JPS61151364U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS61151364U JPS61151364U JP3435685U JP3435685U JPS61151364U JP S61151364 U JPS61151364 U JP S61151364U JP 3435685 U JP3435685 U JP 3435685U JP 3435685 U JP3435685 U JP 3435685U JP S61151364 U JPS61151364 U JP S61151364U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- protrusion
- stem
- laser device
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
Description
第１図乃至第３図は本考案半導体レーザ装置の
実施の一例を示すものであり、第１図は全体の分
解斜視図、第２図は半導体レーザの拡大斜視図、
第３図Ａ，Ｂはステムを示す断面図で、同図Ａは
隆起部形成前におけるステムを、同図Ｂは隆起部
形成後におけるステムを示し、第４図は従来の半
導体レーザ装置の一例を示す分解斜視図である。 符号の説明、１……ステム、２……隆起部、６
……半導体レーザ。
実施の一例を示すものであり、第１図は全体の分
解斜視図、第２図は半導体レーザの拡大斜視図、
第３図Ａ，Ｂはステムを示す断面図で、同図Ａは
隆起部形成前におけるステムを、同図Ｂは隆起部
形成後におけるステムを示し、第４図は従来の半
導体レーザ装置の一例を示す分解斜視図である。 符号の説明、１……ステム、２……隆起部、６
……半導体レーザ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ステム表面に隆起部を形成し、 該隆起部に半導体レーザをボンデイングしてな
ることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3435685U JPS61151364U (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3435685U JPS61151364U (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151364U true JPS61151364U (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=30537648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3435685U Pending JPS61151364U (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151364U (ja) |
-
1985
- 1985-03-11 JP JP3435685U patent/JPS61151364U/ja active Pending