JPS5834738U - 半導体ウエ−ハ - Google Patents

半導体ウエ−ハ

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JPS5834738U
JPS5834738U JP13042581U JP13042581U JPS5834738U JP S5834738 U JPS5834738 U JP S5834738U JP 13042581 U JP13042581 U JP 13042581U JP 13042581 U JP13042581 U JP 13042581U JP S5834738 U JPS5834738 U JP S5834738U
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
oxide film
opening
semiconductor
waeno
Prior art date
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Pending
Application number
JP13042581U
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English (en)
Inventor
正 酒井
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体ウェーハの断面図、第２図はその
ウェーハを個々に分割したペレットの斜視図、第３図は
、第１図における円Ａ部の拡大断ｍ１図、第４図は、こ
の考案の一実施例を示す半導体ウェーハ（パワートラン
ジスタ）の断面図、第５図はその円Ｂ部の拡大断面図で
ある。 １１．１１・・・・・・各素子、１６・・・・・・酸化
膜、２１′″・・・・・・区分帯域、２２・・・・・・
軟かい金属、２３・・・・・・開口、２４・・・・・・
内周縁。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ＰＮ接合を作って各素子を形成し、その表面を酸化膜に
    て被覆して保護する半導体ウェー／’ｔに、各素子間の
    区分帯域に酸化膜開口を設けるとともに、その開口内周
    縁に軟かい金属を被着させたことを特徴とする半導体ウ
    エーノ＼。
JP13042581U 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ Pending JPS5834738U (ja)

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JP13042581U JPS5834738U (ja) 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ

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JP13042581U JPS5834738U (ja) 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ

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Publication Number Publication Date
JPS5834738U true JPS5834738U (ja) 1983-03-07

Family

ID=29924053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13042581U Pending JPS5834738U (ja) 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6344461U (ja) * 1986-09-05 1988-03-25
JPH01315163A (ja) * 1988-02-12 1989-12-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2009147352A (ja) * 2009-01-19 2009-07-02 Oki Data Corp 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5421257A (en) * 1977-07-19 1979-02-17 Mitsubishi Electric Corp Manufacture for semiconductor device

Patent Citations (1)

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