JPS63131159U - - Google Patents

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JPS63131159U
JPS63131159U JP2300287U JP2300287U JPS63131159U JP S63131159 U JPS63131159 U JP S63131159U JP 2300287 U JP2300287 U JP 2300287U JP 2300287 U JP2300287 U JP 2300287U JP S63131159 U JPS63131159 U JP S63131159U
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JP
Japan
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cladding layer
bandgap energy
layer
substrate
active layer
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JP2300287U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図はVSIS型の半導体レーザを示す断面
図、第2図は第1クラツド層の層厚と発振モード
及びしきい値電流の関係を示す特性図である。 1……基板、4……第1クラツド層、5……活
性層、6……第2クラツド層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一主面に溝が形成された基板、該基板上に積層
    され、その上面が平坦となる第1クラツド層、該
    第1クラツド層上に積層され、上記第1クラツド
    層よりバンドギヤツプエネルギが小なる活性層、
    該活性層上に積層され、上記活性層よりバンドギ
    ヤツプエネルギが大なる第2クラツド層を備えた
    半導体レーザにおいて、上記溝直上以外の上記第
    1クラツド層の層厚を0.35〜0.55μmと
    したことを特徴とする半導体レーザ。
JP2300287U 1987-02-19 1987-02-19 Pending JPS63131159U (ja)

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JP2300287U JPS63131159U (ja) 1987-02-19 1987-02-19

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JP2300287U JPS63131159U (ja) 1987-02-19 1987-02-19

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JPS63131159U true JPS63131159U (ja) 1988-08-26

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JP2300287U Pending JPS63131159U (ja) 1987-02-19 1987-02-19

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