JPH06163980A - 発光ダイオードアレイ装置 - Google Patents
発光ダイオードアレイ装置Info
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- JPH06163980A JPH06163980A JP30724292A JP30724292A JPH06163980A JP H06163980 A JPH06163980 A JP H06163980A JP 30724292 A JP30724292 A JP 30724292A JP 30724292 A JP30724292 A JP 30724292A JP H06163980 A JPH06163980 A JP H06163980A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高解像度化又は濃淡の階調化を図ることが可
能な発光ダイオードアレイ装置を提供する。 【構成】 絶縁性GaAs基板９の中央部には、その長手方
向にリッジ9aが形成されており、この両側に複数の発光
領域８からなる発光領域列が２列設けられている。これ
ら発光領域列の両側には下部コンタクト層としてｐ型Ga
As層10が形成されている。前記発光領域８はｐ型GaAlAs
層２とｎ型GaAlAs層３とのｐｎ接合面により形成されて
おり、ｎ型GaAlAs層３上に上部コンタクト層としてｎ型
GaAs層４が形成されている。共通電極の形成領域及びｎ
型GaAs層４上を除く表面に絶縁層５が形成されている。
そして幅方向に並ぶ２個の発光領域８に亘って個別電極
16が配設されており、この個別電極16は交互に幅方向の
一端側へ引き出されている。個別電極16の外側にはその
長手方向に共通電極11が配設されている。
能な発光ダイオードアレイ装置を提供する。 【構成】 絶縁性GaAs基板９の中央部には、その長手方
向にリッジ9aが形成されており、この両側に複数の発光
領域８からなる発光領域列が２列設けられている。これ
ら発光領域列の両側には下部コンタクト層としてｐ型Ga
As層10が形成されている。前記発光領域８はｐ型GaAlAs
層２とｎ型GaAlAs層３とのｐｎ接合面により形成されて
おり、ｎ型GaAlAs層３上に上部コンタクト層としてｎ型
GaAs層４が形成されている。共通電極の形成領域及びｎ
型GaAs層４上を除く表面に絶縁層５が形成されている。
そして幅方向に並ぶ２個の発光領域８に亘って個別電極
16が配設されており、この個別電極16は交互に幅方向の
一端側へ引き出されている。個別電極16の外側にはその
長手方向に共通電極11が配設されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電子写真式プリ
ンタの光源として用いられる複数の発光領域を直線状に
並べた発光ダイオードアレイ装置に関する。
ンタの光源として用いられる複数の発光領域を直線状に
並べた発光ダイオードアレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理量の増大に伴い、高速で
高解像，低騒音の電子写真式プリンタの需要が多く、そ
の開発が進められている。この光源として複数の発光領
域を直線状に並設した発光ダイオードアレイ装置が用い
られている。そしてその解像度が400dpiであるものが実
用化されている。
高解像，低騒音の電子写真式プリンタの需要が多く、そ
の開発が進められている。この光源として複数の発光領
域を直線状に並設した発光ダイオードアレイ装置が用い
られている。そしてその解像度が400dpiであるものが実
用化されている。
【０００３】図６は従来の発光ダイオードアレイ装置を
示す模式図であり、図６(a) は平面図を示し、図６(b)
はこのＩ−Ｉ線における断面図を示す。この従来装置は
「日立電線，No.5, pp29〜32,1985.12」に開示されてい
る。図中１は矩形のｐ型GaAs基板であり、このｐ型GaAs
基板１上にはｐ型GaAlAs層２が形成されている。そして
このｐ型GaAlAs層２上の中央部において長手方向に複数
個のｎ型GaAlAs層３が設けられており、これらｐ型GaAl
As層２とｎ型GaAlAs層３とのｐｎ接合により発光領域８
を形成している。ｎ型GaAlAs層３上にはｎ型GaAs層４が
形成されており、ｎ型GaAs層４上を除く表面には絶縁層
５が形成されている。各ｎ型GaAs層４上には個別電極６
が配設されており、この個別電極６はｐ型GaAlAs層２の
幅方向の相反する一端部へ交互に引き出されている。ま
たｐ型GaAs基板１の下面には共通電極７が配設されてい
る。
示す模式図であり、図６(a) は平面図を示し、図６(b)
はこのＩ−Ｉ線における断面図を示す。この従来装置は
「日立電線，No.5, pp29〜32,1985.12」に開示されてい
る。図中１は矩形のｐ型GaAs基板であり、このｐ型GaAs
基板１上にはｐ型GaAlAs層２が形成されている。そして
このｐ型GaAlAs層２上の中央部において長手方向に複数
個のｎ型GaAlAs層３が設けられており、これらｐ型GaAl
As層２とｎ型GaAlAs層３とのｐｎ接合により発光領域８
を形成している。ｎ型GaAlAs層３上にはｎ型GaAs層４が
形成されており、ｎ型GaAs層４上を除く表面には絶縁層
５が形成されている。各ｎ型GaAs層４上には個別電極６
が配設されており、この個別電極６はｐ型GaAlAs層２の
幅方向の相反する一端部へ交互に引き出されている。ま
たｐ型GaAs基板１の下面には共通電極７が配設されてい
る。
【０００４】以上の如き構成の従来装置においては、個
別電極６及び共通電極７に通電を行うことにより発光領
域８（ｐｎ接合面）で発光し、この光は各ｎ型GaAlAs層
３を通って外部へ取り出される。このときのｎ型GaAlAs
層３内での光吸収を抑制するため、ｎ型GaAlAs層３のAl
組成比をｐ型GaAlAs層２のAl組成比より大きくしてい
る。
別電極６及び共通電極７に通電を行うことにより発光領
域８（ｐｎ接合面）で発光し、この光は各ｎ型GaAlAs層
３を通って外部へ取り出される。このときのｎ型GaAlAs
層３内での光吸収を抑制するため、ｎ型GaAlAs層３のAl
組成比をｐ型GaAlAs層２のAl組成比より大きくしてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】発光ダイオードアレイ
装置はこれを駆動する駆動ＩＣと接続する必要があり、
金属ワイヤ又はフィルム上に形成されたパターン電極と
発光領域８から引き出された個別電極６とのボンディン
グを行っている。このボンディングを行うためには、個
別電極６において約 100μm 角以上の大きさの電極パッ
ドが必要である。400dpiの解像度の発光ダイオードアレ
イ装置では、発光領域８が設けられるピッチは約60μm
であるため、上述のように個別電極６を交互に引き出し
ても電極パッドとして使用できるスペースは 120μm で
ある。従って従来装置の構成では、近年需要が高まりつ
つある400dpi以上の解像度を得ることは困難である。そ
こで電極パッドを一端側に２列配置して高解像度化を実
施する構成も考えられるが、この場合は素子面積が大き
くなり適当でない。また近年では濃淡の階調化を行える
装置の要求が高まっているが、従来装置では発光領域８
が１列であるため、その実現には電流を制御する方法し
かないと考えられる。この場合は制御回路の導入が必要
となる等、新たな問題が生じる。
装置はこれを駆動する駆動ＩＣと接続する必要があり、
金属ワイヤ又はフィルム上に形成されたパターン電極と
発光領域８から引き出された個別電極６とのボンディン
グを行っている。このボンディングを行うためには、個
別電極６において約 100μm 角以上の大きさの電極パッ
ドが必要である。400dpiの解像度の発光ダイオードアレ
イ装置では、発光領域８が設けられるピッチは約60μm
であるため、上述のように個別電極６を交互に引き出し
ても電極パッドとして使用できるスペースは 120μm で
ある。従って従来装置の構成では、近年需要が高まりつ
つある400dpi以上の解像度を得ることは困難である。そ
こで電極パッドを一端側に２列配置して高解像度化を実
施する構成も考えられるが、この場合は素子面積が大き
くなり適当でない。また近年では濃淡の階調化を行える
装置の要求が高まっているが、従来装置では発光領域８
が１列であるため、その実現には電流を制御する方法し
かないと考えられる。この場合は制御回路の導入が必要
となる等、新たな問題が生じる。
【０００６】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであり、発光領域を複数列設け、列毎の発光を独立に
行い得る構成とすることにより、大幅に面積を増大させ
ることなく高解像度化又は濃淡の階調化を図ることが可
能な発光ダイオードアレイ装置を提供することを目的と
する。
のであり、発光領域を複数列設け、列毎の発光を独立に
行い得る構成とすることにより、大幅に面積を増大させ
ることなく高解像度化又は濃淡の階調化を図ることが可
能な発光ダイオードアレイ装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る発光ダイ
オードアレイ装置は、基板上に積層されたｐｎ接合層か
らなる複数の発光領域を一方向に並設した発光領域列
と、前記発光領域からこの並設方向と交叉する方向に引
き出して配設する複数の個別電極と、複数の発光領域に
共通する共通電極とを備える発光ダイオードアレイ装置
において、前記発光領域列を複数有し、該発光領域列毎
に設けられ前記ｐｎ接合層の下側層と接する複数のコン
タクト層と、該複数のコンタクト層に接して設けられ各
発光領域列に独立に通電を行うための複数の共通電極と
を備えることを特徴とする。第２発明に係る発光ダイオ
ードアレイ装置は、第１発明において、前記個別電極の
引き出し方向の各発光領域を千鳥状に配設してあること
を特徴とする。
オードアレイ装置は、基板上に積層されたｐｎ接合層か
らなる複数の発光領域を一方向に並設した発光領域列
と、前記発光領域からこの並設方向と交叉する方向に引
き出して配設する複数の個別電極と、複数の発光領域に
共通する共通電極とを備える発光ダイオードアレイ装置
において、前記発光領域列を複数有し、該発光領域列毎
に設けられ前記ｐｎ接合層の下側層と接する複数のコン
タクト層と、該複数のコンタクト層に接して設けられ各
発光領域列に独立に通電を行うための複数の共通電極と
を備えることを特徴とする。第２発明に係る発光ダイオ
ードアレイ装置は、第１発明において、前記個別電極の
引き出し方向の各発光領域を千鳥状に配設してあること
を特徴とする。
【０００８】
【作用】第１発明にあっては、個別電極の引き出し方向
において同一線上に発光領域を並設した場合は、発光領
域を独立に通電することにより、感光体ドラムの同一点
に光が照射される回数を変更することができるので、濃
淡の階調を付けることが可能となる。
において同一線上に発光領域を並設した場合は、発光領
域を独立に通電することにより、感光体ドラムの同一点
に光が照射される回数を変更することができるので、濃
淡の階調を付けることが可能となる。
【０００９】さらに第２発明にあっては、個別電極の引
き出し方向において発光領域を千鳥状に配設することに
より、高解像度化を図ることが可能である。
き出し方向において発光領域を千鳥状に配設することに
より、高解像度化を図ることが可能である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は第１発明に係る発光ダイオ
ードアレイ装置の第１実施例を示す模式図であり、図１
(a) は平面図を示し、図１(b) はこのII−II線における
断面図を示す。図中９は、全長約8000μm ，幅約1100μ
m の絶縁性GaAs基板であり、この絶縁性GaAs基板９の中
央部には、絶縁性GaAs基板９のエッチングにより直線状
のリッジ9aがその長手方向に形成されている。このリッ
ジ9aの両側にｐ型GaAlAs層２がリッジ9aにより２列に分
離されて形成されている。そしてこのｐ型GaAlAs層２の
両側に下部コンタクト層としてのｐ型GaAs層10が形成さ
れている。
き具体的に説明する。図１は第１発明に係る発光ダイオ
ードアレイ装置の第１実施例を示す模式図であり、図１
(a) は平面図を示し、図１(b) はこのII−II線における
断面図を示す。図中９は、全長約8000μm ，幅約1100μ
m の絶縁性GaAs基板であり、この絶縁性GaAs基板９の中
央部には、絶縁性GaAs基板９のエッチングにより直線状
のリッジ9aがその長手方向に形成されている。このリッ
ジ9aの両側にｐ型GaAlAs層２がリッジ9aにより２列に分
離されて形成されている。そしてこのｐ型GaAlAs層２の
両側に下部コンタクト層としてのｐ型GaAs層10が形成さ
れている。
【００１１】このｐ型GaAlAs層２上の長手方向に複数の
ｎ型GaAlAs層３が設けられており、ｎ型GaAlAs層３上に
は上部コンタクト層としてのｎ型GaAs層４が形成されて
いる。これらｐ型GaAlAs層２とｎ型GaAlAs層３とのｐｎ
接合により発光領域８を形成している。そして共通電極
11の形成領域及びｎ型GaAs層４上を除く表面には絶縁層
５が形成されており、ｐ型GaAlAs層２の幅方向に並ぶ２
個の発光領域８に亘って１個の個別電極16が配設されて
おり、この個別電極16は幅方向の一端側へ交互に引き出
されている。個別電極16の外側のｐ型GaAlAs層２上には
その長手方向に幅10μm 程度の共通電極11, 11が配設さ
れている。
ｎ型GaAlAs層３が設けられており、ｎ型GaAlAs層３上に
は上部コンタクト層としてのｎ型GaAs層４が形成されて
いる。これらｐ型GaAlAs層２とｎ型GaAlAs層３とのｐｎ
接合により発光領域８を形成している。そして共通電極
11の形成領域及びｎ型GaAs層４上を除く表面には絶縁層
５が形成されており、ｐ型GaAlAs層２の幅方向に並ぶ２
個の発光領域８に亘って１個の個別電極16が配設されて
おり、この個別電極16は幅方向の一端側へ交互に引き出
されている。個別電極16の外側のｐ型GaAlAs層２上には
その長手方向に幅10μm 程度の共通電極11, 11が配設さ
れている。
【００１２】以上の如き構成の本発明装置においては、
個別電極16に通電を行い、共通電極11, 11のいずれか又
は両方に通電を行うと、電流は個別電極16，ｎ型GaAs層
４，ｎ型GaAlAs層３，ｐ型GaAlAs層２，ｐ型GaAs層10及
び共通電極11を経て流れ、発光領域８（ｐｎ接合面）で
発光し、この光は各ｎ型GaAlAs層３を通って外部へ取り
出される。このときのｎ型GaAlAs層３内での光吸収を抑
制させるため、ｎ型GaAlAs層３のAl組成比をｐ型GaAlAs
層２のAl組成比より大きくしている。
個別電極16に通電を行い、共通電極11, 11のいずれか又
は両方に通電を行うと、電流は個別電極16，ｎ型GaAs層
４，ｎ型GaAlAs層３，ｐ型GaAlAs層２，ｐ型GaAs層10及
び共通電極11を経て流れ、発光領域８（ｐｎ接合面）で
発光し、この光は各ｎ型GaAlAs層３を通って外部へ取り
出される。このときのｎ型GaAlAs層３内での光吸収を抑
制させるため、ｎ型GaAlAs層３のAl組成比をｐ型GaAlAs
層２のAl組成比より大きくしている。
【００１３】図２，図３は図１に示す発光ダイオードア
レイ装置の製造方法を示す説明図である。まず図２(a)
に示す如くフォトリソグラフィーにより絶縁性GaAs基板
９の中央部の長手方向にリッジ9a（幅10〜20μm ，高さ
３μm ）を形成する。リッジ9aを形成していない部分の
絶縁性GaAs基板９の厚さは約 350μm である。次に発光
領域列（各幅50μm ）を形成する位置及びリッジ9a上に
SiＯ2 等の酸化膜13（厚さ4000Å）を形成し（図２
(b))、この両側にｐ型GaAs層10（厚さ３μm ）をＬＰＥ
（液相エピタキシアル成長）法により結晶成長する（図
２(c))。酸化膜13を除去した後、ｐ型GaAlAs層２（発光
領域形成位置における厚さ４μm ），ｎ型GaAlAs層３
（厚さ３μm ）及びｎ型GaAs層４（厚さ 0.5μm ）をＬ
ＰＥ法により積層する（図２(d))。
レイ装置の製造方法を示す説明図である。まず図２(a)
に示す如くフォトリソグラフィーにより絶縁性GaAs基板
９の中央部の長手方向にリッジ9a（幅10〜20μm ，高さ
３μm ）を形成する。リッジ9aを形成していない部分の
絶縁性GaAs基板９の厚さは約 350μm である。次に発光
領域列（各幅50μm ）を形成する位置及びリッジ9a上に
SiＯ2 等の酸化膜13（厚さ4000Å）を形成し（図２
(b))、この両側にｐ型GaAs層10（厚さ３μm ）をＬＰＥ
（液相エピタキシアル成長）法により結晶成長する（図
２(c))。酸化膜13を除去した後、ｐ型GaAlAs層２（発光
領域形成位置における厚さ４μm ），ｎ型GaAlAs層３
（厚さ３μm ）及びｎ型GaAs層４（厚さ 0.5μm ）をＬ
ＰＥ法により積層する（図２(d))。
【００１４】そして発光領域列形成位置以外のｐ型GaAl
As層２，ｎ型GaAlAs層３及びｎ型GaAs層４を除去し、ｎ
型GaAlAs層３は幅40μm , 長さ50μm 角に、ｎ型GaAs層
４は幅10μm , 長さ30μm 角にして発光領域８の分離を
行う（図３(e))。さらにｎ型GaAs層４上及び共通電極11
の形成位置以外の表面にSiＯ2 等の絶縁膜５（厚さ4000
Å）を形成し（図３(f))、幅方向に並ぶ２個の発光領域
８に亘ってSn−Auからなる個別電極16（厚さ4000Å）を
交互に異なる端部側へ引き出して形成し、最後にｐ型Ga
As層10上の両端部にZn−Auからなる共通電極11，11を形
成する（図３(g))。
As層２，ｎ型GaAlAs層３及びｎ型GaAs層４を除去し、ｎ
型GaAlAs層３は幅40μm , 長さ50μm 角に、ｎ型GaAs層
４は幅10μm , 長さ30μm 角にして発光領域８の分離を
行う（図３(e))。さらにｎ型GaAs層４上及び共通電極11
の形成位置以外の表面にSiＯ2 等の絶縁膜５（厚さ4000
Å）を形成し（図３(f))、幅方向に並ぶ２個の発光領域
８に亘ってSn−Auからなる個別電極16（厚さ4000Å）を
交互に異なる端部側へ引き出して形成し、最後にｐ型Ga
As層10上の両端部にZn−Auからなる共通電極11，11を形
成する（図３(g))。
【００１５】図４は第１発明の第２実施例を示す模式図
であり、図４(a) は平面図を示し、図４(b) はこのVI−
VI線における断面図を示す。本実施例では発光領域列を
３列設けている。外側２列の発光領域8a…, 8c…は、ｐ
型GaAs基板１上に形成された絶縁性GaAs層12上にｐ型Ga
AlAs層２が形成されており、真ん中の列の発光領域8b…
はｐ型GaAs基板１上にｐ型GaAlAs層２が形成されてい
る。これら発光領域8a,8b,8cは絶縁性GaAs層12のエッチ
ングにより形成されたリッジ12a, 12aにより電気的に分
離されている。一方、ｐ型GaAs基板１の下面には共通電
極７が形成されている。個別電極26は幅方向に並ぶ３個
の発光領域8a,8b,8cに亘って１個設けられており、交互
に異なる端部側へ引き出してある。その他の構成は図１
に示す構成と同様である。このような発光ダイオードア
レイ装置では、共通電極７，11, 11のいずれに通電を行
うかによってこれら発光領域8a,8b,8cのうちどの列を発
光させるかを選択することができる。即ち共通電極11を
選択すると電流は個別電極26，ｎ型GaAs層４，ｎ型GaAl
As層３，ｐ型GaAlAs層２，ｐ型GaAs層10及び選択された
共通電極11を経て流れ、共通電極７を選択すると電流は
個別電極26，ｎ型GaAs層４，ｎ型GaAlAs層３，ｐ型GaAl
As層２，ｐ型GaAs基板１及び選択された共通電極７を経
て流れ発光する。
であり、図４(a) は平面図を示し、図４(b) はこのVI−
VI線における断面図を示す。本実施例では発光領域列を
３列設けている。外側２列の発光領域8a…, 8c…は、ｐ
型GaAs基板１上に形成された絶縁性GaAs層12上にｐ型Ga
AlAs層２が形成されており、真ん中の列の発光領域8b…
はｐ型GaAs基板１上にｐ型GaAlAs層２が形成されてい
る。これら発光領域8a,8b,8cは絶縁性GaAs層12のエッチ
ングにより形成されたリッジ12a, 12aにより電気的に分
離されている。一方、ｐ型GaAs基板１の下面には共通電
極７が形成されている。個別電極26は幅方向に並ぶ３個
の発光領域8a,8b,8cに亘って１個設けられており、交互
に異なる端部側へ引き出してある。その他の構成は図１
に示す構成と同様である。このような発光ダイオードア
レイ装置では、共通電極７，11, 11のいずれに通電を行
うかによってこれら発光領域8a,8b,8cのうちどの列を発
光させるかを選択することができる。即ち共通電極11を
選択すると電流は個別電極26，ｎ型GaAs層４，ｎ型GaAl
As層３，ｐ型GaAlAs層２，ｐ型GaAs層10及び選択された
共通電極11を経て流れ、共通電極７を選択すると電流は
個別電極26，ｎ型GaAs層４，ｎ型GaAlAs層３，ｐ型GaAl
As層２，ｐ型GaAs基板１及び選択された共通電極７を経
て流れ発光する。
【００１６】図１及び図４に示す本発明装置では基板の
幅方向において同一線上に複数の発光領域を配設してい
るので、列毎の発光を制御すれば感光体ドラムの同一点
に光が照射される回数を変更することができ、濃淡の階
調を付けることが可能である。
幅方向において同一線上に複数の発光領域を配設してい
るので、列毎の発光を制御すれば感光体ドラムの同一点
に光が照射される回数を変更することができ、濃淡の階
調を付けることが可能である。
【００１７】図５は第２発明に係る実施例を示す平面図
である。構成は図１に示すものと同様であるが、発光領
域８の配設位置を素子の幅方向において千鳥状（互い違
い）にしたものである。この場合も図１の場合と同様、
２個の発光領域８毎に個別電極16を形成し、交互に異な
る端部側へ引き出している。図５に示す本発明装置では
基板の幅方向において千鳥状に発光領域を配設している
ので、列毎の発光を制御すれば解像度を上昇させること
が可能である。なお上述の全実施例においてｐ型，ｎ型
を入れ換えても同様の効果が得られる。
である。構成は図１に示すものと同様であるが、発光領
域８の配設位置を素子の幅方向において千鳥状（互い違
い）にしたものである。この場合も図１の場合と同様、
２個の発光領域８毎に個別電極16を形成し、交互に異な
る端部側へ引き出している。図５に示す本発明装置では
基板の幅方向において千鳥状に発光領域を配設している
ので、列毎の発光を制御すれば解像度を上昇させること
が可能である。なお上述の全実施例においてｐ型，ｎ型
を入れ換えても同様の効果が得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明に係る発光ダイオー
ドアレイ装置では、発光領域を複数列設け、個別電極を
この複数列に亘って複数個毎に設ける構成であるので、
電極パッド数を発光領域数より少なくすることができ
る。そしてこの複数列の各発光領域を個別電極の引き出
し方向において同一線上に配設すれば、列毎の発光を制
御して発光個数を異ならせることにより、濃淡の階調化
が図れる。またこの複数列の発光領域を個別電極の引き
出し方向において千鳥状に配設すれば、列毎の発光を制
御して発光個数を異ならせることにより、高解像度化が
実現する等、本発明は優れた効果を奏する。
ドアレイ装置では、発光領域を複数列設け、個別電極を
この複数列に亘って複数個毎に設ける構成であるので、
電極パッド数を発光領域数より少なくすることができ
る。そしてこの複数列の各発光領域を個別電極の引き出
し方向において同一線上に配設すれば、列毎の発光を制
御して発光個数を異ならせることにより、濃淡の階調化
が図れる。またこの複数列の発光領域を個別電極の引き
出し方向において千鳥状に配設すれば、列毎の発光を制
御して発光個数を異ならせることにより、高解像度化が
実現する等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の第１
実施例を示す模式図である。
実施例を示す模式図である。
【図２】図１に示す発光ダイオードアレイ装置の製造方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図３】図１に示す発光ダイオードアレイ装置の製造方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図４】本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の第２
実施例を示す模式図である。
実施例を示す模式図である。
【図５】本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の第３
実施例を示す模式図である。
実施例を示す模式図である。
【図６】従来の発光ダイオードアレイ装置を示す模式図
である。
である。
２ ｐ型GaAlAs層 ３ ｎ型GaAlAs層 ４ ｎ型GaAs層 ５ 絶縁層 ８ 発光領域 ９ 絶縁性GaAs基板 9a リッジ 10 ｐ型GaAs層 11 共通電極 16 個別電極
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に積層されたｐｎ接合層からなる
複数の発光領域を一方向に並設した発光領域列と、前記
発光領域からこの並設方向と交叉する方向に引き出して
配設する複数の個別電極と、複数の発光領域に共通する
共通電極とを備える発光ダイオードアレイ装置におい
て、前記発光領域列を複数有し、該発光領域列毎に設け
られ前記ｐｎ接合層の下側層と接する複数のコンタクト
層と、該複数のコンタクト層に接して設けられ各発光領
域列に独立に通電を行うための複数の共通電極とを備え
ることを特徴とする発光ダイオードアレイ装置。 - 【請求項２】 前記個別電極の引き出し方向の各発光領
域を千鳥状に配設してあることを特徴とする請求項１記
載の発光ダイオードアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30724292A JP3306130B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 発光ダイオードアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30724292A JP3306130B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 発光ダイオードアレイ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163980A true JPH06163980A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3306130B2 JP3306130B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17966751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30724292A Expired - Fee Related JP3306130B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 発光ダイオードアレイ装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3306130B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003020525A1 (fr) | 2001-08-29 | 2003-03-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Tete d'impression optique |
| WO2005117146A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sony Corporation | 光電変換素子アレイ、その集積装置及びこれらの実装構造、並びに光情報処理装置 |
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| CN110491974A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-11-22 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光元件及微型发光二极管元件基板 |
| US11380819B2 (en) | 2019-08-16 | 2022-07-05 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro light emitting diode and micro light emitting diode device substrate |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP30724292A patent/JP3306130B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2005340545A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sony Corp | 光電変換素子アレイ、その集積装置及びこれらの実装構造、並びに光情報処理装置 |
| US7622700B2 (en) | 2004-05-28 | 2009-11-24 | Sony Corporation | Photo-electric conversion apparatus with alternating photoelectric conversion elements |
| CN110024142A (zh) * | 2016-11-24 | 2019-07-16 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件和包括半导体器件的显示装置 |
| CN110024142B (zh) * | 2016-11-24 | 2023-02-17 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件和包括半导体器件的显示装置 |
| CN110491974A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-11-22 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光元件及微型发光二极管元件基板 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3306130B2 (ja) | 2002-07-24 |
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