JPS61151361U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61151361U JPS61151361U JP3319785U JP3319785U JPS61151361U JP S61151361 U JPS61151361 U JP S61151361U JP 3319785 U JP3319785 U JP 3319785U JP 3319785 U JP3319785 U JP 3319785U JP S61151361 U JPS61151361 U JP S61151361U
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- JP
- Japan
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- semiconductor layer
- semiconductor
- semiconductor laser
- laser element
- inclined plane
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
第1図は本考案半導体レーザ装置の実施の一例
を示す断面図、第2図A乃至Eは第1図に示した
半導体レーザ装置の製造方法の一例を工程順に示
す断面図、第3図は従来例を示す断面図である。 符号の説明、1……第1導電型の半導体基板、
3……傾斜面、5……半導体層、8……半導体レ
ーザ素子、9……レーザビーム出射端面、11…
…第2導電型の領域、12……PIN型のフオト
ダイオード。
を示す断面図、第2図A乃至Eは第1図に示した
半導体レーザ装置の製造方法の一例を工程順に示
す断面図、第3図は従来例を示す断面図である。 符号の説明、1……第1導電型の半導体基板、
3……傾斜面、5……半導体層、8……半導体レ
ーザ素子、9……レーザビーム出射端面、11…
…第2導電型の領域、12……PIN型のフオト
ダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 表面の一部に傾斜面が形成された第1導電型の
半導体基板表面に低不純物濃度若しくは真性の半
導体層を形成し、 該半導体層表面の上記傾斜面と近接する位置に
半導体レーザ素子をそのレーザビーム出射端面が
上記傾斜面側を向くように個着し、 半導体レーザ素子の反傾斜面側において半導体
層の表面部にPIN型フオトダイオードの一部を
成す第2導電型の領域を形成してなる ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3319785U JPS61151361U (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3319785U JPS61151361U (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61151361U true JPS61151361U (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=30535422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3319785U Pending JPS61151361U (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61151361U (ja) |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP3319785U patent/JPS61151361U/ja active Pending