JP5300664B2 - 分極反転部分の製造方法 - Google Patents
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基板の一方の主面に、複数列の絶縁膜と、隣り合う絶縁膜の隙間および各絶縁膜を被覆する導電膜とを設けることによって、隣り合う絶縁膜の間にそれぞれAl、Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Ni-Cr 、Pd、Ta 、Mo、W、TaまたはAuCrの積層膜からなる第一の電極部を形成し、基板の他方の主面に接するように絶縁層が設けられており、この絶縁層上に第二の電極部が設けられており、第一の電極部の幅Eの絶縁膜の幅Iに対する比率E/Iが0.2以上、20以下であり、絶縁層の厚みが1000オングストロームから3000オングストロームであり、絶縁性液体中で前記基板上の第一の電極部と第二の電極部との間に電圧を印加することによって、複数列の第一の電極部下およびこれら第一の電極部に挟まれた絶縁膜下にわたって延びる一体の幅30μm以上の分極反転部分を前記基板に生成させることを特徴とする。
パルス電圧:2.0kV〜8.0kV(/mm)
パルス幅:0.1ms〜10ms
直流バイアス電圧:1.0kV〜5.0kV(/mm)
図1を参照しつつ説明した方法に従い、分極反転部分を形成した。ただし、基板1としては、MgO添加のLiNbO3(MgLN)のZカット基板を使用した。基板1の+Z面1a、−Z面1bに、スパッタリング法によって、導電膜2および3を成膜した。これらの膜厚は1000オングストロームとし、材質はタンタルとした。電極2の寸法は、縦5mm、横5mmとした。このように作製した基板1を、絶縁オイル中に浸漬し、170℃でパルス電圧を印加した。電圧印加条件としては、ウェハの抗電界となる電界強度の約3kV/mmに設定し、約1msec幅の矩形パルスを印加した。パルスの印加回数は、パターン面積に依存するが、例えば20mm2のとき、20000パルスが好適であった。
図2を参照しつつ説明した方法に従い、分極反転部分を形成した。ただし、基板1としては、MgO添加のLiNbO3(MgLN)のZカット基板を使用した。基板1の+z面1aおよび−z面1bに、絶縁膜6、7としてSiO2膜を成膜した。絶縁膜6、7の膜厚は2000オングストロームとした。次いで、絶縁膜6上にフォトレジストをスピンコーティングし、マスク露光、現像を経て、レジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクにして、ウェットエッチング処理を行うことで、図2に示すような絶縁膜パターンを形成した。Iは3μmとし、Eは1μmとした。
実施例1と同様にして分極反転部分を形成した。ただし、絶縁膜6、7の膜厚は3000オングストロームとし、Iは3.2μmとし、Eは1.0μmとした。この結果、導電膜5の外形輪郭の内側には、全体にわたって極反転部分が形成されていることを確認した。分極反転部分の寸法は、縦5mm、横5mmであり、幅広い分極反転部分を形成することができた。
実施例1と同様にして分極反転部分を形成した。ただし、絶縁膜6、7の膜厚は2000オングストロームとし、Iは5.8μmとし、Eは1.2μmとした。この結果、導電膜5の外形輪郭の内側には広域に分極反転部分が形成されていることを確認した。分極反転部分の寸法は、縦2mm、横2mmであった。
Claims (1)
- 強誘電体単結晶基板に分極反転部分を製造する方法であって、
前記基板の一方の主面に、複数列の絶縁膜と、隣り合う絶縁膜の隙間および前記各絶縁膜を被覆する導電膜とを設けることによって、隣り合う前記絶縁膜の間にそれぞれAl、Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Ni-Cr 、Pd、Ta 、Mo、W、TaまたはAuCrの積層膜からなる第一の電極部を形成し、前記基板の他方の主面に接するように絶縁層が設けられており、この絶縁層上に第二の電極部が設けられており、前記第一の電極部の幅Eの前記絶縁膜の幅Iに対する比率E/Iが0.2以上、20以下であり、前記絶縁層の厚みが1000オングストロームから3000オングストロームであり、絶縁性液体中で前記基板上の前記第一の電極部と前記第二の電極部との間に電圧を印加することによって、複数列の前記第一の電極部下およびこれら第一の電極部に挟まれた前記絶縁膜下にわたって延びる一体の幅30μm以上の分極反転部分を前記基板に生成させることを特徴とする、分極反転の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009202251A JP5300664B2 (ja) | 2008-10-30 | 2009-09-02 | 分極反転部分の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008279583 | 2008-10-30 | ||
JP2008279583 | 2008-10-30 | ||
JP2009202251A JP5300664B2 (ja) | 2008-10-30 | 2009-09-02 | 分極反転部分の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010134425A JP2010134425A (ja) | 2010-06-17 |
JP5300664B2 true JP5300664B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=42345739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009202251A Expired - Fee Related JP5300664B2 (ja) | 2008-10-30 | 2009-09-02 | 分極反転部分の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5300664B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5992346B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2016-09-14 | 日本碍子株式会社 | 波長変換素子の製造方法 |
JP2017134110A (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 株式会社島津製作所 | 分極反転素子、分極反転素子の製造方法及び分極反転素子の製造装置 |
JP2016177316A (ja) * | 2016-06-06 | 2016-10-06 | 日本碍子株式会社 | 波長変換素子の製造方法 |
JP6446518B2 (ja) * | 2017-10-04 | 2018-12-26 | 日本碍子株式会社 | 波長変換素子の製造方法 |
CN115116829B (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-22 | 中北大学 | 一种铌酸锂单晶薄膜畴壁增强力电耦合响应器件制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03121428A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-05-23 | Sony Corp | 非線形強誘電体光学材料に対するドメイン制御方法 |
JPH0348831A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Sony Corp | 非線形強誘電体光学材料体に対するドメイン制御方法 |
JP4119508B2 (ja) * | 1997-01-14 | 2008-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 光波長変換素子とその製造方法、この素子を用いた光発生装置および光ピックアップ、ならびに分極反転部の製造方法 |
JP2001066652A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分極反転構造の形成方法並びにそれを利用した波長変換素子の製造方法 |
JP2002214655A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法 |
US20060207496A1 (en) * | 2003-03-14 | 2006-09-21 | Masahiro Koto | Method of manufacturing domain inverted crystal |
JP4243995B2 (ja) * | 2003-08-21 | 2009-03-25 | 日本碍子株式会社 | 分極反転部の製造方法および光デバイス |
JP4753345B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-08-24 | 住友大阪セメント株式会社 | 分極反転形成方法 |
JP2008170931A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-24 | Seiko Epson Corp | 波長変換素子の製造装置及び波長変換素子の製造方法 |
JP2008185892A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体基板の分極反転方法および分極反転デバイス |
JP2010107731A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Ngk Insulators Ltd | 強誘電体バルク素子 |
-
2009
- 2009-09-02 JP JP2009202251A patent/JP5300664B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010134425A (ja) | 2010-06-17 |
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