JP2008112883A - 発光ダイオードアレイ及び発光ダイオードアレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光ダイオードアレイ製造のＳＯＧ塗布工程においてＳＯＧ塗布面の均一化が図れる発光ダイオードアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたメサ溝(31)を隔てて、発光部(1)とボンディングパット
部(8a,8c)とがそれぞれ配列された発光ダイオードアレイにおいて、メサ溝(31)に直交す
る方向に切断するためのダイシングエリア(41)に、メサ溝(31)を遮断するようにメサ段(50)が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオードアレイ及び発光ダイオードアレイの製造方法に関し、特に、電子写真方式のプリンタ光源に好適な発光ダイオードアレイ及びその製造方法に関する。

電子写真方式のプリンタでは、画像信号に応じた光により感光ドラム上に静電潜像を形成し、この静電潜像に対応したトナー像を紙に転写して複写する。静電潜像を形成するための光源としては、レーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が広く用いられている。特に発光ダイオードアレイ方式の光源は、レーザ方式のように光路長を長くとる必要がないため、小型プリンタの製造や大きなサイズの印刷に適している。

発光ダイオードアレイには、各発光ダイオードを個別に駆動させるＩＣを備える方式（スタティック駆動方式）と、複数個の発光ダイオード毎にブロック化し、スイッチ用のマトリクス配線を用いて時間分割駆動させ、駆動ＩＣやボンディング本数を削減する方式（ダイナミック駆動方式、またはマトリクス駆動方式と呼ばれる）が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。

図８は、従来の４分割ダイナミック駆動方式の発光ダイオードアレイの１セル（６４ｄｏｔの発光部１を有する）を示す上面図である。１チップは、４セル（６４ｄｏｔ×４＝２５６ｄｏｔ）、又は６セル（６４ｄｏｔ×６＝３８４ｄｏｔ）で構成されることが多く、図８には、発光ダイオードアレイの１セルのうち、各チップをチップ幅方向（縦方向）に切断するためのダイシングエリア４１を有するチップ最左端のセルを示す。図示省略するが、チップ最右端のセルにも、ダイシングエリア４１がチップ最左端のダイシングエリア４１と対称になるよう配置される。

基板上の各チップには、チップ長手方向に沿うメサ溝３１が形成され、メサ溝３１の一方側には発光部１が、他方側にはボンディングパッド部８ａ、８ｃがそれぞれ一列に配置されている。発光部１及びボンディングパッド部８ａ、８ｃは、基板上のエピタキシャル層をエッチングして形成されるメサ溝３１によって、個々に分割形成されたメサ段である。

各発光部１上面の一部にはカソード電極２、発光部１に近接するメサ溝３１上にはアノード電極３が形成され、また、アノード用ボンディングパッド部８ａ上にはアノード用ボンディングパッド６ａ、カソード用ボンディングパッド部８ｃ上にはカソード用ボンディングパッド６ｃが形成されている。更に、カソード電極２、アノード電極３およびボンディングパッド６ａ、６ｃに、チップ幅方向の縦配線（引き出し配線）によって接続される共通配線４がメサ溝３１上に形成されている。

基板上に多数配列させて形成された発光ダイオードアレイを各チップに切断するためのダイシングエリアが各チップの周囲に設けられている。ダイシングエリアは、メサ溝３１形成時にエピタキシャル層がエッチングにより除去され、メサ段下にある。図９は図８のＤ−Ｄ断面図（各チップのチップ長手方向の両端に設けられたダイシングエリア４１の断面図）であり、図９に示すように、ダイシングエリア４１は、基板１０上のエッチングストッパ層１２まで全域がエッチングされ平坦になっている。

特開２００４−２７３７４６号公報。 特開２００５−６４１０４号公報。 特開２００５−３４７６４０号公報。

ところで、上述した発光ダイオードアレイでは、チップ幅方向の縦配線（引き出し配線）を形成する際のエッチング残りを防ぐために、発光部１及びボンディングパッド部８ａ、８ｃのメサ段差による傾斜面を緩やかにするために、液体であるＳＯＧ(Spin On Glass)をスピンコータによって回転塗布した後、熱処理してＳＯＧ膜を形成する。

発光ダイオードアレイの各チップは、基板上に前後左右への繰り返しにより複数個並べて作り込まれ、各チップのメサ溝３１は、例えば、基板（ウェハ）１０のオリエンテーションフラットＯＦに平行に配置される（図１０）。従って、全域がメサ段下にあるダイシングエリア４１では、チップ長手方向に隣接する複数のチップのメサ溝３１が、基板１０上にオリエンテーションフラットＯＦに平行な連続的な直線溝を形成することになる。その結果、図１０に示すように、基板１０上にＳＯＧ液を滴下した時に、ＳＯＧ液が発光ダイオードアレイ形成領域に留まらずに、ＳＯＧ液がメサ溝３１に沿って基板１０の周縁部へと流れ出し、更には基板１０外に流れ落ち、スピンコータ回転後、基板１０上に均一にＳＯＧ液を塗布することが難しかった。

本発明は、上記課題を解決し、発光ダイオードアレイの製造プロセスにおけるＳＯＧ塗布工程においてＳＯＧ塗布面の均一化が図れる発光ダイオードアレイ及びその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様は、基板上に形成されたメサ溝を隔てて、発光部とボンディングパット部とがそれぞれ配列された発光ダイオードアレイにおいて、前記メサ溝に直交する方向に切断するためのダイシングエリアに、前記メサ溝を遮断するようにメサ段が形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイである。

本発明の第２の態様は、基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成され、メサ溝によって独立に分割形成された発光部及びボンディングパット部と、前記各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第一の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第二の電極と、前記メサ溝に形成され、かつ前記第一の電極、前記第二の電極および前記ボンディングパッド部の上面に形成されたボンディングパットに引き出し配線によって接続される共通配線と、を有する発光ダイオードアレイにおいて、前記メサ溝に直交する方向に切断するためのダイシングエリアに、前記メサ溝を遮断するようにメサ段が形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイである。

本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様において、前記メサ段が、連続的に配置された前記メサ溝を分断するように、各チップの両端部に設けられた前記ダイシングエリアに形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイである。

本発明の第４の態様は、基板上にエピタキシャル層を積層形成する工程と、前記エピタキシャル層をエッチングによるメサ溝により発光部とボンディングパッド部を分割形成する工程と、前記発光部及び前記ボンディングパッド部のメサ段差の傾斜面を緩やかにするためのＳＯＧ膜を形成する工程とを含む発光ダイオードアレイの製造方法において、前記メサ溝を形成する際に、前記メサ溝に直交する方向に切断するためのダイシングエリアに、前記メサ溝を遮断するようにメサ段を形成することを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法である。

本発明によれば、メサ溝に直交する方向に切断するためのダイシングエリアに、ＳＯＧ液の流れを塞き止めたり調節したりするＳＯＧ堰としての機能を有するメサ段を形成しているため、ＳＯＧ塗布膜厚の均一化が図れ、量産性に優れた発光ダイオードアレイが得られる。

以下に、本発明に係る発光ダイオードアレイ及びその製造方法の実施形態を図面を用いて説明する。

図１は本発明の一実施形態における１２００ｄｐｉの４分割ダイナミック駆動方式の発光ダイオードアレイの１セルを示す上面図であり、図１には、発光ダイオードアレイの１セルのうち、チップ幅方向（縦方向）に各チップを切断するためのダイシングエリア４１を有するチップ最左端のセルを示す。また、図２は基板上に配列形成される複数の発光ダイオードアレイチップの一部を示す上面図であり、図示のように、各チップの長手方向の両端にダイシングエリア４１が形成されている。また、図３は図１に示す発光ダイオードアレイの一部を拡大した上面図であり、図４は図３のＢ−Ｂ断面図であり、図５は図３のＣ−Ｃ断面図である。

この実施形態では、図１に示すように、発光ダイオードアレイの１セルには、４ドットの発光部（発光ダイオード部）１を１ブロックとし、１セル内に１６ブロック、全部で６４ドットの発光部１を有する。１チップは、４セル又は６セルからなる。また、カソード用ボンディングパッド６ｂの数とアノード用ボンディングパッド６ａの数との比は、１：４に設定されている。

基板１０上には、チップ長手方向に沿うメサ溝（第一メサ溝）３１が形成され、メサ溝３１の一方側には発光部１が、他方側にはボンディングパッド部８ａ、８ｃがそれぞれ一列に配置されている。発光部１及びボンディングパッド部８ａ、８ｃは、基板１０上に均一に形成されたエピタキシャル層をエッチングによるメサ溝３１によって、個々に島状に分割形成されたメサ段となっている。

発光部１は基板１０上に形成された導電層１１上に形成され、各発光部１上面の一部には第一の電極（カソード電極）２、発光部１に近接するメサ溝３１部の導電層１１上には第二の電極（アノード電極）３が形成されている。また、アノード用ボンディングパッド部８ａ上にはアノード用ボンディングパッド６ａ、カソード用ボンディングパッド部８ｃ上にはカソード用ボンディングパッド６ｃが形成されている。更に、カソード電極２、アノード電極３およびボンディングパッド６ａ、６ｃに、引き出し配線（チップ幅方向の縦配線）５ｃ、５ｋ、５ａによって接続されるスイッチ用共通配線４がメサ溝３１上に形成されている。

図３ないし図５に示すように、各カソード電極２は、カソード用引き出し配線５ｃによってスイッチ用共通配線４と個別に接続され、さらにスイッチ用共通配線４は共通配線用引き出し配線５ｋによりカソード用ボンディングパッド６ｃに接続されている。また、アノード電極３はブロック毎に分割された共通電極であり、各アノード電極３は、アノード用引き出し配線５ａによりアノード用ボンディングパッド６ａに接続されている。引き出し配線５ｃ，５ａ，５ｋは、絶縁膜をエッチングすることによって設けられたカソード用コンタクト孔７ｃ，アノード用コンタクト孔７ａ，共通電極用コンタクト孔７ｋにより、それぞれカソード電極２、カソード電極３及びスイッチ用共通配線４に接続している。

（ｉ）基板
基板１０は、発光ダイオード用に使用し得るものであれば特に限定されず、発光部１と電気的に絶縁できる構造であればよい。基板１０は、ｎ型基板でもｐ型基板でもよく、或いは半絶縁性ＧａＡｓ基板等の半絶縁性基板または絶縁性基板を用いてもよい。基板１０と導電層１１との間にアンドープＧａＡｓ層等の高抵抗層を設けて絶縁することもでき、また導電層１１に対して逆の極性を有する半導体層を設けて絶縁することもできる。

（ii）発光部
基板１０の導電層１１上に積層する化合物半導体の種類や結晶層の厚さは、所望の発光波長、発光出力及び駆動電圧を満足させるように適宜選択する。化合物半導体としては、たとえばＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ等を用いることができる。発光部１は、第１導電型のクラッド層、活性層及び第２導電型のクラッド層からなるダブルヘテロ構造を有するのが好ましく、導電層１１上に形成したエピタキシャル層をメサ溝により分割してなるのが好ましい。

図示の実施形態では、発光ダイオードアレイの発光部１は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０の上にｐ型ＧａＡｓ導電層１１を介して順次形成されたｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１４、ｎ型ＡＩＧａＡｓクラッド層１５及びｎ型ＧａＡｓキャップ層１６からなる。
ｎ型ＧａＡｓキャップ層１６は、発光部１表面の領域では、Ｔ字型の領域が残るようにエッチングされ、そのＴ字型のｎ型ＧａＡｓキャップ層１６上に、同形のＴ字型のカソード電極２が形成される。ｎ型ＧａＡｓキャップ層１６のエッチングされた領域（Ｔ字型以外の領域）は、発光面（光取り出し部）９となる。なお、カソード電極２の形状は、Ｔ字型に限定されず、凸型などでもよい。
上記発光部１のうち発光に直接関与する領域は、発光波長に対応するエネルギーバンドギャップを有するｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１４を、それよりもエネルギーバンドギャップの大きいｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３（第１導電型のクラッド層）及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１５（第２導電型のクラッド層）で挟んだ、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。

（iii）電極、配線及びボンディングパッド
第一及び第二の電極２，３の一方がカソード電極で、他方がアノード電極であればよく、たとえば第一の電極２について言えばカソード電極でもアノード電極でもよい。各電極２，３はボンディング特性、下層とのオーミック接続特性が要求される。例えば、アノード電極にＡｕＺｎ／Ｎｉ／ＡｕやＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の積層電極を使用し、カソード電極にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ等の積層電極を使用するのが好ましい。
第一の電極２等から引き出される引き出し配線５ａ、５ｃ、５ｋ、及び共通配線４はボンディング特性、上層・下層との密着性が良好であることが要求されるので、複数の金属層で構成されるのが好ましい。最上層・最下層には絶縁膜との接着性の良いＴｉ、Ｍｏ、ＴｉＷ等の金属層を有するのが好ましい。例えば、Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｕ／Ｍｏ、ＴｉＷ／Ａｕ／ＴｉＷなどの積層電極を使用することができる。
電極、配線及びボンディングパッドの金属層は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法、スパッタ法等で形成することができる。配線は絶縁膜上に形成され、絶縁膜（酸化物層）は各種公知の成膜方法で形成することができる。カソード、アノード金属層には、オーミック性を付与するために熱処理（合金化）をさらに施すのが好ましい。

（iv）メサ溝（メサエッチング溝）
個々独立の発光部１及びボンディングパッド部８（８ａ、８ｃ）を形成するために、第一メサ溝３１と第二メサ溝３２からなるメサ溝が設けられている。第一メサ溝３１は、発光部１とボンディングパッド部８を分離する目的でエッチングストッパ層１２まで達し、
第二メサ溝３２は、発光部１の各ブロックを電気的に分断する目的で導電層１１を除去して形成されている。
個々独立のボンディングパッド部８とすることにより、Ａｕ配線加工の際に第一メサ溝３１の傾斜面にＡｕ配線を残しても、ボンディングパッド間で短絡することがない。また、ボンディングパッド部８は、第一メサ溝３１の残し部分であるので、エッチング面積を増大させることがない。これによりローディング効果を避けることができ、同じく第一メサ溝３１の残し部分である発光部１の寸法制御が容易となる（特開２００４−２７３７４６参照）。
また、チップ幅方向の引き出し配線５ｃ，５ａ，５ｋを形成する際のエッチング残りを防ぐために、発光部１及びボンディングパッド部８ａ、８ｃのメサ段差による傾斜面を緩やかにするために、ＳＯＧ膜１９を形成している。

（ｖ）ダイシングエリア
また、第一メサ溝３１によって、基板上に多数配列させて形成された発光ダイオードアレイを各チップに切断するためのダイシングエリアが形成される。ダイシングエリアは、各チップを幅方向（縦方向）に切断するのダイシングエリア４１と、各チップを長手方向（横方向）に切断するためのダイシングエリア４２とからなる。

各チップの長手方向の両端部に設けられたダイシングエリア４１には、図１及び図１のＡ−Ａ断面図である図６に示すように、第一メサ溝３１を遮断するように、メサ段（メサ段部）５０が形成されている。メサ段５０は、第一メサ溝３１と同時に形成されるダイシングエリア４１のエッチング残し部分であり、エッチングストッパ層１２上に形成されている。メサ段５０は、ＳＯＧ塗布工程においてＳＯＧ液の流れを塞き止めたり、調節したりするＳＯＧ堰としての機能を発揮するものである。

チップ内にＳＯＧ液が滴下された時、メサ段である発光部１及びボンディングパッド部８ａ、８ｂはＳＯＧ堰となるが、第一メサ溝３１部にはＳＯＧ液の流れを遮るものがない。従って、従来のようにダイシングエリア４１にメサ段５０がないと、図２に示すように、発光ダイオードアレイの各チップは、基板上に前後左右への繰り返しにより複数個並べて配置されるので、チップ長手方向に隣接する複数のチップの第一メサ溝３１が連続的な直線溝を形成し、チップ内に滴下されたＳＯＧ液が、隣接する第一メサ溝３１に沿って抵抗なく流れ、基板１０周縁部へと拡がってしまう。

そこで、本実施形態では、各チップ長手方向両端のダイシングエリア４１にメサ段５０を設け、第一メサ溝３１方向のＳＯＧ液の流れをメサ段５０によってチップ毎に分断し、ＳＯＧ液を塞き止め、ＳＯＧ液がチップ内に一時的に留まるようにしている。このため、図７に示すように、基板（ウェハ）１０上にＳＯＧ液を滴下した時に、ＳＯＧ液が適量の厚みを持って素子形成領域内に留まり、スピンコータによる回転後、基板１０上にＳＯＧ液の均一な塗布面が得られる。よって、数μｍの大きな段差を持つ発光ダイオードアレイの製造プロセスに重要なＳＯＧ塗布工程において、ＳＯＧ塗布膜厚の均一性に優れたプロセスを実現でき、量産性の良い発光ダイオードアレイが得られる。

上記実施形態では、メサ段５０のチップ幅方向の寸法は、第一メサ溝３１の溝幅よりも少し大きくなっているが、最適なＳＯＧ液の流れが得られるように、メサ段５０のチップ幅方向の寸法を適宜増減したり、或いは、メサ段５０のチップ長手方向の寸法（メサ段の幅）を増減したりしてもよい。また、上記実施形態では、各ダイシングエリア４１に１個のメサ段５０を形成したが、分割された複数個のメサ段を形成してもよい。また、上記実施形態では、各チップ両端部の全てのダイシングエリア４１にメサ段５０を設けたが、一部のダイシングエリア４１にメサ段を設けるようにしてもよい。

なお、上記実施形態では、４つの発光部１を１ブロックとし共通配線４を４本とした４×４構造であるが、２×２構造、３×３構造、８×８構造…などでも良い。また、上記実施形態では、ダイナミック駆動方式の発光ダイオードアレイについて説明したが、本発明はスタティック駆動方式の発光ダイオードアレイにも適用することができる。

次に、発光ダイオードアレイ（上記実施形態の発光ダイオードアレイと同一構造を有する）の製造方法の一実施例に係る工程（ａ）〜工程（ｑ）を、図１ないし図５を用いて説明する。

（ａ）まず、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により、ｎ型ＧａＡｓ基板１０の上面に、ｐ型ＧａＡｓ導電層（キャリア濃度：４×１０^１９ｃｍ^−３、厚さ：１μｍ）１１、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層（キャリア濃度：３×１０^１８ｃｍ^−３、厚さ：５０ｎｍ）１２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（キャリア濃度：３×１０^１８ｃｍ^−３、厚さ：１μｍ）１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層（キャリア濃度：３×１０^１７ｃｍ^−３、厚さ：８００ｎｍ）１４、ｎ型ＡＩＧａＡｓクラッド層（キャリア濃度：２×１０^１８ｃｍ^−３、厚さ：２．５μｍ）１５、及びｎ型ＧａＡｓキャップ層（キャリア濃度：３×１０^１８ｃｍ^−３、厚さ：８００ｎｍ）１６を順次成長させる。次いで、結晶表面の上面全体を覆うように化学気相成長法（ＣＶＤ法）により絶縁膜を５００ｎｍ成長させる。
（ｂ）次に、カソード電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層構造）２を蒸着法とリフトオフ法により形成する。形成後、熱処理を施しＧａＡｓキャップ層１５とアロイ化する。このアロイ化した部分は後の水洗処理などで侵食されてしまうため、図示のようにさらに上面全体を覆うようにＣＶＤ法により絶縁膜を５０ｎｍ成長させ保護膜とする。
（ｃ）発光部１のうちカソード電極２に接触する一部分と、ボンディングパッド部８を残してｎ型ＧａＡｓキャップ層１６を除去する。
（ｄ）次いで、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２が露出する深さまで第一メサ溝３１を設けて、ｐ型ＧａＡｓ導電層１１上のエピタキシャル層を複数の発光部１に分割するとともに、発光部１と個々独立したボンディングパッド部８とダイシングエリア４１，４２を形成する。
（ｅ）アイソレーションをとる目的で、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２の一部をフッ酸水溶液で除去した後、更に、ｐ型ＧａＡｓ導電層１１を硫酸系エッチング液で除去し、第二メサ溝３２を形成する。本実施例の場合は４分割駆動のダイナミックアレイであるので、４つの発光部１を１ブロックとして、第二メサ溝３２を形成する。
（ｆ）次いで、アノード電極３部分のｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２をフッ酸水溶液で除去した後、ｐ型ＧａＡｓ導電層１１上にアノード電極（ＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕの積層構造）３を蒸着法及びリフトオフ法で形成する。
（ｇ）そして、ＣＶＤ法により、基板１０の上面全体を覆うように、ＳｉＯ_２の絶縁膜１７を成長させる。
（ｈ）共通配線（横配線）４を、例えばＭｏ／Ａｕ／Ｍｏ＝５０ｎｍ／１μｍ／５０ｎｍからなる金属層として、蒸着法とリフトオフ法で形成する。本実施例では４分割駆動なので４本の共通配線４となる。このとき同時にボンディングパッド部８上にも金属層（下部金属層６１）を残す。これにより、プロセス工程数を増加させることなく、ボンディングパッド６の下部金属層６１を形成できる。
（ｉ）ＣＶＤ法により、基板１０の上面全体を覆うように、ＳｉＯ_２の絶縁膜１８を成長させる。
（ｊ）更に、配線の加工を可能とする目的で、ＳＯＧ（Spin on Glass）を平面厚で１
００ｎｍから１.０μｍ厚で全面に塗布し、熱処理をして有機物を蒸発させてＳＯＧ膜１
９を形成した。その後、ＣＶＤ法により絶縁膜２０を成長させる。通常、段差が３μｍ以下の場合ＳＯＧを塗布した後、エッチバックを行うのが平坦化の公知技術であるが、本実施例のように段差が〜５μｍと大きい場合、エッチバックを行わない。
（ｋ）カソード電極２、アノード電極３、共通配線４を覆う、絶縁膜１７，１８、ＳＯＧ膜１９及び絶縁膜２０から成る多層絶縁膜に、コンタクト孔７ｃ、７ａ、７ｋをエッチングにより設ける。ここで同時にボンディングパッド部８の下部金属層６１上の多層絶縁膜も除去する。
（ｌ）Ｍｏ／Ａｕ／Ｍｏからなる金属層を、例えば５０ｎｍ／５００ｎｍ／５０ｎｍの層厚でスパッタにより、基板全面に堆積させる。
（ｍ）ＣＶＤ法により絶縁膜を成長させ、配線層の形状（引き出し配線とボンディングパッドの形状）にエッチングによって前記絶縁膜をパターンニングし、上記工程（ｌ）で堆積させた金属層の不要部分を露出させ、次工程イオンミリングのハードマスクとする。
（ｎ）イオンミリングによって、上記工程（ｍ）でパターンニングした絶縁膜と露出した金属層を無選択にエッチングし、引き出し配線５ｃ、５ｋ、５ａとボンディングパッド６ｃ、６ａの上部金属層６２とを同時に形成する。
（ｏ）ダイシングエリア４１，４２と発光面９上の多層絶縁膜をＣＨＦ_３／Ｏ_２など公知の混合ガスを用いたドライエッチングで除去する。
（ｐ）水分等の浸入を防ぐ目的で、ファイナルパッシペーションである絶縁膜２５を堆積する。
（ｑ）最後に、ボンディングパッド部８とダイシングエリア４１，４２の絶縁膜２５を除去すると共に、ボンディングパッド６の上部金属層６２の最上層であるＭｏを除去してＡｕを露出させる。

本発明に係る発光ダイオードアレイの一実施形態の１セルを示す上面図である。 図１の発光ダイオードアレイが基板上に配列された複数チップの一部を示す上面図である。 図１の発光ダイオードアレイの一部を拡大した上面図である。 図３のＢ−Ｂ断面図である。 図３のＣ−Ｃ断面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 本発明のスピンコータ回転前、ＳＯＧ滴下後のウェハ上のＳＯＧ液の拡がりの状態を示す上面図である。 従来の発光ダイオードアレイの１セルを示す上面図である。 図８のＤ−Ｄ断面図である。 従来のスピンコーダ回転前、ＳＯＧ滴下後のウェハ上のＳＯＧ液の拡がりの状態を示す上面図である。

符号の説明

１ 発光部
２ 第一の電極（カソード電極）
３ 第二の電極（アノード電極）
４ 共通配線（スイッチ用共通配線）
５ａ、５ｃ、５ｋ 引き出し配線
６ａ、６ｃ ボンディングパッド
８、８ａ、８ｃ ボンディングパッド部
１０ 基板（ｎ型ＧａＡｓ基板）
１１ 導電層（ｐ型ＧａＡｓ導電層）
１２ エッチングストッパ層
１９ ＳＯＧ膜
３１ 第一メサ溝
３２ 第二メサ溝
４１ ダイシングエリア
４２ ダイシングエリア
５０ メサ段

Claims (4)

1. 基板上に形成されたメサ溝を隔てて、発光部とボンディングパット部とがそれぞれ配列された発光ダイオードアレイにおいて、
   前記メサ溝に直交する方向に切断するためのダイシングエリアに、前記メサ溝を遮断するようにメサ段が形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
2. 基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成され、メサ溝によって独立に分割形成された発光部及びボンディングパット部と、前記各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第一の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第二の電極と、前記メサ溝に形成され、かつ前記第一の電極、前記第二の電極および前記ボンディングパッド部の上面に形成されたボンディングパットに引き出し配線によって接続される共通配線と、を有する発光ダイオードアレイにおいて、
   前記メサ溝に直交する方向に切断するためのダイシングエリアに、前記メサ溝を遮断するようにメサ段が形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
3. 前記メサ段が、連続的に配置された前記メサ溝を分断するように、各チップの両端部に設けられた前記ダイシングエリアに形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオードアレイ。
4. 基板上にエピタキシャル層を積層形成する工程と、前記エピタキシャル層をエッチングによるメサ溝により発光部とボンディングパッド部を分割形成する工程と、前記発光部及び前記ボンディングパッド部のメサ段差の傾斜面を緩やかにするためのＳＯＧ膜を形成する工程とを含む発光ダイオードアレイの製造方法において、
   前記メサ溝を形成する際に、前記メサ溝に直交する方向に切断するためのダイシングエリアに、前記メサ溝を遮断するようにメサ段を形成することを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。

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