JPS6364069U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6364069U JPS6364069U JP15892086U JP15892086U JPS6364069U JP S6364069 U JPS6364069 U JP S6364069U JP 15892086 U JP15892086 U JP 15892086U JP 15892086 U JP15892086 U JP 15892086U JP S6364069 U JPS6364069 U JP S6364069U
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- impurity
- semiconductor laser
- narrow perforation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
Description
第1図は本考案の一実施例を示す断面図、第2
図は従来例を示す断面図である。 1,11……(p型半導体)基板、2,12,
13……n型電流狭穿層、3,17……発振層、
4,14……p型クラツド層、5,15……活性
層、6,16……n型クラツド層、7,18……
キヤツプ層、8,19……p側電極、9,20…
…n側電極。
図は従来例を示す断面図である。 1,11……(p型半導体)基板、2,12,
13……n型電流狭穿層、3,17……発振層、
4,14……p型クラツド層、5,15……活性
層、6,16……n型クラツド層、7,18……
キヤツプ層、8,19……p側電極、9,20…
…n側電極。
Claims (1)
- p型GaAs基板、n型GaAsから成り前記
基板上に積層されると共に表面側より基板に達す
る溝が形成された狭穿層、及び該狭穿層上に積層
された発振層を有する半導体レーザに於て、上記
狭穿層は少くとも、Teを不純物として含む第1
層とSnを不純物として含む第2層とから成るこ
とを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15892086U JPS6364069U (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15892086U JPS6364069U (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6364069U true JPS6364069U (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=31082864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15892086U Pending JPS6364069U (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6364069U (ja) |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP15892086U patent/JPS6364069U/ja active Pending