JPS63222488A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS63222488A JPS63222488A JP5624287A JP5624287A JPS63222488A JP S63222488 A JPS63222488 A JP S63222488A JP 5624287 A JP5624287 A JP 5624287A JP 5624287 A JP5624287 A JP 5624287A JP S63222488 A JPS63222488 A JP S63222488A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
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- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
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- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
この発明は、半導体レーザの製造方法に関する（ｂｌ従
来の技術 従来より半導体レーザは光情報処理や光通信用の電子部
品として用いられており、その応用分野は多枝に渡ろう
としている。半導体レーザに要求される特性の一つとし
てしきい値電流すなわち自然発光状態からレーザ発振状
態に変化する半導体レーザの順方向電流をいかに低減す
るかが技術的課題の一つであった。
来の技術 従来より半導体レーザは光情報処理や光通信用の電子部
品として用いられており、その応用分野は多枝に渡ろう
としている。半導体レーザに要求される特性の一つとし
てしきい値電流すなわち自然発光状態からレーザ発振状
態に変化する半導体レーザの順方向電流をいかに低減す
るかが技術的課題の一つであった。
第６図（Ａ）、 （Ｂ）は従来の半導体レーザの製造
方法を表す断面図である。同図（Ａ）において１はｎ型
ＧａＡｓの基板、２はｎ型ＡｌＧａＡＳのクラッド層、
３は不純物を含まないＡｆｆｉＧａＡｓの活性層、４は
ｐ型ＡｆＧａＡｓのクラッド層、８はｐ型のＧａＡｓの
キャップ層をそれぞれ表している。このように基板上に
各層を成長させた後、同図（Ｂ）に示すようにプロトン
などを打ち込むことにより電流阻止領域９を形成する。
方法を表す断面図である。同図（Ａ）において１はｎ型
ＧａＡｓの基板、２はｎ型ＡｌＧａＡＳのクラッド層、
３は不純物を含まないＡｆｆｉＧａＡｓの活性層、４は
ｐ型ＡｆＧａＡｓのクラッド層、８はｐ型のＧａＡｓの
キャップ層をそれぞれ表している。このように基板上に
各層を成長させた後、同図（Ｂ）に示すようにプロトン
などを打ち込むことにより電流阻止領域９を形成する。
このようにして電流阻止領域間（以下ストライプという
。）における活性層での電流の集中度を高めている。
。）における活性層での電流の集中度を高めている。
ところが、電流阻止領域をプロトンの打ち込みなどによ
り絶縁化したことにより、活性層の結晶性が乱れ、寿命
などに悪影響を及ぼしていた。そこでクラッド層の一部
分を逆の伝導型にすることにより電流阻止領域を形成す
れば、この問題を解消することができる。第７図（Ａ）
、 ＣＢ）はその例を表している。同図（Ａ）は第６
図（Ａ）に示したものと同様の構成であり、基板上に各
層を成長させた後、第７図ＣＢ）に示すようにストライ
プを形成すべき個所以外に不純物を拡散またはイオン打
ち込みを行うことによりｎ型の電流阻止領域１０を形成
している。
り絶縁化したことにより、活性層の結晶性が乱れ、寿命
などに悪影響を及ぼしていた。そこでクラッド層の一部
分を逆の伝導型にすることにより電流阻止領域を形成す
れば、この問題を解消することができる。第７図（Ａ）
、 ＣＢ）はその例を表している。同図（Ａ）は第６
図（Ａ）に示したものと同様の構成であり、基板上に各
層を成長させた後、第７図ＣＢ）に示すようにストライ
プを形成すべき個所以外に不純物を拡散またはイオン打
ち込みを行うことによりｎ型の電流阻止領域１０を形成
している。
（Ｃ１発明が解決しようとする問題点
ところが、第７図（Ｂ）に示した従来の半導体レーザに
おいては、活性層において光励起が行われてレーザ発光
するため、活性層での電流の集中度を高める必要がある
。そのためには図中ｔの寸法をできるだけ小さくしなけ
ればならない、一方、ｐ型クラッド１！４は光の導波路
となるのである程度厚くなければ光損失が大きくなる。
おいては、活性層において光励起が行われてレーザ発光
するため、活性層での電流の集中度を高める必要がある
。そのためには図中ｔの寸法をできるだけ小さくしなけ
ればならない、一方、ｐ型クラッド１！４は光の導波路
となるのである程度厚くなければ光損失が大きくなる。
また、キャップ層８はヒートシンクとの半田付けの際半
田材の弔活性層への影響を防止し、さらに、電極金属の
影響を防止するためある程度厚くなければ実用上問題が
発生する。そこでこれらの二つの層で３〜数μｍの厚さ
が必要である。ところが、拡散、イオン打ち込みともに
３〜数μｍの深さにおいて１００人程度の精度をもたせ
ることは困難であり、したがって活性層のごく近傍まで
電流阻止領域１０を形成することが困難である。
田材の弔活性層への影響を防止し、さらに、電極金属の
影響を防止するためある程度厚くなければ実用上問題が
発生する。そこでこれらの二つの層で３〜数μｍの厚さ
が必要である。ところが、拡散、イオン打ち込みともに
３〜数μｍの深さにおいて１００人程度の精度をもたせ
ることは困難であり、したがって活性層のごく近傍まで
電流阻止領域１０を形成することが困難である。
さらに、ｐ型りラッド層４とｐ型キャンプ層８とで３〜
数μｍの厚さになり、電流の集中するストライプの層が
厚り、抵抗値が高（なる。
数μｍの厚さになり、電流の集中するストライプの層が
厚り、抵抗値が高（なる。
このような理由でしきい値電流は低減されず、動作電圧
の上昇および発熱の問題があった。この発明の目的は、
前述のｔの寸法を容易に小さくし、しきい値電流の低い
半導体レーザを得ることのできる半導体レーザの製造方
法を提供することにある。
の上昇および発熱の問題があった。この発明の目的は、
前述のｔの寸法を容易に小さくし、しきい値電流の低い
半導体レーザを得ることのできる半導体レーザの製造方
法を提供することにある。
（ｄ１問題点を解決するための手段
この発明の半導体レーザの製造方法は、基板上に下部ク
ラッド層、活性層、上部第１クラッド層をこの順に形成
した後、表面から上記下部クラッド層に達しない深さに
不純物をイオン打ち込みまたは拡散してストライプ部を
形成する工程と、上記第１クラッド層上に上記ストライ
プ部と同伝導型の上部第２クラッド層とキャップ層をこ
の順に形成する工程からなることを特徴としている。
ラッド層、活性層、上部第１クラッド層をこの順に形成
した後、表面から上記下部クラッド層に達しない深さに
不純物をイオン打ち込みまたは拡散してストライプ部を
形成する工程と、上記第１クラッド層上に上記ストライ
プ部と同伝導型の上部第２クラッド層とキャップ層をこ
の順に形成する工程からなることを特徴としている。
（Ｑ）作用
この発°明の半導体レーザの製造方法においては、基板
上に下部クラッド層、活性層、上部第１クラッド層をこ
の順に形成した段階で、表面から下部クラッド層に達し
ない深さに不純物をイオン打ち込みまたは拡散すること
によりストライプ部が形成される。その後、上部第１ク
ラッド層上に上記ストライプ部と同伝導型の上部第２ク
ラッド層とキャップ層がこの順に形成される。このよう
に所定厚さの上部クラッド層とキャンプ層を形成する前
の中間段階で、不純物のイオン打ち込みまたは拡散によ
り電流阻止領域を形成するため、電流阻止領域の寸法精
度が高まり、前述のｔの小さな半導体レーザが得られる
。
上に下部クラッド層、活性層、上部第１クラッド層をこ
の順に形成した段階で、表面から下部クラッド層に達し
ない深さに不純物をイオン打ち込みまたは拡散すること
によりストライプ部が形成される。その後、上部第１ク
ラッド層上に上記ストライプ部と同伝導型の上部第２ク
ラッド層とキャップ層がこの順に形成される。このよう
に所定厚さの上部クラッド層とキャンプ層を形成する前
の中間段階で、不純物のイオン打ち込みまたは拡散によ
り電流阻止領域を形成するため、電流阻止領域の寸法精
度が高まり、前述のｔの小さな半導体レーザが得られる
。
（ｆ）実施例
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の実施例である半導体
レーザの製造方法を表す各工程における断面図である。
レーザの製造方法を表す各工程における断面図である。
同図（Ａ）において１は縦２５０μｍ、横２５０ ｔ’
ｍ ＋厚さ２００μｍのｎ型ＧａＡｓ基板、２は厚さ
１．５＃ｍのｎ型Ａ １２ ｏ、ｂ Ｇ ａ ｏ、ａ
Ａ ｓの下部クラッド層、３は厚さ８００人で不純物を
含まないＡ ＩＩ ｏ、 ＋ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓの活性層、４は厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌｔｏ、ｂ
Ｇａｏ、ａ Ａｓの上部第１クラッド層、５は厚さ４０
０人の不純物を含まないＧａＡＳの保護層をそれぞれ表
している。これらの各層は基板１の上部に分子線エピタ
キシャル法によってそれぞれ順に成長させる。
ｍ ＋厚さ２００μｍのｎ型ＧａＡｓ基板、２は厚さ
１．５＃ｍのｎ型Ａ １２ ｏ、ｂ Ｇ ａ ｏ、ａ
Ａ ｓの下部クラッド層、３は厚さ８００人で不純物を
含まないＡ ＩＩ ｏ、 ＋ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
Ｓの活性層、４は厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌｔｏ、ｂ
Ｇａｏ、ａ Ａｓの上部第１クラッド層、５は厚さ４０
０人の不純物を含まないＧａＡＳの保護層をそれぞれ表
している。これらの各層は基板１の上部に分子線エピタ
キシャル法によってそれぞれ順に成長させる。
次に同図ＣＢ）に示すように成長させたウェハを取り出
し、フォトリソグラフィにより、ストライプ部を形成す
べき上部に厚さ１．５μｍ幅４μｍのレジストを付着さ
せる。その後、Ｓｔイオンを加速電圧１５０ＫｅＶ、
ドーズ量ｌＸｌ０”Ｇ１１１−２の条件で打ち込む。
し、フォトリソグラフィにより、ストライプ部を形成す
べき上部に厚さ１．５μｍ幅４μｍのレジストを付着さ
せる。その後、Ｓｔイオンを加速電圧１５０ＫｅＶ、
ドーズ量ｌＸｌ０”Ｇ１１１−２の条件で打ち込む。
この時の打ち込み深さは０．４μｍである。この程度の
浅いイオン打ち込みまたは拡散であれば、約１００人の
正確さでｔを制御することができる。このようにして上
部第１クラッド層にｎ型の電流阻止領域４ｂが形成され
る。この電流阻止領域間４ａがストライプ部となる。
浅いイオン打ち込みまたは拡散であれば、約１００人の
正確さでｔを制御することができる。このようにして上
部第１クラッド層にｎ型の電流阻止領域４ｂが形成され
る。この電流阻止領域間４ａがストライプ部となる。
次に、を機洗浄によってレジスト６を除去した後、分子
線エピタキシャル成長室に入れる。ウェハに対してＡｓ
の分子線をあてながら、温度を７５０〜７６０℃で約３
０分間保持する。保護層であるＧａＡｓの蒸発速度は０
．７〜１．０μｍ／ｈであるのに対し、Ａ Ｉ！ｏ、ｂ
Ｇ ａ ｏ、ａ Ａ ｓである上部第１クラッド層の蒸
発速度は０．０５μｍ／ｈ以下である。このため、第１
図（Ｃ）に示すように保護層が選択的に蒸発される。ま
た、このとき第１図（Ｂ）に示した工程で打ち込まれた
Ｓｉイオンがアニール効果で活性化して、ｐ型クラッド
層のストライプ部４ａ以外の領域４ｂがｎ型化する。な
お、分子線エピタキシャル装置の成長室内は超高真空状
態であり、クラッド層のＡ２が酸化することなく、次に
述べるようにこのクラッド層上に上部第２クラッド層を
そのまま成長させることができる。
線エピタキシャル成長室に入れる。ウェハに対してＡｓ
の分子線をあてながら、温度を７５０〜７６０℃で約３
０分間保持する。保護層であるＧａＡｓの蒸発速度は０
．７〜１．０μｍ／ｈであるのに対し、Ａ Ｉ！ｏ、ｂ
Ｇ ａ ｏ、ａ Ａ ｓである上部第１クラッド層の蒸
発速度は０．０５μｍ／ｈ以下である。このため、第１
図（Ｃ）に示すように保護層が選択的に蒸発される。ま
た、このとき第１図（Ｂ）に示した工程で打ち込まれた
Ｓｉイオンがアニール効果で活性化して、ｐ型クラッド
層のストライプ部４ａ以外の領域４ｂがｎ型化する。な
お、分子線エピタキシャル装置の成長室内は超高真空状
態であり、クラッド層のＡ２が酸化することなく、次に
述べるようにこのクラッド層上に上部第２クラッド層を
そのまま成長させることができる。
第１図ＣＤ）に示すように上部第１クラッド層上にさら
にｐ型のＡβ。、ｂ Ｇ ａ ｏ、ａ Ａ Ｓの上部第
２クラッド層７を厚さ１．１μｍになるまで分子線エピ
タキシ成長させ、さらにその表面にｐ型のＧａＡｓのキ
ャンプＮ８を厚さ２μｍになるまで分子線エピタキシ成
長させる。
にｐ型のＡβ。、ｂ Ｇ ａ ｏ、ａ Ａ Ｓの上部第
２クラッド層７を厚さ１．１μｍになるまで分子線エピ
タキシ成長させ、さらにその表面にｐ型のＧａＡｓのキ
ャンプＮ８を厚さ２μｍになるまで分子線エピタキシ成
長させる。
以上のようにして活性層３と電流阻止領域４ｂとの隙間
ｔが小さく、しかも所定厚さの上部クラッド層が形成さ
れた半導体レーザが製造される。
ｔが小さく、しかも所定厚さの上部クラッド層が形成さ
れた半導体レーザが製造される。
なお、この実施例においては、電流阻止領域４ｂがクラ
ッド層と同じ組成のＡｇＧａＡｓであるため、活性層か
ら広がる光がこの阻止領域で吸収されることがな（、し
たがってストライプ部の幅を狭くし、ｔを薄くすること
によりしきい値電流などを容易に改善することができる
。
ッド層と同じ組成のＡｇＧａＡｓであるため、活性層か
ら広がる光がこの阻止領域で吸収されることがな（、し
たがってストライプ部の幅を狭くし、ｔを薄くすること
によりしきい値電流などを容易に改善することができる
。
上記実施例は上部第１クラッド層にＡｇＧａＡｓの均一
な組成から構成した例であったが、この部分に超格子構
造とすることにより新たな効果を付加することができる
。第２図（Ａ）、（Ｂ）はその例を表す断面図である。
な組成から構成した例であったが、この部分に超格子構
造とすることにより新たな効果を付加することができる
。第２図（Ａ）、（Ｂ）はその例を表す断面図である。
同図（Ａ）において４はＡｇＧａＡｓとＧａＡｓの異な
る組成を持つ層を周期的に配列して超格子構造にした上
部第１クラッド層を表している。前述の第１図ＣＢ）に
示したと同様にストライプ部を形成すべき個所にレジス
ト６を付着させ、Ｓｔ、Ｚｎなどのイオンを打ちこんで
熱処理を行うことにより、レジストが付着されていない
領域が混晶状態となり、同図（Ｂ）に示すように屈折率
の高いストライプ部４ａが屈折率の低い電流阻止領域４
ｂ間に挾まれた構造となり、その結果レーザ光の導波路
としての特性（遠視野像、非点収差）を独立に制御する
ことができる。
る組成を持つ層を周期的に配列して超格子構造にした上
部第１クラッド層を表している。前述の第１図ＣＢ）に
示したと同様にストライプ部を形成すべき個所にレジス
ト６を付着させ、Ｓｔ、Ｚｎなどのイオンを打ちこんで
熱処理を行うことにより、レジストが付着されていない
領域が混晶状態となり、同図（Ｂ）に示すように屈折率
の高いストライプ部４ａが屈折率の低い電流阻止領域４
ｂ間に挾まれた構造となり、その結果レーザ光の導波路
としての特性（遠視野像、非点収差）を独立に制御する
ことができる。
上記いずれの実施例も上部第１クラッド層に不純物を打
ち込み、所定個所に電流阻止領域を形成することにより
、ストライプ部を設けた例であったが、ストライプ部に
イオンを打ち込むことによりあるいは拡散を行うことに
よりストライプ部を形成することも可能である。第３図
（Ａ）〜（Ｄ）はその例について表している。第１図に
示した場合と異なる点は、上部第１クラッド層４がｎ型
であり、ストライプ部となるべき領域に不純物をイオン
打ち込みまたは拡散する点である。すなわち第３図（Ａ
）に示すようにｎ型基板１上にｎ型の下部クラッドＮ２
．活性層３．ｎ型上部第１クラッドＮ４．保護層５を順
に成長させ、同図（Ｂ）に示すように電流阻止領域の上
部にレジスト６を付着させ、Ｍｇイオンを加速電圧１２
０ＫｅＶ、ドーズ１１ Ｘ １０ ”ｃｍ−”の条件で
打ち込むことにより、活性Ｎ３までｐ型のストライプ部
４ａを形成する。その後は第１図（Ｃ）、 （Ｄ）に
示したと同様にレジスト６および保護Ｎ５を除去し、上
部第２クラッド層７とキャップＮ８を成長させることに
より、半導体レーザを製造する。
ち込み、所定個所に電流阻止領域を形成することにより
、ストライプ部を設けた例であったが、ストライプ部に
イオンを打ち込むことによりあるいは拡散を行うことに
よりストライプ部を形成することも可能である。第３図
（Ａ）〜（Ｄ）はその例について表している。第１図に
示した場合と異なる点は、上部第１クラッド層４がｎ型
であり、ストライプ部となるべき領域に不純物をイオン
打ち込みまたは拡散する点である。すなわち第３図（Ａ
）に示すようにｎ型基板１上にｎ型の下部クラッドＮ２
．活性層３．ｎ型上部第１クラッドＮ４．保護層５を順
に成長させ、同図（Ｂ）に示すように電流阻止領域の上
部にレジスト６を付着させ、Ｍｇイオンを加速電圧１２
０ＫｅＶ、ドーズ１１ Ｘ １０ ”ｃｍ−”の条件で
打ち込むことにより、活性Ｎ３までｐ型のストライプ部
４ａを形成する。その後は第１図（Ｃ）、 （Ｄ）に
示したと同様にレジスト６および保護Ｎ５を除去し、上
部第２クラッド層７とキャップＮ８を成長させることに
より、半導体レーザを製造する。
なお、上記実施例はいずれもイオン打ち込み又は拡散を
上記第１クラッド層や活性層まで行った例であるが、活
性層の結晶を損なわない限り、少なくとも下部クラッド
層に達しない深さまでイオン打ち込み又は拡散すること
ができる。
上記第１クラッド層や活性層まで行った例であるが、活
性層の結晶を損なわない限り、少なくとも下部クラッド
層に達しない深さまでイオン打ち込み又は拡散すること
ができる。
さらに、上記実施例においてはストライプ部のパターン
として所定幅の単純なパターンを形成する例であったが
ストライプ内に一部電流を阻止する領域を形成すること
により、ストライプ内の光励起の分布を制御することが
可能である。第４図（Ａ）、 （Ｂ）および第５図（
Ａ）、 （Ｂ）はそのいくつか“の例について表して
いる。第４図（Ａ）、（Ｂ）は半導体レーザの分解斜視
図を表し、同図（Ａ）に示すように４ａはストライプ部
を表し、その途中に電流を阻止する電流阻止領域４ｂが
形成されている。また第５図（Ａ）、 （Ｂ）はさら
に他の例を表す上面図（上部第２クラッド層およびキャ
ップ層を形成する前の状Ｂ）を表している。このように
細かな電流阻止領域をパターン化することが可能であり
、これによりパルセーションモードが発生され、自己干
渉せず分光特性や雑音特性の改善が容易に実現できる。
として所定幅の単純なパターンを形成する例であったが
ストライプ内に一部電流を阻止する領域を形成すること
により、ストライプ内の光励起の分布を制御することが
可能である。第４図（Ａ）、 （Ｂ）および第５図（
Ａ）、 （Ｂ）はそのいくつか“の例について表して
いる。第４図（Ａ）、（Ｂ）は半導体レーザの分解斜視
図を表し、同図（Ａ）に示すように４ａはストライプ部
を表し、その途中に電流を阻止する電流阻止領域４ｂが
形成されている。また第５図（Ａ）、 （Ｂ）はさら
に他の例を表す上面図（上部第２クラッド層およびキャ
ップ層を形成する前の状Ｂ）を表している。このように
細かな電流阻止領域をパターン化することが可能であり
、これによりパルセーションモードが発生され、自己干
渉せず分光特性や雑音特性の改善が容易に実現できる。
（ｇ）発明の効果
以上のようにこの発明によれば、ストライプ部の厚みを
高い寸法精度により形成することができるため、活性層
と電流阻止層との隙間ｔを小さくすることができる。ま
たストライプ部の厚みを薄くし、しかも上部クラッド層
の厚みを所定寸法に形成することができるため、ストラ
イプ部にのみ電流を集中させることができ、しきい値電
流を低減することができる。
高い寸法精度により形成することができるため、活性層
と電流阻止層との隙間ｔを小さくすることができる。ま
たストライプ部の厚みを薄くし、しかも上部クラッド層
の厚みを所定寸法に形成することができるため、ストラ
イプ部にのみ電流を集中させることができ、しきい値電
流を低減することができる。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の実施例である半導体
レーザの製造方法の各工程を表す断面図、第２図（Ａ）
、 （Ｂ）と第３図（Ａ）〜（Ｄ）は他の実施例に係
る半導体レーザの製造方法を表す断面図、第４図（Ａ）
、 （Ｂ）および第５図（Ａ）、（Ｂ）はさらに他の
実施例に係る半導体レーザの構造を表す図、第６図（Ａ
）、（Ｂ）および第７図（Ａ）、 （Ｂ）は従来の半
導体レーザの製造方法を表す断面図である。 １一基板 ２−下部クラッド層、 ３−活性層、 ４−上部第１クラッド層、 ４ａ−ストライプ部、 ４ｂ−電流阻止領域、 ７−上部第２クラッド層、 ８−キャップ層。
レーザの製造方法の各工程を表す断面図、第２図（Ａ）
、 （Ｂ）と第３図（Ａ）〜（Ｄ）は他の実施例に係
る半導体レーザの製造方法を表す断面図、第４図（Ａ）
、 （Ｂ）および第５図（Ａ）、（Ｂ）はさらに他の
実施例に係る半導体レーザの構造を表す図、第６図（Ａ
）、（Ｂ）および第７図（Ａ）、 （Ｂ）は従来の半
導体レーザの製造方法を表す断面図である。 １一基板 ２−下部クラッド層、 ３−活性層、 ４−上部第１クラッド層、 ４ａ−ストライプ部、 ４ｂ−電流阻止領域、 ７−上部第２クラッド層、 ８−キャップ層。
Claims (1)
- （１）基板上に下部クラッド層、活性層、上部第１クラ
ッド層をこの順に形成した後、表面から上記下部クラッ
ド層に達しない深さに不純物をイオン打ち込みまたは拡
散してストライプ部を形成する工程と、上記第１クラッ
ド層上に上記ストライプ部と同伝導型の上部第２クラッ
ド層とキャップ層をこの順に形成する工程からなる半導
体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056242A JPH069273B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056242A JPH069273B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222488A true JPS63222488A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH069273B2 JPH069273B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=13021624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62056242A Expired - Fee Related JPH069273B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069273B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194586A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194683A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194682A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| WO2005093919A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nichia Corporation | 窒化物半導体レーザ素子 |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| WO2020156775A1 (de) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur erzeugung von laserstrahlung |
Citations (5)
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| JPS5690586A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-22 | Seiji Yasu | Semiconductor laser and manufacture thereof |
| JPS57112090A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser |
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| JPS61156258U (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-27 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62056242A patent/JPH069273B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2005093919A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nichia Corporation | 窒化物半導体レーザ素子 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH069273B2 (ja) | 1994-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |