JPH0377468U - - Google Patents

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JPH0377468U
JPH0377468U JP13270189U JP13270189U JPH0377468U JP H0377468 U JPH0377468 U JP H0377468U JP 13270189 U JP13270189 U JP 13270189U JP 13270189 U JP13270189 U JP 13270189U JP H0377468 U JPH0377468 U JP H0377468U
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semiconductor laser
light
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heat sink
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案装置の一実施例を示す断面図、
第2図は本実施例装置のヒートシンクを示す斜視
図、第3図は本実施例装置と従来装置におけるモ
ニタ出力特性図、第4図は本考案装置の他の実施
例を示す断面図、第5図は本考案装置において半
導体レーザアレイの載置される高位面上に形成さ
れる電極の製造方法を説明する工程図、第6図は
従来装置を示す断面図、第7図は光ガイドの斜視
図、第8図は従来装置において半導体レーザアレ
イをジヤンクシヨンダウン組立法でヒートシンク
に固着した状態を示す断面図である。 。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 夫々二方向にレーザビームを出射する複数の半
    導体レーザ共振器をアレイ状に構成した半導体レ
    ーザアレイと、該半導体レーザアレイを載置固定
    するヒートシンクと、上記各半導体レーザ共振器
    の共振器端面と対向配置され、該共振器端面から
    出射される各レーザビームを個別に受光する受光
    素子と、上記半導体レーザアレイと上記受光素子
    との間の上記ヒートシンク上に直接あるいは間接
    的に載置固着され、上記レーザビームを夫々分離
    し、上記受光素子に導く導波溝が形成された光ガ
    イドと、を備えた半導体レーザ装置において、上
    記半導体レーザアレイは、その半導体エピタキシ
    ヤル積層表面側でヒートシンクに固着されている
    と共に、上記半導体レーザアレイの載置面は上記
    光ガイドの載置面より高位に位置することを特徴
    とする半導体レーザ装置。
JP13270189U 1989-08-11 1989-11-15 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JPH0810213Y2 (ja)

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JP13270189U JPH0810213Y2 (ja) 1989-08-11 1989-11-15 半導体レーザ装置

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JP1-94554 1989-08-11
JP9455489 1989-08-11
JP13270189U JPH0810213Y2 (ja) 1989-08-11 1989-11-15 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0377468U true JPH0377468U (ja) 1991-08-05
JPH0810213Y2 JPH0810213Y2 (ja) 1996-03-27

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ID=31890263

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999031772A1 (fr) * 1997-12-15 1999-06-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif laser solide excite par un laser a semi-conducteur

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999031772A1 (fr) * 1997-12-15 1999-06-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif laser solide excite par un laser a semi-conducteur

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Publication number Publication date
JPH0810213Y2 (ja) 1996-03-27

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