JPS6344461U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6344461U JPS6344461U JP13721986U JP13721986U JPS6344461U JP S6344461 U JPS6344461 U JP S6344461U JP 13721986 U JP13721986 U JP 13721986U JP 13721986 U JP13721986 U JP 13721986U JP S6344461 U JPS6344461 U JP S6344461U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- prevention layer
- peel prevention
- protection film
- surface protection
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Description
第１図および第２図は本考案の実施例を示し、
第１図は半導体素子チツプとしての発光ダイオー
ドアレイ素子の一部省略平面図、第２図は第１図
の―線に沿う部分の構成を示す拡大断面図で
ある。また、第３図は従来例を示し、発光ダイオ
ードアレイ素子の一部省略平面図である。 １０……発光ダイオードアレイ素子（半導体素
子チツプ）、１３……表面保護膜、２５……剥離
防止層。
第１図は半導体素子チツプとしての発光ダイオー
ドアレイ素子の一部省略平面図、第２図は第１図
の―線に沿う部分の構成を示す拡大断面図で
ある。また、第３図は従来例を示し、発光ダイオ
ードアレイ素子の一部省略平面図である。 １０……発光ダイオードアレイ素子（半導体素
子チツプ）、１３……表面保護膜、２５……剥離
防止層。
Claims (1)
- 素子領域に形成された表面保護膜上の少なくと
も一側部に剥離防止層が形成され、かつ該剥離防
止層の外縁部に沿つて切断されたことを特徴とす
る半導体素子チツプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986137219U JP2536834Y2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体素子チツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986137219U JP2536834Y2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体素子チツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344461U true JPS6344461U (ja) | 1988-03-25 |
| JP2536834Y2 JP2536834Y2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=31041070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986137219U Expired - Lifetime JP2536834Y2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体素子チツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536834Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0871226A2 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
| JP2009147352A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-07-02 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630777A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Stanley Electric Co Ltd | Manufacture of light emitting diode chip |
| JPS57117236A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5834738U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエ−ハ |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP1986137219U patent/JP2536834Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630777A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Stanley Electric Co Ltd | Manufacture of light emitting diode chip |
| JPS57117236A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5834738U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエ−ハ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0871226A2 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
| EP0871226B1 (en) * | 1997-04-11 | 2012-08-29 | Oki Data Corporation | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
| JP2009147352A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-07-02 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2536834Y2 (ja) | 1997-05-28 |