JP2536834Y2 - 半導体素子チツプ - Google Patents
半導体素子チツプInfo
- Publication number
- JP2536834Y2 JP2536834Y2 JP1986137219U JP13721986U JP2536834Y2 JP 2536834 Y2 JP2536834 Y2 JP 2536834Y2 JP 1986137219 U JP1986137219 U JP 1986137219U JP 13721986 U JP13721986 U JP 13721986U JP 2536834 Y2 JP2536834 Y2 JP 2536834Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- diode array
- layer
- peeling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、主として光プリンタヘッドに使用される発
光ダイオードアレイ素子のような半導体素子チップに関
する。
光ダイオードアレイ素子のような半導体素子チップに関
する。
〈従来の技術〉 従来から、半導体素子チップの一例として、第３図に
平面を示すような発光ダイオードアレイ素子10が知られ
ている。この発光ダイオードアレイ素子10の表面には複
数の発光ドット11,…が形成されている。なお、光プリ
ンタヘッドにおいては、このような発光ダイオードアレ
イ素子10の複数個を長手方向一列状に配置することによ
り発光ダイオードアレイを構成している。
平面を示すような発光ダイオードアレイ素子10が知られ
ている。この発光ダイオードアレイ素子10の表面には複
数の発光ドット11,…が形成されている。なお、光プリ
ンタヘッドにおいては、このような発光ダイオードアレ
イ素子10の複数個を長手方向一列状に配置することによ
り発光ダイオードアレイを構成している。
ところで、このような発光ダイオードアレイ素子10
は、多数の発光ドット11,…が形成された半導体ウェハ1
2を所定形状に切断することにより得られる。この半導
体ウェハ12は、例えばGaAs基板を使用したものであっ
て、GaAs基板にＮ型不純物層としてのGaAsP層形成など
の所定の処理を行ったのち、その表面に窒化膜、もしく
は、酸化膜を形成して表面保護膜13としている（第２図
参照）。
は、多数の発光ドット11,…が形成された半導体ウェハ1
2を所定形状に切断することにより得られる。この半導
体ウェハ12は、例えばGaAs基板を使用したものであっ
て、GaAs基板にＮ型不純物層としてのGaAsP層形成など
の所定の処理を行ったのち、その表面に窒化膜、もしく
は、酸化膜を形成して表面保護膜13としている（第２図
参照）。
そして、切断の際には、半導体ウェハ12に形成された
発光ドット11,…のうちの所定数が一列状に並列し、か
つ発光ダイオードアレイ素子10の素子領域となる表面保
護膜13の外縁を切断時の基準となる切断線Ｌとして、こ
の切断線Ｌをダイシングソーなどにより切断する。
発光ドット11,…のうちの所定数が一列状に並列し、か
つ発光ダイオードアレイ素子10の素子領域となる表面保
護膜13の外縁を切断時の基準となる切断線Ｌとして、こ
の切断線Ｌをダイシングソーなどにより切断する。
〈考案が解決しようとする問題点〉 ところで、前記半導体ウェハ12においては、不純物層
と表面保護膜13との密着性が悪いため、つぎのような問
題点があった。すなわち、発光ドット11近傍に設定され
た切断線Ｌで半導体ウェハ12を切断すると、切断用ダイ
シングブレードの回転などの機械的作用により表面保護
膜13が不純物層から剥離したり、表面保護膜13や不純物
層に割れが入ったりする。特に、このような表面保護膜
13の剥離部14やや割れが発光ドット11にまで達すると、
発光ダイオードアレイ素子10の特性が劣化する。
と表面保護膜13との密着性が悪いため、つぎのような問
題点があった。すなわち、発光ドット11近傍に設定され
た切断線Ｌで半導体ウェハ12を切断すると、切断用ダイ
シングブレードの回転などの機械的作用により表面保護
膜13が不純物層から剥離したり、表面保護膜13や不純物
層に割れが入ったりする。特に、このような表面保護膜
13の剥離部14やや割れが発光ドット11にまで達すると、
発光ダイオードアレイ素子10の特性が劣化する。
本考案はかかる従来の問題点に鑑み、表面保護膜の剥
離や割れが素子領域の内部にまで及ばないようにして、
剥離や割れに伴う特性劣化を未然に防止することを目的
とする。
離や割れが素子領域の内部にまで及ばないようにして、
剥離や割れに伴う特性劣化を未然に防止することを目的
とする。
〈問題点を解決するための手段〉 本考案ではこのような問題点を解決するために、基板
面に素子領域が形成され、その素子領域を覆うように表
面保護層が設けられ、その表面保護層上面の上記素子領
域に相対する部分の近傍位置に、上記素子領域の電極と
同材料の導電性物質よりなる剥離防止層が上記基板面に
接することなく形成され、かつその剥離防止層の外縁部
に沿って切断されたことに特徴を有するのである。
面に素子領域が形成され、その素子領域を覆うように表
面保護層が設けられ、その表面保護層上面の上記素子領
域に相対する部分の近傍位置に、上記素子領域の電極と
同材料の導電性物質よりなる剥離防止層が上記基板面に
接することなく形成され、かつその剥離防止層の外縁部
に沿って切断されたことに特徴を有するのである。
〈作用〉 上記構成によると、表面保護膜は剥離防止層で補強さ
れるので、ダイシングソーなどによる切断の際、剥離や
割れの発生が抑えられる。また、切断で表面保護膜の剥
離や割れが生じても、その拡大が剥離防止層により阻止
されるので、表面保護膜の剥離や割れが半導体素子チッ
プの素子領域内部にまで及ぶことはない。
れるので、ダイシングソーなどによる切断の際、剥離や
割れの発生が抑えられる。また、切断で表面保護膜の剥
離や割れが生じても、その拡大が剥離防止層により阻止
されるので、表面保護膜の剥離や割れが半導体素子チッ
プの素子領域内部にまで及ぶことはない。
〈実施例〉 以下、本考案を半導体素子チップとしての発光ダイオ
ードアレイ素子に適用し、図面に示す実施例に基づき詳
細に説明する。
ードアレイ素子に適用し、図面に示す実施例に基づき詳
細に説明する。
第１図は発光ダイオードアレイ素子の一部省略平面図
であり、第２図は第１図のII-II線に沿う部分の構成を
示す拡大断面図である。なお、本考案の発光ダイオード
アレイ素子においては、剥離防止層を形成した以外、従
来例と異なるところはない。したがって、第１図におい
て第３図と対応する部分には同一の符号を付している。
であり、第２図は第１図のII-II線に沿う部分の構成を
示す拡大断面図である。なお、本考案の発光ダイオード
アレイ素子においては、剥離防止層を形成した以外、従
来例と異なるところはない。したがって、第１図におい
て第３図と対応する部分には同一の符号を付している。
第１図における符号10は発光ダイオードアレイ素子で
あって、複数の発光ドット11,…が並列配置された長尺
状に形成されている。また、この発光ダイオードアレイ
素子10の表面には窒化膜、もしくは、酸化膜からなる表
面保護膜13が形成され、その外縁部にはアルミニウムな
どの軟質金属からなる直線状の剥離防止層25が形成され
ている。また、その形状についても、表面保護膜13の外
縁部に沿って連続したものでも、電極毎に分割されたも
のであってもよい。
あって、複数の発光ドット11,…が並列配置された長尺
状に形成されている。また、この発光ダイオードアレイ
素子10の表面には窒化膜、もしくは、酸化膜からなる表
面保護膜13が形成され、その外縁部にはアルミニウムな
どの軟質金属からなる直線状の剥離防止層25が形成され
ている。また、その形状についても、表面保護膜13の外
縁部に沿って連続したものでも、電極毎に分割されたも
のであってもよい。
このような発光ダイオードアレイ素子10は、多数の発
光ドット11,…が一定間隔で形成された単一の半導体ウ
ェハ12を切断することにより得られるものであって、半
導体ウェハ12における発光ドット11,…部分は一例とし
て示す第２図のような断面構成とされ、かつこの断面構
成は次に述べるような手順により形成される。まず、Ga
As基板15上にエピタキシャル成長によりＮ型不純物層と
してのGaAsP層16を形成し、このGaAsP層16上に表面保護
膜13として窒化膜（Si3N4）、もしくは、酸化膜（Si
O2）をCVD（気相反応）法によって成長させて形成す
る。つぎに、レジスト塗布、マスキング、フォトエッチ
ング処理を施して表面保護膜13に発光ドット11となる窓
17を形成し、この窓17の内方に露出したGaAsP層16にZn
を拡散してＰ型不純物層18を形成したのち、このＰ型不
純物層18に導通するアルミニウムなどの上記の剥離防止
層25と同材料の金属からなる電極19を形成する。この電
極19は剥離防止層25と同時に形成される。そして、この
ように剥離防止挿通25が導電性を有するので、電極19と
の間に間隙を介して配置する。このようにして構成され
たP,N接合面に順バイアスを印加することにより発光
し、その光が窓17から放出されるようになっている。な
お、第２図における符号20は、GaAs基板15の下面に形成
された共通電極である。
光ドット11,…が一定間隔で形成された単一の半導体ウ
ェハ12を切断することにより得られるものであって、半
導体ウェハ12における発光ドット11,…部分は一例とし
て示す第２図のような断面構成とされ、かつこの断面構
成は次に述べるような手順により形成される。まず、Ga
As基板15上にエピタキシャル成長によりＮ型不純物層と
してのGaAsP層16を形成し、このGaAsP層16上に表面保護
膜13として窒化膜（Si3N4）、もしくは、酸化膜（Si
O2）をCVD（気相反応）法によって成長させて形成す
る。つぎに、レジスト塗布、マスキング、フォトエッチ
ング処理を施して表面保護膜13に発光ドット11となる窓
17を形成し、この窓17の内方に露出したGaAsP層16にZn
を拡散してＰ型不純物層18を形成したのち、このＰ型不
純物層18に導通するアルミニウムなどの上記の剥離防止
層25と同材料の金属からなる電極19を形成する。この電
極19は剥離防止層25と同時に形成される。そして、この
ように剥離防止挿通25が導電性を有するので、電極19と
の間に間隙を介して配置する。このようにして構成され
たP,N接合面に順バイアスを印加することにより発光
し、その光が窓17から放出されるようになっている。な
お、第２図における符号20は、GaAs基板15の下面に形成
された共通電極である。
このような断面構成とされた半導体ウェハ12の表面に
設定された素子領域の剥離防止層25の外縁部を切断線Ｌ
とし、この切断線Ｌに沿って切断することにより所定数
の発光ドット11,…を有する発光ダイオードアレイ素子1
0が得られる。
設定された素子領域の剥離防止層25の外縁部を切断線Ｌ
とし、この切断線Ｌに沿って切断することにより所定数
の発光ドット11,…を有する発光ダイオードアレイ素子1
0が得られる。
なお、以上の説明においては、本考案を発光ダイオー
ドアレイ素子に適用して述べたが、これに限定されるも
のではなく、他のタイプの半導体素子チップであっても
同様に適用できることはいうまでもない。
ドアレイ素子に適用して述べたが、これに限定されるも
のではなく、他のタイプの半導体素子チップであっても
同様に適用できることはいうまでもない。
〈考案の効果〉 以上のように本考案によれば、素子領域の表面保護膜
上の側部に剥離防止層を形成したので機械的な強度が増
大することになるため、切断時における表面保護膜の剥
離や割れの発生が抑えられ、また、表面保護膜の剥離や
割れが発生しても剥離や割れの拡大が剥離防止層により
阻止される。そのため、剥離や割れが素子領域の内部に
まで拡大することがなく、半導体素子チップの特性の劣
化を未然に防止することができるという効果がある。
上の側部に剥離防止層を形成したので機械的な強度が増
大することになるため、切断時における表面保護膜の剥
離や割れの発生が抑えられ、また、表面保護膜の剥離や
割れが発生しても剥離や割れの拡大が剥離防止層により
阻止される。そのため、剥離や割れが素子領域の内部に
まで拡大することがなく、半導体素子チップの特性の劣
化を未然に防止することができるという効果がある。
とくに剥離防止層は電極と同じ導電性物質よりなるの
で、電極と同時に形成することが可能となり、これによ
り、剥離防止層を備える半導体素子チップが製造容易に
得られる。
で、電極と同時に形成することが可能となり、これによ
り、剥離防止層を備える半導体素子チップが製造容易に
得られる。
また、剥離防止層として導電性物質を用いているにも
かかわらず、剥離防止層を基板面に接することなく形成
しているので、短絡等により仮に剥離防止層に電圧が発
生しても、基板に電気的に悪影響が及ぶことがなく、こ
れにより品質の安定した半導体素子チップが得られる。
かかわらず、剥離防止層を基板面に接することなく形成
しているので、短絡等により仮に剥離防止層に電圧が発
生しても、基板に電気的に悪影響が及ぶことがなく、こ
れにより品質の安定した半導体素子チップが得られる。
第１図および第２図は本考案の実施例を示し、第１図は
半導体素子チップとしての発光ダイオードアレイ素子の
一部省略平面図、第２図は第１図のII-II線に沿う部分
の構成を示す拡大断面図である。また、第３図は従来例
を示し、発光ダイオードアレイ素子の一部省略平面図で
ある。 10……発光ダイオードアレイ素子（半導体素子チッ
プ）、13……表面保護膜、25……剥離防止層。
半導体素子チップとしての発光ダイオードアレイ素子の
一部省略平面図、第２図は第１図のII-II線に沿う部分
の構成を示す拡大断面図である。また、第３図は従来例
を示し、発光ダイオードアレイ素子の一部省略平面図で
ある。 10……発光ダイオードアレイ素子（半導体素子チッ
プ）、13……表面保護膜、25……剥離防止層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板面に素子領域が形成され、その素子領
域を覆うように表面保護層が設けられ、その表面保護層
上面の上記素子領域に相対する部分の近傍位置に、上記
素子領域の電極と同材料の導電性物質よりなる剥離防止
層が上記基板面に接することなく形成され、かつその剥
離防止層の外縁部に沿って切断されたことを特徴とする
半導体素子チップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986137219U JP2536834Y2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体素子チツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986137219U JP2536834Y2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体素子チツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344461U JPS6344461U (ja) | 1988-03-25 |
| JP2536834Y2 true JP2536834Y2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=31041070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986137219U Expired - Lifetime JP2536834Y2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体素子チツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536834Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284760A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 受発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
| JP2009147352A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-07-02 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630777A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Stanley Electric Co Ltd | Manufacture of light emitting diode chip |
| JPS57117236A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5834738U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエ−ハ |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP1986137219U patent/JP2536834Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6344461U (ja) | 1988-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6100104A (en) | Method for fabricating a plurality of semiconductor bodies | |
| US6197609B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor light emitting device | |
| US6177352B1 (en) | Method for producing semiconductor bodies with an MOVPE layer sequence | |
| EP0460710A3 (en) | Gallium nitride group compound semiconductor and luminous element comprising it and the process of producing the same | |
| GB2156584A (en) | Semiconductor laser chip | |
| JP2536834Y2 (ja) | 半導体素子チツプ | |
| GB2156585A (en) | Light-emitting device electrode | |
| JPH11214749A (ja) | 半導体発光装置 | |
| GB1559717A (en) | Process for preparing semiconductor device | |
| US6291328B1 (en) | Opto-electronic device with self-aligned ohmic contact layer | |
| US5866439A (en) | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device | |
| US6373134B1 (en) | Semiconductor device and fabrication method introducing horizontal side-steps into vertical steps | |
| JPH05315643A (ja) | 発光ダイオードアレー及びその製造方法 | |
| JP2002111049A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0685319A (ja) | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 | |
| JPS58125886A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3638413B2 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JPH0546285Y2 (ja) | ||
| JPH10163522A (ja) | Ｌｅｄアレイの製造方法 | |
| JPH01161782A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH11135837A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3740269B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH077841B2 (ja) | 化合物半導体太陽電池の製造方法 | |
| JP3506585B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JPH0715034A (ja) | 発光ダイオードアレイ |