JPS63131159U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63131159U JPS63131159U JP2300287U JP2300287U JPS63131159U JP S63131159 U JPS63131159 U JP S63131159U JP 2300287 U JP2300287 U JP 2300287U JP 2300287 U JP2300287 U JP 2300287U JP S63131159 U JPS63131159 U JP S63131159U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cladding layer
- bandgap energy
- layer
- substrate
- active layer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Description
第1図はVSIS型の半導体レーザを示す断面
図、第2図は第1クラツド層の層厚と発振モード
及びしきい値電流の関係を示す特性図である。 1……基板、4……第1クラツド層、5……活
性層、6……第2クラツド層。
図、第2図は第1クラツド層の層厚と発振モード
及びしきい値電流の関係を示す特性図である。 1……基板、4……第1クラツド層、5……活
性層、6……第2クラツド層。
Claims (1)
- 一主面に溝が形成された基板、該基板上に積層
され、その上面が平坦となる第1クラツド層、該
第1クラツド層上に積層され、上記第1クラツド
層よりバンドギヤツプエネルギが小なる活性層、
該活性層上に積層され、上記活性層よりバンドギ
ヤツプエネルギが大なる第2クラツド層を備えた
半導体レーザにおいて、上記溝直上以外の上記第
1クラツド層の層厚を0.35〜0.55μmと
したことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2300287U JPS63131159U (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2300287U JPS63131159U (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63131159U true JPS63131159U (ja) | 1988-08-26 |
Family
ID=30820920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2300287U Pending JPS63131159U (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63131159U (ja) |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP2300287U patent/JPS63131159U/ja active Pending