を直接実装可能とすることで、簡易な組み立てが可能となる。熱拡散板31及び接続部35は、例えば平板状の銅部材のうち接続部35以外の部分をエッチングすることで、一体として形成できる。絶縁層32は、熱拡散板31のうち接続部35が設けられた部分以外の部分に絶縁部材を塗布することで形成できる。配線パターン36は、絶縁層32及び接続部35上にめっきを施すことにより銅箔を形成した後、パターニング及びエッチングを施すことで形成できる。絶縁層32に配線パターン36を形成することで、メインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34の実装に要する時間を短縮できる。
メインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34からの熱は、それぞれ接続部35及び熱拡散板31を介して分極反転結晶20へ伝導する。熱拡散板31を用いることで、分極反転結晶20の温度をさらに均一化できる。また、接続部35を介した熱伝導により、メインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34からの熱を効率良く熱拡散板31へ伝導することができる。本実施例の場合も、高い効率で光を波長変換できる。
図13は、本実施例の変形例に係るSHG素子40の側面構成を示す。本変形例のSHG素子40は、SHG素子40の上面S2及び底面S3にメインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34が配置されている。底面S3は、SHG素子40のうち、第2面である上面S2とは反対側の第3面である。底面S3に設けられたメインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34は、上面S2に設けられたメインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34と同様に配置されている。サーミスタ27は、上面S2及び底面S3にそれぞれ配置されている。
上面S2及び底面S3にそれぞれメインヒータ33a〜33d及びサブヒータ34を配置することで、上面S2及び底面S3に直交する方向であるY軸方向についても、均等に温度調節することが可能となる。サーミスタ27は、メインヒータ33a〜33d、サブヒータ34と同様、接続部35に配置することが望ましい。これにより、分極反転結晶20の温度を正確に計測することが可能となる。なお、上記のSHG素子30も、絶縁層32の上にサーミスタ27を配置することとしても良い。
上記実施例1のSHG素子14(図2参照)も、分極反転結晶20のうち上面S1とは反対側の底面に、メインヒータ23a〜23d及びサブヒータ24を配置することとしても良い。各実施例のSGH素子に設けられるメインヒータ及びサブヒータの数、形状、配置は、各実施例で説明する場合に限られず、適宜変更しても良い。例えば、本実施例のSHG素子30、40の場合、熱拡散板31により熱を十分に拡散させることが可能であれば、メインヒータ及びサブヒータを集中させて配置することとしても良い。また、複数のサブヒータを設けることとしても良い。
上記各実施例では、第1温度調節素子及び第2温度調節素子としてペルチェ素子や電熱ヒータを用いているが、第1温度調節素子及び第2温度調節素子はこれに限られず、赤外線照射等のエネルギーを制御することで温度制御を行うものを利用しても良い。また温度調節素子を上面S1、上面S2及び底面S3の中央部及び周囲に配置する構成について説明したが、上面S1、S2及び底面S3の略中央に複数の温度調節素子を配置する構成であっても良い。例えば、同じ容量の温度調節素子を中央部に2個備え、起動時のみ2個を用い、定常状態では1個の温度調節素子を用いることとしても良い。
図14は、本発明の実施例3に係るモニタ装置50の概略構成を示す。モニタ装置50は、装置本体51と、光伝送部52とを有する。装置本体51は、上記実施例1の光源装置10(図1参照)を備える。上記実施例1と重複する説明は省略する。光伝送部52は、2つのライトガイド54、55を有する。光伝送部52のうち被写体(不図示)側の端部には、拡散板56及び結像レンズ57が設けられている。第1ライトガイド54は、光源装置10からの光を被写体へ伝送する。拡散板56は、第1ライトガイド54の射出側に設けられている。第1ライトガイド54内を伝播した光は、拡散板56を透過することにより、被写体側にて拡散する。光源装置10から拡散板56までの光路中の各部は、被写体を照明する照明装置を構成する。
第2ライトガイド55は、被写体からの光をカメラ53へ伝送する。結像レンズ57は、第2ライトガイド55の入射側に設けられている。結像レンズ57は、被写体からの光を第2ライトガイド55の入射面へ集光させる。被写体からの光は、結像レンズ57により第2ライトガイド55へ入射した後、第2ライトガイド55内を伝播してカメラ53へ入射する。
第1ライトガイド54、第2ライトガイド55としては、多数の光ファイバを束ねたものを用いることができる。光ファイバを用いることで、レーザ光を遠方へ伝送させることができる。カメラ53は、装置本体51内に設けられている。カメラ53は、光源装置10からの光により照明された被写体を撮像する撮像部である。第2ライトガイド55から入射した光をカメラ53へ入射させることで、カメラ53による被写体の撮像ができる。上記実施例1の光源装置10を用いることにより、高い効率で安定した光量の光を供給することができる。これにより、高い効率で供給された光を用いて明るい像をモニタできるという効果を奏する。なお、モニタ装置50は、上記各実施例で説明するいずれのSHG素子を適用しても良い。
図15は、本発明の実施例4に係るプロジェクタ60の概略構成を示す。プロジェクタ60は、スクリーン69に光を供給し、スクリーン69で反射する光を観察することで画像を鑑賞するフロント投写型のプロジェクタである。プロジェクタ60は、赤色(R)光用光源装置61R、緑色(G)光用光源装置61G、青色(B)光用光源装置61Bを有する。各色光用光源装置61R、61G、61Bは、いずれも上記実施例1の光源装置10(図1参照)と同様の構成を有する。上記実施例1と重複する説明は省略する。プロジェクタ60は、各色光用光源装置61R、61G、61Bからの光を用いて画像を表示する。
R光用光源装置61Rは、R光を供給する光源装置である。拡散素子62は、照明領域の整形、拡大、照明領域におけるレーザ光の光量分布の均一化を行う。拡散素子62としては、例えば、回折光学素子である計算機合成ホログラム(Computer Generated Hologram;CGH)を用いることができる。フィールドレンズ63は、R光用光源装置61Rからのレーザ光を平行化させ、R光用空間光変調装置64Rへ入射させる。R光用光源装置61R、拡散素子62、及びフィールドレンズ63は、R光用空間光変調装置64Rを照明する照明装置を構成する。R光用空間光変調装置64Rは、照明装置からのR光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。R光用空間光変調装置64Rで変調されたR光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム65へ入射する。
G光用光源装置61Gは、G光を供給する光源装置である。拡散素子62及びフィールドレンズ63を経たレーザ光は、G光用空間光変調装置64Gへ入射する。G光用光源装置61G、拡散素子62、及びフィールドレンズ63は、G光用空間光変調装置64Gを照明する照明装置を構成する。G光用空間光変調装置64Gは、照明装置からのG光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。G光用空間光変調装置64Gで変調されたG光は、クロスダイクロイックプリズム65のうちR光が入射する面とは異なる面へ入射する。
B光用光源装置61Bは、B光を供給する光源装置である。拡散素子62及びフィールドレンズ63を経たレーザ光は、B光用空間光変調装置64Bへ入射する。B光用光源装置61B、拡散素子62、及びフィールドレンズ63は、B光用空間光変調装置64Bを照明する照明装置を構成する。B光用空間光変調装置64Bは、照明装置からのB光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。B光用空間光変調装置64Bで変調されたB光は、クロスダイクロイックプリズム65のうちR光が入射する面、及びG光が入射する面とは異なる面へ入射する。透過型液晶表示装置としては、例えば高温ポリシリコンTFT液晶パネル(High Temperature Polysilicon;HTPS)を用いることができる。
クロスダイクロイックプリズム65は、互いに略直交させて配置された2つのダイクロイック膜66、67を有する。第1ダイクロイック膜66は、R光を反射し、G光及びB光を透過させる。第2ダイクロイック膜67は、B光を反射し、R光及びG光を透過させる。クロスダイクロイックプリズム65は、それぞれ異なる方向から入射したR光、G光及びB光を合成し、投写レンズ68の方向へ射出する。投写レンズ68は、クロスダイクロイックプリズム65で合成された光をスクリーン69に向けて投写する。
上記の光源装置10と同様の構成を有する各色光用光源装置61R、61G、61Bを用いることにより、高い効率で安定した光量のレーザ光を供給できる。これにより、安定して明るい画像を表示できるという効果を奏する。なお、各色光用光源装置61R、61G、61Bは、上記各実施例で説明するいずれのSHG素子を適用しても良い。プロジェクタ60は、例えば、R光用光源装置61RについてはSHG素子を用いず光源部からの基本波光をそのまま射出するものとし、G光用光源装置61G及びB光用光源装置61Bについて、上記の光源装置10と同様の構成としても良い。
プロジェクタは、空間光変調装置として透過型液晶表示装置を用いる場合に限られない。空間光変調装置としては、反射型液晶表示装置(Liquid Crystal On Silicon;LCOS)、DMD(Digital Micromirror Device)、GLV(Grating Light Valve)等を用いても良い。プロジェクタは、色光ごとに空間光変調装置を備える構成に限られない。プロジェクタは、一の空間光変調装置により2つ又は3つ以上の色光を変調する構成としても良い。プロジェクタは、空間光変調装置を用いる場合に限られない。プロジェクタは、ガルバノミラー等の走査手段により光源装置からのレーザ光を走査させ、被照射面において画像を表示するレーザスキャン型のプロジェクタであっても良い。プロジェクタは、画像情報を持たせたスライドを用いるスライドプロジェクタであっても良い。プロジェクタは、スクリーンの一方の面に光を供給し、スクリーンの他方の面から射出される光を観察することで画像を鑑賞する、いわゆるリアプロジェクタであっても良い。
本発明の光源装置は、モニタ装置やプロジェクタに適用される場合に限られない。本発明の光源装置は、例えば、レーザ光を用いて露光を行う露光装置やレーザ加工装置等の光学系に用いても良い。
以上のように、本発明に係る波長変換素子は、モニタ装置やプロジェクタの光源装置に用いる場合に適している。
本発明の実施例1に係る光源装置の概略構成を示す図。 SHG素子の断面構成を示す図。 分極反転結晶の分極反転構造について説明する図。 メインヒータ、サブヒータ、サーミスタの配置について説明する図。 分極反転結晶の温度を調節するためのブロック構成を示す図。 分極反転結晶の温度を調節する手順を説明するフローチャート。 分極反転結晶の温度変化について説明する図。 分極反転結晶の温度を調節する他の手順を説明するフローチャート。 本発明の実施例2に係るSHG素子の構成を説明する図。 SHG素子の一部分の断面構成を示す図。 メインヒータ及びサブヒータを駆動するための構成を説明する図。 メインヒータ及びサブヒータを駆動するための構成を説明する図。 実施例2の変形例に係るSHG素子の側面構成を示す図。 本発明の実施例3に係るモニタ装置の概略構成を示す図。 本発明の実施例4に係るプロジェクタの概略構成を示す図。
符号の説明
10 光源装置、11 半導体素子、12 ミラー層、13 活性層、14 SHG素子、15 外部共振器、20 分極反転結晶、21 自発分極層、22 分極反転層、23a〜23d メインヒータ、24 サブヒータ、25 接着層、26 放熱板、27 サーミスタ、S1 上面、28 温度制御部、30 SHG素子、31 熱拡散板、32 絶縁層、33a〜33d メインヒータ、34 サブヒータ、35 接続部、S2 上面、36 配線パターン、37 電極、38 電源、39 ヒータ駆動部、40 SHG素子、S3 底面、50 モニタ装置、51 装置本体、52 光伝送部、53 カメラ、54 第1ライトガイド、55 第2ライトガイド、56 拡散板、57 結像レンズ、60 プロジェクタ、61R R光用光源装置、61G G光用光源装置、61B B光用光源装置、62 拡散素子、63 フィールドレンズ、64R R光用空間光変調装置、64G G光用空間光変調装置、64B B光用空間光変調装置、65 クロスダイクロイックプリズム、66 第1ダイクロイック膜、67 第2ダイクロイック膜、68 投写レンズ、69 スクリーン

Claims (9)

  1. 第1波長の光を入射させることにより、前記第1波長とは異なる波長である第2波長の光を射出する波長変換素子であって、
    分極方向を反転させた分極反転層が特定方向へ並列された分極反転結晶と、
    前記分極反転結晶の温度を調節する第1温度調節素子と前記第1温度調節素子よりも容量が大きい第2温度調節素子と、を有し、
    前記分極反転層は、前記特定方向に略直交する第1面に略平行に形成され、
    前記第1温度調節素子及び前記第2温度調節素子は、前記第1面に略直交する第2面に配置され、
    前記第1温度調節素子及び前記第2温度調節素子は、熱を供給することにより前記分極反転結晶の温度を設定温度にする調節を行い、
    前記第2温度調節素子は、前記分極反転結晶の温度が前記設定温度から一定値低い温度まで上昇すると、温度の調節を停止し、
    複数の前記第1温度調節素子を備えており、
    前記第2温度調節素子は、前記第2面の略中央に配置され、
    前記複数の第1温度調節素子は、前記第2面の周囲に配置されていることを特徴とする波長変換素子。
  2. 前記分極反転結晶へ伝導させる熱を拡散させる熱拡散部を有することを特徴とする請求項1に記載の波長変換素子。
  3. 前記温度調節素子及び前記熱拡散部を接続する接続部と、
    前記熱拡散部に対して前記分極反転結晶の側とは反対側であって、前記接続部が設けられた部分以外の部分に設けられた絶縁層と、を有することを特徴とする請求項に記載の波長変換素子。
  4. 前記温度調節素子に対して前記分極反転結晶の側とは反対側に設けられ、熱を放散させる放熱部を有することを特徴とする請求項1に記載の波長変換素子。
  5. 前記温度調節素子は、前記第2面と、前記第2面とは反対側の面である第3面に配置されることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の波長変換素子。
  6. 第1波長の光を射出する光源部と、
    前記光源部からの前記第1波長の光を入射させることにより、前記第1波長とは異なる波長である第2波長の光を射出する波長変換素子と、を有し、
    前記波長変換素子は、請求項1〜のいずれか一項に記載の波長変換素子であることを特徴とする光源装置。
  7. 請求項に記載の光源装置を有し、前記光源装置からの光を用いて被照射物を照明することを特徴とする照明装置。
  8. 請求項に記載の照明装置と、
    前記照明装置により照明された被写体を撮像する撮像部と、を有することを特徴とするモニタ装置。
  9. 請求項に記載の光源装置を有し、前記光源装置からの光を用いて画像を表示することを特徴とするプロジェクタ。
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