JPS6424871U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6424871U JPS6424871U JP12075687U JP12075687U JPS6424871U JP S6424871 U JPS6424871 U JP S6424871U JP 12075687 U JP12075687 U JP 12075687U JP 12075687 U JP12075687 U JP 12075687U JP S6424871 U JPS6424871 U JP S6424871U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor laser
- cross
- chip bonded
- irregularities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案半導体レーザの一つの実施例を
示す断面図、第２図Ａ乃至Ｅは第１図に示した半
導体レーザの製造方法の一例を工程順に示す断面
図、第３図Ａ，Ｂは半導体レーザの各別の従来例
を示す断面図、第４図Ａ，Ｂは第３図Ａ，Ｂの半
導体レーザにおいて生じた問題点を示す断面図で
ある。 符号の説明、５ｐ……チツプボンデイングされ
る側の電極、６……電極表面の突起。
示す断面図、第２図Ａ乃至Ｅは第１図に示した半
導体レーザの製造方法の一例を工程順に示す断面
図、第３図Ａ，Ｂは半導体レーザの各別の従来例
を示す断面図、第４図Ａ，Ｂは第３図Ａ，Ｂの半
導体レーザにおいて生じた問題点を示す断面図で
ある。 符号の説明、５ｐ……チツプボンデイングされ
る側の電極、６……電極表面の突起。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 チツプボンデイングされる側の面には電極が略
全面的に形成され、 上記電極の表面に凹凸が形成されてなる ことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12075687U JPS6424871U (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12075687U JPS6424871U (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424871U true JPS6424871U (ja) | 1989-02-10 |
Family
ID=31367148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12075687U Pending JPS6424871U (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6424871U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013033824A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子カスケード半導体レーザ、レーザ装置および量子カスケード半導体レーザの製造方法 |
-
1987
- 1987-08-05 JP JP12075687U patent/JPS6424871U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013033824A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子カスケード半導体レーザ、レーザ装置および量子カスケード半導体レーザの製造方法 |