JPS61156258U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61156258U JPS61156258U JP4016085U JP4016085U JPS61156258U JP S61156258 U JPS61156258 U JP S61156258U JP 4016085 U JP4016085 U JP 4016085U JP 4016085 U JP4016085 U JP 4016085U JP S61156258 U JPS61156258 U JP S61156258U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- layer
- cladding layer
- semiconductor substrate
- upper cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
Description
第１図および第２図はこの考案の一実施例の半
導体レーザ装置の構成を示す斜視図、第３図およ
び第４図は従来の半導体レーザ装置の構成を示す
斜視図である。 図において、１は半導体基板、２は電流ブロツ
ク層、３はストライプ状の溝、４は下クラツド層
、５は活性層、６は上クラツド層、７はキヤツプ
層、８ａ，８ｂは電極、９は途切れ領域である。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を
示す。
導体レーザ装置の構成を示す斜視図、第３図およ
び第４図は従来の半導体レーザ装置の構成を示す
斜視図である。 図において、１は半導体基板、２は電流ブロツ
ク層、３はストライプ状の溝、４は下クラツド層
、５は活性層、６は上クラツド層、７はキヤツプ
層、８ａ，８ｂは電極、９は途切れ領域である。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を
示す。
Claims (1)
- 第１の導電型を有する半導体基板上に積層され
た第２の導電型を有する電流ブロツク層に加工形
成して前記半導体基板を露呈せしめたストライプ
状の溝を有し、前記電流ブロツク層上に液相エピ
タキシヤル成長法で第１の導電型を有する下クラ
ツド層、活性層および第２の導電型を有する上ク
ラツド層を、前記下クラツド層および上クラツド
層の禁制帯幅よりも前記活性層の禁制帯幅を小さ
くしたダブルへテロ接合を形成すべく順次積層し
、さらに前記上クラツド層上に第２の導電型を有
するキヤツプ層を形成し、前記半導体基板および
キヤツプ層にオーミツク接触する電極が設けられ
、前記電流ブロツク層に電流通路を制限するスト
ライプ状の溝が形成された半導体レーザ装置にお
いて、前記ストライプ状の溝に少なくとも１つの
途切れ領域を形成したことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016085U JPS61156258U (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016085U JPS61156258U (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156258U true JPS61156258U (ja) | 1986-09-27 |
Family
ID=30548793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4016085U Pending JPS61156258U (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156258U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222488A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP4016085U patent/JPS61156258U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222488A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |