JPH02194584A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH02194584A JPH02194584A JP1368189A JP1368189A JPH02194584A JP H02194584 A JPH02194584 A JP H02194584A JP 1368189 A JP1368189 A JP 1368189A JP 1368189 A JP1368189 A JP 1368189A JP H02194584 A JPH02194584 A JP H02194584A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、ＭＢＥ装置を用いて形成される半導体レー
ザ、特に無効電流の発生を低減し、しきい値電流を低下
させる構造をもった半導体レーザに関する。
ザ、特に無効電流の発生を低減し、しきい値電流を低下
させる構造をもった半導体レーザに関する。
（ロ）従来の技術
第３図は、ＭＢＥ装置を用いて形成された従来の半導体
レーザを示す側面図である。
レーザを示す側面図である。
この半導体レーザは、Ｎ型の半導体基板１と、この半導
体基板１上にＮ型の下部クラッド層２Ｉ、活性層２２、
Ｐ型の第１の上部クラッド層２３、Ｎ型の光吸収層２４
及びＮ型の蒸発防止層２５を順次積層して成る第１の成
長層２と、この第１の成長層２に対し、任意幅で第１の
上部クラッド層２３を残すような深さに形成されたスト
ライプ溝３を介して、第２のＰ型上部クラッド層４１及
びＰ型キャップ層４２を順次積層して成る第２の成長層
４とから構成されている。そして、半導体基板１の下面
には、Ｎ型電極１ａ、キャップＷ！Ｊ４２の表面にはＰ
型電極４２ａが形成しである。
体基板１上にＮ型の下部クラッド層２Ｉ、活性層２２、
Ｐ型の第１の上部クラッド層２３、Ｎ型の光吸収層２４
及びＮ型の蒸発防止層２５を順次積層して成る第１の成
長層２と、この第１の成長層２に対し、任意幅で第１の
上部クラッド層２３を残すような深さに形成されたスト
ライプ溝３を介して、第２のＰ型上部クラッド層４１及
びＰ型キャップ層４２を順次積層して成る第２の成長層
４とから構成されている。そして、半導体基板１の下面
には、Ｎ型電極１ａ、キャップＷ！Ｊ４２の表面にはＰ
型電極４２ａが形成しである。
この半導体レーザは、第４図（Ａ）、第４図（Ｂ）、第
４図（Ｃ）及び第４図（Ｄ）に示す工程によって形成さ
れる。つまり、ＭＢＥ（モレキュラービームエピタキシ
ー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓからなる半導体基
板１を加熱し、蒸を源にそれぞれ入れられた原料物質や
不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型＾１ｘＧａｌ−Ｘ
Ａｓから成る下部クラッド層２１、八１に’Ｇａ＋−ｘ
°Ａｓから成る活性層２２、Ｐ型Ａ Ｉ ｘＧａ １−
ｘＡｓから成る第１の上部クラッド層２３、Ｎ型Ｇａ
Ａｓから成る光吸収層２４、Ｎ型Ａ１ｘ’Ｇａ＋ 、、
ｍＡｓから成る蒸発防止層２５とで構成する第１の成長
Ｊ？１２を上記半導体基板１上に積層させる〔第４図（
Ａ））。
４図（Ｃ）及び第４図（Ｄ）に示す工程によって形成さ
れる。つまり、ＭＢＥ（モレキュラービームエピタキシ
ー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓからなる半導体基
板１を加熱し、蒸を源にそれぞれ入れられた原料物質や
不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型＾１ｘＧａｌ−Ｘ
Ａｓから成る下部クラッド層２１、八１に’Ｇａ＋−ｘ
°Ａｓから成る活性層２２、Ｐ型Ａ Ｉ ｘＧａ １−
ｘＡｓから成る第１の上部クラッド層２３、Ｎ型Ｇａ
Ａｓから成る光吸収層２４、Ｎ型Ａ１ｘ’Ｇａ＋ 、、
ｍＡｓから成る蒸発防止層２５とで構成する第１の成長
Ｊ？１２を上記半導体基板１上に積層させる〔第４図（
Ａ））。
この第１の成長層２を形成した゛４′−導体基板１を、
ＭＢＥ装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部
分以外の茎発防止層２５をホトレジスト６で覆う。この
ホトレジスト６をマスクおして光吸収層２４が適宜残る
ように、蒸発防止層２５と光吸収層２４とをエツチング
して所望幅のストライプ溝３を形成する〔第４図（Ｂ）
〕。
ＭＢＥ装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部
分以外の茎発防止層２５をホトレジスト６で覆う。この
ホトレジスト６をマスクおして光吸収層２４が適宜残る
ように、蒸発防止層２５と光吸収層２４とをエツチング
して所望幅のストライプ溝３を形成する〔第４図（Ｂ）
〕。
さらに、ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の
成長層２を形成した基板）１を佇機洗浄する。その後、
半導体基板１を再度ＭＥＢ装置内に装着する。ここで、
半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１を
加熱し、半導体基板１の表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記穴された光吸収層２４とを蒸発させる。
成長層２を形成した基板）１を佇機洗浄する。その後、
半導体基板１を再度ＭＥＢ装置内に装着する。ここで、
半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１を
加熱し、半導体基板１の表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記穴された光吸収層２４とを蒸発させる。
これにより、光吸収層２４も選択的に蒸発されるため、
第１の上部クラッド層２３の表面が露出する〔第４図（
Ｃ）〕。
第１の上部クラッド層２３の表面が露出する〔第４図（
Ｃ）〕。
この状態で、Ｌ記第１の工程（第１の成長層２の形成工
程）と同様の方法で、Ｐ型ＡｔｖＧａｌ−、ΔＳから成
る第２の−Ｆ部クりッド層４１と、Ｐ゛型ＧａＡｓから
成るキャンプ層４２とを順次積層し第２の成長層４を形
成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電極１ａ、
キャップ層４２０表面にＰ型電極４２ａを設ける〔第４
図（Ｄ）〕。
程）と同様の方法で、Ｐ型ＡｔｖＧａｌ−、ΔＳから成
る第２の−Ｆ部クりッド層４１と、Ｐ゛型ＧａＡｓから
成るキャンプ層４２とを順次積層し第２の成長層４を形
成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電極１ａ、
キャップ層４２０表面にＰ型電極４２ａを設ける〔第４
図（Ｄ）〕。
かくして得られた半導体レーザは、キャリアーの注入に
より反転分布（誘導放出）が生じ、Ｐｎ接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
より反転分布（誘導放出）が生じ、Ｐｎ接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
（ハ）発明が解決しようとする課題
従来の半導体レーザでは、第３図で示すように、ストラ
イプ溝３においてＰ型である第１のＬ部クラッド層２３
とＰ型である第２の１一部クラッド層４１とが接面して
いる。従って、Ｐ型電極４２ａ側から第２の成長層４及
び第１の成長層２を介してＮ型電極ｌａ側へ電流を流す
時、電流はストライプ３溝、つまり狭い溝部を通じて流
れることとなる。このため、狭幅のストライプ溝３によ
って狭窄された電流が、第１の−Ｌ部クりンド層２３に
到達した時、つまり狭幅のストライプ溝３を脱した時、
電流の一部が第１の上部クランド層２３において横方向
（Ｎ型電極に対し平行方向）へ広がり無効電流となる。
イプ溝３においてＰ型である第１のＬ部クラッド層２３
とＰ型である第２の１一部クラッド層４１とが接面して
いる。従って、Ｐ型電極４２ａ側から第２の成長層４及
び第１の成長層２を介してＮ型電極ｌａ側へ電流を流す
時、電流はストライプ３溝、つまり狭い溝部を通じて流
れることとなる。このため、狭幅のストライプ溝３によ
って狭窄された電流が、第１の−Ｌ部クりンド層２３に
到達した時、つまり狭幅のストライプ溝３を脱した時、
電流の一部が第１の上部クランド層２３において横方向
（Ｎ型電極に対し平行方向）へ広がり無効電流となる。
この結果、しきい値電流が高くなり電流効率が悪い等の
不利があった。
不利があった。
この発明は、しきい値電流が低く、電流効率の良い半導
体レーザを従供することを目的とする。
体レーザを従供することを目的とする。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用この目的を達
成させるために、この発明の半導体レーザでは、次のよ
うな構成としている。
成させるために、この発明の半導体レーザでは、次のよ
うな構成としている。
半導体レーザは、半導体基板と、この半導体基板上に下
部クラッド層、活性層、第１の上部クラッド層、Ｎ型若
しくはアンドープ層、光吸収層及び蒸発防止層を順次積
層して成る第１の成長層と、この第１の成長層に対し、
任意幅で上記Ｎ型若しくはアンドープ層を残すような深
さに形成されたストライプ溝を介して、第２の上部クラ
ッド層及びキャップ層を順次積層して成る第２の成長層
と、前記Ｎ型若しくはアント゛−ブ層のストライプ溝対
応部分に注入形成されたＰ型ドーバンＩ・イオン注入部
とから構成されている。
部クラッド層、活性層、第１の上部クラッド層、Ｎ型若
しくはアンドープ層、光吸収層及び蒸発防止層を順次積
層して成る第１の成長層と、この第１の成長層に対し、
任意幅で上記Ｎ型若しくはアンドープ層を残すような深
さに形成されたストライプ溝を介して、第２の上部クラ
ッド層及びキャップ層を順次積層して成る第２の成長層
と、前記Ｎ型若しくはアント゛−ブ層のストライプ溝対
応部分に注入形成されたＰ型ドーバンＩ・イオン注入部
とから構成されている。
このような構成を有する半導体レーザでは、ストライプ
溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層とＰ型の第２
の上部クラッド層との間に、Ｎ型若しくはアンドープ層
を介在させている。そして、このＮ型若しくはアンドー
プ層のＰ型ドーパントイオン注入部（Ｐ型ト′−バント
となり得る、例えばＺｎイオンを充填したイオン注入部
）が、Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面している。
溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層とＰ型の第２
の上部クラッド層との間に、Ｎ型若しくはアンドープ層
を介在させている。そして、このＮ型若しくはアンドー
プ層のＰ型ドーパントイオン注入部（Ｐ型ト′−バント
となり得る、例えばＺｎイオンを充填したイオン注入部
）が、Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面している。
今、キャップ層表面に形成したＰ聖堂極側から、半導体
基板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を流す時、電流は
ストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れることとな
る。狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、Ｎ
型若しくはアンドーブ層において、狭窄状態から脱し、
Ｎ型若しくはアンドープ層内で、横方向（電極に対し平
行方向）へ広がろうとする。しかし、この層はＮｊＳＩ
Ｊ又はアンドープの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッ
ド層どは導体パターンが異なる。従って、横方向への広
がりを防止する。このため、電流はＮ型若しくはアンド
ープ層に形成されたＰ型イオン注入部を通じて、Ｐ型で
ある第１の上部クラッド層へと流れることとなり、無効
電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値組流
が低くなり電流効率を向上させ得る。
基板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を流す時、電流は
ストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れることとな
る。狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、Ｎ
型若しくはアンドーブ層において、狭窄状態から脱し、
Ｎ型若しくはアンドープ層内で、横方向（電極に対し平
行方向）へ広がろうとする。しかし、この層はＮｊＳＩ
Ｊ又はアンドープの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッ
ド層どは導体パターンが異なる。従って、横方向への広
がりを防止する。このため、電流はＮ型若しくはアンド
ープ層に形成されたＰ型イオン注入部を通じて、Ｐ型で
ある第１の上部クラッド層へと流れることとなり、無効
電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値組流
が低くなり電流効率を向上させ得る。
（ホ）実施例
第１図は、この発明に係る半導体レーザの具体的な一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
半導体レーザは、Ｎ型の半導体基板１と、このＩ６導体
基板ｌ上にＮ型の下部クラッド層２１、活性層２２、ｐ
Ｊ！ｌ！である第１の上部クラッド層２３、Ｎ型若し
くはアンドープ層２３ａ、、、Ｎ型の光吸収層２４及び
Ｎ型の蒸発防止層２５を順次積層して成る第１の成長層
２と、この第１の成長層２に対し、任意幅で上記Ｎ型性
しくはアンドープ層２３ａを残すような深さで形成され
たストライプ溝３を介して、Ｐ型である第２の−に部り
ラッド層４１及びＰ型のキャップ層４２を順次積層して
成る第２の成長層４と、前記Ｎ型若しくはアンドープ層
２３ａのストライプ溝３対応部分に注入形成されたＰ型
上−パントイオン注入部５とから構成されている。
基板ｌ上にＮ型の下部クラッド層２１、活性層２２、ｐ
Ｊ！ｌ！である第１の上部クラッド層２３、Ｎ型若し
くはアンドープ層２３ａ、、、Ｎ型の光吸収層２４及び
Ｎ型の蒸発防止層２５を順次積層して成る第１の成長層
２と、この第１の成長層２に対し、任意幅で上記Ｎ型性
しくはアンドープ層２３ａを残すような深さで形成され
たストライプ溝３を介して、Ｐ型である第２の−に部り
ラッド層４１及びＰ型のキャップ層４２を順次積層して
成る第２の成長層４と、前記Ｎ型若しくはアンドープ層
２３ａのストライプ溝３対応部分に注入形成されたＰ型
上−パントイオン注入部５とから構成されている。
この半導体レーザの特徴は、Ｐ型である第１の上部クラ
ッド層２３の１面に、つまり第１の上部クラッド層２３
と光吸収層２４との間にＮ型若しくはアンドープ層２３
ａを介在させ、このＮ型若しくはアンドープ層２３ａの
ストライプ溝３対応部分にＰ型上−パントイオン注入部
５を形成した改にある。従って、Ｐ型上−パントイオン
注入部５は、ストライプ溝３においてＰ型である第２の
上部クランド層４１と接面している。
ッド層２３の１面に、つまり第１の上部クラッド層２３
と光吸収層２４との間にＮ型若しくはアンドープ層２３
ａを介在させ、このＮ型若しくはアンドープ層２３ａの
ストライプ溝３対応部分にＰ型上−パントイオン注入部
５を形成した改にある。従って、Ｐ型上−パントイオン
注入部５は、ストライプ溝３においてＰ型である第２の
上部クランド層４１と接面している。
この半導体レーザは、第２図（Ａ）、第２図（Ｂ）、第
２図（Ｃ）及び第２図（Ｄ）の工程を経て形成される。
２図（Ｃ）及び第２図（Ｄ）の工程を経て形成される。
ＭＢＥ （モレキュラービームエピタキシー）装置内に
装着したＮ型のＧａＡｓからなる半導体基板１を加熱し
、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分子
線の形で蒸発させ、Ｎ型Ａ１．ＧａＩ４Ａｓから成る下
部クラッド層２１ 、Ａｌｘ’Ｇａ＋−ｘ’Ａｓから成
る活性層２２、Ｐ型ＡｌｘＧａ１−ＸＡｓから成る第１
の−Ｆ部クラッド層２３、及びＮ型若しくはアンドープ
層２３ａ、更にＮ型ＧａＡｓから成る光吸収層２４、Ｎ
型Ａｌｘ’Ｇａ＋−ｘ″Ａｓから成る蒸発防止層２５を
順次積層し、第１の成長層２を上記半導体基板−Ｌに形
成させる〔第２図（Ａ）〕。
装着したＮ型のＧａＡｓからなる半導体基板１を加熱し
、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分子
線の形で蒸発させ、Ｎ型Ａ１．ＧａＩ４Ａｓから成る下
部クラッド層２１ 、Ａｌｘ’Ｇａ＋−ｘ’Ａｓから成
る活性層２２、Ｐ型ＡｌｘＧａ１−ＸＡｓから成る第１
の−Ｆ部クラッド層２３、及びＮ型若しくはアンドープ
層２３ａ、更にＮ型ＧａＡｓから成る光吸収層２４、Ｎ
型Ａｌｘ’Ｇａ＋−ｘ″Ａｓから成る蒸発防止層２５を
順次積層し、第１の成長層２を上記半導体基板−Ｌに形
成させる〔第２図（Ａ）〕。
この第１の成長層２を形成した半導体基板ｌを、ＭＢＥ
装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外
の蒸発防止層２５をホトレジスト６で覆う。このホトレ
ジスト６をマスクとして、光吸収層２４を若干残すよう
に蒸発防止層２５と光吸収層２４とをエンチングして任
意幅のストライプ溝３を形成する。この状態において、
ストライプ溝３の底部に若干残された光吸収層２４の下
にはＮ型層（又はアンドープ層）２３ａが臣ｎ出してい
る。
装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外
の蒸発防止層２５をホトレジスト６で覆う。このホトレ
ジスト６をマスクとして、光吸収層２４を若干残すよう
に蒸発防止層２５と光吸収層２４とをエンチングして任
意幅のストライプ溝３を形成する。この状態において、
ストライプ溝３の底部に若干残された光吸収層２４の下
にはＮ型層（又はアンドープ層）２３ａが臣ｎ出してい
る。
更に、この状態（ホトレジス１−６を備えた状態）で、
ストライプ溝３に対し、Ｐ型ド−パントとなり得るイオ
ン、例えばＺｎイオン、Ｂｅイオン、或いはＭｇイオン
（実施例ではＺｎイオン）を、注入する。この注入作業
は、イオン源、イオン加速器、性用分離器、ビーム走査
系及びターゲントチェンジヤーから成るイオン注入装置
（図示せず）を用いて行う。つまり、イオン源で発生さ
せたＺｎイオンをレンズ系で加速させ、収束して偏向用
電磁石による？を油分離器に入れる。ここで、イオンは
偏向されて走査系に入る。そして、イオンはＮ型層（若
しくはアンドープ層）２３ａ表面に衝突し注入される。
ストライプ溝３に対し、Ｐ型ド−パントとなり得るイオ
ン、例えばＺｎイオン、Ｂｅイオン、或いはＭｇイオン
（実施例ではＺｎイオン）を、注入する。この注入作業
は、イオン源、イオン加速器、性用分離器、ビーム走査
系及びターゲントチェンジヤーから成るイオン注入装置
（図示せず）を用いて行う。つまり、イオン源で発生さ
せたＺｎイオンをレンズ系で加速させ、収束して偏向用
電磁石による？を油分離器に入れる。ここで、イオンは
偏向されて走査系に入る。そして、イオンはＮ型層（若
しくはアンドープ層）２３ａ表面に衝突し注入される。
これにより、Ｎ型層（又はアンドープ層）２３ａのスト
ライプ満３対応部分に、Ｐ型上−パントイオン注入部５
が形成される（第２図（Ｂ）〕。
ライプ満３対応部分に、Ｐ型上−パントイオン注入部５
が形成される（第２図（Ｂ）〕。
次いで、ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の
成長層２を形成した基板）ｌを有機洗浄する。その後、
半導体基板ｌを再度ＭＥＢ装；ｉ内に装着する。ここで
、半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１
を加熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等
の不純物と前記残された光吸収層２４を蒸発させる。こ
れにより、ストライプ溝３底部にＰ型ドーパントイオン
注入部５表面が露出する〔第２図（Ｃ）〕。
成長層２を形成した基板）ｌを有機洗浄する。その後、
半導体基板ｌを再度ＭＥＢ装；ｉ内に装着する。ここで
、半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１
を加熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等
の不純物と前記残された光吸収層２４を蒸発させる。こ
れにより、ストライプ溝３底部にＰ型ドーパントイオン
注入部５表面が露出する〔第２図（Ｃ）〕。
この状態で、前記第１の成長層２の形成工程と同様の方
法で、Ｐ型Ａｌ、Ｇａ、ｙＡｓから成る第２の上部クラ
ッド層４１と、Ｐ゛型ＧａＡｓから成るキャップ層４２
とをｌｌｉｆｉ次積層し、第２の成長層４を形成する。
法で、Ｐ型Ａｌ、Ｇａ、ｙＡｓから成る第２の上部クラ
ッド層４１と、Ｐ゛型ＧａＡｓから成るキャップ層４２
とをｌｌｉｆｉ次積層し、第２の成長層４を形成する。
そして、半導体基板ｌの裏面にＮ型電極１ａ、キャップ
層４２の表面にＰ型電極４２ａを形成する〔第２図（Ｄ
））。
層４２の表面にＰ型電極４２ａを形成する〔第２図（Ｄ
））。
このような構成を有する半導体レーザでは、ストライプ
ｉＲ３において、Ｐ型の第１の上部クランド層２３とＰ
型の第２の上部クランド層４１との間に、Ｎ型層（若し
くはアンドープ層）２３ａを介在させている。そして、
このＮ型層２３ａＯＰ型ド一パントイオン注入部５が、
Ｐ型の第２の上部クラッド層４１と接面している。
ｉＲ３において、Ｐ型の第１の上部クランド層２３とＰ
型の第２の上部クランド層４１との間に、Ｎ型層（若し
くはアンドープ層）２３ａを介在させている。そして、
このＮ型層２３ａＯＰ型ド一パントイオン注入部５が、
Ｐ型の第２の上部クラッド層４１と接面している。
これにより、Ｐ型電極４２ａ側からＮ聖堂極ｊａ側へ、
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝３
、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。狭幅のス
トライプ溝３によって狭窄された電流は、Ｎ型層（若し
くはアンドープ層）２３ａにおいて、狭窄状態から脱し
、Ｎ型層（アンドープ層）２３ａ内で横方向（電極１ａ
、４２ａに対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、
この層２３ａｌ；！Ｎ型若しくはアンドープの層であり
、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは導体パターンが
異なる。従って、横方向への広がりを防止する。このた
め、Ｔｉ、流はＮ型層（若しくはアンドープ層）２３ａ
に形成されたＰ型・イオン注入部５を通じて、Ｐ型であ
る第１の上部クラッド層２３へと流れることとなり、無
効電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値電
流が低くなり電流効率を向上させ得る。
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝３
、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。狭幅のス
トライプ溝３によって狭窄された電流は、Ｎ型層（若し
くはアンドープ層）２３ａにおいて、狭窄状態から脱し
、Ｎ型層（アンドープ層）２３ａ内で横方向（電極１ａ
、４２ａに対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、
この層２３ａｌ；！Ｎ型若しくはアンドープの層であり
、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは導体パターンが
異なる。従って、横方向への広がりを防止する。このた
め、Ｔｉ、流はＮ型層（若しくはアンドープ層）２３ａ
に形成されたＰ型・イオン注入部５を通じて、Ｐ型であ
る第１の上部クラッド層２３へと流れることとなり、無
効電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値電
流が低くなり電流効率を向上させ得る。
（へ）発明の効果
この発明では、以上のように、第１の成長層を構成する
第１の上部クラッド層と光吸収層との間にＮ １１’Ｊ
若しくはアンドープ層を形成し、このＮ型若しくはアン
ドープ層のストライプ溝対応部分に、ｐ ｊ’（９ド一
パントイオン注入部を形成することとしたから、ストラ
イプ溝においてＰ型ドーパントイオン注入部と、Ｐ型で
ある第２の」二部クララ１′層とが接面する。従って、
狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、Ｎ型層
（若しくはアンドープ層）において狭窄状態から脱し、
Ｎ型層（若しくはアン）゛−ブ層）内で、横方向（電極
に対し平行方向）へ広がろうとするが、この層はＮ型（
又はアンドープの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッド
層とは導体パターンが異なる。従って、横方向への広が
りを防止する。このため、電流はＮ型層（若しくはアン
ドープ層）に形成されたＰ型イオン注入部を通じて、Ｐ
型である第１の上部クラッド層へと流れることとなり、
無効電流の発生が低減される。従って、しきい値電流が
低くなり電流効率を向上させ得る等、発明目的を達成し
た優れた効果を有する。
第１の上部クラッド層と光吸収層との間にＮ １１’Ｊ
若しくはアンドープ層を形成し、このＮ型若しくはアン
ドープ層のストライプ溝対応部分に、ｐ ｊ’（９ド一
パントイオン注入部を形成することとしたから、ストラ
イプ溝においてＰ型ドーパントイオン注入部と、Ｐ型で
ある第２の」二部クララ１′層とが接面する。従って、
狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、Ｎ型層
（若しくはアンドープ層）において狭窄状態から脱し、
Ｎ型層（若しくはアン）゛−ブ層）内で、横方向（電極
に対し平行方向）へ広がろうとするが、この層はＮ型（
又はアンドープの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッド
層とは導体パターンが異なる。従って、横方向への広が
りを防止する。このため、電流はＮ型層（若しくはアン
ドープ層）に形成されたＰ型イオン注入部を通じて、Ｐ
型である第１の上部クラッド層へと流れることとなり、
無効電流の発生が低減される。従って、しきい値電流が
低くなり電流効率を向上させ得る等、発明目的を達成し
た優れた効果を有する。
第１図は、実施例半導体レーザを示す側面図、第２図（
Ａ）、第２図（Ｂ）、第２図（Ｃ）及び第２図（Ｄ）は
、実施例￥導体レーザの製造工程を示す説明図であり、
第２図（Ａ）は第１の成長層を形成する説明図、第２図
（１３）はＰ型ドーパントイオン注入部を形成した状態
を示す説明図、第２図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図
、第２図（Ｄ）は第２の成長層を形成した状態を示す説
明図、第３図は、従来の半導体レーザを示す側面図、第
４図（Ａ）、第４図（Ｂ）、第４図（Ｃ）及び第４図（
Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造工程を示す説明図で
あり、第４図（Ａ）は第１の成長層を形成した状態を示
す説明図、第４図（Ｂ）はホトエッチング工程を示す説
明図、第４図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図、第４図
（Ｄ）は第２成長層を形成した状態を示す説明図である
。 ｌ；基板、 ２：第１の成長層、３ニスドラ
イブ溝、 ４：第２の成長層、５ＦＰ型ド一パントイ
オン注入部、 ２３：第１の上部クランド層、 ２３ａ ： Ｎ型層 （若しくはアンドープ層） 特許用１９１１人 ローム株式会社
Ａ）、第２図（Ｂ）、第２図（Ｃ）及び第２図（Ｄ）は
、実施例￥導体レーザの製造工程を示す説明図であり、
第２図（Ａ）は第１の成長層を形成する説明図、第２図
（１３）はＰ型ドーパントイオン注入部を形成した状態
を示す説明図、第２図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図
、第２図（Ｄ）は第２の成長層を形成した状態を示す説
明図、第３図は、従来の半導体レーザを示す側面図、第
４図（Ａ）、第４図（Ｂ）、第４図（Ｃ）及び第４図（
Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造工程を示す説明図で
あり、第４図（Ａ）は第１の成長層を形成した状態を示
す説明図、第４図（Ｂ）はホトエッチング工程を示す説
明図、第４図（Ｃ）は再蒸発工程を示す説明図、第４図
（Ｄ）は第２成長層を形成した状態を示す説明図である
。 ｌ；基板、 ２：第１の成長層、３ニスドラ
イブ溝、 ４：第２の成長層、５ＦＰ型ド一パントイ
オン注入部、 ２３：第１の上部クランド層、 ２３ａ ： Ｎ型層 （若しくはアンドープ層） 特許用１９１１人 ローム株式会社
Claims (1)
- （１）半導体基板と、この半導体基板上に下部クラッド
層、活性層、第１の上部クラッド層、Ｎ型若しくはアン
ドープ層、光吸収層及び蒸発防止層を順次積層して成る
第１の成長層と、この第１の成長層に対し、任意幅で上
記Ｎ型若しくはアンドープ層を残すような深さに形成さ
れたストライプ溝を介して、第２の上部クラッド層及び
キャップ層を順次積層して成る第２の成長層と、前記Ｎ
型若しくはアンドープ層のストライプ溝対応部分に注入
形成されたＰ型ドーパントイオン注入部とから成る半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1368189A JPH02194584A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1368189A JPH02194584A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194584A true JPH02194584A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11839926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1368189A Pending JPH02194584A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194584A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142985A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1368189A patent/JPH02194584A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142985A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
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