JPS63132426U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63132426U JPS63132426U JP2452387U JP2452387U JPS63132426U JP S63132426 U JPS63132426 U JP S63132426U JP 2452387 U JP2452387 U JP 2452387U JP 2452387 U JP2452387 U JP 2452387U JP S63132426 U JPS63132426 U JP S63132426U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor elements
- depth
- scribe grooves
- central part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
第１図は、この考案の一実施例を示す半導体素
子形成済ウエーハの断面図、第２図ａ，ｂは、そ
のブレーキング後の半導体チツプの断面図、第３
図は、半導体ウエーハのスクライブ作業を示す概
念図、第４図は、一般的な半導体素子形成済ウエ
ーハの平面図である。 １，４，４′……ウエーハ、２……素子、３，
６……スクライブ溝、８……中央部、９……周縁
部、１１……チツプ、Ａ……中央部、Ｂ……周縁
部。
子形成済ウエーハの断面図、第２図ａ，ｂは、そ
のブレーキング後の半導体チツプの断面図、第３
図は、半導体ウエーハのスクライブ作業を示す概
念図、第４図は、一般的な半導体素子形成済ウエ
ーハの平面図である。 １，４，４′……ウエーハ、２……素子、３，
６……スクライブ溝、８……中央部、９……周縁
部、１１……チツプ、Ａ……中央部、Ｂ……周縁
部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 多数の半導体素子を微小区画に形成し、区画境
界線に沿つてスクライブ溝を形成したウエーハに
おいて、 上記スクライブ溝の深さを、上記ウエーハの中
央部と周縁部とで異ならせたことを特徴とする半
導体素子形成済ウエーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2452387U JPS63132426U (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2452387U JPS63132426U (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132426U true JPS63132426U (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=30823831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2452387U Pending JPS63132426U (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132426U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012243927A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 半導体ウェハ及びその加工方法 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP2452387U patent/JPS63132426U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012243927A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 半導体ウェハ及びその加工方法 |