JPS58173861A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPS58173861A JPS58173861A JP57057805A JP5780582A JPS58173861A JP S58173861 A JPS58173861 A JP S58173861A JP 57057805 A JP57057805 A JP 57057805A JP 5780582 A JP5780582 A JP 5780582A JP S58173861 A JPS58173861 A JP S58173861A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガンダイオード等の化合物半導体装置のオー
ミック電極構造に関するものである。
ミック電極構造に関するものである。
従来、ガンダイオード等Ｇ ａ Ａ ｓ化合物半導体素
子の電極構造は、菖１図に示す如く、低抵抗Ｇａ人８基
板ｌ上に所定の濃度の動作層２および低抵抗層３を形成
し、これをＧａＡｓウェハーとしてこの上にＡｕＧｅ合
金Ｎ合金Ｎ付４し、４５０℃程度の熱処理を施すことに
よってオーミック接触を形成し更に電極引き出し線との
接続をとるために金等の上部電極８を形成したものであ
った。この様なＡｕＧｅ−ＡｕＱ造の電極では、組立時
の加熱によってＧｅが金電極８の表面に析出し、この結
果電極引き出し用の金線との不着がしばしに間組となっ
ていた。
子の電極構造は、菖１図に示す如く、低抵抗Ｇａ人８基
板ｌ上に所定の濃度の動作層２および低抵抗層３を形成
し、これをＧａＡｓウェハーとしてこの上にＡｕＧｅ合
金Ｎ合金Ｎ付４し、４５０℃程度の熱処理を施すことに
よってオーミック接触を形成し更に電極引き出し線との
接続をとるために金等の上部電極８を形成したものであ
った。この様なＡｕＧｅ−ＡｕＱ造の電極では、組立時
の加熱によってＧｅが金電極８の表面に析出し、この結
果電極引き出し用の金線との不着がしばしに間組となっ
ていた。
第２図は、前述の様な金線の不着問題を回避したもので
Ｔｏシ、すなわちＡ ｕ Ｇ ｅ合金１Ｉ４４の上に接
続金属であるチタン増６ｔ−介してバリア金属である白
金層７、更に金電極８を形成し、ａｅが金電極の表面に
析出するのを防止している。しかじなが６、この場合は
半導体素子が動作中の高温において、チタンや白金が低
抵抗層３等のＧａＡｓと反応して特性変動や劣化を生じ
るという欠点があった。
Ｔｏシ、すなわちＡ ｕ Ｇ ｅ合金１Ｉ４４の上に接
続金属であるチタン増６ｔ−介してバリア金属である白
金層７、更に金電極８を形成し、ａｅが金電極の表面に
析出するのを防止している。しかじなが６、この場合は
半導体素子が動作中の高温において、チタンや白金が低
抵抗層３等のＧａＡｓと反応して特性変動や劣化を生じ
るという欠点があった。
本発明は上記欠点を解消し、熱的に安定した電極構造を
有する化合物半導体装置を提供することを目的としてい
る。
有する化合物半導体装置を提供することを目的としてい
る。
本発明による化合物半導体装置は、低抵抗のＧａＡｓ等
の化合物半導体層上にＡｕＧｅ等のオーきツク金属膜を
付着し、熱処！ｌが施され良状態のオ−ｌツク接触にチ
タン等の金輌チッ化膜を付着し、更に電極引き出し用に
金等の上部電極を有することを特徴としている。
の化合物半導体層上にＡｕＧｅ等のオーきツク金属膜を
付着し、熱処！ｌが施され良状態のオ−ｌツク接触にチ
タン等の金輌チッ化膜を付着し、更に電極引き出し用に
金等の上部電極を有することを特徴としている。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例によるガンダイオードチップ
の断面図で、低抵抗ＧａＡｇ基板１上に所定の濃度を有
した動作層２とオーミック接触をとるための低抵抗層３
とが形成されこのＧａＡｓウニ・・−上に、Ａ ｕ Ｇ
ｅ合金層４ ｔ ２０００Ｘ付着し、４５０’Ｃ程度
の熱処理を施すことによりオーミック接触を形成し、さ
らにこの上にチッ化チタンＭ５を５００Ａ付着させる＠
テラ化チタン膜５Ｈ，アルゴンガスと窒素ガスを約５：
１の割合で流しなかう１０ ｔｏｒｒ程度の真空度で
チタンのスパッタリングを行えば、２０分程度で５００
Ａの膜厚を形成することができる。そして、この上に接
続金属のチタン！１１６、白金膜７、更に電極金属の金
１ｖｌＩＳを形成し、電極エツチング及びメサエツチン
グを行えば、本発明によるガンダイオードチップが得ら
れる。
の断面図で、低抵抗ＧａＡｇ基板１上に所定の濃度を有
した動作層２とオーミック接触をとるための低抵抗層３
とが形成されこのＧａＡｓウニ・・−上に、Ａ ｕ Ｇ
ｅ合金層４ ｔ ２０００Ｘ付着し、４５０’Ｃ程度
の熱処理を施すことによりオーミック接触を形成し、さ
らにこの上にチッ化チタンＭ５を５００Ａ付着させる＠
テラ化チタン膜５Ｈ，アルゴンガスと窒素ガスを約５：
１の割合で流しなかう１０ ｔｏｒｒ程度の真空度で
チタンのスパッタリングを行えば、２０分程度で５００
Ａの膜厚を形成することができる。そして、この上に接
続金属のチタン！１１６、白金膜７、更に電極金属の金
１ｖｌＩＳを形成し、電極エツチング及びメサエツチン
グを行えば、本発明によるガンダイオードチップが得ら
れる。
本発明によればチツ化チタン膜５が上部メタルであるチ
タン６や白金７のＧ１Ａｓ中への進行を防止すると同時
に、Ｇｅ等の上部電極への析出も防ぐことがで龜る。し
たがって、本発明の構造を採用すると、熱的に安定にな
るので、組立時の加熱に起因されるボンディング線の不
着が回避されると共に、動作中の特性変動や劣化を緩和
でき、信頼度向上にも役立つことになる。また、ガンダ
イオードのアップサイドダウン構造の場合、ＧａＡｓの
低抵抗層３を極力薄くすることができ、熱抵抗を低減し
、特性的にも改善されるという利点がある。尚、本発明
は他の化合物半導体装置にも応用できる。
タン６や白金７のＧ１Ａｓ中への進行を防止すると同時
に、Ｇｅ等の上部電極への析出も防ぐことがで龜る。し
たがって、本発明の構造を採用すると、熱的に安定にな
るので、組立時の加熱に起因されるボンディング線の不
着が回避されると共に、動作中の特性変動や劣化を緩和
でき、信頼度向上にも役立つことになる。また、ガンダ
イオードのアップサイドダウン構造の場合、ＧａＡｓの
低抵抗層３を極力薄くすることができ、熱抵抗を低減し
、特性的にも改善されるという利点がある。尚、本発明
は他の化合物半導体装置にも応用できる。
第１図及び第２図は従来のガンダイオードの電極構造を
示す断面図、ｊ１３図は、本発明の一実施例によるガン
ダイオードチップの断面図である。 １・・・低抵抗Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・動作層
、３・・・・・・コンタクト用の低抵抗層、４・・・・
・・ＡｕＧｅ層、５・・・・・・チツ化チタン膜、６・
・・・チタン換、７・・・・・・白金膜、８・・・・・
・金膜 第１図 第２図 第３図
示す断面図、ｊ１３図は、本発明の一実施例によるガン
ダイオードチップの断面図である。 １・・・低抵抗Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・動作層
、３・・・・・・コンタクト用の低抵抗層、４・・・・
・・ＡｕＧｅ層、５・・・・・・チツ化チタン膜、６・
・・・チタン換、７・・・・・・白金膜、８・・・・・
・金膜 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 化合物半導体上にオーミック金属層を付着し、この上に
金属チツ化膜を有し、さらにこの上に金属層を有するこ
とを特徴とする化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057805A JPS58173861A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057805A JPS58173861A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173861A true JPS58173861A (ja) | 1983-10-12 |
Family
ID=13066126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57057805A Pending JPS58173861A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173861A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120560A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-04-07 JP JP57057805A patent/JPS58173861A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120560A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0216589B2 (ja) * | 1983-12-05 | 1990-04-17 | Fujitsu Ltd |
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