JPH02194586A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH02194586A JPH02194586A JP1368389A JP1368389A JPH02194586A JP H02194586 A JPH02194586 A JP H02194586A JP 1368389 A JP1368389 A JP 1368389A JP 1368389 A JP1368389 A JP 1368389A JP H02194586 A JPH02194586 A JP H02194586A
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）卒業」二の利用分野
この発明は、ＭＢＥ装置を用いて形成される半導体レー
ザ、特に無効電流の発生を低゛残し、しきい値電流を低
下させる構造をもった゛Ｉ′−導体レーザに関する。
ザ、特に無効電流の発生を低゛残し、しきい値電流を低
下させる構造をもった゛Ｉ′−導体レーザに関する。
（ロ）従来の技術
第３図は、ＭＢＥ装置を用いて形成された従来の半導体
レーザを示す側面図である。
レーザを示す側面図である。
この半導体レーザは、Ｎ型の半導体基板１と、この半導
体、基板ｌ上にＮ型の下部クラッドＮ２１、活性層２２
、Ｐ型の第１の上部クランド層２３、Ｎ型の光吸収層２
４及びＮ型の莫発防１ト層２５を順次積層してなる第１
の成長層２と、この第１の成長層２に対し、任意幅で上
記第１の上部クラ・ノド層２３に達する深さに形成され
たストライプ溝３を介して、第２のＰ型上部クラッド［
４１及びＰ型キャップ層・４２を順次積層して成る第２
の成長層４とから構成されている。そして、半導体基板
１の下面には、Ｎ型電極１ａ、キャップ層４２の表面に
はＰ型電極４２ａが形成しである。
体、基板ｌ上にＮ型の下部クラッドＮ２１、活性層２２
、Ｐ型の第１の上部クランド層２３、Ｎ型の光吸収層２
４及びＮ型の莫発防１ト層２５を順次積層してなる第１
の成長層２と、この第１の成長層２に対し、任意幅で上
記第１の上部クラ・ノド層２３に達する深さに形成され
たストライプ溝３を介して、第２のＰ型上部クラッド［
４１及びＰ型キャップ層・４２を順次積層して成る第２
の成長層４とから構成されている。そして、半導体基板
１の下面には、Ｎ型電極１ａ、キャップ層４２の表面に
はＰ型電極４２ａが形成しである。
この半導体レーザは、第４図（Ａ）、第４［４（Ｂ）、
第４図（Ｃ）及び第４図（ｒ））に示す工程によって形
成される。つまり、ＭＢＢ （モレキュラービームエピ
タキシー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓから成る寥
導体基板１を加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原料
物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型ＡｌＸＧａ
＋−ｘ Ａｓから成る下部クラッド層２１ 、 ＡＩＸ
’Ｇａ、−に’Ａｓから成る活性層２２、Ｐ型Ａｔ）、
Ｇａ、−、、八ｓから成る第１の上部クランド層２３、
Ｎ型ＧａＡｓから成る光吸収層２４、Ｎ型Ａ＋Ｘ”ｃａ
ｌ−Ｘ”Ａｓから成る蒸発防止層２５とで構成する第１
の成長層２を、上記半導体基板１上に積層させる〔第４
図（Ａ）］。
第４図（Ｃ）及び第４図（ｒ））に示す工程によって形
成される。つまり、ＭＢＢ （モレキュラービームエピ
タキシー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓから成る寥
導体基板１を加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原料
物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型ＡｌＸＧａ
＋−ｘ Ａｓから成る下部クラッド層２１ 、 ＡＩＸ
’Ｇａ、−に’Ａｓから成る活性層２２、Ｐ型Ａｔ）、
Ｇａ、−、、八ｓから成る第１の上部クランド層２３、
Ｎ型ＧａＡｓから成る光吸収層２４、Ｎ型Ａ＋Ｘ”ｃａ
ｌ−Ｘ”Ａｓから成る蒸発防止層２５とで構成する第１
の成長層２を、上記半導体基板１上に積層させる〔第４
図（Ａ）］。
この第１の成長層２を形成した半導体基板１を、ＭＢＥ
装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外
の蒸発時＋ｌ：Ｊｉ２５をホトレジスト６で覆う。この
ホトレジスト６をマスクとして光吸収層２４が適宜残る
ように、菟発防止層２５と光吸収層２４とをエンチング
して所望幅のストライプ溝３を形成する（第４図（Ｂ）
）。
装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外
の蒸発時＋ｌ：Ｊｉ２５をホトレジスト６で覆う。この
ホトレジスト６をマスクとして光吸収層２４が適宜残る
ように、菟発防止層２５と光吸収層２４とをエンチング
して所望幅のストライプ溝３を形成する（第４図（Ｂ）
）。
さらに、ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の
成長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、
半導体基板ｌを再度Ｍ Ｂ Ｅ装置内に装着する。ここ
で、゛ト導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基
板１を加熱し、半導体基板１の表面に付着している酸化
物等の不純物と１．ｈ記残された光吸収層２４とを蒸発
させる。これにより、光吸収層２４６選択的に蒸発され
るため、第１のＦ部クラッド層２３０表面が露出する〔
第４図（Ｃ）〕。
成長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、
半導体基板ｌを再度Ｍ Ｂ Ｅ装置内に装着する。ここ
で、゛ト導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基
板１を加熱し、半導体基板１の表面に付着している酸化
物等の不純物と１．ｈ記残された光吸収層２４とを蒸発
させる。これにより、光吸収層２４６選択的に蒸発され
るため、第１のＦ部クラッド層２３０表面が露出する〔
第４図（Ｃ）〕。
この状態で、上記第１の工程（第１の成長層２の形成工
程）と同様の方法で、Ｐ型Ａｔ、 Ｇａ、−ｙ Ａｓか
ら成る第２の−Ｆ部クりッド層４１と、Ｐ１型ＧａＡｓ
から成るキャップ層４２とを順次積層し第２の成長層４
を形成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電極１
ａ、キャップ層４２０表面にＰ型電極４２ａを設ける〔
第４図（Ｄ）］。
程）と同様の方法で、Ｐ型Ａｔ、 Ｇａ、−ｙ Ａｓか
ら成る第２の−Ｆ部クりッド層４１と、Ｐ１型ＧａＡｓ
から成るキャップ層４２とを順次積層し第２の成長層４
を形成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電極１
ａ、キャップ層４２０表面にＰ型電極４２ａを設ける〔
第４図（Ｄ）］。
かくして得られた半導体レーザは、キャリアーの注入に
より反転分布（誘導放出）が生じ、ＰＮ接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
より反転分布（誘導放出）が生じ、ＰＮ接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
（ハ）発明が解決しようとする課題
従来の半導体レーザは、第３図で示すように、ストライ
プ溝３において、Ｐ型である第１の上部クランド層２３
とＰ型である第２の上部クラッド層４１とが接面してい
る。従って、Ｐ型電極４２８側から第２の成長層４及び
第１の成長層２を介してＮ聖堂極ｌａ側へ電流を流す時
、電流はストライプ溝３、つまり狭い溝部を通じて流れ
ることとなる。このため、狭幅のストライプ溝３によっ
て狭窄された電流が、第１の上部クランド層２３に達し
た時、つまり狭幅のストライプ溝３を脱した時、電流の
一部が第１のＬ部りランド層２３において横方向（Ｎ型
電極に対し平行方向）＼広がり無効電流となる。この結
県、しきい値電流が高くなり電流効率が悪い等の不利が
あった。
プ溝３において、Ｐ型である第１の上部クランド層２３
とＰ型である第２の上部クラッド層４１とが接面してい
る。従って、Ｐ型電極４２８側から第２の成長層４及び
第１の成長層２を介してＮ聖堂極ｌａ側へ電流を流す時
、電流はストライプ溝３、つまり狭い溝部を通じて流れ
ることとなる。このため、狭幅のストライプ溝３によっ
て狭窄された電流が、第１の上部クランド層２３に達し
た時、つまり狭幅のストライプ溝３を脱した時、電流の
一部が第１のＬ部りランド層２３において横方向（Ｎ型
電極に対し平行方向）＼広がり無効電流となる。この結
県、しきい値電流が高くなり電流効率が悪い等の不利が
あった。
この発明は、しきい値電清か低く電流効率の良い半導体
レーザを提供することを目的とする。
レーザを提供することを目的とする。
（ニ）課題を解決するための１段及び作用この目的を達
成させるために、この発明つ半導体レーザでは、次のよ
うな構成としている、″＋′−導体Ｌ・−ザは、寥導体
基板と、この半導体基板上に下部クラッド層、Ｎ型若し
くはアンドープの活性層、Ｎ型若しくはアンドープの第
１の上部クラッド層、光吸収層及び策定防止層をｔ１ｉ
Ｑ重積層して成る第１の成長層と、この第１の成長層に
対し、任意幅で上記第１の上部クラッド層を残すような
深さに形成されたストライプ溝を介して、第２の上部ク
ラッド層及びキャップ層を順次積層して成る第２の成長
層と、前記第１の上部クラッド層のストライプ溝対応部
分に注入形成されたＰ型ドーパントイオン注入部とから
構成されている。
成させるために、この発明つ半導体レーザでは、次のよ
うな構成としている、″＋′−導体Ｌ・−ザは、寥導体
基板と、この半導体基板上に下部クラッド層、Ｎ型若し
くはアンドープの活性層、Ｎ型若しくはアンドープの第
１の上部クラッド層、光吸収層及び策定防止層をｔ１ｉ
Ｑ重積層して成る第１の成長層と、この第１の成長層に
対し、任意幅で上記第１の上部クラッド層を残すような
深さに形成されたストライプ溝を介して、第２の上部ク
ラッド層及びキャップ層を順次積層して成る第２の成長
層と、前記第１の上部クラッド層のストライプ溝対応部
分に注入形成されたＰ型ドーパントイオン注入部とから
構成されている。
このような構成を有する半導体レーザでは、活性層と第
１の上部クラッド層とを、同じＮ型若しくはアンドープ
層で形成している。そして、この第１の、Ｌ部りラッド
層（Ｎ型層）のＰ型ドーパントイオン注入部（Ｐ型ドー
パントとなり得る、例えばＺｎイオンを充填したイオン
注入部）が、Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面してい
る。
１の上部クラッド層とを、同じＮ型若しくはアンドープ
層で形成している。そして、この第１の、Ｌ部りラッド
層（Ｎ型層）のＰ型ドーパントイオン注入部（Ｐ型ドー
パントとなり得る、例えばＺｎイオンを充填したイオン
注入部）が、Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面してい
る。
今、キャップ層表面に形成したＰ梨型極側から半導体基
板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を消す時、電流はス
トライプ溝、つ士り狭い溝部を通じて流れることとなる
。狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、第１
の上部クラ、ド層（Ｎ型若しくはアンドープ層）におい
て、狭窄状態から脱し、第１の１部クラッド層（Ｎ型若
しくはアンドープ層）内で、横方向（電極に対し平行方
向）へ広がろうとする。しかし、この第１の上部クラッ
ド層はＮ型若しくはアンドープ層であり、Ｐ型の第２の
上部クランド層とは導体パターンが異なる。従って、横
方向への広がりを防止する。
板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を消す時、電流はス
トライプ溝、つ士り狭い溝部を通じて流れることとなる
。狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、第１
の上部クラ、ド層（Ｎ型若しくはアンドープ層）におい
て、狭窄状態から脱し、第１の１部クラッド層（Ｎ型若
しくはアンドープ層）内で、横方向（電極に対し平行方
向）へ広がろうとする。しかし、この第１の上部クラッ
ド層はＮ型若しくはアンドープ層であり、Ｐ型の第２の
上部クランド層とは導体パターンが異なる。従って、横
方向への広がりを防止する。
このため、電流は第１の上部クラッド層（Ｎ型若しくは
アンドープ層）に形成されたＰ型イオン注入部を述じて
活性層（Ｎ型若しくはアンドープ層）へと流れることと
なり、無効電流の発生が極端に少なくなる。従って、し
きい値電流が低くなり電流効率を向上させ得る。
アンドープ層）に形成されたＰ型イオン注入部を述じて
活性層（Ｎ型若しくはアンドープ層）へと流れることと
なり、無効電流の発生が極端に少なくなる。従って、し
きい値電流が低くなり電流効率を向上させ得る。
（ホ）実施例
第１図は、この発明に係る半導体レーザの具体的な一実
施例を示す側面図である。
施例を示す側面図である。
半導体レーザは、Ｎ型半導体基板１と、この半導体基板
ｌ上にＮ型の下部クラッド層２１、Ｎ型若しくはアンド
ープの活性層２２、Ｎ型若しくはアンドープの第１の上
部クラッド層２３、光吸収層２４及び蒸発防止層２５を
順次積層して成る第■の成長層２と、この第１の成長層
２に対し、任意幅で上記第１の上部クラッド層２３を残
すような深さに形成されたストライプ溝３を介して、Ｐ
型である第２の上部クラッド層及びＰ型のキャップ層を
順次積層して成る第２の成長層４と、前記第１の上部ク
ラッド層２３のストライプ溝３対応部分に注入形成され
たＰ型ドーパントイオン注入部５とから構成されている
。
ｌ上にＮ型の下部クラッド層２１、Ｎ型若しくはアンド
ープの活性層２２、Ｎ型若しくはアンドープの第１の上
部クラッド層２３、光吸収層２４及び蒸発防止層２５を
順次積層して成る第■の成長層２と、この第１の成長層
２に対し、任意幅で上記第１の上部クラッド層２３を残
すような深さに形成されたストライプ溝３を介して、Ｐ
型である第２の上部クラッド層及びＰ型のキャップ層を
順次積層して成る第２の成長層４と、前記第１の上部ク
ラッド層２３のストライプ溝３対応部分に注入形成され
たＰ型ドーパントイオン注入部５とから構成されている
。
この半導体レーザの特徴は、活性層２２及び第１の上部
クラッド層２３を、同じＮ型若しくはアンドープ層で形
成し、且つ第１の上部クラッド層２３のストライプ溝３
対応部分にＰ型ドーパントイオン注入部５を形成した点
にある。従って、Ｐ型ドーパントイオン注入部５は、ス
トライプ溝３においてＰ型である第２の上部クラッド層
４１と接面している。
クラッド層２３を、同じＮ型若しくはアンドープ層で形
成し、且つ第１の上部クラッド層２３のストライプ溝３
対応部分にＰ型ドーパントイオン注入部５を形成した点
にある。従って、Ｐ型ドーパントイオン注入部５は、ス
トライプ溝３においてＰ型である第２の上部クラッド層
４１と接面している。
この半導体レーザは、第２図（Ａ）、第２図（Ｂ）、第
２図（Ｃ）及び第２図（Ｄ）の工程を経て形成される。
２図（Ｃ）及び第２図（Ｄ）の工程を経て形成される。
ＭＢＣ（モレキュラービームエピタキシー）装置内に装
着したＮ型のＧａＡｓから成る半導体基板１を加熱し、
蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分子線
の形で蒸発させ、Ｎ型ＡｌＸＧａ１−）ＩＡｓから成る
下部クラッド層２１、Ｎ型若しくはアンドープＡｌｘ’
Ｇａ＋−ｘ’Ａｓから成る活性層２２、Ｎ型若しくはア
ンドープＡ ＩｘＧａ ＋ −ｘＡＳから成る第１の上
部クラッド層２３、更にＮ型ＧａＡｓからなる光吸収層
２４、Ｎ型ＡｉＸ”Ｇａ１−ｇ”Ａｓから成る蒸発防Ｉ
Ｆ層２５を順次積層し、第１の成長層２を上記半導体基
４ＦｉＩ Ｊ二に形成させる〔第２図（Ａ）〕。
着したＮ型のＧａＡｓから成る半導体基板１を加熱し、
蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分子線
の形で蒸発させ、Ｎ型ＡｌＸＧａ１−）ＩＡｓから成る
下部クラッド層２１、Ｎ型若しくはアンドープＡｌｘ’
Ｇａ＋−ｘ’Ａｓから成る活性層２２、Ｎ型若しくはア
ンドープＡ ＩｘＧａ ＋ −ｘＡＳから成る第１の上
部クラッド層２３、更にＮ型ＧａＡｓからなる光吸収層
２４、Ｎ型ＡｉＸ”Ｇａ１−ｇ”Ａｓから成る蒸発防Ｉ
Ｆ層２５を順次積層し、第１の成長層２を上記半導体基
４ＦｉＩ Ｊ二に形成させる〔第２図（Ａ）〕。
この第１の成長層２を形成した半導体基板ｌを、ＭＢＥ
装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外
の蒸発防止層２５をホトレジスト６で覆う。このホトレ
ジスト６をマスクとして、光吸収層２４を若干残すよう
に蒸発防止層２５と光吸収層２４とをエツチングして任
意幅のストライプ溝３を形成する。
装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外
の蒸発防止層２５をホトレジスト６で覆う。このホトレ
ジスト６をマスクとして、光吸収層２４を若干残すよう
に蒸発防止層２５と光吸収層２４とをエツチングして任
意幅のストライプ溝３を形成する。
この状態において、ストライプ溝３の底部に若干残され
た光吸収層２４の下には、第１の上部クランド層（Ｎ型
若しくはアンドープ層）２３が臨出している。
た光吸収層２４の下には、第１の上部クランド層（Ｎ型
若しくはアンドープ層）２３が臨出している。
更に、この状態（ホトレジスト６を備えた状態）で、ス
トライプ溝３に対し、Ｐ型ドーパントとなり得るイオン
、例えばＺｎイオン、Ｂｅイオン、或いはＭｇイオン（
実施例ではＺｎイオン）を注入する。この注入作業は、
イオン源、イオン加速器、質量分離器、ビーム走査系及
びターゲット・チェンジャーから成るイオン注入装置（
図示せず）を用いて行う。つまり、イオン源で発生させ
たＺｎイオンをレンズ系で加速させ、収束して偏向用電
磁石による質量弁１ｆｉｆｆ ２Ｍに入れる。ここで、
イオンは偏向されて走査系に入る。そして、イオンはＮ
型層（若しくはアンドープ層）である第１の上部クラッ
ド層２３表面に衝突し注入される。これにより、第１の
上部クラッド層２３のストライプ溝３対応部分に、Ｐ型
ドーパントイオン注入部５が形成される（第２図（Ｂ）
］。
トライプ溝３に対し、Ｐ型ドーパントとなり得るイオン
、例えばＺｎイオン、Ｂｅイオン、或いはＭｇイオン（
実施例ではＺｎイオン）を注入する。この注入作業は、
イオン源、イオン加速器、質量分離器、ビーム走査系及
びターゲット・チェンジャーから成るイオン注入装置（
図示せず）を用いて行う。つまり、イオン源で発生させ
たＺｎイオンをレンズ系で加速させ、収束して偏向用電
磁石による質量弁１ｆｉｆｆ ２Ｍに入れる。ここで、
イオンは偏向されて走査系に入る。そして、イオンはＮ
型層（若しくはアンドープ層）である第１の上部クラッ
ド層２３表面に衝突し注入される。これにより、第１の
上部クラッド層２３のストライプ溝３対応部分に、Ｐ型
ドーパントイオン注入部５が形成される（第２図（Ｂ）
］。
次いで、ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の
成長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、
半導体基板ｌを再度ＭＢ已装置内に装着する。ここで、
半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１を
加熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等の
不純物を蒸発させる。これにより、ストライプ溝３底部
にＰ型ドーパントイオン注入部５表面が露出する〔第２
図（Ｃ）〕。
成長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、
半導体基板ｌを再度ＭＢ已装置内に装着する。ここで、
半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１を
加熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等の
不純物を蒸発させる。これにより、ストライプ溝３底部
にＰ型ドーパントイオン注入部５表面が露出する〔第２
図（Ｃ）〕。
この状態で、前記第１の成長層２の形成工程と同様の方
法で、Ｐ型ΔＩｖＧａ、イＡｓから成る第２の上部クラ
ッド層４１と、Ｐ゛型ＧａＡｓから成るキャップ層４２
とを順次積層し、第２の成長層４を形成する。そして、
半導体基板１の裏面にＮ梨型島１ａ、キャップ層４２０
表面にＰ型電極４２ａを形成する〔第２図（Ｄ〕］。
法で、Ｐ型ΔＩｖＧａ、イＡｓから成る第２の上部クラ
ッド層４１と、Ｐ゛型ＧａＡｓから成るキャップ層４２
とを順次積層し、第２の成長層４を形成する。そして、
半導体基板１の裏面にＮ梨型島１ａ、キャップ層４２０
表面にＰ型電極４２ａを形成する〔第２図（Ｄ〕］。
このような構成を有する半導体レーザでは、活性層２２
と第１の−Ｆ部クりッド層２３とを、同じＮ型若しくは
アンドープ層で形成している。そして、このＮ型層もし
くはアンドープ層で形成された第１の上部クラッド層２
３のＰ型ドーパントイオン注入部５が、Ｐ型の第２の上
部クラッド層４Ｉと接面している。
と第１の−Ｆ部クりッド層２３とを、同じＮ型若しくは
アンドープ層で形成している。そして、このＮ型層もし
くはアンドープ層で形成された第１の上部クラッド層２
３のＰ型ドーパントイオン注入部５が、Ｐ型の第２の上
部クラッド層４Ｉと接面している。
これにより、Ｐ型電極４２ａ側からＮ梨型極ｌａ側へ、
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝３
、つまり狭い溝部を通じて流されることとなる。狭幅の
ストライプ溝３によって狭窄された電流は、第１の上部
クラッド層（Ｎ型若しくはアンドープ層）２３において
、狭窄状態から脱し、第１の上部クラッド層（Ｎ型若し
くはアンドープ７り２３内で、横方向（電極１ａ、４２
ａに対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、この第
１の上部クラッド層２３はＮ型若しくはアンド−プ層で
あり、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは導体パター
ンが異なる。従って、横方向への広がりを防止する。こ
のため、電流は第１の上部クラッド層（Ｎ型若しくはア
ンドープ層）２３に形成されたＰ型イオン注入部５を通
じて活性層（Ｎ型若しくはアンドープ層）２２へと流れ
ることとなり、無効電流の発生が極端に少なくなる。
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝３
、つまり狭い溝部を通じて流されることとなる。狭幅の
ストライプ溝３によって狭窄された電流は、第１の上部
クラッド層（Ｎ型若しくはアンドープ層）２３において
、狭窄状態から脱し、第１の上部クラッド層（Ｎ型若し
くはアンドープ７り２３内で、横方向（電極１ａ、４２
ａに対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、この第
１の上部クラッド層２３はＮ型若しくはアンド−プ層で
あり、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは導体パター
ンが異なる。従って、横方向への広がりを防止する。こ
のため、電流は第１の上部クラッド層（Ｎ型若しくはア
ンドープ層）２３に形成されたＰ型イオン注入部５を通
じて活性層（Ｎ型若しくはアンドープ層）２２へと流れ
ることとなり、無効電流の発生が極端に少なくなる。
従って、しきい値電流が低くなり電流効率を向上させ得
る。
る。
（へ）発明の効果
二の発明では、以上のように、第１の」二部クラッド層
と活性層とを同じＮ型若しくはアンドープ層で形成し、
第１のＦ部りラッ）′層のストライプ溝対応部分にＰ型
ドーパントイオン注入部を形成することとしたから、ス
トライプ溝においてＰ型ドーパントイオン注入部とＰ型
である第２の上部クラッド層とが接面する。従って、狭
幅のストライプ溝に４よって１突窄された電流は、第１
の上部クラッド層（Ｎ型若しくはアンドープ層）におい
て狭窄状態から脱し、第１の−Ｌ部クりンド層内で、横
方向へ広がろうとするが、この層はＮ型またはアンドー
プの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッド層とは導体パ
ターンが異なる。従って、横方向への広がりを防止する
。このため、電流はＰ型イオン注入部を通じて活性層へ
と流れることとなり、無効電流の発生が極端に少なくな
る。従って、しきい値電流が低くなり電流効率を向上さ
せ得る等、発明［１的を達成した優れた効果を有する。
と活性層とを同じＮ型若しくはアンドープ層で形成し、
第１のＦ部りラッ）′層のストライプ溝対応部分にＰ型
ドーパントイオン注入部を形成することとしたから、ス
トライプ溝においてＰ型ドーパントイオン注入部とＰ型
である第２の上部クラッド層とが接面する。従って、狭
幅のストライプ溝に４よって１突窄された電流は、第１
の上部クラッド層（Ｎ型若しくはアンドープ層）におい
て狭窄状態から脱し、第１の−Ｌ部クりンド層内で、横
方向へ広がろうとするが、この層はＮ型またはアンドー
プの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッド層とは導体パ
ターンが異なる。従って、横方向への広がりを防止する
。このため、電流はＰ型イオン注入部を通じて活性層へ
と流れることとなり、無効電流の発生が極端に少なくな
る。従って、しきい値電流が低くなり電流効率を向上さ
せ得る等、発明［１的を達成した優れた効果を有する。
第１図は、実施例半導体レーザを示す側面図、第２図（
Ａ）、第２図（Ｂ）、第２図（Ｃ）および第２図（Ｄ）
は、実施例半導体レーザの製造工程を示す説明図であり
、第２図（Ａ）は第１の成長層を形成する説明図、第２
図（Ｂ）はＰ型ドーパントイオン注入部を形成した状態
を示す説明図、第２図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図
、第２図（Ｄ）は第２の成長層を形成した状態を示す説
明図、第３図は、従来の半導体レーザを示す側面図、第
４図（Ａ）、第４図（Ｂ）、第４図（Ｃ）才ｉよび第４
図（Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造工程を示す説明
図であり、第４図（Ａ）は第１の成長層を形成した状態
を示す説明図、第４図（Ｂ）はホトエツチング工程を示
す説明図、第４図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図、第
４図（Ｄ）は第２の成長層を形成した状態を示す説明図
である。 １：半導体基板、 ２：第１の成長層、３ニスドラ
イブ溝、 ４：第２の成長層、５：Ｐ型ドーパンＦ・
イオン注入部、 ２２：活性１（Ｎ型若しくはアンドープ層）、２３：第
１のＬ部クラッド層 （Ｎ型若しくはアン ドープ層）
Ａ）、第２図（Ｂ）、第２図（Ｃ）および第２図（Ｄ）
は、実施例半導体レーザの製造工程を示す説明図であり
、第２図（Ａ）は第１の成長層を形成する説明図、第２
図（Ｂ）はＰ型ドーパントイオン注入部を形成した状態
を示す説明図、第２図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図
、第２図（Ｄ）は第２の成長層を形成した状態を示す説
明図、第３図は、従来の半導体レーザを示す側面図、第
４図（Ａ）、第４図（Ｂ）、第４図（Ｃ）才ｉよび第４
図（Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造工程を示す説明
図であり、第４図（Ａ）は第１の成長層を形成した状態
を示す説明図、第４図（Ｂ）はホトエツチング工程を示
す説明図、第４図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図、第
４図（Ｄ）は第２の成長層を形成した状態を示す説明図
である。 １：半導体基板、 ２：第１の成長層、３ニスドラ
イブ溝、 ４：第２の成長層、５：Ｐ型ドーパンＦ・
イオン注入部、 ２２：活性１（Ｎ型若しくはアンドープ層）、２３：第
１のＬ部クラッド層 （Ｎ型若しくはアン ドープ層）
Claims (1)
- （１）半導体基板と、この半導体基板上に下部クラッド
層、Ｎ型若しくはアンドープの活性層、Ｎ型若しくはア
ンドープの第１の上部クラッド層、光吸収層及び蒸発防
止層を順次積層して成る第１の成長層と、この第１の成
長層に対し、任意幅で前記第１の上部クラッド層に達す
るような深さに形成されたストライプ溝を介して、第２
の上部クラッド層及びキャップ層を順次積層して成る第
２の成長層と、前記第１の上部クラッド層のストライプ
溝対応部分に注入形成されたＰ型ドーパントイオン注入
部とから成る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1368389A JPH02194586A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1368389A JPH02194586A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194586A true JPH02194586A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11839984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1368389A Pending JPH02194586A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194586A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137088A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6142985A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| JPS63222488A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1368389A patent/JPH02194586A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137088A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6142985A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| JPS63222488A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
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