JPH06289446A - 光高調波発生器 - Google Patents
光高調波発生器Info
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- JPH06289446A JPH06289446A JP10189793A JP10189793A JPH06289446A JP H06289446 A JPH06289446 A JP H06289446A JP 10189793 A JP10189793 A JP 10189793A JP 10189793 A JP10189793 A JP 10189793A JP H06289446 A JPH06289446 A JP H06289446A
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- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザから発せられる基本波を用いて
安定な第二高調波を効率よく出力できるようにする。 【構成】 非線形光学媒質中に周期的分極反転領域５が
配列形成された光導波路５の入力光側面部Ｐ１と出力光
側面部Ｐ２とにそれぞれヒータＨ１，Ｈ２を設けて温度
差を設けてあり、好ましくはこの温度差を１０℃〜１０
０℃の範囲に設定してある。
安定な第二高調波を効率よく出力できるようにする。 【構成】 非線形光学媒質中に周期的分極反転領域５が
配列形成された光導波路５の入力光側面部Ｐ１と出力光
側面部Ｐ２とにそれぞれヒータＨ１，Ｈ２を設けて温度
差を設けてあり、好ましくはこの温度差を１０℃〜１０
０℃の範囲に設定してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒーレントな光を利
用する光記憶装置，光情報処理装置，光計測装置などに
用いられる光高調波発生器に関し、特に、安定した第二
高調波を発生できるようにした光高調波発生器に関す
る。
用する光記憶装置，光情報処理装置，光計測装置などに
用いられる光高調波発生器に関し、特に、安定した第二
高調波を発生できるようにした光高調波発生器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、コヒーレントな光を発
する小型な光源として、光ディスク装置，記憶再生が可
能な光磁気ディスク装置，光情報処理装置，光計測装置
などに広く利用されている。しかし、この半導体レーザ
から得られる光の波長は、０．７８〜１．５５μｍの長
波長領域にあるため、記憶密度の高密度化や高解像度再
生，高密度伝送，高精度な計測の要求が高まっている現
状では十分とは言えず、上記要求を満たすため、より波
長の短い光が求められている。
する小型な光源として、光ディスク装置，記憶再生が可
能な光磁気ディスク装置，光情報処理装置，光計測装置
などに広く利用されている。しかし、この半導体レーザ
から得られる光の波長は、０．７８〜１．５５μｍの長
波長領域にあるため、記憶密度の高密度化や高解像度再
生，高密度伝送，高精度な計測の要求が高まっている現
状では十分とは言えず、上記要求を満たすため、より波
長の短い光が求められている。
【０００３】このような短波長のコヒーレント光を比較
的容易に得る手段としては、従来から波長変換素子であ
る第二高調波発生器が注目されている。この第二高調波
発生器は、周期的分極反転領域を有する非線形光学結晶
の一端部に半導体レーザからの基本波を入射し、他端部
から基本波の１／２の波長の第二高調波を取り出すもの
である。
的容易に得る手段としては、従来から波長変換素子であ
る第二高調波発生器が注目されている。この第二高調波
発生器は、周期的分極反転領域を有する非線形光学結晶
の一端部に半導体レーザからの基本波を入射し、他端部
から基本波の１／２の波長の第二高調波を取り出すもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】通常、非線形光学結晶
を用いて第二高調波を発生させようとする場合、基本波
と高調波の位相を揃える必要性から、きわめて限定され
た幾何学的な配置が必要であり、なおかつ厳密な温度制
御も要求される。このような困難な要求を克服するた
め、光導波路に周期的分極反転領域（周期的ドメイン反
転領域）を設ける技術が提案されている。この技術を用
いると、結晶の方位に限定されることなく、第二高調波
を効率よく出力することができる。しかしこの場合、分
極反転構造の周期は非常に厳密に設定される必要があ
る。さらに、最適な周期は入射する基本波の波長や周囲
温度に大きく依存するため、半導体レーザ本体の励起モ
ードや結晶の温度を一定に保つために多くの工夫が必要
となる。
を用いて第二高調波を発生させようとする場合、基本波
と高調波の位相を揃える必要性から、きわめて限定され
た幾何学的な配置が必要であり、なおかつ厳密な温度制
御も要求される。このような困難な要求を克服するた
め、光導波路に周期的分極反転領域（周期的ドメイン反
転領域）を設ける技術が提案されている。この技術を用
いると、結晶の方位に限定されることなく、第二高調波
を効率よく出力することができる。しかしこの場合、分
極反転構造の周期は非常に厳密に設定される必要があ
る。さらに、最適な周期は入射する基本波の波長や周囲
温度に大きく依存するため、半導体レーザ本体の励起モ
ードや結晶の温度を一定に保つために多くの工夫が必要
となる。
【０００５】例えば、特開平１−２５７９２２号におい
ては、分極反転領域の周期を連続的に変化させることに
より、いずれか一箇所で位相整合がなされるようにした
光高調波発生器が提案されている。さらに、特開平３−
３１８２８号では、分極反転領域の光導波路の幅を連続
的に変化させることにより、位相整合を満たせるように
した光高調波発生器が提案されている。また、特開平４
−２５４８３５号では、分極反転領域の光導波路の幅を
断続的に変化させることで、非線形光学結晶の主面に複
数の伝搬定数を持つ光導波路とこの光導波路の伝搬方向
に対して周期的な分極反転層とを有する高調波発生器が
提案されている。そして、これにより、基本波を発する
半導体レーザからの波長が変化した場合でも安定した第
二高調波を発生できるとしている。しかし、これらのい
ずれの場合も、きわめて精密に制御された加工を結晶表
面上に施す必要があり、素子の製作が非常に難しいとい
う問題点があった。
ては、分極反転領域の周期を連続的に変化させることに
より、いずれか一箇所で位相整合がなされるようにした
光高調波発生器が提案されている。さらに、特開平３−
３１８２８号では、分極反転領域の光導波路の幅を連続
的に変化させることにより、位相整合を満たせるように
した光高調波発生器が提案されている。また、特開平４
−２５４８３５号では、分極反転領域の光導波路の幅を
断続的に変化させることで、非線形光学結晶の主面に複
数の伝搬定数を持つ光導波路とこの光導波路の伝搬方向
に対して周期的な分極反転層とを有する高調波発生器が
提案されている。そして、これにより、基本波を発する
半導体レーザからの波長が変化した場合でも安定した第
二高調波を発生できるとしている。しかし、これらのい
ずれの場合も、きわめて精密に制御された加工を結晶表
面上に施す必要があり、素子の製作が非常に難しいとい
う問題点があった。
【０００６】本発明は、このような従来の技術が有する
課題を解決するために提案されたものであり、多くの工
夫を必要とせず、また、高精度の加工を素子に施すこと
なく、半導体レーザから発せられる基本波にもとづいて
安定した第二高調波を出力できるようにした光高調波発
生器の提供を目的とする。
課題を解決するために提案されたものであり、多くの工
夫を必要とせず、また、高精度の加工を素子に施すこと
なく、半導体レーザから発せられる基本波にもとづいて
安定した第二高調波を出力できるようにした光高調波発
生器の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の光高調波発生器は、非線形光学媒質に、周期的
分極反転領域を配列形成した光導波路の入力光側の面と
出力光側の面とに温度差を設けてあり、好ましくはこの
温度差を１０℃〜１００℃の範囲に設定してあるととも
に、入力光側の面または出力光側の面の一方の温度が２
０℃〜１００℃の範囲となるように設定してある。
本発明の光高調波発生器は、非線形光学媒質に、周期的
分極反転領域を配列形成した光導波路の入力光側の面と
出力光側の面とに温度差を設けてあり、好ましくはこの
温度差を１０℃〜１００℃の範囲に設定してあるととも
に、入力光側の面または出力光側の面の一方の温度が２
０℃〜１００℃の範囲となるように設定してある。
【０００８】次に、この光高調波発生器の製作方法を説
明する。非線形光学結晶上の主面に、光導波路と分極反
転領域の周期構造とを形成する。非線形光学結晶として
は、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）やタンタ
ル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）などの無機の強誘電体材
料を用いることができ、分極反転領域を形成するプロセ
スと光導波路を形成するプロセスとから高調波発生素子
を製作する。これらの技術はすでに種々開発されている
ので、任意の技術をそのまま利用できる。
明する。非線形光学結晶上の主面に、光導波路と分極反
転領域の周期構造とを形成する。非線形光学結晶として
は、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）やタンタ
ル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）などの無機の強誘電体材
料を用いることができ、分極反転領域を形成するプロセ
スと光導波路を形成するプロセスとから高調波発生素子
を製作する。これらの技術はすでに種々開発されている
ので、任意の技術をそのまま利用できる。
【０００９】例えば、ＹカットまたはＺカットのニオブ
酸リチウム基板を用いる場合は、まず基板表面の選択的
な位置にＴｉを蒸着し、熱処理を施すことにより、分極
反転領域を形成する。この際、各領域の境界面がＸ軸と
垂直になるように調整する。また別の方法としては、基
板表面の選択的な位置に電子線を照射するか、電圧を印
加することでも分極反転領域を形成できる。
酸リチウム基板を用いる場合は、まず基板表面の選択的
な位置にＴｉを蒸着し、熱処理を施すことにより、分極
反転領域を形成する。この際、各領域の境界面がＸ軸と
垂直になるように調整する。また別の方法としては、基
板表面の選択的な位置に電子線を照射するか、電圧を印
加することでも分極反転領域を形成できる。
【００１０】続いて、プロトン交換によって光導波路を
形成するが、この場合、形成したい領域以外にマスクと
して酸化タリウムを蒸着したのち、２２０℃の熱りん酸
中に１０分〜１時間程度浸漬し、さらに大気中で３５０
℃に加熱処理する。なお、光導波路はストライプ状、ま
たはスラブ状の形状に形成する。続いて、基板下側の両
端にヒータをそれぞれ設け、入力光側の面と出力光側の
面との温度差が１０〜１００℃となるように設定する。
形成するが、この場合、形成したい領域以外にマスクと
して酸化タリウムを蒸着したのち、２２０℃の熱りん酸
中に１０分〜１時間程度浸漬し、さらに大気中で３５０
℃に加熱処理する。なお、光導波路はストライプ状、ま
たはスラブ状の形状に形成する。続いて、基板下側の両
端にヒータをそれぞれ設け、入力光側の面と出力光側の
面との温度差が１０〜１００℃となるように設定する。
【００１１】次に、高分子材料を用いて素子を形成する
方法を説明する。高分子材料としては、ポリスチレン，
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）など透明でアモ
ルファス性を有するものであればなんでもよい。この高
分子材料に、２−メチル−４−ニトロアニリンや４−ニ
トロ−４´−アミノスチルベンなど光学的非線形性を有
する色素を、メタノールやジクロロメタンなどの溶媒に
溶解して、ガラス基板上に滴下したのち、スピンコータ
で回転させることにより、基板上に色素混合高分子層を
形成する。
方法を説明する。高分子材料としては、ポリスチレン，
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）など透明でアモ
ルファス性を有するものであればなんでもよい。この高
分子材料に、２−メチル−４−ニトロアニリンや４−ニ
トロ−４´−アミノスチルベンなど光学的非線形性を有
する色素を、メタノールやジクロロメタンなどの溶媒に
溶解して、ガラス基板上に滴下したのち、スピンコータ
で回転させることにより、基板上に色素混合高分子層を
形成する。
【００１２】色素混合高分子層中に分極反転領域を形成
する。この場合も公知の方法を利用できる。すなわち、
薄膜化された高分子色素混合物をコロナポーリングによ
って全体を配向し、その後、蒸着やスパッタリングなど
の方法を用いて電極パターンを生成し、ガラス転移より
もやや低い温度に保った状態で逆方向に電圧を印加する
ことにより、電極パターンの形状に対応した領域を分極
反転する。その後、マスク下で紫外線を照射すること
で、任意の形状の光導波路を形成する。
する。この場合も公知の方法を利用できる。すなわち、
薄膜化された高分子色素混合物をコロナポーリングによ
って全体を配向し、その後、蒸着やスパッタリングなど
の方法を用いて電極パターンを生成し、ガラス転移より
もやや低い温度に保った状態で逆方向に電圧を印加する
ことにより、電極パターンの形状に対応した領域を分極
反転する。その後、マスク下で紫外線を照射すること
で、任意の形状の光導波路を形成する。
【００１３】続いて、製作した高調波発生素子の両端に
例えば抵抗加熱器からなるヒータを設ける。そして、こ
れらヒータに素子外部に設けた電源を接続し、この電源
から通電して入力光側の面と出力光側の面との温度差が
１０〜１００℃となるように設定する。この際、入力光
側の面が出力光側の面に比べて低温になるようにする。
また、入力光側の面または出力光側の面のいずれか一方
の温度が２０℃〜１００℃の範囲となるように設定する
のが望ましい。なお、ヒータは、入力光側または出力光
側のいずれか一方の面にのみ設けてもよい。これらの温
度差及び温度調整は、外部に設置された電源から通電さ
れる電流量を調整することによって行なう。
例えば抵抗加熱器からなるヒータを設ける。そして、こ
れらヒータに素子外部に設けた電源を接続し、この電源
から通電して入力光側の面と出力光側の面との温度差が
１０〜１００℃となるように設定する。この際、入力光
側の面が出力光側の面に比べて低温になるようにする。
また、入力光側の面または出力光側の面のいずれか一方
の温度が２０℃〜１００℃の範囲となるように設定する
のが望ましい。なお、ヒータは、入力光側または出力光
側のいずれか一方の面にのみ設けてもよい。これらの温
度差及び温度調整は、外部に設置された電源から通電さ
れる電流量を調整することによって行なう。
【００１４】ここで、入力光側の面と出力光側の面との
温度差が１０℃未満の場合は、素子の動作が外気温に対
して不安定になるため不適切である。一方、温度差が１
００℃を超える場合は、高調波発生効率が低下するので
不適切である。また、入力光側の面または出力光側の面
のいずれか一方の温度が２０℃未満の場合は、冷却を要
するので不適切であり、一方、１００℃を超える場合
は、高温のため実装が困難になるので不適切である。
温度差が１０℃未満の場合は、素子の動作が外気温に対
して不安定になるため不適切である。一方、温度差が１
００℃を超える場合は、高調波発生効率が低下するので
不適切である。また、入力光側の面または出力光側の面
のいずれか一方の温度が２０℃未満の場合は、冷却を要
するので不適切であり、一方、１００℃を超える場合
は、高温のため実装が困難になるので不適切である。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。実施例１ Ｚ軸が基板面に垂直になるようにカットした（Ｚカット
という）、厚さが０．５ｍｍ、大きさが２０×２０ｍｍ
2 のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）の基板（図示せ
ず）上に、図１に示すような基板２と同形状のマスクを
用いてチタン（Ｔｉ）を電子ビーム蒸着法によって１０
００オングストロームの厚さに製膜した。この際、加速
電圧は５ｋＶ、電流は５００ｍＡとした。なお、分極反
転領域を設けようとするマスク１の窓部１ａの長さおよ
び間隔は３μｍであり、窓部１ａの幅は５μｍとした。
続いて、９５０℃の真空中に１０時間放置して熱処理を
行なうことで、Ｔｉを拡散し図２および図３に示すよう
に基板２上に分極反転領域３を形成した。続いて、図２
に示すように、マスク４を用いて光導波路を形成しよう
とする領域を覆い、電子ビーム蒸着法によりタンタル酸
（Ｔａ2Ｏ5）を基板２上に１μｍの厚さに蒸着した。そ
の際、加速電圧は５ｋＶ、電流は１Ａに制御した。な
お、マスク４の幅は７μｍに設定した。その後、基板２
の全体を２３０℃の熱りん酸中に１０分間浸漬したの
ち、３５０℃の大気中に１時間放置して熱処理を行なっ
た。この結果、基板２の主面に図４に示すように周期的
な分極反転領域３を有する光導波路５を形成した。
という）、厚さが０．５ｍｍ、大きさが２０×２０ｍｍ
2 のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）の基板（図示せ
ず）上に、図１に示すような基板２と同形状のマスクを
用いてチタン（Ｔｉ）を電子ビーム蒸着法によって１０
００オングストロームの厚さに製膜した。この際、加速
電圧は５ｋＶ、電流は５００ｍＡとした。なお、分極反
転領域を設けようとするマスク１の窓部１ａの長さおよ
び間隔は３μｍであり、窓部１ａの幅は５μｍとした。
続いて、９５０℃の真空中に１０時間放置して熱処理を
行なうことで、Ｔｉを拡散し図２および図３に示すよう
に基板２上に分極反転領域３を形成した。続いて、図２
に示すように、マスク４を用いて光導波路を形成しよう
とする領域を覆い、電子ビーム蒸着法によりタンタル酸
（Ｔａ2Ｏ5）を基板２上に１μｍの厚さに蒸着した。そ
の際、加速電圧は５ｋＶ、電流は１Ａに制御した。な
お、マスク４の幅は７μｍに設定した。その後、基板２
の全体を２３０℃の熱りん酸中に１０分間浸漬したの
ち、３５０℃の大気中に１時間放置して熱処理を行なっ
た。この結果、基板２の主面に図４に示すように周期的
な分極反転領域３を有する光導波路５を形成した。
【００１６】続いて、図５に示すようにこの光導波路５
の両端面部、すなわち入力光面部Ｐ１と出力光面部Ｐ２
にヒータＨ１，Ｈ２を耐熱製エポキシ樹脂によってそれ
ぞれ接着して設けた。そして、外部に設置した電源から
の電流量を調整して入力光側面の温度が３０℃、出力光
側面の温度が８０℃になるように各ヒータＨ１，Ｈ２に
流れる電流を調節した。
の両端面部、すなわち入力光面部Ｐ１と出力光面部Ｐ２
にヒータＨ１，Ｈ２を耐熱製エポキシ樹脂によってそれ
ぞれ接着して設けた。そして、外部に設置した電源から
の電流量を調整して入力光側面の温度が３０℃、出力光
側面の温度が８０℃になるように各ヒータＨ１，Ｈ２に
流れる電流を調節した。
【００１７】このようにして製作した光高調波発生器の
光導波路５の入力光側の面に対して、図６に示すように
配置した実験装置の半導体レーザ６から、出力が１００
ｍＷで波長が８４０ｎｍの基本波のレーザ光をレンズ７
で絞って入射したこのとき、出力光側の面から出射して
きた光をフィルタ８に通して基本波を取り除き、４２０
ｎｍの第二高調波だけを取り出して、その強度を光強度
計９で測定したところ、１．０ｍＷの値を得た。
光導波路５の入力光側の面に対して、図６に示すように
配置した実験装置の半導体レーザ６から、出力が１００
ｍＷで波長が８４０ｎｍの基本波のレーザ光をレンズ７
で絞って入射したこのとき、出力光側の面から出射して
きた光をフィルタ８に通して基本波を取り除き、４２０
ｎｍの第二高調波だけを取り出して、その強度を光強度
計９で測定したところ、１．０ｍＷの値を得た。
【００１８】実施例２ まず、光学的非線形性を有する色素である２−メチル−
４−ニトロアニリン（ＭＮＡ）の１重量％と、平均分子
量１０万のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の５
重量％とを同時にメタノールに溶解し、この混合溶液を
ガラス基板１０（図７参照）上に滴下したあと、スピン
コータ法によって厚さ０．６μｍの色素混合高分子薄膜
を形成した。続いて、この薄膜上に真空蒸着法によって
アルミニウムを図７に示す形状のパターン１１ａ，１１
ｂに蒸着し電極を形成した。このとき、ボート温度は７
００℃に調整し、膜厚１．０μｍとした。この処理で使
用したマスクは、このパターン１１ａ，１１ｂの形状の
窓部を有したものであり、分極反転領域の幅および間隔
が８μｍとなるように設定した。その後、全体をＰＭＭ
Ａのガラス転移温度である１０５℃よりもやや低い１０
１℃に保ち、電極間に１５０Ｖの電界を印加して、１時
間保持したのち温度を室温まで下げた。続いて、図７
中、破線で示す幅１５μｍのマスク１２を用いて光導波
路となる領域以外の領域に、３５５ｎｍの紫外線を発す
る４００Ｗの水銀ランプを用いて３０分に照射した結
果、分極反転層を有する光導波路５を形成できた。
４−ニトロアニリン（ＭＮＡ）の１重量％と、平均分子
量１０万のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の５
重量％とを同時にメタノールに溶解し、この混合溶液を
ガラス基板１０（図７参照）上に滴下したあと、スピン
コータ法によって厚さ０．６μｍの色素混合高分子薄膜
を形成した。続いて、この薄膜上に真空蒸着法によって
アルミニウムを図７に示す形状のパターン１１ａ，１１
ｂに蒸着し電極を形成した。このとき、ボート温度は７
００℃に調整し、膜厚１．０μｍとした。この処理で使
用したマスクは、このパターン１１ａ，１１ｂの形状の
窓部を有したものであり、分極反転領域の幅および間隔
が８μｍとなるように設定した。その後、全体をＰＭＭ
Ａのガラス転移温度である１０５℃よりもやや低い１０
１℃に保ち、電極間に１５０Ｖの電界を印加して、１時
間保持したのち温度を室温まで下げた。続いて、図７
中、破線で示す幅１５μｍのマスク１２を用いて光導波
路となる領域以外の領域に、３５５ｎｍの紫外線を発す
る４００Ｗの水銀ランプを用いて３０分に照射した結
果、分極反転層を有する光導波路５を形成できた。
【００１９】続いて、図８に示すようにこの光導波路５
の両端に、すなわち入力光面部Ｐ１と出力光面部Ｐ２に
ヒータＨ１，Ｈ２を耐熱性エポキシ樹脂によってそれぞ
れ接着して設けた。そして、外部に設置した電源からの
通電量を調整して入力光側面の温度が３５℃、出力光側
面の温度が８０℃となるように各ヒータに流れる電流を
調整した。なお、この実施例では、基板１０の両端下部
にヒータＨ１，Ｈ２をそれぞれ設置した。
の両端に、すなわち入力光面部Ｐ１と出力光面部Ｐ２に
ヒータＨ１，Ｈ２を耐熱性エポキシ樹脂によってそれぞ
れ接着して設けた。そして、外部に設置した電源からの
通電量を調整して入力光側面の温度が３５℃、出力光側
面の温度が８０℃となるように各ヒータに流れる電流を
調整した。なお、この実施例では、基板１０の両端下部
にヒータＨ１，Ｈ２をそれぞれ設置した。
【００２０】このようにして製作した光高調波発生器の
光導波路５に対して、図６に示したと同様な実験装置を
用いて基本波となる１００ｍＷ、８４０ｎｍのレーザ光
を入射して第二高調波の強度を測定したところ、１．０
ｍＷの出力値を観測した。
光導波路５に対して、図６に示したと同様な実験装置を
用いて基本波となる１００ｍＷ、８４０ｎｍのレーザ光
を入射して第二高調波の強度を測定したところ、１．０
ｍＷの出力値を観測した。
【００２１】比較例１ 実施例２と同様な光導波路５を同じ工程によって基板１
０上に形成した。ただし、ヒータＨ１，Ｈ２は設けなか
った。この光高調波発生器の導波路５に対して、図６に
示す実験装置を用いて基本波である１００ｍＷ、８４０
ｎｍのレーザ光を入射して第二高調波の出力を測定した
ところ、０．０１ｍＷ以下の出力値しか測定できなかっ
た。
０上に形成した。ただし、ヒータＨ１，Ｈ２は設けなか
った。この光高調波発生器の導波路５に対して、図６に
示す実験装置を用いて基本波である１００ｍＷ、８４０
ｎｍのレーザ光を入射して第二高調波の出力を測定した
ところ、０．０１ｍＷ以下の出力値しか測定できなかっ
た。
【００２２】評価 以上のことから、光高調波発生器の入力光側の面Ｐ１と
出力光側の面Ｐ２にヒータＨ１，Ｈ２をそれぞれ設け
て、光導波路の入力光側の面と出力光側の面に、１０℃
〜１００℃の範囲内の所定の温度差を設けるとともに、
入力光側または出力光側のいずれか一方の面の温度を２
０℃〜１００℃の範囲内とすることにより、安定な第二
高調波を効率よく出力できることを確認した。
出力光側の面Ｐ２にヒータＨ１，Ｈ２をそれぞれ設け
て、光導波路の入力光側の面と出力光側の面に、１０℃
〜１００℃の範囲内の所定の温度差を設けるとともに、
入力光側または出力光側のいずれか一方の面の温度を２
０℃〜１００℃の範囲内とすることにより、安定な第二
高調波を効率よく出力できることを確認した。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、非
線形光学媒質で形成された光導波路の入力光側面と出力
光側面とにヒータを用いて所定の温度差を設けるという
簡単な方法により、安定した第二高調波を効率よく出力
することができる。これにより、従来のように高精度な
加工を素子に施す必要がなく、安定した性能を有する光
高調波発生器を容易に製作できるという効果が得られ
る。
線形光学媒質で形成された光導波路の入力光側面と出力
光側面とにヒータを用いて所定の温度差を設けるという
簡単な方法により、安定した第二高調波を効率よく出力
することができる。これにより、従来のように高精度な
加工を素子に施す必要がなく、安定した性能を有する光
高調波発生器を容易に製作できるという効果が得られ
る。
【図１】本発明による光高調波発生器を製作するときに
用いるマスクの平面である。
用いるマスクの平面である。
【図２】図１のマスクを用いて作製された分極反転領域
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】製作された光高調波発生器の斜視図である。
【図５】この光高調波発生器の側面図である。
【図６】第二高調波出力を計測するための測定装置を示
す構成図である。
す構成図である。
【図７】他の実施例の光高調波発生器の製作方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図８】他の実施例の光高調波発生器を示す側面図であ
る。
る。
１，４，１２ マスク ２，１０ 基板 ３ 分極反転領域 ５ 光導波路 ６ 半導体レーザ ７ レンズ ８ 基本波を除去するフィルタ ９ 光強度計 Ｈ１，Ｈ２ ヒータ
Claims (3)
- 【請求項１】 非線形光学媒質に、周期的分極反転領域
を導波方向に配列形成した光導波路の入力光側の面と出
力光側の面とに温度差を設けたことを特徴とする光高調
波発生器。 - 【請求項２】 非線形光学媒質の入力光側の面または出
力光側の面の少なくとも一方に設けたヒータによって、
入力光側の面と出力光側の面との温度差を１０℃〜１０
０℃の範囲に設定したことを特徴とする請求項１記載の
光高調波発生器。 - 【請求項３】 非線形光学媒質の入力光側の面または出
力光側の面の一方の温度が２０℃〜１００℃の範囲に設
定されていることを特徴とする請求項１または請求項２
記載の光高調波発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189793A JPH06289446A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 光高調波発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189793A JPH06289446A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 光高調波発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06289446A true JPH06289446A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14312718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10189793A Pending JPH06289446A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 光高調波発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06289446A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079929A1 (fr) * | 2000-04-19 | 2001-10-25 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Convertisseur de longueur d'onde de laser |
| US7492506B1 (en) | 2007-07-27 | 2009-02-17 | Seiko Epson Corporation | Wavelength converting element, light source device, lighting device, monitoring device, and projector |
-
1993
- 1993-04-05 JP JP10189793A patent/JPH06289446A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079929A1 (fr) * | 2000-04-19 | 2001-10-25 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Convertisseur de longueur d'onde de laser |
| US6744547B2 (en) | 2000-04-19 | 2004-06-01 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Laser wavelength converter |
| US7492506B1 (en) | 2007-07-27 | 2009-02-17 | Seiko Epson Corporation | Wavelength converting element, light source device, lighting device, monitoring device, and projector |
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