JPH02194682A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH02194682A JPH02194682A JP1434689A JP1434689A JPH02194682A JP H02194682 A JPH02194682 A JP H02194682A JP 1434689 A JP1434689 A JP 1434689A JP 1434689 A JP1434689 A JP 1434689A JP H02194682 A JPH02194682 A JP H02194682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- upper cladding
- cladding layer
- light absorption
- dopant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 32
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 15
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 abstract 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001300083 Milax Species 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体レーザの製造方法に関し、詳しく言
えば、半導体レーザの順方向電圧を低くすることができ
る製造方法に関する。
えば、半導体レーザの順方向電圧を低くすることができ
る製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来の半導体レーザの製造方法としては、例えば以下の
ものが知られている。この製造方法は、以下のｉ −ｉ
ｖの工程を備えている。
ものが知られている。この製造方法は、以下のｉ −ｉ
ｖの工程を備えている。
ｉ：ＭＴ３Ｅ（分子線エピタキシ）装置の成長室内に導
入されたＧａＡｓ基板の表面に、下部クラッド層と、活
性層と、第１の上部クラッド層と、光吸収層と、蒸発防
止層とを積層する第１の成長工程 ｉｉ：この積層されたＧａＡｓ基板を成長室から取り出
し、前記光吸収層まで達する深さのストライプ溝を形成
するホトエツチング工程 ｉｉｉ ：このストライプ溝が形成されたＧａＡｓ基板
を加熱して光吸収層を選択的に蒸発させる再蒸発工程 ｉ■：この光吸収層を蒸発させたＧａＡｓ基板に、第２
の上部クラッド層およびキャップ層とを積層する第２の
成長工程。
入されたＧａＡｓ基板の表面に、下部クラッド層と、活
性層と、第１の上部クラッド層と、光吸収層と、蒸発防
止層とを積層する第１の成長工程 ｉｉ：この積層されたＧａＡｓ基板を成長室から取り出
し、前記光吸収層まで達する深さのストライプ溝を形成
するホトエツチング工程 ｉｉｉ ：このストライプ溝が形成されたＧａＡｓ基板
を加熱して光吸収層を選択的に蒸発させる再蒸発工程 ｉ■：この光吸収層を蒸発させたＧａＡｓ基板に、第２
の上部クラッド層およびキャップ層とを積層する第２の
成長工程。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上記従来の製造方法で製造された半導体レーザでは、ス
トライプ溝で第１の上部クラッド層と、第２の上部クラ
ッド層とが接するが、両者の界面（電流狭窄部）におい
て界面順位が生じ、順方向電圧ｖＦが高くなる問題点が
あった。
トライプ溝で第１の上部クラッド層と、第２の上部クラ
ッド層とが接するが、両者の界面（電流狭窄部）におい
て界面順位が生じ、順方向電圧ｖＦが高くなる問題点が
あった。
この問題点は、第１の上部クラッド層のキャリア濃度を
高めることにより解決できるかにみえる。
高めることにより解決できるかにみえる。
しかしながら、第１の上部クラッド層のキャリア濃度を
高めると、発振開始電流Ｉい等他の特性が低下してしま
う問題点があった。
高めると、発振開始電流Ｉい等他の特性が低下してしま
う問題点があった。
この発明は上記に鑑みなされたもので、他の特性を撰な
うことなく、順方向電圧■、を下げた半導体レーザを製
造する方法の提供を目的としている。
うことなく、順方向電圧■、を下げた半導体レーザを製
造する方法の提供を目的としている。
（ニ）課題を解決するための手段ＥＬＶ４１’Ｆ−用上
記課題を解決するため、この発明の半導体レーザの製造
方法は、 ｉ：ＭＢＥ装置の成長室内に導入された半導体基板の表
面に下部クラッド層と、活性層と、第一の上部クラッド
層と、光吸収層と、蒸発防止層とを積層する第１の成長
工程と、 ｉｉ：この積層された半導体基板を成長室から取り出し
て、前記光吸収層まで達する深さのストライプ溝を形成
するホトエツチング工程と、１１１：このストライプ溝
を形成された半導体基板をＭＢＥ装置の成長室内に導入
し、この半導体基板を加熱して光吸収層を選択的に蒸発
させる再蒸発工程と、 ｉ■：この光吸収層を蒸発させた半導体基板に第２の上
部クラッド層およびキャップ層とを積層する第２の成長
工程を備えてなる製造方法において、 Ｖ：前記再蒸発工程終了後、ＭＢＥ装置のドーパントシ
ャッタを所定時間開放して、前記半導体基板のストライ
プ溝内に露出する第１の上部クラッド層にドーパントを
付着させる付着工程と、ｖｉ：前記半導体基板を加熱し
、付着されたドーパントを第１の上部クラッド層界面部
に拡散させる拡散工程とを加えたことを特徴としている
。
記課題を解決するため、この発明の半導体レーザの製造
方法は、 ｉ：ＭＢＥ装置の成長室内に導入された半導体基板の表
面に下部クラッド層と、活性層と、第一の上部クラッド
層と、光吸収層と、蒸発防止層とを積層する第１の成長
工程と、 ｉｉ：この積層された半導体基板を成長室から取り出し
て、前記光吸収層まで達する深さのストライプ溝を形成
するホトエツチング工程と、１１１：このストライプ溝
を形成された半導体基板をＭＢＥ装置の成長室内に導入
し、この半導体基板を加熱して光吸収層を選択的に蒸発
させる再蒸発工程と、 ｉ■：この光吸収層を蒸発させた半導体基板に第２の上
部クラッド層およびキャップ層とを積層する第２の成長
工程を備えてなる製造方法において、 Ｖ：前記再蒸発工程終了後、ＭＢＥ装置のドーパントシ
ャッタを所定時間開放して、前記半導体基板のストライ
プ溝内に露出する第１の上部クラッド層にドーパントを
付着させる付着工程と、ｖｉ：前記半導体基板を加熱し
、付着されたドーパントを第１の上部クラッド層界面部
に拡散させる拡散工程とを加えたことを特徴としている
。
従って、第１の上部クラッド層の内、第２の上部クラッ
ド層との界面部に、付着したドーパントが拡散してキャ
リア濃度が高くなり、直列抵抗成分が低下し、順方向電
圧ｖＦを下げることができる。一方、第１の上部クラッ
ド層の界面部以外の部分のキャリア濃度は従来のままで
あるから、発振開始電流■い等他の特性が損なわれるこ
とはない。
ド層との界面部に、付着したドーパントが拡散してキャ
リア濃度が高くなり、直列抵抗成分が低下し、順方向電
圧ｖＦを下げることができる。一方、第１の上部クラッ
ド層の界面部以外の部分のキャリア濃度は従来のままで
あるから、発振開始電流■い等他の特性が損なわれるこ
とはない。
（ホ）実施例
この発明の一実施例を図面に基づいて以下に説明する。
まず、ＭＢＥ装置成長室１５の構成を第２図を用いて説
明する。成長室１５は、高真空が保てる密閉構造とされ
る。１６は、ＧａＡｓ基板２を装着するためのモリブテ
ン（Ｍ ｏ ）台、１７は、この台を加熱するためのヒ
ータである。台１７側方には、質量分析器１８が備えら
れ、成長状態がモニタできるよう構成されている。
明する。成長室１５は、高真空が保てる密閉構造とされ
る。１６は、ＧａＡｓ基板２を装着するためのモリブテ
ン（Ｍ ｏ ）台、１７は、この台を加熱するためのヒ
ータである。台１７側方には、質量分析器１８が備えら
れ、成長状態がモニタできるよう構成されている。
成長室１５内には、蒸発源１９−１〜１９−５が扇状に
配置される。蒸発源１９−１〜１９−６には、それぞれ
以下のような物質が収容される。
配置される。蒸発源１９−１〜１９−６には、それぞれ
以下のような物質が収容される。
１９伺 ガリウム（Ｇａ）
１９−ｚ Ｐ型ドーパント
蒸発源１！Ｌ３ Ｎ型ドーパント１９−１
ヒ素（Ａｓ） １９−２ アルミニウム（ＡＩ）各蒸発源１９
−１〜１９−６は図示しないコイルにより加熱され、分
子線を発生する。各分子線の基板２への到達量は、シャ
ッタ２０−、〜２ｏ−２でそれぞれ制御される。
ヒ素（Ａｓ） １９−２ アルミニウム（ＡＩ）各蒸発源１９
−１〜１９−６は図示しないコイルにより加熱され、分
子線を発生する。各分子線の基板２への到達量は、シャ
ッタ２０−、〜２ｏ−２でそれぞれ制御される。
次に、実施例半導体レーザの製造方法を説明する。
・第１の成長工程
まず、モリブテン台１６上に装着されたＮ型のＧａＡｓ
基板２を成長室１５内に導入し、ヒータ１７で加熱する
。各シャッタ２０−１〜２０−６の開閉と各蒸発源１９
−５〜１９−６の温度が制御され、Ｎ型Ａ Ｉ ＸＧ、
、、Ａ、 （Ｘ ＝０．６ ）からなる下部クラッド層
３、Ａ ｊ！ ＸＧ、＋−，Ａ、 （Ｘ ＝０．１５）
よりなる活性層４、Ｐ型Ａｆｆｉ、 Ｇ、ｌ−、Ａ、
（Ｘ＝０．６）からなる第１の上部クラッド層５、Ｎ
型ＧａＡｓからなる光吸収層６、Ｎ型Ａ Ｉ！、、Ｇ、
、ＸＡ、 （Ｘ ＝０．１５）からなる蒸発防止層７が
積層される〔第１図（ａ）参照〕。なお、上に示したＡ
／！ＭｉｌａＸの値は一例であり適宜変更可能である。
基板２を成長室１５内に導入し、ヒータ１７で加熱する
。各シャッタ２０−１〜２０−６の開閉と各蒸発源１９
−５〜１９−６の温度が制御され、Ｎ型Ａ Ｉ ＸＧ、
、、Ａ、 （Ｘ ＝０．６ ）からなる下部クラッド層
３、Ａ ｊ！ ＸＧ、＋−，Ａ、 （Ｘ ＝０．１５）
よりなる活性層４、Ｐ型Ａｆｆｉ、 Ｇ、ｌ−、Ａ、
（Ｘ＝０．６）からなる第１の上部クラッド層５、Ｎ
型ＧａＡｓからなる光吸収層６、Ｎ型Ａ Ｉ！、、Ｇ、
、ＸＡ、 （Ｘ ＝０．１５）からなる蒸発防止層７が
積層される〔第１図（ａ）参照〕。なお、上に示したＡ
／！ＭｉｌａＸの値は一例であり適宜変更可能である。
・ホトエツチング工程
前記積層されたＧａＡｓ基板２は成長室１５から外部に
取り出された後、ストライプ溝が形成されるべき部分以
外の蒸発防止Ｎ７をホトレジスト８で覆う〔第１図■）
参照〕。このホトレジスト８をマスクとして光吸収層６
がわずかに（例えば１０００人程度）残るように、蒸発
防止層７と光吸収層６とをそれぞれエツチングしてスト
ライブ溝９を形成する。
取り出された後、ストライプ溝が形成されるべき部分以
外の蒸発防止Ｎ７をホトレジスト８で覆う〔第１図■）
参照〕。このホトレジスト８をマスクとして光吸収層６
がわずかに（例えば１０００人程度）残るように、蒸発
防止層７と光吸収層６とをそれぞれエツチングしてスト
ライブ溝９を形成する。
・再蒸発工程
ホトレジスト８を除去した後、再びモリブテン台１６に
装着されたＧａＡｓ基板２を成長室１５内に導入して、
ヒータ１７で加熱する（６５０°Ｃ＝８００°Ｃ）。こ
の状態でシャッタ１９−４のみが開けられ、Ａｓ分子線
がＧａＡｓ基板２表面に当てられて、この表面に付着し
ている酸化物等の不純物と前記残された光吸収層６ａが
蒸発させられる。これにより第１の上部クラッド層５の
表面５ａが露出する〔第１因（Ｃ）参照〕。
装着されたＧａＡｓ基板２を成長室１５内に導入して、
ヒータ１７で加熱する（６５０°Ｃ＝８００°Ｃ）。こ
の状態でシャッタ１９−４のみが開けられ、Ａｓ分子線
がＧａＡｓ基板２表面に当てられて、この表面に付着し
ている酸化物等の不純物と前記残された光吸収層６ａが
蒸発させられる。これにより第１の上部クラッド層５の
表面５ａが露出する〔第１因（Ｃ）参照〕。
・付着工程、拡散工程
シャッタ１９−４を閉じ、シャッタ１９−２を開けてＰ
型ドーパントの分子線をＧａＡｓ基板２に数分間当てる
。この時、Ｐ型ドーパントが第１の上部クラッド層表面
５ａに付着し、厚さ数１０人（一原子層程度）のＰ型ド
ーパント層５ｂが形成される〔第１図（ｄ）参照〕。
型ドーパントの分子線をＧａＡｓ基板２に数分間当てる
。この時、Ｐ型ドーパントが第１の上部クラッド層表面
５ａに付着し、厚さ数１０人（一原子層程度）のＰ型ド
ーパント層５ｂが形成される〔第１図（ｄ）参照〕。
次に、シャッタ１９−２を閉じ、ＧａＡｓ基板２の加熱
をそのまま数分から数十分にわたり続ける。
をそのまま数分から数十分にわたり続ける。
この間Ｐ型ドーパントの層５ｂより、Ｐ型ドーパントが
第１の上部クラッド層５内に拡散して行き、界面の近傍
にキャリア濃度の高い（数％）領域５Ｃが形成される。
第１の上部クラッド層５内に拡散して行き、界面の近傍
にキャリア濃度の高い（数％）領域５Ｃが形成される。
・第２の成長工程
最後に、第１の成長工程と同様に、Ｐ型ＡＩ！、ｖｃａ
、、Ａ、（Ｙ＝０．６）からなる第２の上部クラッド層
１０及びＰ’ Ｃ；ａＡｓからなるキャップＮ１１とが
積層される〔第１図（ｅ）参照〕。ここでも、Ａ１組成
Ｙ＝０．６は一例であり、適宜変更可能である。以下、
通常の半導体レーザの製造方法と同様に電極１２ａ、１
２ｂが形成される。
、、Ａ、（Ｙ＝０．６）からなる第２の上部クラッド層
１０及びＰ’ Ｃ；ａＡｓからなるキャップＮ１１とが
積層される〔第１図（ｅ）参照〕。ここでも、Ａ１組成
Ｙ＝０．６は一例であり、適宜変更可能である。以下、
通常の半導体レーザの製造方法と同様に電極１２ａ、１
２ｂが形成される。
このようにして製造された半導体レーザ１は、第１の上
部クラッドＮ５が、第２の上部クラッド層１０との界面
近傍にキャリア濃度の高い領域５Ｃを有することとなる
から、直列抵抗成分が減少し、順方向電圧■、を下げる
ことが可能となる。
部クラッドＮ５が、第２の上部クラッド層１０との界面
近傍にキャリア濃度の高い領域５Ｃを有することとなる
から、直列抵抗成分が減少し、順方向電圧■、を下げる
ことが可能となる。
また、第１の上部クラッド層５の領域５Ｃ以外の部分の
キャリア濃度は従来のままであるから、発振開始電流Ｉ
Ｌｈやその他の特性が損なわれにくい。
キャリア濃度は従来のままであるから、発振開始電流Ｉ
Ｌｈやその他の特性が損なわれにくい。
（へ）発明の詳細
な説明したように、この発明の半導体レーザの製造方法
は、再蒸発工程終了後、ＭＢＥ装置のドーパントシャッ
タを所定時間開放して、前記半導体基板のストライプ溝
内に露出する第１の上部クラッド層にドーパントを付着
させる付着工程と、この半導体基板を加熱し、付着され
たドーパントを第１の上部クラッド層内に拡散させる拡
散工程とを加えたことを特徴とするものである。従って
、発振開始電流ＩＬｈ等他等地性を損なうことなく、順
方向電圧■、を下げた半導体レーザを得ることができる
利点を有している。
は、再蒸発工程終了後、ＭＢＥ装置のドーパントシャッ
タを所定時間開放して、前記半導体基板のストライプ溝
内に露出する第１の上部クラッド層にドーパントを付着
させる付着工程と、この半導体基板を加熱し、付着され
たドーパントを第１の上部クラッド層内に拡散させる拡
散工程とを加えたことを特徴とするものである。従って
、発振開始電流ＩＬｈ等他等地性を損なうことなく、順
方向電圧■、を下げた半導体レーザを得ることができる
利点を有している。
また、付着工程及び拡散工程をＭＢＥ装置で行え、他の
装置を用いる必要がない利点を有している。
装置を用いる必要がない利点を有している。
第１図（５）、第１図（ｂ）、第１図（Ｃ）、第１図（
ｄ）及び第１図（ｅ）は、この発明の一実施例に係る半
導体レーザの製造工程を説明する図、第２図は、同実施
例に係るＭＢＥ装置の概略構成を説明する図である。 ２：ＧａＡｓ基板、３：下部クラッド層、４：活性層、
５：第１の上部クラッド層、５ｂ：Ｐ型ドーパン
ト層、 ６：光吸収層、 ７：蒸発防止層、 ９ニスドライブ溝、 ｌＯ：第２の上部クラッド層、 １１；キャンプ層・ ３：下船２う、・、Ｆ麿 ４：活性層 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁理
士 中 村 茂 信第 図 （Ｃ） 第 図 （ｄ） （ａ）
ｄ）及び第１図（ｅ）は、この発明の一実施例に係る半
導体レーザの製造工程を説明する図、第２図は、同実施
例に係るＭＢＥ装置の概略構成を説明する図である。 ２：ＧａＡｓ基板、３：下部クラッド層、４：活性層、
５：第１の上部クラッド層、５ｂ：Ｐ型ドーパン
ト層、 ６：光吸収層、 ７：蒸発防止層、 ９ニスドライブ溝、 ｌＯ：第２の上部クラッド層、 １１；キャンプ層・ ３：下船２う、・、Ｆ麿 ４：活性層 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁理
士 中 村 茂 信第 図 （Ｃ） 第 図 （ｄ） （ａ）
Claims (1)
- （１）ＭＢＥ装置の成長室内に導入された半導体基板の
表面に下部クラッド層と、活性層と、第一の上部クラッ
ド層と、光吸収層と、蒸発防止層とを積層する第１の成
長工程と、 この積層された半導体基板を成長室から取り出して、前
記光吸収層まで達する深さのストライプ溝を形成するホ
トエッチング工程と、 このストライプ溝を形成された半導体基板をＭＢＥ装置
の成長室内に導入し、この半導体基板を加熱して光吸収
層を選択的に蒸発させる再蒸発工程と、 この光吸収層を蒸発させた半導体基板に第２の上部クラ
ッド層およびキャップ層とを積層する第２の成長工程と
を備えてなる半導体レーザの製造方法において、 前記再蒸発工程終了後、ＭＢＥ装置のドーパントシャッ
タを所定時間開放して、前記半導体基板のストライプ溝
内に露出する第１の上部クラッド層にドーパントを付着
させる付着工程と、 前記半導体基板を加熱し、付着されたドーパントを第１
の上部クラッド層界面部に拡散させる拡散工程とを加え
たことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1434689A JPH02194682A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1434689A JPH02194682A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194682A true JPH02194682A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11858511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1434689A Pending JPH02194682A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194682A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137088A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6142987A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS63222488A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1434689A patent/JPH02194682A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137088A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6142987A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS63222488A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6238947B1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same | |
| US6100174A (en) | GaN group compound semiconductor device and method for producing the same | |
| JP3705016B2 (ja) | 透光性電極用膜及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 | |
| JPS60196937A (ja) | 半導体素子およびその製造法 | |
| US5389572A (en) | Process of making chalcopyrite structure semiconductor film | |
| KR930004128B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| JPH02275624A (ja) | オーミック電極の製造方法 | |
| CA1203324A (en) | Ohmic contact to p-type group iii-v semiconductors | |
| JPH0794444A (ja) | オーミック電極の形成方法およびオーミック電極形成用積層体 | |
| JP3337494B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池 | |
| JPH02194682A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| US5221638A (en) | Method of manufacturing a Schottky barrier semiconductor device | |
| JP3563141B2 (ja) | Ｚｎの固相拡散方法およびＬＥＤの製造方法 | |
| JP3495544B2 (ja) | ＧａＮ系半導体装置とその製造方法 | |
| EP0056737A2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device using molecular beam epitaxy | |
| JP3309745B2 (ja) | ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS6142987A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0472764A (ja) | 半導体装置の裏面電極 | |
| JP3154430B2 (ja) | Ａｌ Ｇａ Ａｓ 薄膜成長方法 | |
| JPH0327584A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0137870B2 (ja) | ||
| JPH042119A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| JPH02194685A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH02194684A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS60210885A (ja) | 半導体素子 |