JPS6166972U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6166972U JPS6166972U JP15207184U JP15207184U JPS6166972U JP S6166972 U JPS6166972 U JP S6166972U JP 15207184 U JP15207184 U JP 15207184U JP 15207184 U JP15207184 U JP 15207184U JP S6166972 U JPS6166972 U JP S6166972U
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- semiconductor substrate
- end surface
- laser
- semiconductor laser
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
Description
第１図は本考案半導体レーザ装置の実施の一例
を示す側面図、第２図Ａ乃至Ｅは第１図に示した
半導体レーザ装置の製造方法の一例を工程順に示
す断面図、第３図Ａ乃至Ｅは本考案の技術的背景
を説明するための半導体レーザ装置の製造方法を
工程順に示す斜視図、第４図Ａ，Ｂは背景技術の
問題点を示す断面図である。 符号の説明、１…半導体基板、１ａ…半導体基
板の端面、６…半導体レーザチツプ、８…切欠。
を示す側面図、第２図Ａ乃至Ｅは第１図に示した
半導体レーザ装置の製造方法の一例を工程順に示
す断面図、第３図Ａ乃至Ｅは本考案の技術的背景
を説明するための半導体レーザ装置の製造方法を
工程順に示す斜視図、第４図Ａ，Ｂは背景技術の
問題点を示す断面図である。 符号の説明、１…半導体基板、１ａ…半導体基
板の端面、６…半導体レーザチツプ、８…切欠。
Claims (1)
- 表面部に受光素子が形成された半導体基板の受
光素子が形成されていない領域の表面上に半導体
レーザチツプを接続してなる半導体レーザ装置で
あつて、上記半導体レーザチツプのレーザ光出射
端面が上記半導体基板のダイシングにより形成さ
れた端面よりも内側に位置され、上記半導体基板
の上記端面と上記半導体レーザチツプの上記レー
ザ光出射端面との間において上記半導体基板表面
部が切欠かれてなることを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15207184U JPS6166972U (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15207184U JPS6166972U (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166972U true JPS6166972U (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=30710156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15207184U Pending JPS6166972U (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166972U (ja) |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP15207184U patent/JPS6166972U/ja active Pending