JP4484039B2 - 発光ダイオードアレイ - Google Patents

Description

本発明は発光出力が大きくて均一な発光ダイオードアレイに関し、特に電子写真方式のプリンタ光源等に好適な発光ダイオードアレイに関する。

電子写真方式のプリンタは、画像信号に応じた光により感光ドラム上に静電潜像を形成し、トナーを選択的に付着させて現像した後、紙に転写して画像を得る。潜像を形成するための光源としてはレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が広く用いられている。特に発光ダイオードアレイ方式の光源は、レーザ方式のように光路を長くとる必要がないため、小型のプリンタに適している。また発光ダイオードアレイは横に長く形成できるので、大サイズの印刷が可能なプリンタにも適している。最近は印刷の高速・高画質化やプリンタのさらなる小型化の要求に応じて、さらに高精細で高出力、かつ低コストの発光ダイオードアレイが求められている。

発光ダイオードアレイヘッドの低コスト化を実現するためには、個々独立に発光ダイオードを駆動させるICを備える方式（スタティック駆動方式）ではなく、複数個の発光ダイオードを１つのブロックとし、スイッチ用のマトリクス配線により時間分割駆動させ、駆動ICやボンディング本数を削減する方式（ダイナミック駆動方式又はマトリクス駆動方式）が有利である［沖テクニカルレビュー, 2002年１月, 189号, Vol. 69, No.1（非特許文献１）］。

このような事情に鑑み、本出願人は先に、第一の電極に接続する第一のボンディングパッドの数と第二の電極に接続する第二のボンディングパッドの数の比率が１：n（n≧３）となるように、第一のボンディングパッドを共通配線を介して第一の電極に接続することにより、ボンディングパッド全体の数を削減した分割マトリクス駆動方式の発光ダイオードアレイを提案した（特願2003-289909号）。図７はこのような構造の４分割マトリクス駆動方式の発光ダイオードアレイを示す上面図である。この例では、１セルは64ドットの発光部で構成されている。スイッチ用の共通配線４を介して第一の電極（カソード電極）２に接続するボンディングパッド6c・・・と第二の電極（アノード電極）３に接続するボンディング6a・・・とは１：４の比で一列に配置されている。

図８は図７に示す発光ダイオードアレイの一部を拡大した上面図であり、図９(a) は図７のC−C断面図であり、図９(b) は図７のD−D断面図であり、図９(c) は図７のE−E断面図である。この発光ダイオードアレイは、基板10と、基板10上に形成された導電層11と、導電層11上に形成された複数の発光部１と、各発光部１の上面に形成されたカソード電極２と、導電層11上に形成されたアノード電極３と、カソード用引き出し配線5cを介してカソード電極２に個別に接続する４本の共通配線４と、共通配線４に個別に接続する第１のボンディングパッド6cと、アノード引き出し配線5aを介してアノード電極３に接続する第２のボンディングパッド6aとを有する。図７に示すように、発光部１は、導電層11に形成された四辺形状の第一の溝20により４個ごとにブロックに分けられている。

図10はこの発光ダイオードアレイの１ブロック内の発光部１に流入する駆動電流としての直進電流26a及び回り込み電流26bを示す上面図であり、図11は発光部１周辺を示す上面図である。発光部１の上面に形成されたカソード電極２は、一端（アノード電極３から遠い側）側からほぼ発光部１の幅で延在する接続部2aと、光取り出し部９の中央部分に延在する細長い延長部2bとからなるT字形状であるので、発光部１の直下を通るアノード電極３からの直進電流26aだけでなく、回り込み電流26bをも光取り出し部９直下へ誘引することができる。

光取り出し部９の幅及びカソード電極２の長さを調整することにより発光出力を向上させることができる。図12(a) 及び(b) はそれぞれカソード電極２の接続部2aの長さLと発光出力及び駆動電圧との関係を示す。図12(a)，(b) に示すように、接続部2aの長さLを20μm以下にすることにより、駆動電圧の増大を抑えつつ、発光出力を大幅に向上させることができる。カソード電極２の延長部2bの形状については、微細加工が可能であるならば複数本のストライプ、網目等の形状にしても良い。

各ブロック内の導電層11に形成された第二の溝121は、隣接する発光部1の間を第一の溝20の一辺（アノード電極３から最も遠い側）からほぼ光取り出し部９の端部（アノード電極３から最も遠い側）まで延在している。第二の溝121により、回り込み電流のうち発光に寄与しない分を抑制し、光取り出し部９直下を通る発光に寄与する分（回り込み電流26b）を効率よく流すことができる。これにより、発光出力の増大及び低電圧動作が可能になった。

しかし第一の溝20に隣接している発光部1aには片側からのみ回り込み電流26bが流れ込むのに対し、第一の溝20に隣接していない発光部1bには両側から回り込み電流26bが流れ込んでいる。そのため発光部1aに流れ込む電流量と発光部1bに流れ込む電流量との間に差異が生じることが分かった。図13(a) はブロック内の各発光部１の発光出力の一例を示し、図13(b) はブロック内の各発光部１の駆動電圧の一例を示す。図13(a) 及び(b) から明らかなように、各ブロック内において発光部１の発光出力及び駆動電圧に比較的大きなばらつきがある。

沖テクニカルレビュー, 2002年１月, 第69巻, 第189号, No.1

従って本発明の目的は、マトリクス駆動方式の発光ダイオードアレイにおいて、各ブロック内で発光部に流れ込む回り込み電流量を均一化することにより、各ブロック内における発光部の発光出力と駆動電圧が均一化した発光ダイオードアレイを提供することである。

上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者らは、(a) マトリクス駆動方式の発光ダイオードアレイにおいて、各ブロック内の発光部間で導電層に形成された溝を同じ長さにすると、発光部に流入する回り込み電流が不均一となり、その結果それぞれの発光部の発光出力及び駆動電圧が不均一になること、(b) この問題を解決するには、前記溝の長さを調整すれば良いことを発見し、本発明に想到した。

すなわち、本発明の発光ダイオードアレイは、基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、前記発光部をブロックに分けるように前記導電層に形成された第一の溝と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第一の電極と、各ブロック内で前記導電層上に直接形成された１つの第二の電極と、前記第一の電極と個別に接続するスイッチ用共通配線と、前記共通配線の各々に接続する第一のボンディングパッドと、前記第二の電極の各々に接続する第二のボンディングパッドとを有し、各ブロック内にはｎ（ｎは４以上の偶数）個の発光部が横方向に配置されており、隣接する発光部間の前記導電層には、前記第一の溝に最も近いものが短く、それから交互に長、短・・・となるように第二の溝が形成され、かつ、各ブロックを四辺形状に囲む前記第一の溝は前記第一の電極側の溝部と、前記第二の電極側の溝部と、隣接するブロックを分ける一対の溝部とからなり、前記第二の溝は前記第一の電極側の溝部に櫛形状に連結し、短い第二の溝は前記発光部の光取り出し部（前記発光部の第一の電極以外の部分）の端部側（前記第二の電極から遠い側）まで形成されており、長い第二の溝は少なくとも前記発光部の端部側（前記第二の電極側）まで形成されていることを特徴とする。

前記共通配線はn本であり、前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとの数の比率は１：nであるのが好ましい。

前記第一及び第二のボンディングパッドは前記導電層上に島状に形成された個々独立のボンディング部上に設けられているのが好ましく、前記発光部及び前記ボンディング部がメサエッチング溝により個々独立に形成されているのが好ましい。

上記構成を有する本発明の発光ダイオードアレイでは、各ブロック内における発光部間への回り込み電流量が均一化されているので、低駆動電圧で均一な発光出力が得られる。

[1] 発光ダイオードアレイの構造
本発明の発光ダイオードアレイを図１〜６を参照して詳細に説明する。図１〜６において、図７〜11に示す発光ダイオードアレイと同じ部位には同じ参照番号を付してあり、特に断りがない限り、同じ参照番号の部位は同じ構造を有するものとする。また本発明の発光ダイオードアレイの断面構造自体は、導電層11の第二の溝21以外図９に示すものと同じである。なお説明の簡略化のために、上面図から絶縁層を省略してある。

図１は本発明の好ましい一実施例による４分割マトリクスの発光ダイオードアレイの１セル全体を示す上面図であり、図２は図１に示す発光ダイオードアレイの一部を拡大した上面図である。

図示の実施例では、１セルは16個のブロックB₁，B₂・・・B₁₆を有し、各ブロックは４つの発光部１を有する。従って、１セルは64ドットの発光部１からなる。この発光ダイオードアレイは、各発光部１上にT字形に形成された第一の電極（カソード電極）２と、４つの発光部１のカソード電極２とそれぞれ接続する４本のスイッチ用共通配線４と、各ブロック内に設けられた１本の第二の電極（アノード電極）３と、共通配線４の各々に接続する４つのボンディングパッド6cと、各ブロック内のアノード電極３に接続するボンディングパッド6a（合計16個）とを有する。ボンディングパッド6cの数とボンディングパッド6aの数との比は１：４であり、これにより各ボンディングパッド6a，6cの幅（発光ダイオードアレイの長手方向）を余裕を持ってレイアウトすることができ、例えば60μmに設定することも可能になる。

４つの発光部１は導電層11に形成された四辺形状の第一の溝20に包囲されており、各ボンディングパッド6a，6cは各ボンディング部8a，8c上に形成されている。発光部１、ボンディング部8a及びボンディング部8cはそれぞれメサエッチング溝19により個々独立に分離されている。このため、各発光部１は基板10上に形成されたエピタキシャル層からなる。スイッチ用共通配線４はボンディング部8a及びボンディング部8cと第一の溝20との間に形成されている。

図３は図２に示す発光ダイオードアレイの１ブロックを示す上面図である。各ブロックB₁，B₂・・・B₁₆は、４つの発光部１と、発光１を包囲する四辺形状の第一の溝20と、隣接する発光部１の間で第一の溝20の辺20a（アノード電極３から最も遠い側）から延在する第二の溝21と、発光部１に近接する位置で導電層11上に形成されたアノード電極３とを有する。各発光部１はカソード電極２に覆われていない上面に光取り出し部９を有する。アノード電極３は光取り出し部９に近接する位置に設けられている。

第一及び第二の溝20，21は導電層11を完全に除去するメサエッチング溝であるのが好ましい。第一の溝20は、各ブロックB₁，B₂・・・B₁₆を隣接するブロックから電気的に絶縁しており、第二の溝21は、隣接する発光部の間を流れる電流を制御している。

本発明の発光ダイオードアレイでは、第一の溝20の辺20aから延在する第二の溝21a，21bの長さが異なる。具体的には、第一の溝20のうち隣接するブロックを分ける溝部20bに近接する発光部1a，1dと発光部1b，1cとの間にはそれぞれ短い第二の溝21aが延在しており、溝部20bに近接していない発光部1bと1cの間には長い第二の溝21bが延在している。短い第二の溝21aは図７〜９の例と同様に、ほぼ光取り出し部９の端部（アノード電極３から最も遠い側）まで延在しているのが好ましく、長い第二の溝21bは少なくとも発光部１のほぼ端部（アノード電極３側）まで延在しているのが好ましい。しかし、発光出力の均一化のために長い第二の溝21bの長さを適宜調整しても良い。

図４は８×８のマトリクスの発光ダイオードアレイの１ブロックを示す。この例では、溝部20bに近接する発光部1a及び1hに隣接する第二の溝21aは短く、第二の溝21aの隣の第二の溝21bは長く、またその隣の第二の溝21aは短い。従って、第二の溝21は短、長、短、長、短、長、短となっている。一般に、１ブロック内にn（nは偶数）個の発光部が存在する場合、（n−１）個の第二の溝21の長さは、第一の溝20側から順に短、長、短、長・・・短となる。

図５(a) は図２のA−A断面図であり、図５(b) は図２のB−B断面図である。図５(a) 及び(b) では説明のために第三及び第四の絶縁膜24，25を省略している。図５(a) に示すように、第一の溝20に最も近い発光部１に隣接する第二の溝21aは短いので、回り込み電流26bが流れ込む。これに対して、図５(b) に示すように、第一の溝20から遠い発光部１に隣接する第二の溝21bは長い（アノード電極３に近接する位置まで延在している）ので、アノード電極３からカソード電極２に導かれる電流のうち回り込み電流は実質的に阻止される。そのため、図３に示すように短い第二の溝21aがある領域では各発光部１に片側から回り込み電流26bが流れ込むが、長い第二の溝21bがある領域では各発光部１に回り込み電流26bが実質的に流れ込まない。従って、各発光部1a，1b，1c，1dには実質的に同量の回り込み電流26bが流れ込むことになり、各ブロック内で各発光部1a，1b，1c，1dの発光出力及び駆動電圧が均一化される。図６(a) 及び(b) はそれぞれ本実施例の発光ダイオードアレイでの各発光部1a，1b，1c，1dの発光出力及び駆動電圧を示す。図13との比較から、第二の溝21の長さを上記の通り調整することにより発光出力及び駆動電圧が著しく均一化されたことが分かる。

第一及び第二の溝20，21以外の本発明の発光ダイオードアレイの各部の構成については、さらに以下詳細に説明する。

(1) 基板及び導電層
基板10は、発光ダイオードに使用し得る導電性又は半絶縁性の基板で良い。導電性基板はn型でもp型でもよく、半絶縁性の場合、例えばn型GaAs基板等が挙げられる。基板10と導電層11との間にアンドープGaAs層等の高抵抗層を設けることにより、基板10と導電層11との絶縁性を向上させることもできる。また基板10と導電層11との間に、導電層11に対して逆の極性を有する半導体層を設けても良い。n型GaAsからなる基板10の場合、導電層11はp型GaAsからなるのが好ましい。

(2) 発光部
発光部１自体は図９に示すものと同じ構造を有しても良い。導電層11上に積層する化合物半導体の種類や結晶層の厚さは、所望の発光波長及び発光出力により適宜選択する。化合物半導体としては、例えばAlGaAs、AlGaInP等を用いることができる。発光部１は第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層からなるダブルへテロ構造を有するのが好ましい。各発光部１は導電層11上に形成されたエピタキシャル層をメサエッチング溝19により分割することにより形成することができる。

図９に示す例では、発光ダイオードアレイの発光部１は、n型GaAs基板10の上にp型GaAs導電層11を介して順次形成されたAlGaAsエッチングストッパ層12、p型AlGaAsクラッド層13、p型AlGaAs活性層14、n型AlGaAsクラッド層15及びn型GaAsキャップ層16からなる。n型GaAsキャップ層16は、光取り出し部９の領域ではエッチングにより除去されている。

上記発光部１のうち発光に直接関与する領域は、発光波長に対応するエネルギーバンドギャップを有するp型AlGaAs活性層14を、それよりもエネルギーバンドギャップの大きいp型AlGaAsクラッド層13（第一導電型のクラッド層）及びn型AlGaAsクラッド層15（第二導電型のクラッド層）で挟んだ、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。

(3) 絶縁膜
図９に示すように、発光部１、ボンディング部８及びメサエッチング溝19は全体的に第一絶縁膜17及び第二絶縁膜18で覆われている。また後述するように電極及び配線の上には、ボンディングパッド6a，6cを除いて第三絶縁膜24及び第四絶縁膜25が形成されている。

(4) 電極及び配線
第一及び第二の電極は一方がカソード電極で他方がアノード電極であればよく、それぞれの電極はカソード電極でもアノード電極でもよい。各電極はボンディング特性、下層とのオーミック接続特性及び密着性が良好であることが要求されるので、複数の金属層で構成されるのが好ましい。例えばアノード電極にAuZn／Ni／AuやTi／Pt／Au等の積層電極を使用し、カソード電極にAuGe／Ni／Au等の積層電極を使用することができる。

共通配線４及び引き出し配線５は、ボンディング特性及び上層・下層との密着性が良好であることが要求されるため、複数の金属層で構成されるのが好ましい。最上層・最下層にはボンディング特性の良いTi、Mo、TiW等の金属層を有するのが好ましい。例えば、Ti／Au／Ti、Mo／Au／Mo、TiW／Au／TiW等からなる積層構造とすることができる。またプロセスの簡略化のためにアノード電極３と共通配線４を同時に形成する場合はTi／Pt／Au／Ti等の積層構造を使用しても良い。

各電極の金属層は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法等の蒸着法で形成することができ、酸化物層は各種公知の成膜方法で形成することができる。金属層には、オーム性を付与するために熱処理（合金化）をさらに施すのが好ましい。

図１〜図３及び図９に示す例では、各発光部１のn型GaAsキャップ層16の一部がエッチングにより除去され、露出されたn型AlGaAsクラッド層15の上面が光取り出し部９になり、残ったn型GaAsキャップ層16の上面にはそれと同形状のカソード電極２がオーミック接合となるように形成されている。導電層11に直接接するアノード電極３は各ブロック内に１つずつ設置されている。アノード電極３は、各ブロック内の全ての発光部１に等距離で近接するように帯状であるのが好ましい。図３に示すように、カソード電極２はT字形をしているのが好ましい。T字形カソード電極２の詳細は図11で説明したものと同じで良い。

各発光部１上のカソード電極２は引き出し配線5cにより共通配線４の各々に接続しており、各共通配線４は引き出し配線5kにより各ボンディング部8c上の各ボンディングパッド6cに接続している。各アノード電極３は引き出し配線5aを介して各ボンディング部8a上の各ボンディングパッド6aに接続している。

引き出し配線5a，5cは、第一絶縁膜17及び第二絶縁膜18をエッチングすることにより設けられたコンタクト孔7a，7cにより、それぞれアノード電極３、カソード電極２に接続している。また引き出し配線5kは、第二絶縁膜18をエッチングすることにより設けられたコンタクト孔7kにより、共通配線４（第一絶縁膜17と第二絶縁膜18の間に形成されている）に接続している。

(5) メサエッチング溝
個々独立の複数の発光部１及びボンディング部８を形成するため、すなわち発光部１及びボンディング部８を個々独立の島状に分けるために、導電層11又はエッチングストッパ層12まで達するメサエッチング溝19が形成されている。

メサエッチング溝19自体は図９に示すものと同じでよい。個々のボンディング部８間にメサエッチング溝19があるために、Au配線によりボンディングパッド間で短絡することはない。ボンディング部８間のメサエッチング溝19の面積は比較的小さいので、ボンディング部８を島状に分けてもローディング効果によるエッチング速度の低下はほとんどない。

[2] 発光ダイオードアレイの製造方法
本発明の発光ダイオードアレイの好ましい製造方法を図１〜図３及び図９を参照して説明する。まず有機金属気相成長法（MOVPE法）により、n型GaAsからなる基板10の上面に、p型GaAs導電層11（キャリア濃度：4×10¹⁹cm^-3、厚さ：1μm）、AlGaAsエッチングストッパ層12（キャリア濃度：3×10¹⁹cm^-3、厚さ：0.1μm）、p型AlGaAsクラッド層13（キャリア濃度：1×10¹⁸cm^-3、厚さ：1μm）、p型AlGaAs活性層14（キャリア濃度：1×10¹⁸cm^-3、厚さ：1μm）、n型AlGaAsクラッド層15（キャリア濃度：2×10¹⁸cm^-3、厚さ：3μm）、及びn型GaAsキャップ層16（キャリア濃度：1×10¹⁸cm^-3、厚さ：0.5μm）を順次成長させる。

形成した結晶層にウェットエッチングを選択的に施す。まず発光部１のうちカソード電極２と接触する部分及びボンディング部８を残して、n型GaAsキャップ層16を除去する。この段階で、発光部１の光取り出し部９が形成されている。次いでエッチングストッパ層12が露出する深さまで上記メサエッチング溝19を設けると、エッチングストッパ層12上にエピタキシャル層からなる個々独立の発光部１及び個々独立のボンディング部８が形成される。

さらにp型GaAs導電層11に、発光部１をブロックに分ける第一の溝20と、発光部１の間を第一の溝20の一辺からくし形に延びる第二の溝21を形成する。このとき、第二の溝21の長さを、図３に示すように横方向に端から順に短長短・・・とする。n型GaAs基板10も僅かにエッチングするように第一及び第二の溝20，21の深さを設定すれば、エッチング誤差があっても溝20，21の位置に導電層11が残留することはない。

AuGe／Ni／Auからなるカソード電極２及びAuZn／Ni／Auからなるアノード電極３を蒸着法及びリフトオフ法により形成した後、発光ダイオードアレイの上面全体を覆うように化学気相成長法（CVD法）により第一絶縁膜17を成長させる。第一絶縁膜17上にTi／Au／Tiからなる共通配線４を蒸着法及びリフトオフ法により形成する。

さらにCVD法により発光ダイオードアレイの上面全体を覆うように第二絶縁膜18を成長させた後、カソード電極２、アノード電極３及び共通配線４にそれぞれコンタクト孔7c，7a，7kをエッチングにより設ける。各コンタクト孔7cと各コンタクト孔7kとの間、各コンタクト孔7aと各ボンディング部8aとの間、各コンタクト孔7kと各ボンディング部8cとの間、及び各ボンディング部8c，8aの上にTi/Au/Tiをスパッタリングし、イオンミリングすることにより、Ti/Au/Tiからなる引き出し配線5c，5a，5k及びボンディングパッド6c，6aを形成する。

光取り出し部９及びスクライブエリア23上の第一絶縁膜17及び第二絶縁膜18を、CHF₃／O₂等の公知の混合ガスを用いたドライエッチングにより除去する。さらに水分等の浸入を防ぐ目的で、発光ダイオードアレイの上面全体を覆うように第三絶縁膜24及び第四絶縁膜25を蒸着する。第四絶縁膜25はファイナルパッシベーションであるため、窒化膜等の緻密な膜が好ましい。第三絶縁膜24と第四絶縁膜25との屈折率が異なる場合、発光波長により反射膜とならないように膜厚を設定する必要がある。具体的には、特開2003-031840号に記載されているように第三絶縁膜24と第四絶縁膜25の合計膜厚を１μmより薄く設定するのが好ましい。

最後にボンディングパッド６上の第三絶縁膜24及び第四絶縁膜25をエッチングして、ボンディング用窓を開ける。

図１〜３に示す例では４つの発光部を１ブロックとし共通電極を４本とした４×４構造であるが、本発明の発光ダイオードアレイはこの構造に限られず、２つの発光部を１ブロックとし２本の共通電極を有する２×２構造でも、８×８構造（図４）でもよく、一般にn×n（nは偶数）構造であればよい。また本例の発光ダイオードアレイは例えば1200 dpiの解像度を有するが、これに限られない。

本発明の一実施例による発光ダイオードアレイの１セルの一部を示す上面図である。 図１の一部を示す拡大上面図である。 図２の一部を示す拡大上面図である。 本発明の別の実施例による発光ダイオードアレイの１ブロックを示す上面図である。 図２の一部を示す拡大断面図であり、(a) はA−A断面図であり、(b) はB−B断面図である。 (a) は図３の各発光部の発光出力であり、(b) は図３の各発光部の駆動電圧である。 先願の発光ダイオードアレイを示す上面図である。 図７の一部を示す拡大上面図である。 図７の断面を示し、(a) はC−C断面図であり、(b) はD−D断面図であり、(c) はE−E断面図である。 図７の一部を示す拡大上面図である。 図10の一部を示す拡大上面図である。 先願の発光ダイオードアレイにおける電極構造と性能との関係を示すグラフであり、(a) は電極構造と発光出力の関係を示し、(b) は電極構造と駆動電圧の関係を示す。 (a) は図10の各発光部の発光出力であり、(b) は図10の各発光部の駆動電圧である。

符号の説明

１，1a，1b，1c，1d，1e，1f，1g，1h・・・発光部
２・・・第一の電極（カソード電極）
2a・・・接続部
2b・・・延長部
３・・・第二の電極（アノード電極）
４・・・共通配線
５・・・引き出し配線
5a・・・アノード用引き出し配線
5c・・・カソード用引き出し配線
5k・・・共通配線用引き出し配線
6a・・・第二のボンディングパッド（アノード用）
6c・・・第一のボンディングパッド（カソード用）
7a・・・コンタクト孔（アノード用）
7c・・・コンタクト孔（カソード用）
7k・・・コンタクト孔（共通配線用）
８・・・ボンディング部
8a・・・第二のボンディング部（アノード用）
8c・・・第一のボンディング部（カソード用）
９・・・光取り出し部
10・・・n型GaAs基板
11・・・p型GaAs導電層
12・・・AlGaAsエッチングストッパ層
13・・・p型AlGaAsクラッド層
14・・・p型AlGaAs活性層
15・・・n型AlGaAsクラッド層
16・・・n型GaAsキャップ層
17・・・第一絶縁膜
18・・・第二絶縁膜
19・・・メサエッチング溝
20・・・第一の溝
20a・・・第一の溝の辺（アノード電極から最も遠い側）
20b・・・第一の溝のうち隣接するブロックを分ける溝部
21・・・第二の溝
21a・・・短い第二の溝
21b・・・長い第二の溝
22・・・メサエッチング溝の斜面
23・・・スクライブエリア
24・・・第三絶縁膜
25・・・第四絶縁膜
26a・・・直進電流
26b・・・回り込み電流
B₁，B₂，・・・B₁₆・・・ブロック

Claims (4)

1. 基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、前記発光部をブロックに分けるように前記導電層に形成された第一の溝と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第一の電極と、各ブロック内で前記導電層上に直接形成された１つの第二の電極と、前記第一の電極と個別に接続するスイッチ用共通配線と、前記共通配線の各々に接続する第一のボンディングパッドと、前記第二の電極の各々に接続する第二のボンディングパッドとを有する発光ダイオードアレイにおいて、
   各ブロック内にはｎ（ｎは４以上の偶数）個の発光部が横方向に配置されており、隣接する発光部間の前記導電層には、前記第一の溝に最も近いものが短く、それから交互に長、短・・・となるように第二の溝が形成され、かつ、各ブロックを四辺形状に囲む前記第一の溝は前記第一の電極側の溝部と、前記第二の電極側の溝部と、隣接するブロックを分ける一対の溝部とからなり、前記第二の溝は前記第一の電極側の溝部に櫛形状に連結し、短い第二の溝は前記発光部の光取り出し部（前記発光部の第一の電極以外の部分）の端部側（前記第二の電極から遠い側）まで形成されており、長い第二の溝は少なくとも前記発光部の端部側（前記第二の電極側）まで形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
2. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記共通配線がn本であり、前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとの数の比率が１：nであることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
3. 請求項１〜２のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記第一及び第二のボンディングパッドは、前記導電層上に島状に形成された個々独立のボンディング部上に設けられていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記発光部及び前記ボンディング部がメサエッチング溝により個々独立に形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。

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