JPS61151361U - - Google Patents

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JPS61151361U
JPS61151361U JP3319785U JP3319785U JPS61151361U JP S61151361 U JPS61151361 U JP S61151361U JP 3319785 U JP3319785 U JP 3319785U JP 3319785 U JP3319785 U JP 3319785U JP S61151361 U JPS61151361 U JP S61151361U
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semiconductor
semiconductor laser
laser element
inclined plane
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案半導体レーザ装置の実施の一例
を示す断面図、第2図A乃至Eは第1図に示した
半導体レーザ装置の製造方法の一例を工程順に示
す断面図、第3図は従来例を示す断面図である。 符号の説明、1……第1導電型の半導体基板、
3……傾斜面、5……半導体層、8……半導体レ
ーザ素子、9……レーザビーム出射端面、11…
…第2導電型の領域、12……PIN型のフオト
ダイオード。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 表面の一部に傾斜面が形成された第1導電型の
    半導体基板表面に低不純物濃度若しくは真性の半
    導体層を形成し、 該半導体層表面の上記傾斜面と近接する位置に
    半導体レーザ素子をそのレーザビーム出射端面が
    上記傾斜面側を向くように個着し、 半導体レーザ素子の反傾斜面側において半導体
    層の表面部にPIN型フオトダイオードの一部を
    成す第2導電型の領域を形成してなる ことを特徴とする半導体レーザ装置。
JP3319785U 1985-03-08 1985-03-08 Pending JPS61151361U (ja)

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JP3319785U JPS61151361U (ja) 1985-03-08 1985-03-08

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JP3319785U JPS61151361U (ja) 1985-03-08 1985-03-08

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JPS61151361U true JPS61151361U (ja) 1986-09-18

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