JPS61153360U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61153360U JPS61153360U JP3691785U JP3691785U JPS61153360U JP S61153360 U JPS61153360 U JP S61153360U JP 3691785 U JP3691785 U JP 3691785U JP 3691785 U JP3691785 U JP 3691785U JP S61153360 U JPS61153360 U JP S61153360U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser beam
- fixing part
- laser element
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案半導体レーザ装置の実施の一例
を示す断面図、第２図Ａ乃至Ｄは半導体レーザ装
置のサブマウントとなるシリコン半導体基板の製
造方法を工程順に示す断面図、第３図は従来例を
示す断面図である。 符号の説明、１……シリコン半導体基板、２…
…レーザビーム反射部、３……半導体レーザ素子
固着部、７……半導体レーザ素子、９……レーザ
ビーム出射端面。
を示す断面図、第２図Ａ乃至Ｄは半導体レーザ装
置のサブマウントとなるシリコン半導体基板の製
造方法を工程順に示す断面図、第３図は従来例を
示す断面図である。 符号の説明、１……シリコン半導体基板、２…
…レーザビーム反射部、３……半導体レーザ素子
固着部、７……半導体レーザ素子、９……レーザ
ビーム出射端面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 シリコン半導体基板の表面にそれより低い半導
体レーザ素子固着部と該半導体レーザ素子固着部
から離れるに従つて高くなるよう傾斜したレーザ
ビーム反射部とを隣接して設け、 上記半導体レーザ素子固着部上に半導体レーザ
素子をそのレーザビーム出射端面がレーザビーム
反射部側を向くように固着してなる半導体レーザ
装置において、 前記シリコン半導体基板の表面及び裏面を（１
００）面から＜１１０＞を向く方向へ略９．７°
傾けた面にし、 前記レーザビーム反射部表面を（１１１）面に
した ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3691785U JPS61153360U (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3691785U JPS61153360U (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153360U true JPS61153360U (ja) | 1986-09-22 |
Family
ID=30542546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3691785U Pending JPS61153360U (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61153360U (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419786A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Nec Corp | Semiconductor laser package |
| JPH04155983A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH04196189A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2008028391A (ja) * | 2006-07-17 | 2008-02-07 | Agere Systems Inc | マルチレーザー用途のレーザー・アセンブリ |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP3691785U patent/JPS61153360U/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419786A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Nec Corp | Semiconductor laser package |
| JPH04155983A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH04196189A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2008028391A (ja) * | 2006-07-17 | 2008-02-07 | Agere Systems Inc | マルチレーザー用途のレーザー・アセンブリ |