JPS61151365U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS61151365U JPS61151365U JP3435785U JP3435785U JPS61151365U JP S61151365 U JPS61151365 U JP S61151365U JP 3435785 U JP3435785 U JP 3435785U JP 3435785 U JP3435785 U JP 3435785U JP S61151365 U JPS61151365 U JP S61151365U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser chip
- monitoring
- chip bonding
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Description
第１図Ａ，Ｂは本考案半導体レーザの実施の一
例を示すもので、Ａは断面図、Ｂは平面図、第２
図は従来の半導体レーザの一例を示す断面図であ
る。 符号の説明、１……半導体基板、４……フオト
ダイオード形成領域、５……レーザチツプボンデ
イング領域、７，８……絶縁膜、１０……レーザ
チツプ、１２……モニター用レーザビーム出射端
面。
例を示すもので、Ａは断面図、Ｂは平面図、第２
図は従来の半導体レーザの一例を示す断面図であ
る。 符号の説明、１……半導体基板、４……フオト
ダイオード形成領域、５……レーザチツプボンデ
イング領域、７，８……絶縁膜、１０……レーザ
チツプ、１２……モニター用レーザビーム出射端
面。
Claims (1)
- モニター用フオトダイオード形成領域とレーザ
チツプポンデイング領域とを有した半導体基板の
該レーザチツプボンデイング領域にレーザチツプ
をそのモニター用レーザビーム出射端面が絶縁膜
を介して上記フオトダイオード形成領域上に位置
するようにボンデイングしてなることを特徴とす
る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3435785U JPS61151365U (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3435785U JPS61151365U (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151365U true JPS61151365U (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=30537650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3435785U Pending JPS61151365U (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151365U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200581A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JP2004111700A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 受発光素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539491A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-27 | Toshiba Corp | Photo semiconductor device |
-
1985
- 1985-03-11 JP JP3435785U patent/JPS61151365U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539491A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-27 | Toshiba Corp | Photo semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200581A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JP2004111700A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 受発光素子 |