JPH0323959U - - Google Patents

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JPH0323959U
JPH0323959U JP8517989U JP8517989U JPH0323959U JP H0323959 U JPH0323959 U JP H0323959U JP 8517989 U JP8517989 U JP 8517989U JP 8517989 U JP8517989 U JP 8517989U JP H0323959 U JPH0323959 U JP H0323959U
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semiconductor
receiving element
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案装置の一実施例を示す断面図、
第2図は本実施例装置と従来装置における各受光
素子の光出力特性図、第3図は従来装置を示す断
面図、第4図は光ガイドの斜視図、第5図は従来
装置において半導体レーザアレイをジヤンクシヨ
ンダウン組立法でヒートシンクに固着した状態を
示す断面図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 夫々二方向にレーザビームを出射する複数の半
    導体レーザ共振器をアレイ状に構成した半導体レ
    ーザアレイと、該半導体レーザアレイを載置固着
    するヒートシンクと、上記各半導体レーザ共振器
    の共振器端面と対向配置され、該共振器端面から
    出射される各レーザビームを個別に受光する受光
    素子と、上記ヒートシンク上の上記半導体レーザ
    アレイと上記受光素子との間に配され、上記レー
    ザビームを夫々分離し、上記受光素子に導く導波
    溝が形成された光ガイドと、を備えた半導体レー
    ザ装置において、上記半導体レーザアレイは、そ
    の半導体エピタキシヤル積層表面側でヒートシン
    クに固着されていると共に、上記ヒートシンクの
    上記光ガイドが配された表面には、上記光ガイド
    の導波溝と対応する溝が形成されていることを特
    徴とする半導体レーザ装置。
JP8517989U 1989-07-20 1989-07-20 Pending JPH0323959U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9739959B2 (en) 2015-01-09 2017-08-22 Fujitsu Limited Optical transmission apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58169985A (ja) * 1982-01-08 1983-10-06 トムソン−セエスエフ 半導体レ−ザの光出力安定化装置
JPS63204781A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レ−ザ装置

Patent Citations (2)

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