JPH0472764A - 半導体装置の裏面電極 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明（よ半導体装置、特にその裏面電極の構造に関す
るものである。

（従来の技術） 半導体装置をパッケージするとき、チップの裏面のオー
ミック電極は、一般にステム、リードフレーム等の基板
へ半田付けされている。このオーミック電極の構造は、
基板との固着性釜に電気抵抗及び熱抵抗等を決定する重
要な要素である。

第２図は従来の半導体装置の裏面の電極の構造の一例を
示す略断面図である。同図において、シリコン半導体基
板１の裏面電極７は多層の金属膜すなわち、クロム層６
、ニッケル層４、銀層５等を順次蒸着法によって形成し
た後、熱処理を施しを良好に保つためであり、ニッケル
層４は半田によくぬれるためであり、銀層５はニッケル
層４の表面の酸化防止のためである。

（発明が解決しようとする課題） 通常Ｉｆｔ極形威前には、化学処理によりシリコン半導
体基板のクリーニングを行うが、シリコン半導体基板の
表面には自然に生ずる酸化物が残存しており、この酸化
物はシリコン半導体基板１と裏面電極７との密着性を妨
げ、電気特性特にオーミック特性に問題があった。この
問題の対策として、後の工程の熱処理温度を高くする手
段があるが、そうすると、クロム、ニッケル、シリコン
の反応が進み、シリコン、クロム、ニッケル混合層が形
成され、半田付けの性能を妨げていた。

（課題を解決するための手段） シリコン半導体基板の表面に、シリコン酸化物還元層と
してのアルミニウム層、混合層防止層としてのモリブデ
ン層、ニッケル層、銀層を順次蒸着により形成した後熱
処刑によりシンタリングを行う。

（昨月） 第−層のアルミニウム層は、シリコン半導体基板の表面
の自然に生ずる酸化物を還元する。第二層のモリブデン
層は、第−層のアルミニウム層と第三層のニッケル層と
の間のバリアとして働らき後の熱処理の際に混合層の形
成を防止する。第三層のニッケル層と第四層の銀層とは
従来と同様である。

（実施例） 第１図は本発明の実施例の略断面図である。第２図の従
来例と同一の部分には同一の符号を付しである。

シリコン半導体基板１の裏面は、化学処理によりクリー
ニングした後、まず、第−層のアルミニウム層２を１〜
１０μｍの厚さで蒸着する。次に、第二層のモリブデン
層８を０．１〜２μｍの厚さで着する。蒸着には電子ビ
ーム蒸着法が使用される。

最後に例えば、窒素ガス雰囲気中で、２００〜５７０℃
の温度で熱処理を行う。この熱処理により、蒸着の際の
粒子はシンタリングされる。

最後にダイシングを行い個々のチップに分割した後パッ
ケージをする。

（発明の効果） 本発明は以上のような構成であるから、アルミニウム層
によりシリコン半導体基板表面の酸化物による障害が除
去されるから、密着状態の良好な電極となる。また、モ
リブデン層により、熱処理を施しても混合層は形成され
ない。従って、後の工程でステム、リードフレーム等に
チップを半田付けするとき、半田とのなじみがよく、良
好な安定した半田付はプロセスが確立でき、半導体装置
の電気特性、信頼性２歩留等が改善される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の略断面図、第２図は従来例の
略断面図である。 Ｉ・・・シリコン半導体基板、２・・・アルミニウム層
、８・・・モリブデン層、４・・・ニッケル層、５・・
・銀層、６・・・クロム層、７・・・裏面電極 第　１　図 第２　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、シリコン半導体基板の裏面に、シリコン酸化物還元
   層と、混合層防止層と、半田を付着させる層とを形成し
   たことを特徴とする半導体装置の裏面電極。