JP2012204364A - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ストライプ状のリッジ部を有するレーザ発光部LD1〜LD4が、並列配置されている。素子間分離溝配線層22a、22b、22c、22dの各領域における斜線部が、配線層22a、22b、22c、22dと各レーザ発光部LD1〜LD4のリッジ部上のリッジ電極とが電気的に接続される。内側レーザ発光部LD2、LD3よりも、外側レーザ発光部LD1、LD4の両側に形成される2つの素子分離溝間の幅を狭くしていくことにより、サーマルクロストークの差を低減することができる。
【選択図】 図1
Description
すなわち、SD(%)=(1−(P2−P3)/P1)×100
SDには、LD1のサーマルクロストーク特性成分とドループ特性成分が含まれている。
以上のようにして、各LD1〜LD4までのSDを算出することができる。
この熱源は、リッジ下5μm×500um×112nmの領域である。マルチビーム半導体レーザ装置の大きさは、各レーザ発光部の共振器長は500μm、チップ幅は450μmとした。基板裏面熱伝達率は60000W/m2Kである。
構造において、外側レーザ発光部と内側レーザ発光部の配線距離は28umである。このため、電極配線接触面積の面積比を
外側LD:内側LD=1:1.16〜1.40
とすることで、外側LDと内側LDの抵抗差を小さくすることができる。
21a パッド電極
21b パッド電極
21c パッド電極
21d パッド電極
22a 配線層
22b 配線層
22c 配線層
22d 配線層
Claims (5)
- 基板上に並列配置された3以上のストライプ状の半導体レーザ発光部と、
前記各半導体レーザ発光部を分離する分離溝と、
前記並列配置された半導体レーザ発光部の両側に配置されたパッド電極と、
前記パッド電極と隣り合う半導体レーザ発光部との間に形成された前記分離溝とを備え、
前記半導体レーザ発光部のうち内側に配置された半導体レーザ発光部の両側に形成された2つの分離溝間の距離よりも、外側に配置された半導体レーザ発光部の両側に形成された2つの分離溝間の距離の方が小さいことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 基板上に並列配置された3以上のストライプ状の半導体レーザ発光部と、
前記各半導体レーザ発光部を分離する分離溝と、
前記並列配置された半導体レーザ発光部の両側に配置されたパッド電極と、
前記パッド電極と隣り合う半導体レーザ発光部との間に形成された前記分離溝とを備え、
前記分離溝のうち内側に形成された分離溝の深さよりも、外側に形成された分離溝の深さの方が大きいことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 前記外側に形成された分離溝は、前記パッド電極に最も近い分離溝であることを特徴とする請求項2に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
- 前記外側に形成された分離溝は、中央に形成された分離溝以外のすべての分離溝が含まれることを特徴とする請求項2に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
- 基板上に並列配置された3以上の半導体レーザ発光部と、
前記各半導体レーザ発光部に設けられたストライプ状のリッジ部と、
前記ストライプ状の各リッジ部上に形成されるリッジ電極と、
前記各リッジ電極と電気的に接続するために、前記リッジ部のストライプ方向を横切る方向に形成された複数の配線層とを備え、
前記並列配置された半導体レーザ発光部のうち内側に配置された半導体レーザ発光部では、前記配線層とは電気的に分離した位置における前記リッジ電極上に、金メッキ層を形成していることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。
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