JPH10284760A - 受発光ダイオードアレイチップの製造方法 - Google Patents
受発光ダイオードアレイチップの製造方法Info
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- JPH10284760A JPH10284760A JP9356297A JP9356297A JPH10284760A JP H10284760 A JPH10284760 A JP H10284760A JP 9356297 A JP9356297 A JP 9356297A JP 9356297 A JP9356297 A JP 9356297A JP H10284760 A JPH10284760 A JP H10284760A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハから各受発光ダイオードアレイチップ
を分離する際の層間絶縁膜の剥離を低減する。 【解決手段】 チップ短辺方向のチップ分離予定線Ｌ
１，Ｌ２上に相当する部分の層間絶縁膜を除去した後
に、ウエハから各チップを分離する。
を分離する際の層間絶縁膜の剥離を低減する。 【解決手段】 チップ短辺方向のチップ分離予定線Ｌ
１，Ｌ２上に相当する部分の層間絶縁膜を除去した後
に、ウエハから各チップを分離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、受発光ダイオー
ドアレイチップの製造方法に関するものである。なお、
この発明でいう受発光ダイオードとは、発光ダイオード
および受光ダイオードを総称する意味である。
ドアレイチップの製造方法に関するものである。なお、
この発明でいう受発光ダイオードとは、発光ダイオード
および受光ダイオードを総称する意味である。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードアレイは例えば電子写真
方式の光プリンタの光源等として使用されている。この
ような発光ダイオードアレイは、配線基板上に、多数の
発光ダイオードアレイチップを直線状に配置することに
より得られる。この発光ダイオードアレイチップ（以
下、「チップ」ともいう。）の製法として、例えば実開
平２−８０６７号公報（全文）の例えば第２頁に開示さ
れた方法がある。
方式の光プリンタの光源等として使用されている。この
ような発光ダイオードアレイは、配線基板上に、多数の
発光ダイオードアレイチップを直線状に配置することに
より得られる。この発光ダイオードアレイチップ（以
下、「チップ」ともいう。）の製法として、例えば実開
平２−８０６７号公報（全文）の例えば第２頁に開示さ
れた方法がある。
【０００３】この公報に開示の方法によれば、第１導電
型の半導体下地の、後にチップとして分離される複数領
域それぞれに、該下地を部分的に露出する多数の窓を所
定ピッチでアレイ状に有した層間絶縁膜（公報では表面
保護膜と記載されている）が形成される。次に、この層
間絶縁膜を拡散マスクとして用い、下地に第２導電型の
不純物拡散領域が形成される。次に、各不純物拡散領域
ごとの個別電極が、前記層間絶縁膜上に形成される。こ
のような処理が済んだ下地（以下、ウエハともいう）
を、次に、前記複数領域単位で分離して、各チップが得
られる。この公報では、層間絶縁膜の輪郭線を、分離工
程で用いる分離手段（典型的にはダイシングブレード）
の位置決めマークとして利用して、高精度の分離をして
いる。なお、層間絶縁膜が１層であると、層間絶縁膜に
ピンホールがあった場合、下地と個別電極とがショート
してしまう。これを防止するため、拡散マスクとして用
いた層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜をさらに設けるこ
とも、一般に行なわれている。
型の半導体下地の、後にチップとして分離される複数領
域それぞれに、該下地を部分的に露出する多数の窓を所
定ピッチでアレイ状に有した層間絶縁膜（公報では表面
保護膜と記載されている）が形成される。次に、この層
間絶縁膜を拡散マスクとして用い、下地に第２導電型の
不純物拡散領域が形成される。次に、各不純物拡散領域
ごとの個別電極が、前記層間絶縁膜上に形成される。こ
のような処理が済んだ下地（以下、ウエハともいう）
を、次に、前記複数領域単位で分離して、各チップが得
られる。この公報では、層間絶縁膜の輪郭線を、分離工
程で用いる分離手段（典型的にはダイシングブレード）
の位置決めマークとして利用して、高精度の分離をして
いる。なお、層間絶縁膜が１層であると、層間絶縁膜に
ピンホールがあった場合、下地と個別電極とがショート
してしまう。これを防止するため、拡散マスクとして用
いた層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜をさらに設けるこ
とも、一般に行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハをそ
れぞれの受発光ダイオードアレイチップに分離する際、
受発光部のピッチがＰであるとすると、チップ端の受発
光部の中心からチップ端までの距離、すなわち分離工程
終了後におけるチップ長手方向の端部での残し代は、Ｐ
／２以下にする必要がある（図５（Ｂ）参照）。こうし
ないと、多数のチップを並べて構成される受発光ダイオ
ードアレイにおいて、隣り合うチップの端同士の受発光
部のピッチをＰにすることができないからである。
れぞれの受発光ダイオードアレイチップに分離する際、
受発光部のピッチがＰであるとすると、チップ端の受発
光部の中心からチップ端までの距離、すなわち分離工程
終了後におけるチップ長手方向の端部での残し代は、Ｐ
／２以下にする必要がある（図５（Ｂ）参照）。こうし
ないと、多数のチップを並べて構成される受発光ダイオ
ードアレイにおいて、隣り合うチップの端同士の受発光
部のピッチをＰにすることができないからである。
【０００５】また、高分解能な受発光ダイオードアレイ
を実現しようとすればする程、受発光部のピッチＰはま
すます小さくされる。そのため、分離工程でのチップ長
手方向の端部の残し代もますます小さくされる。
を実現しようとすればする程、受発光部のピッチＰはま
すます小さくされる。そのため、分離工程でのチップ長
手方向の端部の残し代もますます小さくされる。
【０００６】しかしながら、上記のチップ端部の残し代
を小さくしてゆくと、詳細は後述するが、分離手段（ダ
イシングブレード）は、どうしても層間絶縁膜をも切断
しなければならなくなる。そのため、ダイシングブレー
ドが層間絶縁膜を引っかけるようになり、これが原因で
層間絶縁膜が剥離するという問題が生じ易くなる。これ
について、以下、図５（Ａ）〜（Ｃ）を参照して詳細に
説明する。
を小さくしてゆくと、詳細は後述するが、分離手段（ダ
イシングブレード）は、どうしても層間絶縁膜をも切断
しなければならなくなる。そのため、ダイシングブレー
ドが層間絶縁膜を引っかけるようになり、これが原因で
層間絶縁膜が剥離するという問題が生じ易くなる。これ
について、以下、図５（Ａ）〜（Ｃ）を参照して詳細に
説明する。
【０００７】ここで、図５（Ａ）は、各チップに分離す
る予定のウエハを、その一部に着目して示した平面図で
ある。また図５（Ｂ）、（Ｃ）は、図５（Ａ）のＰ部分
のＩ−Ｉ線断面を拡大して示した図である。ただし、図
５（Ｂ）、（Ｃ）では、図５（Ａ）で示した構成成分の
一部（個別電極等）について省略してある。然も、問題
点を説明する都合上、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）とは、そ
れぞれ異なる状況のウエハ（詳細は後述する）の断面図
を示し、然も、分離手段としてのダイシングブレード２
３も併せて示してある。この図５において、１１は第１
導電型の下地、１３は層間絶縁膜、１３ａは窓、１５は
各発光部用の第２導電型の不純物拡散領域、１７は層間
絶縁膜１３のエッジラインを利用したダイシングブレー
ドに対する位置決め用マーク、１９は位置決め用マーク
１７を形成したために発光部用の不純物拡散領域形成時
に形成された第２導電型不純物拡散領域（以下、不要な
不純物拡散領域１９ともいう。）、２１は個別電極を、
それぞれ示す。
る予定のウエハを、その一部に着目して示した平面図で
ある。また図５（Ｂ）、（Ｃ）は、図５（Ａ）のＰ部分
のＩ−Ｉ線断面を拡大して示した図である。ただし、図
５（Ｂ）、（Ｃ）では、図５（Ａ）で示した構成成分の
一部（個別電極等）について省略してある。然も、問題
点を説明する都合上、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）とは、そ
れぞれ異なる状況のウエハ（詳細は後述する）の断面図
を示し、然も、分離手段としてのダイシングブレード２
３も併せて示してある。この図５において、１１は第１
導電型の下地、１３は層間絶縁膜、１３ａは窓、１５は
各発光部用の第２導電型の不純物拡散領域、１７は層間
絶縁膜１３のエッジラインを利用したダイシングブレー
ドに対する位置決め用マーク、１９は位置決め用マーク
１７を形成したために発光部用の不純物拡散領域形成時
に形成された第２導電型不純物拡散領域（以下、不要な
不純物拡散領域１９ともいう。）、２１は個別電極を、
それぞれ示す。
【０００８】もちろん、ダイシングは、チップの長辺に
平行な方向（図５の右から左（左から右）にもなされる
が、ウエハをチップに分離する際のダイシングで高い精
度が必要とされるのは、チップの短辺方向に平行な方向
のダイシングであるので、ここではチップの短辺方向に
平行な方向のダイシングに着目する。
平行な方向（図５の右から左（左から右）にもなされる
が、ウエハをチップに分離する際のダイシングで高い精
度が必要とされるのは、チップの短辺方向に平行な方向
のダイシングであるので、ここではチップの短辺方向に
平行な方向のダイシングに着目する。
【０００９】既に説明したように、チップの短辺方向に
平行な方向についてウエハを分離する際は、分離後のチ
ップ長辺の端部の残り代は、Ｐ／２以下にする必要があ
る（図５（Ｂ）、（Ｃ）参照）。そこで、ダイシングに
当たっては、この条件を満たすように、ダイシングブレ
ード２３をウエハに対し、位置決め用マーク１７を利用
して位置決めする。すなわち、チップ端上に形成する層
間絶縁膜部分の幅Ｗ（図５（Ｃ）参照）を、Ｐ／２未満
の幅に狭くし、そして、該層間絶縁膜部分のエッジライ
ンを位置決め用マーク１７として利用して、位置決めし
てゆけば良いと考えられる。ところが、高分解能の受発
光ダイオードアレイを実現するためにＰを小さくする必
要が高まる程、上記の層間絶縁膜部分の幅Ｗは小さくな
る。すると、図５（Ｃ）に示したように、不要な不純物
拡散領域１９とチップ端の発光部用の不純物拡散領域１
５とが、つながってしまうので、今度はこれに起因する
別の問題が生じてしまう。したがって、拡散マスクをも
兼ねる層間絶縁膜であると、チップ端では、ある幅に層
間絶縁膜を設ける必要がある。しかし、一方では上記の
ごとくチップ長辺の端部の残り代はＰ／２以下にする必
要があるので、結局、ダイシングブレード２３は層間絶
縁膜１３を切断することになり、そのため、上述したよ
うにチップ端の層間絶縁膜の剥離が生じ易くなる。特
に、層間絶縁膜を第１の層間絶縁膜および第２の層間絶
縁膜で構成した場合、第１および第２の層間絶縁膜同士
の密着性は、下地と絶縁膜との密着性と比較して弱いの
で、第２の層間絶縁膜が剥離する問題が多発していた。
平行な方向についてウエハを分離する際は、分離後のチ
ップ長辺の端部の残り代は、Ｐ／２以下にする必要があ
る（図５（Ｂ）、（Ｃ）参照）。そこで、ダイシングに
当たっては、この条件を満たすように、ダイシングブレ
ード２３をウエハに対し、位置決め用マーク１７を利用
して位置決めする。すなわち、チップ端上に形成する層
間絶縁膜部分の幅Ｗ（図５（Ｃ）参照）を、Ｐ／２未満
の幅に狭くし、そして、該層間絶縁膜部分のエッジライ
ンを位置決め用マーク１７として利用して、位置決めし
てゆけば良いと考えられる。ところが、高分解能の受発
光ダイオードアレイを実現するためにＰを小さくする必
要が高まる程、上記の層間絶縁膜部分の幅Ｗは小さくな
る。すると、図５（Ｃ）に示したように、不要な不純物
拡散領域１９とチップ端の発光部用の不純物拡散領域１
５とが、つながってしまうので、今度はこれに起因する
別の問題が生じてしまう。したがって、拡散マスクをも
兼ねる層間絶縁膜であると、チップ端では、ある幅に層
間絶縁膜を設ける必要がある。しかし、一方では上記の
ごとくチップ長辺の端部の残り代はＰ／２以下にする必
要があるので、結局、ダイシングブレード２３は層間絶
縁膜１３を切断することになり、そのため、上述したよ
うにチップ端の層間絶縁膜の剥離が生じ易くなる。特
に、層間絶縁膜を第１の層間絶縁膜および第２の層間絶
縁膜で構成した場合、第１および第２の層間絶縁膜同士
の密着性は、下地と絶縁膜との密着性と比較して弱いの
で、第２の層間絶縁膜が剥離する問題が多発していた。
【００１０】層間絶縁膜の剥離が発光部用の不純物拡散
領域１５まで及ぶと、その発光部の発光出力が他の発光
部と異なることになり、そのため、例えば光プリンタの
印字品質を低下させてしまう。また、上記剥離が個別電
極２１まで及んだ場合、個別電極２１と下地１１とがシ
ョートする不良が生じてしまい、チップの製造歩留が低
下してしまう。
領域１５まで及ぶと、その発光部の発光出力が他の発光
部と異なることになり、そのため、例えば光プリンタの
印字品質を低下させてしまう。また、上記剥離が個別電
極２１まで及んだ場合、個別電極２１と下地１１とがシ
ョートする不良が生じてしまい、チップの製造歩留が低
下してしまう。
【００１１】従って、多数の受発光ダイオードが作り込
まれたウエハから各受発光ダイオードアレイチップを分
離する際の層間絶縁膜の剥離が、従来に比べて生じにく
い、受発光ダイオードアレイチップの製造方法が望まれ
る。
まれたウエハから各受発光ダイオードアレイチップを分
離する際の層間絶縁膜の剥離が、従来に比べて生じにく
い、受発光ダイオードアレイチップの製造方法が望まれ
る。
【００１２】
（１）そこで、この発明によれば、第１導電型の半導体
下地の、後にチップとして分離される複数の領域（以
下、チップ領域ともいう。）上それぞれに、該下地を部
分的に露出する多数の窓を所定ピッチでアレイ状に有し
た層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜を選択拡
散マスクとして用い、前記下地に受発光部用の第２導電
型の不純物拡散領域を形成する工程と、前記層間絶縁膜
上に、各受発光部用の個別電極を形成する工程と、これ
ら各工程の後に実施され前記下地を前記複数領域単位に
チップ化する分離工程と、を含む受発光ダイオードアレ
イチップの製造方法において、前記層間絶縁膜の、少な
くともチップ短辺方向のチップ分離予定線上に相当する
部分でかつ前記チップ領域における端の受発光部の近傍
部分を除去する工程を、前記分離工程の前に含むことを
特徴とする。
下地の、後にチップとして分離される複数の領域（以
下、チップ領域ともいう。）上それぞれに、該下地を部
分的に露出する多数の窓を所定ピッチでアレイ状に有し
た層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜を選択拡
散マスクとして用い、前記下地に受発光部用の第２導電
型の不純物拡散領域を形成する工程と、前記層間絶縁膜
上に、各受発光部用の個別電極を形成する工程と、これ
ら各工程の後に実施され前記下地を前記複数領域単位に
チップ化する分離工程と、を含む受発光ダイオードアレ
イチップの製造方法において、前記層間絶縁膜の、少な
くともチップ短辺方向のチップ分離予定線上に相当する
部分でかつ前記チップ領域における端の受発光部の近傍
部分を除去する工程を、前記分離工程の前に含むことを
特徴とする。
【００１３】ここで、「チップ分離予定線」とは、分離
手段（典型的にはダイシングブレード）の位置合わせ精
度も考慮した上での分離手段が分離工程でウエハを切断
する領域とする。
手段（典型的にはダイシングブレード）の位置合わせ精
度も考慮した上での分離手段が分離工程でウエハを切断
する領域とする。
【００１４】また、端の受発光部の近傍の「近傍」と
は、層間絶縁膜の剥離が生じた場合にそれがチップ領域
の端の受発光部（不純物拡散領域）に影響するような領
域をいう。具体的には、受発光ダイオードアレイの設計
に応じ実験的、経験的に決める。
は、層間絶縁膜の剥離が生じた場合にそれがチップ領域
の端の受発光部（不純物拡散領域）に影響するような領
域をいう。具体的には、受発光ダイオードアレイの設計
に応じ実験的、経験的に決める。
【００１５】この発明の構成によれば、分離工程の前迄
に、分離手段（例えばダイシングブレード）が通る領域
のうちの少なくともチップの短辺に沿う領域であってチ
ップ領域端の受発光部に近い領域の層間絶縁膜は除去さ
れる。したがって、少なくともチップの短辺を分離する
際に、少なくともチップ端の受発光部に近い領域の層間
絶縁膜が分離手段によって切断されることはない。その
ため、受発光部近傍での分離手段に起因する層間絶縁膜
の剥離を防止することができる。
に、分離手段（例えばダイシングブレード）が通る領域
のうちの少なくともチップの短辺に沿う領域であってチ
ップ領域端の受発光部に近い領域の層間絶縁膜は除去さ
れる。したがって、少なくともチップの短辺を分離する
際に、少なくともチップ端の受発光部に近い領域の層間
絶縁膜が分離手段によって切断されることはない。その
ため、受発光部近傍での分離手段に起因する層間絶縁膜
の剥離を防止することができる。
【００１６】（２）また、この出願では、より具体的な
発明として、以下の（ａ）〜（ｅ）の各工程を含む受発
光ダイオードアレイチップの製造方法も主張する。
発明として、以下の（ａ）〜（ｅ）の各工程を含む受発
光ダイオードアレイチップの製造方法も主張する。
【００１７】（ａ）第１導電型の半導体下地の、後にチ
ップとして分離される複数の領域（チップ領域）上それ
ぞれに、該下地を部分的に露出する多数の窓を所定ピッ
チでアレイ状に有した第１の層間絶縁膜を形成する工
程。
ップとして分離される複数の領域（チップ領域）上それ
ぞれに、該下地を部分的に露出する多数の窓を所定ピッ
チでアレイ状に有した第１の層間絶縁膜を形成する工
程。
【００１８】（ｂ）拡散マスクとして少なくとも前記第
１の層間絶縁膜を用い、前記下地に受発光部用の第２導
電型の不純物拡散領域を形成する工程。
１の層間絶縁膜を用い、前記下地に受発光部用の第２導
電型の不純物拡散領域を形成する工程。
【００１９】（ｃ）前記第１の層間絶縁膜上に、第２の
層間絶縁膜であって、前記第１の層間絶縁膜が有する多
数の窓に対応する部分が窓とされ、然も、後に行なわれ
る分離工程での少なくともチップ短辺方向のチップ分離
予定線上に相当する部分でかつ前記チップ領域端の受発
光部の近傍部分が除去されている第２の層間絶縁膜を形
成する工程。
層間絶縁膜であって、前記第１の層間絶縁膜が有する多
数の窓に対応する部分が窓とされ、然も、後に行なわれ
る分離工程での少なくともチップ短辺方向のチップ分離
予定線上に相当する部分でかつ前記チップ領域端の受発
光部の近傍部分が除去されている第２の層間絶縁膜を形
成する工程。
【００２０】（ｄ）該第２の層間絶縁膜上に、一部が前
記不純物拡散領域に接する個別電極を形成する工程。
記不純物拡散領域に接する個別電極を形成する工程。
【００２１】（ｅ）前記各工程の後に実施され前記下地
を前記複数領域単位に分離してチップ化する分離工程。
を前記複数領域単位に分離してチップ化する分離工程。
【００２２】この具体的な発明の構成によれば、分離工
程の前迄に、分離手段（例えばダイシングブレード）が
通る領域のうちの少なくともチップの短辺に沿う領域で
あってチップ領域端の受発光部に近い領域の第２の層間
絶縁膜は除去される。したがって、少なくともチップの
短辺を分離する際に、少なくともチップ領域端の受発光
部に近い領域の第２の層間絶縁膜が分離手段によって切
断されることはない。そのため、受発光部近傍での分離
手段に起因する第２の層間絶縁膜の剥離を防止すること
ができる。
程の前迄に、分離手段（例えばダイシングブレード）が
通る領域のうちの少なくともチップの短辺に沿う領域で
あってチップ領域端の受発光部に近い領域の第２の層間
絶縁膜は除去される。したがって、少なくともチップの
短辺を分離する際に、少なくともチップ領域端の受発光
部に近い領域の第２の層間絶縁膜が分離手段によって切
断されることはない。そのため、受発光部近傍での分離
手段に起因する第２の層間絶縁膜の剥離を防止すること
ができる。
【００２３】したがって、層間絶縁膜として２層構造の
層間絶縁膜を用いる場合であって、密着力が比較的弱い
第２の層間絶縁膜が分離手段に起因して剥離する問題
を、防止することができる。
層間絶縁膜を用いる場合であって、密着力が比較的弱い
第２の層間絶縁膜が分離手段に起因して剥離する問題
を、防止することができる。
【００２４】（３）また、この出願では、より具体的な
別の発明として、以下の〜の各工程を含む受発光ダ
イオードアレイチップの製造方法も主張する。
別の発明として、以下の〜の各工程を含む受発光ダ
イオードアレイチップの製造方法も主張する。
【００２５】：第１導電型の半導体下地の、後にチッ
プとして分離される複数の領域（チップ領域）上それぞ
れに、該下地を部分的に露出する多数の窓を所定ピッチ
でアレイ状に有した第１の層間絶縁膜を形成する工程。
プとして分離される複数の領域（チップ領域）上それぞ
れに、該下地を部分的に露出する多数の窓を所定ピッチ
でアレイ状に有した第１の層間絶縁膜を形成する工程。
【００２６】：拡散マスクとして少なくとも前記第１
の層間絶縁膜を用い、前記下地に第２導電型の不純物拡
散領域を形成する工程。
の層間絶縁膜を用い、前記下地に第２導電型の不純物拡
散領域を形成する工程。
【００２７】：前記第１の層間絶縁膜上に、第２の層
間絶縁膜であって、前記第１の層間絶縁膜が有する多数
の窓に対応する部分が窓とされ、然も、後に行なわれる
分離工程での少なくともチップ短辺方向のチップ分離予
定線上に相当する部分でかつ前記チップ領域端の受発光
部の近傍部分が除去されている第２の層間絶縁膜を形成
する工程。
間絶縁膜であって、前記第１の層間絶縁膜が有する多数
の窓に対応する部分が窓とされ、然も、後に行なわれる
分離工程での少なくともチップ短辺方向のチップ分離予
定線上に相当する部分でかつ前記チップ領域端の受発光
部の近傍部分が除去されている第２の層間絶縁膜を形成
する工程。
【００２８】：該第２の層間絶縁膜上に、一部が前記
不純物拡散領域に接する個別電極を形成する工程。
不純物拡散領域に接する個別電極を形成する工程。
【００２９】：前記不純物拡散領域形成後に実施さ
れ、前記第１の層間絶縁膜の、後に行なわれる分離工程
での少なくともチップ短辺方向のチップ分離予定線上に
相当する部分でかつ前記チップ領域端の前記受発光部の
近傍部分を除去する工程。
れ、前記第１の層間絶縁膜の、後に行なわれる分離工程
での少なくともチップ短辺方向のチップ分離予定線上に
相当する部分でかつ前記チップ領域端の前記受発光部の
近傍部分を除去する工程。
【００３０】：前記各工程の後に実施され前記下地を
前記複数領域単位に分離してチップ化する分離工程。
前記複数領域単位に分離してチップ化する分離工程。
【００３１】この具体的な他の発明の構成によれば、分
離工程の前迄に、分離手段（例えばダイシングブレー
ド）が通る領域のうちの少なくともチップ短辺に沿う領
域であってチップ領域端の受発光部に近い領域の第１お
よび第２の層間絶縁膜は除去される。したがって、少な
くともチップの短辺を分離する際に、少なくともチップ
領域端の受発光部に近い領域の第１および第２の層間絶
縁膜が分離手段によって切断されることはない。そのた
め、受発光部近傍での分離手段に起因する第１および第
２の層間絶縁膜の剥離を防止することができる。
離工程の前迄に、分離手段（例えばダイシングブレー
ド）が通る領域のうちの少なくともチップ短辺に沿う領
域であってチップ領域端の受発光部に近い領域の第１お
よび第２の層間絶縁膜は除去される。したがって、少な
くともチップの短辺を分離する際に、少なくともチップ
領域端の受発光部に近い領域の第１および第２の層間絶
縁膜が分離手段によって切断されることはない。そのた
め、受発光部近傍での分離手段に起因する第１および第
２の層間絶縁膜の剥離を防止することができる。
【００３２】しかも、第１の層間絶縁膜の前記除去は、
不純物拡散領域を形成した後に行なう。したがって、拡
散マスクも兼ねる第１の層間絶縁膜は、不純物拡散領域
を形成する際は、チップ領域端を充分に覆った状態にで
きる。すなわち、図５（Ｃ）を用いて説明した受発光部
用の不純物拡散領域１５と不要な不純物拡散領域１９と
がつながることがないように、チップ領域端を充分に覆
うように、第１の層間絶縁膜を形成することが出来る。
不純物拡散領域を形成した後に行なう。したがって、拡
散マスクも兼ねる第１の層間絶縁膜は、不純物拡散領域
を形成する際は、チップ領域端を充分に覆った状態にで
きる。すなわち、図５（Ｃ）を用いて説明した受発光部
用の不純物拡散領域１５と不要な不純物拡散領域１９と
がつながることがないように、チップ領域端を充分に覆
うように、第１の層間絶縁膜を形成することが出来る。
【００３３】なお、この出願の各発明の実施に当たり、
前記分離工程でのチップ短辺に沿う分離予定線上に相当
する部分と並ぶ部分上に、前記分離工程で該層間絶縁膜
に剥離が生じた場合の該剥離のチップ側への進行を阻止
する島状のパターンを、該分離予定線に沿って形成する
工程を、前記分離工程よりも前に設けるのが好ましい。
前記分離工程でのチップ短辺に沿う分離予定線上に相当
する部分と並ぶ部分上に、前記分離工程で該層間絶縁膜
に剥離が生じた場合の該剥離のチップ側への進行を阻止
する島状のパターンを、該分離予定線に沿って形成する
工程を、前記分離工程よりも前に設けるのが好ましい。
【００３４】この出願に係る発明者の実験によれば、島
状のパターンとして個別電極と同じ材料の金属膜のパタ
ーンを設けたところ、その近傍で層間絶縁膜の剥離が生
じても、該金属膜のパターンにより剥離の進行が防止さ
れることを確認している。島状の金属膜のパターンが、
層間絶縁膜の剥離の進行を低減できる理由は、島状の金
属膜のパターンが、層間絶縁膜に対し重りの作用をする
ためと推定される。もちろん、島状のパターンの構成材
料は、金属以外の他の好適な材料でも良いと考えられ
る。
状のパターンとして個別電極と同じ材料の金属膜のパタ
ーンを設けたところ、その近傍で層間絶縁膜の剥離が生
じても、該金属膜のパターンにより剥離の進行が防止さ
れることを確認している。島状の金属膜のパターンが、
層間絶縁膜の剥離の進行を低減できる理由は、島状の金
属膜のパターンが、層間絶縁膜に対し重りの作用をする
ためと推定される。もちろん、島状のパターンの構成材
料は、金属以外の他の好適な材料でも良いと考えられ
る。
【００３５】なお、島状のパターンを形成する際は、も
ちろん、チップ端の第２の不純物拡散領域に島状のパタ
ンがかからないよう形成する。
ちろん、チップ端の第２の不純物拡散領域に島状のパタ
ンがかからないよう形成する。
【００３６】ここで、島状の金属膜のパターンは、個別
電極形成工程にて同時に形成するのが好ましい。こうす
ると、島状の金属膜のパターンの形成工程を特別に設け
る必要がないので、受発光ダイオードアレイチップの製
造工程を複雑化することなく、島状の金属膜のパターン
を形成することができる。
電極形成工程にて同時に形成するのが好ましい。こうす
ると、島状の金属膜のパターンの形成工程を特別に設け
る必要がないので、受発光ダイオードアレイチップの製
造工程を複雑化することなく、島状の金属膜のパターン
を形成することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。しかしながら、説明に用
いる各図はこの発明を理解出来る程度に概略的に示して
あるにすぎない。また、各図において同様の構成成分に
ついては同一の番号を付して示し、その重複する説明を
省略することもある。また、以下の説明では受発光ダイ
オードの１種である発光ダイオードアレイチップ（以
下、「チップ」と称することもある。）を製造する例
に、本出願の各発明を適用した例を説明する。
実施の形態について説明する。しかしながら、説明に用
いる各図はこの発明を理解出来る程度に概略的に示して
あるにすぎない。また、各図において同様の構成成分に
ついては同一の番号を付して示し、その重複する説明を
省略することもある。また、以下の説明では受発光ダイ
オードの１種である発光ダイオードアレイチップ（以
下、「チップ」と称することもある。）を製造する例
に、本出願の各発明を適用した例を説明する。
【００３８】１．第１の実施の形態 先ず、層間絶縁膜を第１および第２の層間絶縁膜による
積層膜とする場合で、かつ、チップ分離工程での第２の
層間絶縁膜の剥離を防止する発明の実施形態について説
明する。この説明を図１を参照して行なう。ここで図１
は、製造工程中の主な工程での試料の様子を、後にチッ
プとして分離される２つの領域Ｉ，IIに着目した一部平
面図により示した工程図である。
積層膜とする場合で、かつ、チップ分離工程での第２の
層間絶縁膜の剥離を防止する発明の実施形態について説
明する。この説明を図１を参照して行なう。ここで図１
は、製造工程中の主な工程での試料の様子を、後にチッ
プとして分離される２つの領域Ｉ，IIに着目した一部平
面図により示した工程図である。
【００３９】先ず、第１導電型の半導体下地１１（以
下、下地１１ともいう。）を用意する。下地１１は、こ
れに限られないが、例えば、ｎ型のＧａＡｓ基板と、こ
の基板上にエピタキシャル成長させたＧａＡｓＰ層また
はＧａＡｌＡｓ層とで構成した下地とする。
下、下地１１ともいう。）を用意する。下地１１は、こ
れに限られないが、例えば、ｎ型のＧａＡｓ基板と、こ
の基板上にエピタキシャル成長させたＧａＡｓＰ層また
はＧａＡｌＡｓ層とで構成した下地とする。
【００４０】次に、この下地１１の、後にチップとして
分離される複数の領域（チップ領域ともいう。）上それ
ぞれに、該下地１１を部分的に露出する多数の窓１３ａ
を所定ピッチでアレイ状に有した第１の層間絶縁膜１３
を形成する（図１（Ａ））。
分離される複数の領域（チップ領域ともいう。）上それ
ぞれに、該下地１１を部分的に露出する多数の窓１３ａ
を所定ピッチでアレイ状に有した第１の層間絶縁膜１３
を形成する（図１（Ａ））。
【００４１】この第１の層間絶縁膜１３は、複数のチッ
プ領域に連続する膜の場合があっても良い。しかし、こ
の実施の形態では、チップ領域ごとに区分けされた状態
としてある。然も、後に形成される発光部用の第２導電
型不純物拡散領域のうちのチップ端の不純物拡散領域
と、第１の層間絶縁膜１３の周囲に形成される第２導電
型の不純物拡散領域とがつながること（図５（Ｃ）のよ
うな状態になること）を防止するため、第１の層間絶縁
膜１３は、そのチップ領域端の発光部の近傍部分でチッ
プ領域より外側に張り出すよう（図１（Ａ）中Ｒで示
す。）形成してある。そして、この張り出した部分Ｒ以
外の第１の層間絶縁１３のエッジラインを、後に行なわ
れる分離工程で用いられる分離手段ここではダイシング
ブレードと、下地１１との位置決め用マークとして利用
する。
プ領域に連続する膜の場合があっても良い。しかし、こ
の実施の形態では、チップ領域ごとに区分けされた状態
としてある。然も、後に形成される発光部用の第２導電
型不純物拡散領域のうちのチップ端の不純物拡散領域
と、第１の層間絶縁膜１３の周囲に形成される第２導電
型の不純物拡散領域とがつながること（図５（Ｃ）のよ
うな状態になること）を防止するため、第１の層間絶縁
膜１３は、そのチップ領域端の発光部の近傍部分でチッ
プ領域より外側に張り出すよう（図１（Ａ）中Ｒで示
す。）形成してある。そして、この張り出した部分Ｒ以
外の第１の層間絶縁１３のエッジラインを、後に行なわ
れる分離工程で用いられる分離手段ここではダイシング
ブレードと、下地１１との位置決め用マークとして利用
する。
【００４２】なお、チップ端の発光部に不要な不純物拡
散領域がつながることを第１の層間絶縁膜１３の張り出
し部分Ｒによって防止できるから、層間絶縁膜１３の張
り出し部分Ｒ以外の部分のエッジラインの位置を、チッ
プ分離後のチップの残り代がＰ／２以下になるような位
置に、設定することができる。
散領域がつながることを第１の層間絶縁膜１３の張り出
し部分Ｒによって防止できるから、層間絶縁膜１３の張
り出し部分Ｒ以外の部分のエッジラインの位置を、チッ
プ分離後のチップの残り代がＰ／２以下になるような位
置に、設定することができる。
【００４３】ここで、この第１の層間絶縁膜１３の構成
材料は、任意好適なものとできる。これに限られない
が、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）とする。
材料は、任意好適なものとできる。これに限られない
が、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）とする。
【００４４】またこの第１の層間絶縁膜１３の膜厚は、
それが薄すぎると窓１３ａから露出する下地部分以外の
部分への不純物拡散を防止するという拡散マスクの機能
が得られず、厚すぎると該膜１３自体にクラックが生じ
たり該膜１３自体のパターニング加工の加工性が低下す
る。そこでこの第１の層間絶縁膜１３の膜厚は例えば２
００ｎｍ程度とするのが良い。
それが薄すぎると窓１３ａから露出する下地部分以外の
部分への不純物拡散を防止するという拡散マスクの機能
が得られず、厚すぎると該膜１３自体にクラックが生じ
たり該膜１３自体のパターニング加工の加工性が低下す
る。そこでこの第１の層間絶縁膜１３の膜厚は例えば２
００ｎｍ程度とするのが良い。
【００４５】次に、第１の層間絶縁膜１３を拡散マスク
として用い、前記下地に発光部用の第２導電型の不純物
拡散領域１５を形成する（同じく図１（Ａ））。この拡
散工程は、窓１３ａから露出する下地部分に、公知の方
法で第２導電型不純物（例えばＺｎ）を導入することに
より行なう。
として用い、前記下地に発光部用の第２導電型の不純物
拡散領域１５を形成する（同じく図１（Ａ））。この拡
散工程は、窓１３ａから露出する下地部分に、公知の方
法で第２導電型不純物（例えばＺｎ）を導入することに
より行なう。
【００４６】ここで、第１の層間絶縁膜１３を得るため
の該膜形成用絶縁膜をパターニングした際に該絶縁膜に
ピンホールが発生し、第１の層間絶縁膜１３がピンホー
ルを有した膜となった場合、このピンホール下の下地部
分にも拡散工程で第２導電型不純物領域が形成されてし
まう。そして、この予定領域以外の第２導電型不純物領
域上に、発光部用の個別電極が及んだ場合は、発光部以
外の領域に電流が流れ込むので、電流の短絡による不良
や発光部の光量不足不良等を招く。そこで、第１の層間
絶縁膜１３にピンホールが生じた場合でも層間絶縁膜の
絶縁性を確保してチップ生産の歩留を向上させるため
に、第１の層間絶縁膜１３上に第２の層間絶縁膜３１を
形成する（図１（Ｂ））。
の該膜形成用絶縁膜をパターニングした際に該絶縁膜に
ピンホールが発生し、第１の層間絶縁膜１３がピンホー
ルを有した膜となった場合、このピンホール下の下地部
分にも拡散工程で第２導電型不純物領域が形成されてし
まう。そして、この予定領域以外の第２導電型不純物領
域上に、発光部用の個別電極が及んだ場合は、発光部以
外の領域に電流が流れ込むので、電流の短絡による不良
や発光部の光量不足不良等を招く。そこで、第１の層間
絶縁膜１３にピンホールが生じた場合でも層間絶縁膜の
絶縁性を確保してチップ生産の歩留を向上させるため
に、第１の層間絶縁膜１３上に第２の層間絶縁膜３１を
形成する（図１（Ｂ））。
【００４７】この第２の層間絶縁膜３１は、第１の層間
絶縁膜１３が有する窓１３ａに対応する窓を具える。し
かも、この発明では、後に行なわれる分離工程での少な
くともチップ短辺方向のチップ分離予定線Ｌ１やＬ２
（図１（Ｂ）参照）上に相当する部分でかつチップ領域
Ｉ，IIの端の発光部（不純物拡散領域）の近傍部分に絶
縁膜が存在しないように、第２の層間絶縁膜３１を形成
する。すなわち、少なくともチップ分離予定線Ｌ１（Ｌ
２）に沿う部分でかつチップ領域端の発光部近傍では、
第２の層間絶縁膜３１の縁が、第１の層間絶縁膜１３の
縁に対し、分離手段がかからない程度、チップ中心側に
後退した状態に、第２の層間絶縁膜３１を形成する。た
だし、この実施の形態では、第２の層間絶縁膜３１の全
体が、分離手段がかからない程度に第１の層間絶縁膜１
３に比べて内側になるように、第２の層間絶縁膜３１を
形成してある。
絶縁膜１３が有する窓１３ａに対応する窓を具える。し
かも、この発明では、後に行なわれる分離工程での少な
くともチップ短辺方向のチップ分離予定線Ｌ１やＬ２
（図１（Ｂ）参照）上に相当する部分でかつチップ領域
Ｉ，IIの端の発光部（不純物拡散領域）の近傍部分に絶
縁膜が存在しないように、第２の層間絶縁膜３１を形成
する。すなわち、少なくともチップ分離予定線Ｌ１（Ｌ
２）に沿う部分でかつチップ領域端の発光部近傍では、
第２の層間絶縁膜３１の縁が、第１の層間絶縁膜１３の
縁に対し、分離手段がかからない程度、チップ中心側に
後退した状態に、第２の層間絶縁膜３１を形成する。た
だし、この実施の形態では、第２の層間絶縁膜３１の全
体が、分離手段がかからない程度に第１の層間絶縁膜１
３に比べて内側になるように、第２の層間絶縁膜３１を
形成してある。
【００４８】この第２の層間絶縁膜３１の構成材料は、
第１の層間絶縁膜に対し選択的なエッチングができる材
料とする。これに限られないが、例えばＳｉＮ（窒化シ
リコン）を用いることができる。
第１の層間絶縁膜に対し選択的なエッチングができる材
料とする。これに限られないが、例えばＳｉＮ（窒化シ
リコン）を用いることができる。
【００４９】また、第２の層間絶縁膜３１の膜厚は、層
間絶縁膜としての絶縁性が確保できる厚さであれば良
く、例えば１００ｎｍ程度でも良い。
間絶縁膜としての絶縁性が確保できる厚さであれば良
く、例えば１００ｎｍ程度でも良い。
【００５０】第２の層間絶縁膜３１の、少なくともチッ
プ分離予定線Ｌ１（Ｌ２）上に相当する部分であってチ
ップ領域端の発光部の近傍部分を除去する理由は、具体
的には、次のことである。
プ分離予定線Ｌ１（Ｌ２）上に相当する部分であってチ
ップ領域端の発光部の近傍部分を除去する理由は、具体
的には、次のことである。
【００５１】発光ダイオードアレイでは、発光ダイオー
ドアレイチップを一例に並べるので、既に説明した通
り、分離後のチップの長手方向端部の残り代は、発光部
のピッチがＰであるとき、Ｐ／２以下とする必要があ
る。そのため、チップ短辺方向に沿う分離（ダイシン
グ）は、チップ端の発光部に極めて近い箇所で行われ
る。例えば、１２００ＤＰＩの解像度の発光ダイオード
アレイの場合は、発光部のピッチは約２１μｍである。
すると、チップのつなぎ目での発光部のピッチを２１μ
ｍとするためには、分離後のチップの長手方向端部の残
り代が１０．５μｍ以下になるようにダイシングする必
要がある。そのため、もしチップ端の発光部近傍で層間
絶縁膜の剥離が生じると、それは発光部に顕著に影響す
る。そこで、この発明では、分離工程を実施する前に、
少なくともチップ短辺方向の分離予定線上に相当する部
分でかつ少なくともチップ領域端の発光部の近傍部分に
層間絶縁膜が存在しないよう手当する。
ドアレイチップを一例に並べるので、既に説明した通
り、分離後のチップの長手方向端部の残り代は、発光部
のピッチがＰであるとき、Ｐ／２以下とする必要があ
る。そのため、チップ短辺方向に沿う分離（ダイシン
グ）は、チップ端の発光部に極めて近い箇所で行われ
る。例えば、１２００ＤＰＩの解像度の発光ダイオード
アレイの場合は、発光部のピッチは約２１μｍである。
すると、チップのつなぎ目での発光部のピッチを２１μ
ｍとするためには、分離後のチップの長手方向端部の残
り代が１０．５μｍ以下になるようにダイシングする必
要がある。そのため、もしチップ端の発光部近傍で層間
絶縁膜の剥離が生じると、それは発光部に顕著に影響す
る。そこで、この発明では、分離工程を実施する前に、
少なくともチップ短辺方向の分離予定線上に相当する部
分でかつ少なくともチップ領域端の発光部の近傍部分に
層間絶縁膜が存在しないよう手当する。
【００５２】またこの発明の実施の形態では、次の様な
手当もする。第２の層間絶縁膜３１について上記のよう
に層間絶縁膜の除去をしても、第１の層間絶縁膜１３
は、分離手段によって切断される。そのため、第１の層
間絶縁膜１３で剥離が生じる危険性もある。第１の層間
絶縁膜１３でもし剥離が生じた場合、該剥離が第２の層
間絶縁膜３１の剥離を誘発したり、またこれら剥離がチ
ップ側に及んでチップの特性劣化や製造歩留低下を招く
危険がある。
手当もする。第２の層間絶縁膜３１について上記のよう
に層間絶縁膜の除去をしても、第１の層間絶縁膜１３
は、分離手段によって切断される。そのため、第１の層
間絶縁膜１３で剥離が生じる危険性もある。第１の層間
絶縁膜１３でもし剥離が生じた場合、該剥離が第２の層
間絶縁膜３１の剥離を誘発したり、またこれら剥離がチ
ップ側に及んでチップの特性劣化や製造歩留低下を招く
危険がある。
【００５３】そこで、この第１の実施の形態では、第２
の層間絶縁膜３１の、チップ短辺方向のチップ分離予定
線Ｌ１（Ｌ２）上に相当する部分と並ぶ部分上に、層間
絶縁膜に剥離が生じた場合の該剥離のチップ側への進行
を阻止する島状のパターン３３を、分離予定線Ｌ１（Ｌ
２）に沿って形成する（図１（Ｂ））。
の層間絶縁膜３１の、チップ短辺方向のチップ分離予定
線Ｌ１（Ｌ２）上に相当する部分と並ぶ部分上に、層間
絶縁膜に剥離が生じた場合の該剥離のチップ側への進行
を阻止する島状のパターン３３を、分離予定線Ｌ１（Ｌ
２）に沿って形成する（図１（Ｂ））。
【００５４】この島状のパターン３３は、なるべく比重
の重い材料で構成するのが好ましい。金属はこのような
好ましい材料の１種といえる。この実施の形態では、個
別電極２１の形成工程で、周知の成膜技術、リソグラフ
ィ技術およびエッチング技術を用い、島状のパターン３
３を個別電極２１と同時に形成する。したがって、ここ
では島状のパターン３３は、例えばアルミニウム等、個
別電極２１の構成材料と同じ材料からなるパターンであ
る。僅か数百ｎｍ（ナノメートル）程度の厚さの層間絶
縁膜を剥離する程度の剥離力は、層間絶縁膜上に設けた
島状の金属膜パターンにより抑えられる。そのため、剥
離がチップ側に進行するのを阻止することができる。
の重い材料で構成するのが好ましい。金属はこのような
好ましい材料の１種といえる。この実施の形態では、個
別電極２１の形成工程で、周知の成膜技術、リソグラフ
ィ技術およびエッチング技術を用い、島状のパターン３
３を個別電極２１と同時に形成する。したがって、ここ
では島状のパターン３３は、例えばアルミニウム等、個
別電極２１の構成材料と同じ材料からなるパターンであ
る。僅か数百ｎｍ（ナノメートル）程度の厚さの層間絶
縁膜を剥離する程度の剥離力は、層間絶縁膜上に設けた
島状の金属膜パターンにより抑えられる。そのため、剥
離がチップ側に進行するのを阻止することができる。
【００５５】この島状のパターン３３の膜厚や大きさは
設計に応じ実験的、経験的に決めれば良い。島状のパタ
ーン３３を例えばアルミニウムで構成する場合は、島状
のパターン３３の幅および膜厚を、例えば幅１５μｍお
よび１μｍとすると、層間絶縁膜の剥離を阻止すること
ができる。
設計に応じ実験的、経験的に決めれば良い。島状のパタ
ーン３３を例えばアルミニウムで構成する場合は、島状
のパターン３３の幅および膜厚を、例えば幅１５μｍお
よび１μｍとすると、層間絶縁膜の剥離を阻止すること
ができる。
【００５６】次に、下地１１の裏面に共通電極（図示せ
ず）を、公知の方法により形成する。もちろん、共通電
極を形成する工程は、この順番に限られない。
ず）を、公知の方法により形成する。もちろん、共通電
極を形成する工程は、この順番に限られない。
【００５７】上記のような各工程が終了した下地を、チ
ップ領域単位に、例えばダイシングブレードにより分離
する。チップ短辺方向については、分離予定線Ｌ１，Ｌ
２に沿って、また、チップ長辺方向については分離予定
線Ｌ３、Ｌ４（図１（Ｂ）参照）に沿って、ダイシング
ブレードはウエハを切断する。これにより、発光ダイオ
ードアレイチップが得られる。
ップ領域単位に、例えばダイシングブレードにより分離
する。チップ短辺方向については、分離予定線Ｌ１，Ｌ
２に沿って、また、チップ長辺方向については分離予定
線Ｌ３、Ｌ４（図１（Ｂ）参照）に沿って、ダイシング
ブレードはウエハを切断する。これにより、発光ダイオ
ードアレイチップが得られる。
【００５８】上記の製造方法で製造されたチップでは、
少なくともチップ端の発光部近傍での第２の層間絶縁膜
３１の剥離は生じにくい。この部分では分離手段が通る
部分に第２の層間絶縁膜３１がそもそも存在しないから
である。又、第１の層間絶縁膜１３が、分離手段により
切断されるが、その際にもし剥離が生じても、その剥離
のチップ側への進行は島状のパターン３３により阻止さ
れる。
少なくともチップ端の発光部近傍での第２の層間絶縁膜
３１の剥離は生じにくい。この部分では分離手段が通る
部分に第２の層間絶縁膜３１がそもそも存在しないから
である。又、第１の層間絶縁膜１３が、分離手段により
切断されるが、その際にもし剥離が生じても、その剥離
のチップ側への進行は島状のパターン３３により阻止さ
れる。
【００５９】剥離の進行が島状のパターン３３により阻
止される様子を、図２に模式的な平面図で示す。この図
２では、層間絶縁膜の剥離領域をＱとして示してある。
また、各構成成分の区分けを明確にする意味で、第２の
層間絶縁膜３１には斜線模様を付してある。層間絶縁膜
の剥離が、島状のパターン３３のところで停止されるこ
とが理解できる。
止される様子を、図２に模式的な平面図で示す。この図
２では、層間絶縁膜の剥離領域をＱとして示してある。
また、各構成成分の区分けを明確にする意味で、第２の
層間絶縁膜３１には斜線模様を付してある。層間絶縁膜
の剥離が、島状のパターン３３のところで停止されるこ
とが理解できる。
【００６０】２．第２の実施の形態 次に、層間絶縁膜を第１および第２の層間絶縁膜による
積層膜とする場合で、かつ、チップ分離工程での第１お
よび第２の層間絶縁膜の剥離を防止する発明の実施形態
について説明する。この説明を図３および図４を参照し
て行なう。ここで図３、図４は、製造工程中の主な工程
での試料の様子を、後にチップとして分離される２つの
領域Ｉ，IIに着目した一部平面図により示した工程図で
ある。
積層膜とする場合で、かつ、チップ分離工程での第１お
よび第２の層間絶縁膜の剥離を防止する発明の実施形態
について説明する。この説明を図３および図４を参照し
て行なう。ここで図３、図４は、製造工程中の主な工程
での試料の様子を、後にチップとして分離される２つの
領域Ｉ，IIに着目した一部平面図により示した工程図で
ある。
【００６１】先ず、下地１１の、後にチップとして分離
される複数領域（チップ領域ともいう。）上それぞれ
に、該下地１１を部分的に露出する多数の窓１３ａを所
定ピッチでアレイ状に有した第１の層間絶縁膜１３を形
成する（図３（Ａ））。
される複数領域（チップ領域ともいう。）上それぞれ
に、該下地１１を部分的に露出する多数の窓１３ａを所
定ピッチでアレイ状に有した第１の層間絶縁膜１３を形
成する（図３（Ａ））。
【００６２】この第１の層間絶縁膜１３は、複数のチッ
プ領域に連続する膜の場合があっても良い。しかし、こ
の実施の形態では、チップ領域ごとに区分けされた状態
としてある。然も、後に形成される発光部用の第２導電
型不純物拡散領域のうちのチップ端の不純物拡散領域
と、第１の層間絶縁膜１３の周囲に形成される第２導電
型の不純物拡散領域とがつながること（図５（Ｃ）のよ
うな状態になること）を防止するため、第１の層間絶縁
膜１３は、そのチップ領域端の発光部の近傍部分でチッ
プ領域より外側に張り出すよう（図３（Ａ）中Ｒで示
す。）形成してある。そして、この張り出した部分Ｒ以
外の第１の層間絶縁１３のエッジラインを、後に行なわ
れる分離工程で用いられる分離手段ここではダイシング
ブレードと、下地１１との位置決め用マークとして利用
する。
プ領域に連続する膜の場合があっても良い。しかし、こ
の実施の形態では、チップ領域ごとに区分けされた状態
としてある。然も、後に形成される発光部用の第２導電
型不純物拡散領域のうちのチップ端の不純物拡散領域
と、第１の層間絶縁膜１３の周囲に形成される第２導電
型の不純物拡散領域とがつながること（図５（Ｃ）のよ
うな状態になること）を防止するため、第１の層間絶縁
膜１３は、そのチップ領域端の発光部の近傍部分でチッ
プ領域より外側に張り出すよう（図３（Ａ）中Ｒで示
す。）形成してある。そして、この張り出した部分Ｒ以
外の第１の層間絶縁１３のエッジラインを、後に行なわ
れる分離工程で用いられる分離手段ここではダイシング
ブレードと、下地１１との位置決め用マークとして利用
する。
【００６３】なお、チップ端の発光部に不要な不純物拡
散領域がつながることを第１の層間絶縁膜１３の張り出
し部分Ｒによって防止できるから、層間絶縁膜１３の張
り出し部分Ｒ以外の部分のエッジラインの位置を、チッ
プ分離後のチップの残り代がＰ／２以下になるような位
置に、設定することができる。
散領域がつながることを第１の層間絶縁膜１３の張り出
し部分Ｒによって防止できるから、層間絶縁膜１３の張
り出し部分Ｒ以外の部分のエッジラインの位置を、チッ
プ分離後のチップの残り代がＰ／２以下になるような位
置に、設定することができる。
【００６４】次に、第１の層間絶縁膜１３を拡散マスク
として用い、前記下地に発光部用の第２導電型の不純物
拡散領域１５を形成する（同じく図３（Ａ））。
として用い、前記下地に発光部用の第２導電型の不純物
拡散領域１５を形成する（同じく図３（Ａ））。
【００６５】次に、この第１の層間絶縁膜上に、第２の
層間絶縁膜３１を形成する（図３（Ｂ））。この際、第
１の実施の形態と同様に、後に行なわれる分離工程での
少なくともチップ短辺方向のチップ分離予定線Ｌ１やＬ
２（図１（Ｂ）参照）上に相当する部分でかつチップ領
域Ｉ，IIの端の発光部の近傍部分に層間絶縁膜が存在し
ないように、第２の層間絶縁膜３１を形成する。ここで
は、第１の実施の形態同様に、第２の層間絶縁膜３１の
全体が、分離手段がかからない程度に第１の層間絶縁膜
１３に比べて内側になるように、第２の層間絶縁膜３１
を形成してある。
層間絶縁膜３１を形成する（図３（Ｂ））。この際、第
１の実施の形態と同様に、後に行なわれる分離工程での
少なくともチップ短辺方向のチップ分離予定線Ｌ１やＬ
２（図１（Ｂ）参照）上に相当する部分でかつチップ領
域Ｉ，IIの端の発光部の近傍部分に層間絶縁膜が存在し
ないように、第２の層間絶縁膜３１を形成する。ここで
は、第１の実施の形態同様に、第２の層間絶縁膜３１の
全体が、分離手段がかからない程度に第１の層間絶縁膜
１３に比べて内側になるように、第２の層間絶縁膜３１
を形成してある。
【００６６】次に、第１の実施の形態同様、個別電極２
１および島状のパターン３３を形成する（同じく図３
（Ｂ））。
１および島状のパターン３３を形成する（同じく図３
（Ｂ））。
【００６７】次に、この第２の実施の形態では、第１の
層間絶縁膜１３の、チップ短辺方向のチップ分離予定線
（図１（Ｂ）のＬ１等参照）上に相当する部分であって
チップ領域端の発光部の近傍部分を除去する（図４
（Ａ））。具体的には、第１の層間絶縁膜１３の、チッ
プ端にて張り出させた部分Ｒ（図３（Ｂ））と、チップ
端の発光部のため島状のパターン３３を形成できなかっ
た付近とを、除去する。この除去は、公知のリソグラフ
ィ技術およびエッチング技術により行なえば良い。こう
すると、チップ短辺方向のチップ分離予定線上に相当す
る部分であってチップ端の発光部の近傍部分には、第１
および第２の層間絶縁膜のいずれも存在しないウエハが
得られる。
層間絶縁膜１３の、チップ短辺方向のチップ分離予定線
（図１（Ｂ）のＬ１等参照）上に相当する部分であって
チップ領域端の発光部の近傍部分を除去する（図４
（Ａ））。具体的には、第１の層間絶縁膜１３の、チッ
プ端にて張り出させた部分Ｒ（図３（Ｂ））と、チップ
端の発光部のため島状のパターン３３を形成できなかっ
た付近とを、除去する。この除去は、公知のリソグラフ
ィ技術およびエッチング技術により行なえば良い。こう
すると、チップ短辺方向のチップ分離予定線上に相当す
る部分であってチップ端の発光部の近傍部分には、第１
および第２の層間絶縁膜のいずれも存在しないウエハが
得られる。
【００６８】なお、ここで述べた第１の層間絶縁膜の選
択的除去工程は、第２導電型の不純物拡散領域形成工程
の後であって分離工程の前であれば、いずれの工程で行
なっても良い。
択的除去工程は、第２導電型の不純物拡散領域形成工程
の後であって分離工程の前であれば、いずれの工程で行
なっても良い。
【００６９】次に、下地１１の裏面に共通電極（図示せ
ず）を形成する。
ず）を形成する。
【００７０】上記のような各工程が終了した下地を、第
１の実施の形態同様に、チップ領域単位に、例えばダイ
シングブレードにより分離する。これにより、発光ダイ
オードアレイチップが得られる。
１の実施の形態同様に、チップ領域単位に、例えばダイ
シングブレードにより分離する。これにより、発光ダイ
オードアレイチップが得られる。
【００７１】上記の製造方法で製造されたチップでは、
少なくともチップ端の発光部近傍での第１および第２の
層間絶縁膜１３、３１の剥離は生じにくい。この部分で
は分離手段が通る部分に第１および第２の層間絶縁膜１
３、３１がそもそも存在しないからである。又、チップ
端の発光部近傍以外でもし層間絶縁膜の剥離が生じて
も、その剥離のチップ側への進行は島状のパターン３３
により阻止される。
少なくともチップ端の発光部近傍での第１および第２の
層間絶縁膜１３、３１の剥離は生じにくい。この部分で
は分離手段が通る部分に第１および第２の層間絶縁膜１
３、３１がそもそも存在しないからである。又、チップ
端の発光部近傍以外でもし層間絶縁膜の剥離が生じて
も、その剥離のチップ側への進行は島状のパターン３３
により阻止される。
【００７２】なお、この発明は上述の各実施の形態に何
ら限定されるものではなく、多くの変形または変更を行
なうことができる。
ら限定されるものではなく、多くの変形または変更を行
なうことができる。
【００７３】例えば上述においては、この発明を発光ダ
イオードアレイチップの製造に適用したが、受光ダイオ
ードアレイチップの製造にも適用することができる。
イオードアレイチップの製造に適用したが、受光ダイオ
ードアレイチップの製造にも適用することができる。
【００７４】また上述の各実施の形態では、層間絶縁膜
を第１および第２の層間絶縁膜で構成する例を説明した
が、層間絶縁膜が１層の場合ももちろん適用できる。
を第１および第２の層間絶縁膜で構成する例を説明した
が、層間絶縁膜が１層の場合ももちろん適用できる。
【００７５】また、上述の各実施の形態では、層間絶縁
膜の、チップ短辺方向のチップ分離予定線上に相当する
部分でかつチップ領域端の受発光部の近傍部分を除去す
る例を説明したが、層間絶縁膜の、チップ短辺方向のチ
ップ分離予定線上に相当する部分を、ダイシングブレー
ド用の位置決めが可能な程度に絶縁膜を残すことを条件
に、広い範囲で除去する場合があってももちろん良い。
膜の、チップ短辺方向のチップ分離予定線上に相当する
部分でかつチップ領域端の受発光部の近傍部分を除去す
る例を説明したが、層間絶縁膜の、チップ短辺方向のチ
ップ分離予定線上に相当する部分を、ダイシングブレー
ド用の位置決めが可能な程度に絶縁膜を残すことを条件
に、広い範囲で除去する場合があってももちろん良い。
【００７６】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の受発光ダイオードアレイチップの製造方法によ
れば、下地をチップに分離する工程の前までに、層間絶
縁膜の、少なくともチップ短辺方向の分離予定線上に相
当する部分でかつチップ領域端の受発光部の近傍部分を
除去することができる。そのため、チップ端の受発光部
近傍で層間絶縁膜が分離手段に起因して剥離する問題を
従来より低減することができる。したがって、チップ端
の受発光部の形状異常（発光ダイオードアレイでいえば
発光形状異常）や、チップ内の各受発光部間の出力バラ
ツキ発生を防止できる。そのため、例えば光プリンタの
例で言えば、印字品質の向上を図ることができる。
の発明の受発光ダイオードアレイチップの製造方法によ
れば、下地をチップに分離する工程の前までに、層間絶
縁膜の、少なくともチップ短辺方向の分離予定線上に相
当する部分でかつチップ領域端の受発光部の近傍部分を
除去することができる。そのため、チップ端の受発光部
近傍で層間絶縁膜が分離手段に起因して剥離する問題を
従来より低減することができる。したがって、チップ端
の受発光部の形状異常（発光ダイオードアレイでいえば
発光形状異常）や、チップ内の各受発光部間の出力バラ
ツキ発生を防止できる。そのため、例えば光プリンタの
例で言えば、印字品質の向上を図ることができる。
【図１】第１の実施の形態を説明するための製造工程図
である。
である。
【図２】島状のパターンの作用効果を説明する図であ
る。
る。
【図３】第２の実施の形態を説明するための製造工程図
である。
である。
【図４】第２の実施の形態を説明するための図３に続く
製造工程図である。
製造工程図である。
【図５】従来技術および課題の説明図である。
１１：第１導電型の半導体下地 １３：第１の層間絶縁膜 １３ａ：窓 １５：第２導電型の不純物拡散領域 ２１：個別電極 ３１：第２の層間絶縁膜 ３３：島状のパターン Ｉ，II：下地の、後にチップとして分離される領域（チ
ップ領域） Ｌ１，Ｌ２：チップ短辺方向のチップ分離予定線 Ｌ３，Ｌ４：チップ長辺方向のチップ分離予定線
ップ領域） Ｌ１，Ｌ２：チップ短辺方向のチップ分離予定線 Ｌ３，Ｌ４：チップ長辺方向のチップ分離予定線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 31/10 (72)発明者 浜野 広 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体下地の、後にチップ
として分離される複数の領域（チップ領域）上それぞれ
に、該下地を部分的に露出する多数の窓を所定ピッチで
アレイ状に有した層間絶縁膜を形成する工程と、該層間
絶縁膜を選択拡散マスクとして用い、前記下地に受発光
部用の第２導電型の不純物拡散領域を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、各受発光部用の個別電極を形成す
る工程と、これら各工程の後に実施され前記下地を前記
複数領域単位にチップ化する分離工程と、を含む受発光
ダイオードアレイチップの製造方法において、 前記層間絶縁膜の、少なくともチップ短辺方向のチップ
分離予定線上に相当する部分でかつ前記チップ領域にお
ける端の受発光部の近傍部分を除去する工程を、前記分
離工程の前に含むことを特徴とする受発光ダイオードア
レイチップの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の受発光ダイオードアレ
イチップの製造方法において、 前記層間絶縁膜の、前記チップ短辺方向のチップ分離予
定線上に相当する部分と並ぶ部分上に、前記分離工程で
該層間絶縁膜に剥離が生じた場合の該剥離のチップ側へ
の進行を阻止する島状のパターンを、該分離予定線に沿
って形成する工程を、前記分離工程よりも前に含むこと
を特徴とする受発光ダイオードアレイチップの製造方
法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の受発光ダイオードアレ
イチップの製造方法において、 前記島状のパターンを金属膜のパターンとし、かつ、該
金属膜のパターンを、前記個別電極の形成工程にて同時
に形成することを特徴とする受発光ダイオードアレイチ
ップの製造方法。 - 【請求項４】 第１導電型の半導体下地の、後にチップ
として分離される複数の領域（チップ領域）上それぞれ
に、該下地を部分的に露出する多数の窓を所定ピッチで
アレイ状に有した第１の層間絶縁膜を形成する工程と、 該第１の層間絶縁膜を少なくとも拡散マスクとして用
い、前記下地に受発光部用の第２導電型の不純物拡散領
域を形成する工程と、 前記第１の層間絶縁膜上に、第２の層間絶縁膜であっ
て、前記第１の層間絶縁膜の多数の窓に対応する窓を有
し、然も、後に行なわれる分離工程での少なくともチッ
プ短辺方向のチップ分離予定線上に相当する部分でかつ
前記チップ領域における端の受発光部の近傍部分が除去
されている第２の層間絶縁膜を、形成する工程と、 該第２の層間絶縁膜上に、一部が前記不純物拡散領域に
接する個別電極を形成する工程と、 前記各工程の後に実施され前記下地を前記複数領域単位
に分離してチップ化する分離工程とを含むことを特徴と
する受発光ダイオードアレイチップの製造方法。 - 【請求項５】 第１導電型の半導体下地の、後にチップ
として分離される複数の領域（チップ領域）上それぞれ
に、該下地を部分的に露出する多数の窓を所定ピッチで
アレイ状に有した第１の層間絶縁膜を形成する工程と、 該第１の層間絶縁膜を少なくとも拡散マスクとして用
い、前記下地に受発光部用の第２導電型の不純物拡散領
域を形成する工程と、 前記第１の層間絶縁膜上に、第２の層間絶縁膜であっ
て、前記第１の層間絶縁膜の多数の窓に対応する窓を有
し、然も、後に行なわれる分離工程での少なくともチッ
プ短辺方向のチップ分離予定線上に相当する部分でかつ
前記チップ領域における端の受発光部の近傍部分が除去
されている第２の層間絶縁膜を、形成する工程と、 該第２の層間絶縁膜上に、一部が前記不純物拡散領域に
接する個別電極を形成する工程と、 前記不純物拡散領域形成後に実施され、前記第１の層間
絶縁膜の、後に行なわれる分離工程での少なくともチッ
プ短辺方向のチップ分離予定線上に相当する部分でかつ
前記チップ領域端の受発光部の近傍部分を、除去する工
程と、 前記各工程の後に実施され前記下地を前記複数領域単位
に分離してチップ化する分離工程とを含むことを特徴と
する受発光ダイオードアレイチップの製造方法。 - 【請求項６】 請求項４または５に記載の受発光ダイオ
ードアレイチップの製造方法において、 前記第２の層間絶縁膜の、前記分離工程でのチップ短辺
方向のチップ分離予定線上に相当する部分と並ぶ部分上
に、前記分離工程で前記第１およびまたは第２の層間絶
縁膜に剥離が生じた場合の該剥離のチップ側への進行を
阻止する島状のパターンを、該分離予定線に沿って形成
する工程を、前記分離工程よりも前に含むことを特徴と
する受発光ダイオードアレイチップの製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の受発光ダイオードアレ
イチップの製造方法において、 前記島状のパターンを金属膜のパターンとし、該金属膜
のパターンを、前記個別電極の形成工程にて同時に形成
することを特徴とする受発光ダイオードアレイチップの
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9356297A JPH10284760A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 受発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
| EP98103193A EP0871226B1 (en) | 1997-04-11 | 1998-02-24 | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
| US09/031,534 US5972729A (en) | 1997-04-11 | 1998-02-27 | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9356297A JPH10284760A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 受発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284760A true JPH10284760A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14085700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9356297A Pending JPH10284760A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 受発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5972729A (ja) |
| EP (1) | EP0871226B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10284760A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2009147352A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-07-02 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
| JP2015189036A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社沖データ | 半導体装置、露光ヘッド及び画像形成装置 |
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| JP4002143B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-10-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| ES2288653T3 (es) * | 2004-07-12 | 2008-01-16 | Haberlein-Lehr, Ulla | Sistema modular de montaje para el alojamiento seguro de modulos fotovoltaicos apilados horizontalmente durante el transporte. |
| US20070012240A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Sia Chin H | Light emitting diode with at least two light emitting zones and method for manufacture |
| JP4302720B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-07-29 | 株式会社沖データ | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
| US9429867B2 (en) * | 2014-03-27 | 2016-08-30 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus, exposing head, and image forming apparatus |
| WO2019116654A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | ソニー株式会社 | 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置 |
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|---|---|---|---|---|
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