JPS6365260U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6365260U JPS6365260U JP16097486U JP16097486U JPS6365260U JP S6365260 U JPS6365260 U JP S6365260U JP 16097486 U JP16097486 U JP 16097486U JP 16097486 U JP16097486 U JP 16097486U JP S6365260 U JPS6365260 U JP S6365260U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- laser
- laser chip
- substrate
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims 1
Description
第１図は本考案に係る半導体レーザ装置の模式
的斜視図、第２図は第１図―線における断面
図、第３図は本考案に係る半導体レーザ装置を用
いて得られた３本のビームの光―電流特性を示し
たグラフ、第４図は従来の半導体レーザ装置の模
式的斜視図である。 １…マウント、２…レーザチツプ、２ａ…反射
側端面、３ａ，３ｂ，３ｃ…受光素子、４…Ｐ型
電極。
的斜視図、第２図は第１図―線における断面
図、第３図は本考案に係る半導体レーザ装置を用
いて得られた３本のビームの光―電流特性を示し
たグラフ、第４図は従来の半導体レーザ装置の模
式的斜視図である。 １…マウント、２…レーザチツプ、２ａ…反射
側端面、３ａ，３ｂ，３ｃ…受光素子、４…Ｐ型
電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 複数のレーザビームを同方向に出射するレー
ザチツプと、該レーザチツプからのレーザ光を個
々に独立して受光する複数の受光素子とを備え、
前記レーザチツプは該受光素子が形成された基板
に固定してあり、前記レーザチツプと前記受光素
子との距離を７００μｍ以内、前記受光素子相互
間の距離を１０μｍ以上としてあることを特徴と
する半導体レーザ装置。 ２ 前記基板は良熱伝導体からなる実用新案登録
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986160974U JP2529360Y2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986160974U JP2529360Y2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365260U true JPS6365260U (ja) | 1988-04-30 |
| JP2529360Y2 JP2529360Y2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=31086862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986160974U Expired - Lifetime JP2529360Y2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2529360Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830183A (ja) * | 1981-08-15 | 1983-02-22 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザアレイ光検知方法 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP1986160974U patent/JP2529360Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830183A (ja) * | 1981-08-15 | 1983-02-22 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザアレイ光検知方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2529360Y2 (ja) | 1997-03-19 |