JPH02194584A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH02194584A JPH02194584A JP1368189A JP1368189A JPH02194584A JP H02194584 A JPH02194584 A JP H02194584A JP 1368189 A JP1368189 A JP 1368189A JP 1368189 A JP1368189 A JP 1368189A JP H02194584 A JPH02194584 A JP H02194584A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 33
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は、MBE装置を用いて形成される半導体レー
ザ、特に無効電流の発生を低減し、しきい値電流を低下
させる構造をもった半導体レーザに関する。
ザ、特に無効電流の発生を低減し、しきい値電流を低下
させる構造をもった半導体レーザに関する。
(ロ)従来の技術
第3図は、MBE装置を用いて形成された従来の半導体
レーザを示す側面図である。
レーザを示す側面図である。
この半導体レーザは、N型の半導体基板1と、この半導
体基板1上にN型の下部クラッド層2I、活性層22、
P型の第1の上部クラッド層23、N型の光吸収層24
及びN型の蒸発防止層25を順次積層して成る第1の成
長層2と、この第1の成長層2に対し、任意幅で第1の
上部クラッド層23を残すような深さに形成されたスト
ライプ溝3を介して、第2のP型上部クラッド層41及
びP型キャップ層42を順次積層して成る第2の成長層
4とから構成されている。そして、半導体基板1の下面
には、N型電極1a、キャップW!J42の表面にはP
型電極42aが形成しである。
体基板1上にN型の下部クラッド層2I、活性層22、
P型の第1の上部クラッド層23、N型の光吸収層24
及びN型の蒸発防止層25を順次積層して成る第1の成
長層2と、この第1の成長層2に対し、任意幅で第1の
上部クラッド層23を残すような深さに形成されたスト
ライプ溝3を介して、第2のP型上部クラッド層41及
びP型キャップ層42を順次積層して成る第2の成長層
4とから構成されている。そして、半導体基板1の下面
には、N型電極1a、キャップW!J42の表面にはP
型電極42aが形成しである。
この半導体レーザは、第4図(A)、第4図(B)、第
4図(C)及び第4図(D)に示す工程によって形成さ
れる。つまり、MBE(モレキュラービームエピタキシ
ー)装置内に装着したN型のGaAsからなる半導体基
板1を加熱し、蒸を源にそれぞれ入れられた原料物質や
不純物を分子線の形で蒸発させ、N型^1xGal−X
Asから成る下部クラッド層21、八1に’Ga+−x
°Asから成る活性層22、P型A I xGa 1−
xAsから成る第1の上部クラッド層23、N型Ga
Asから成る光吸収層24、N型A1x’Ga+ 、、
mAsから成る蒸発防止層25とで構成する第1の成長
J?12を上記半導体基板1上に積層させる〔第4図(
A))。
4図(C)及び第4図(D)に示す工程によって形成さ
れる。つまり、MBE(モレキュラービームエピタキシ
ー)装置内に装着したN型のGaAsからなる半導体基
板1を加熱し、蒸を源にそれぞれ入れられた原料物質や
不純物を分子線の形で蒸発させ、N型^1xGal−X
Asから成る下部クラッド層21、八1に’Ga+−x
°Asから成る活性層22、P型A I xGa 1−
xAsから成る第1の上部クラッド層23、N型Ga
Asから成る光吸収層24、N型A1x’Ga+ 、、
mAsから成る蒸発防止層25とで構成する第1の成長
J?12を上記半導体基板1上に積層させる〔第4図(
A))。
この第1の成長層2を形成した゛4′−導体基板1を、
MBE装置から取り出し、ストライプ溝3を形成する部
分以外の茎発防止層25をホトレジスト6で覆う。この
ホトレジスト6をマスクおして光吸収層24が適宜残る
ように、蒸発防止層25と光吸収層24とをエツチング
して所望幅のストライプ溝3を形成する〔第4図(B)
〕。
MBE装置から取り出し、ストライプ溝3を形成する部
分以外の茎発防止層25をホトレジスト6で覆う。この
ホトレジスト6をマスクおして光吸収層24が適宜残る
ように、蒸発防止層25と光吸収層24とをエツチング
して所望幅のストライプ溝3を形成する〔第4図(B)
〕。
さらに、ホトレジスト6を除去した半導体基板(第1の
成長層2を形成した基板)1を佇機洗浄する。その後、
半導体基板1を再度MEB装置内に装着する。ここで、
半導体基板1にAs分子線を当てながら半導体基板1を
加熱し、半導体基板1の表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記穴された光吸収層24とを蒸発させる。
成長層2を形成した基板)1を佇機洗浄する。その後、
半導体基板1を再度MEB装置内に装着する。ここで、
半導体基板1にAs分子線を当てながら半導体基板1を
加熱し、半導体基板1の表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記穴された光吸収層24とを蒸発させる。
これにより、光吸収層24も選択的に蒸発されるため、
第1の上部クラッド層23の表面が露出する〔第4図(
C)〕。
第1の上部クラッド層23の表面が露出する〔第4図(
C)〕。
この状態で、L記第1の工程(第1の成長層2の形成工
程)と同様の方法で、P型AtvGal−、ΔSから成
る第2の−F部クりッド層41と、P゛型GaAsから
成るキャンプ層42とを順次積層し第2の成長層4を形
成する。そして、半導体基板1の裏面にN型電極1a、
キャップ層420表面にP型電極42aを設ける〔第4
図(D)〕。
程)と同様の方法で、P型AtvGal−、ΔSから成
る第2の−F部クりッド層41と、P゛型GaAsから
成るキャンプ層42とを順次積層し第2の成長層4を形
成する。そして、半導体基板1の裏面にN型電極1a、
キャップ層420表面にP型電極42aを設ける〔第4
図(D)〕。
かくして得られた半導体レーザは、キャリアーの注入に
より反転分布(誘導放出)が生じ、Pn接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
より反転分布(誘導放出)が生じ、Pn接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
(ハ)発明が解決しようとする課題
従来の半導体レーザでは、第3図で示すように、ストラ
イプ溝3においてP型である第1のL部クラッド層23
とP型である第2の1一部クラッド層41とが接面して
いる。従って、P型電極42a側から第2の成長層4及
び第1の成長層2を介してN型電極la側へ電流を流す
時、電流はストライプ3溝、つまり狭い溝部を通じて流
れることとなる。このため、狭幅のストライプ溝3によ
って狭窄された電流が、第1の−L部クりンド層23に
到達した時、つまり狭幅のストライプ溝3を脱した時、
電流の一部が第1の上部クランド層23において横方向
(N型電極に対し平行方向)へ広がり無効電流となる。
イプ溝3においてP型である第1のL部クラッド層23
とP型である第2の1一部クラッド層41とが接面して
いる。従って、P型電極42a側から第2の成長層4及
び第1の成長層2を介してN型電極la側へ電流を流す
時、電流はストライプ3溝、つまり狭い溝部を通じて流
れることとなる。このため、狭幅のストライプ溝3によ
って狭窄された電流が、第1の−L部クりンド層23に
到達した時、つまり狭幅のストライプ溝3を脱した時、
電流の一部が第1の上部クランド層23において横方向
(N型電極に対し平行方向)へ広がり無効電流となる。
この結果、しきい値電流が高くなり電流効率が悪い等の
不利があった。
不利があった。
この発明は、しきい値電流が低く、電流効率の良い半導
体レーザを従供することを目的とする。
体レーザを従供することを目的とする。
(ニ)課題を解決するための手段及び作用この目的を達
成させるために、この発明の半導体レーザでは、次のよ
うな構成としている。
成させるために、この発明の半導体レーザでは、次のよ
うな構成としている。
半導体レーザは、半導体基板と、この半導体基板上に下
部クラッド層、活性層、第1の上部クラッド層、N型若
しくはアンドープ層、光吸収層及び蒸発防止層を順次積
層して成る第1の成長層と、この第1の成長層に対し、
任意幅で上記N型若しくはアンドープ層を残すような深
さに形成されたストライプ溝を介して、第2の上部クラ
ッド層及びキャップ層を順次積層して成る第2の成長層
と、前記N型若しくはアント゛−ブ層のストライプ溝対
応部分に注入形成されたP型ドーバンI・イオン注入部
とから構成されている。
部クラッド層、活性層、第1の上部クラッド層、N型若
しくはアンドープ層、光吸収層及び蒸発防止層を順次積
層して成る第1の成長層と、この第1の成長層に対し、
任意幅で上記N型若しくはアンドープ層を残すような深
さに形成されたストライプ溝を介して、第2の上部クラ
ッド層及びキャップ層を順次積層して成る第2の成長層
と、前記N型若しくはアント゛−ブ層のストライプ溝対
応部分に注入形成されたP型ドーバンI・イオン注入部
とから構成されている。
このような構成を有する半導体レーザでは、ストライプ
溝において、P型の第1の上部クラッド層とP型の第2
の上部クラッド層との間に、N型若しくはアンドープ層
を介在させている。そして、このN型若しくはアンドー
プ層のP型ドーパントイオン注入部(P型ト′−バント
となり得る、例えばZnイオンを充填したイオン注入部
)が、P型の第2の上部クラッド層と接面している。
溝において、P型の第1の上部クラッド層とP型の第2
の上部クラッド層との間に、N型若しくはアンドープ層
を介在させている。そして、このN型若しくはアンドー
プ層のP型ドーパントイオン注入部(P型ト′−バント
となり得る、例えばZnイオンを充填したイオン注入部
)が、P型の第2の上部クラッド層と接面している。
今、キャップ層表面に形成したP聖堂極側から、半導体
基板裏面に形成したN型電極側へ電流を流す時、電流は
ストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れることとな
る。狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、N
型若しくはアンドーブ層において、狭窄状態から脱し、
N型若しくはアンドープ層内で、横方向(電極に対し平
行方向)へ広がろうとする。しかし、この層はNjSI
J又はアンドープの層であり、P型の第2の上部クラッ
ド層どは導体パターンが異なる。従って、横方向への広
がりを防止する。このため、電流はN型若しくはアンド
ープ層に形成されたP型イオン注入部を通じて、P型で
ある第1の上部クラッド層へと流れることとなり、無効
電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値組流
が低くなり電流効率を向上させ得る。
基板裏面に形成したN型電極側へ電流を流す時、電流は
ストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れることとな
る。狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、N
型若しくはアンドーブ層において、狭窄状態から脱し、
N型若しくはアンドープ層内で、横方向(電極に対し平
行方向)へ広がろうとする。しかし、この層はNjSI
J又はアンドープの層であり、P型の第2の上部クラッ
ド層どは導体パターンが異なる。従って、横方向への広
がりを防止する。このため、電流はN型若しくはアンド
ープ層に形成されたP型イオン注入部を通じて、P型で
ある第1の上部クラッド層へと流れることとなり、無効
電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値組流
が低くなり電流効率を向上させ得る。
(ホ)実施例
第1図は、この発明に係る半導体レーザの具体的な一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
半導体レーザは、N型の半導体基板1と、このI6導体
基板l上にN型の下部クラッド層21、活性層22、p
J!l!である第1の上部クラッド層23、N型若し
くはアンドープ層23a、、、N型の光吸収層24及び
N型の蒸発防止層25を順次積層して成る第1の成長層
2と、この第1の成長層2に対し、任意幅で上記N型性
しくはアンドープ層23aを残すような深さで形成され
たストライプ溝3を介して、P型である第2の−に部り
ラッド層41及びP型のキャップ層42を順次積層して
成る第2の成長層4と、前記N型若しくはアンドープ層
23aのストライプ溝3対応部分に注入形成されたP型
上−パントイオン注入部5とから構成されている。
基板l上にN型の下部クラッド層21、活性層22、p
J!l!である第1の上部クラッド層23、N型若し
くはアンドープ層23a、、、N型の光吸収層24及び
N型の蒸発防止層25を順次積層して成る第1の成長層
2と、この第1の成長層2に対し、任意幅で上記N型性
しくはアンドープ層23aを残すような深さで形成され
たストライプ溝3を介して、P型である第2の−に部り
ラッド層41及びP型のキャップ層42を順次積層して
成る第2の成長層4と、前記N型若しくはアンドープ層
23aのストライプ溝3対応部分に注入形成されたP型
上−パントイオン注入部5とから構成されている。
この半導体レーザの特徴は、P型である第1の上部クラ
ッド層23の1面に、つまり第1の上部クラッド層23
と光吸収層24との間にN型若しくはアンドープ層23
aを介在させ、このN型若しくはアンドープ層23aの
ストライプ溝3対応部分にP型上−パントイオン注入部
5を形成した改にある。従って、P型上−パントイオン
注入部5は、ストライプ溝3においてP型である第2の
上部クランド層41と接面している。
ッド層23の1面に、つまり第1の上部クラッド層23
と光吸収層24との間にN型若しくはアンドープ層23
aを介在させ、このN型若しくはアンドープ層23aの
ストライプ溝3対応部分にP型上−パントイオン注入部
5を形成した改にある。従って、P型上−パントイオン
注入部5は、ストライプ溝3においてP型である第2の
上部クランド層41と接面している。
この半導体レーザは、第2図(A)、第2図(B)、第
2図(C)及び第2図(D)の工程を経て形成される。
2図(C)及び第2図(D)の工程を経て形成される。
MBE (モレキュラービームエピタキシー)装置内に
装着したN型のGaAsからなる半導体基板1を加熱し
、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分子
線の形で蒸発させ、N型A1.GaI4Asから成る下
部クラッド層21 、Alx’Ga+−x’Asから成
る活性層22、P型AlxGa1−XAsから成る第1
の−F部クラッド層23、及びN型若しくはアンドープ
層23a、更にN型GaAsから成る光吸収層24、N
型Alx’Ga+−x″Asから成る蒸発防止層25を
順次積層し、第1の成長層2を上記半導体基板−Lに形
成させる〔第2図(A)〕。
装着したN型のGaAsからなる半導体基板1を加熱し
、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分子
線の形で蒸発させ、N型A1.GaI4Asから成る下
部クラッド層21 、Alx’Ga+−x’Asから成
る活性層22、P型AlxGa1−XAsから成る第1
の−F部クラッド層23、及びN型若しくはアンドープ
層23a、更にN型GaAsから成る光吸収層24、N
型Alx’Ga+−x″Asから成る蒸発防止層25を
順次積層し、第1の成長層2を上記半導体基板−Lに形
成させる〔第2図(A)〕。
この第1の成長層2を形成した半導体基板lを、MBE
装置から取り出し、ストライプ溝3を形成する部分以外
の蒸発防止層25をホトレジスト6で覆う。このホトレ
ジスト6をマスクとして、光吸収層24を若干残すよう
に蒸発防止層25と光吸収層24とをエンチングして任
意幅のストライプ溝3を形成する。この状態において、
ストライプ溝3の底部に若干残された光吸収層24の下
にはN型層(又はアンドープ層)23aが臣n出してい
る。
装置から取り出し、ストライプ溝3を形成する部分以外
の蒸発防止層25をホトレジスト6で覆う。このホトレ
ジスト6をマスクとして、光吸収層24を若干残すよう
に蒸発防止層25と光吸収層24とをエンチングして任
意幅のストライプ溝3を形成する。この状態において、
ストライプ溝3の底部に若干残された光吸収層24の下
にはN型層(又はアンドープ層)23aが臣n出してい
る。
更に、この状態(ホトレジス1−6を備えた状態)で、
ストライプ溝3に対し、P型ド−パントとなり得るイオ
ン、例えばZnイオン、Beイオン、或いはMgイオン
(実施例ではZnイオン)を、注入する。この注入作業
は、イオン源、イオン加速器、性用分離器、ビーム走査
系及びターゲントチェンジヤーから成るイオン注入装置
(図示せず)を用いて行う。つまり、イオン源で発生さ
せたZnイオンをレンズ系で加速させ、収束して偏向用
電磁石による?を油分離器に入れる。ここで、イオンは
偏向されて走査系に入る。そして、イオンはN型層(若
しくはアンドープ層)23a表面に衝突し注入される。
ストライプ溝3に対し、P型ド−パントとなり得るイオ
ン、例えばZnイオン、Beイオン、或いはMgイオン
(実施例ではZnイオン)を、注入する。この注入作業
は、イオン源、イオン加速器、性用分離器、ビーム走査
系及びターゲントチェンジヤーから成るイオン注入装置
(図示せず)を用いて行う。つまり、イオン源で発生さ
せたZnイオンをレンズ系で加速させ、収束して偏向用
電磁石による?を油分離器に入れる。ここで、イオンは
偏向されて走査系に入る。そして、イオンはN型層(若
しくはアンドープ層)23a表面に衝突し注入される。
これにより、N型層(又はアンドープ層)23aのスト
ライプ満3対応部分に、P型上−パントイオン注入部5
が形成される(第2図(B)〕。
ライプ満3対応部分に、P型上−パントイオン注入部5
が形成される(第2図(B)〕。
次いで、ホトレジスト6を除去した半導体基板(第1の
成長層2を形成した基板)lを有機洗浄する。その後、
半導体基板lを再度MEB装;i内に装着する。ここで
、半導体基板1にAs分子線を当てながら半導体基板1
を加熱し、半導体基板10表面に付着している酸化物等
の不純物と前記残された光吸収層24を蒸発させる。こ
れにより、ストライプ溝3底部にP型ドーパントイオン
注入部5表面が露出する〔第2図(C)〕。
成長層2を形成した基板)lを有機洗浄する。その後、
半導体基板lを再度MEB装;i内に装着する。ここで
、半導体基板1にAs分子線を当てながら半導体基板1
を加熱し、半導体基板10表面に付着している酸化物等
の不純物と前記残された光吸収層24を蒸発させる。こ
れにより、ストライプ溝3底部にP型ドーパントイオン
注入部5表面が露出する〔第2図(C)〕。
この状態で、前記第1の成長層2の形成工程と同様の方
法で、P型Al、Ga、yAsから成る第2の上部クラ
ッド層41と、P゛型GaAsから成るキャップ層42
とをllifi次積層し、第2の成長層4を形成する。
法で、P型Al、Ga、yAsから成る第2の上部クラ
ッド層41と、P゛型GaAsから成るキャップ層42
とをllifi次積層し、第2の成長層4を形成する。
そして、半導体基板lの裏面にN型電極1a、キャップ
層42の表面にP型電極42aを形成する〔第2図(D
))。
層42の表面にP型電極42aを形成する〔第2図(D
))。
このような構成を有する半導体レーザでは、ストライプ
iR3において、P型の第1の上部クランド層23とP
型の第2の上部クランド層41との間に、N型層(若し
くはアンドープ層)23aを介在させている。そして、
このN型層23aOP型ド一パントイオン注入部5が、
P型の第2の上部クラッド層41と接面している。
iR3において、P型の第1の上部クランド層23とP
型の第2の上部クランド層41との間に、N型層(若し
くはアンドープ層)23aを介在させている。そして、
このN型層23aOP型ド一パントイオン注入部5が、
P型の第2の上部クラッド層41と接面している。
これにより、P型電極42a側からN聖堂極ja側へ、
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝3
、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。狭幅のス
トライプ溝3によって狭窄された電流は、N型層(若し
くはアンドープ層)23aにおいて、狭窄状態から脱し
、N型層(アンドープ層)23a内で横方向(電極1a
、42aに対し平行方向)へ広がろうとする。しかし、
この層23al;!N型若しくはアンドープの層であり
、P型の第2の上部クラッド層41とは導体パターンが
異なる。従って、横方向への広がりを防止する。このた
め、Ti、流はN型層(若しくはアンドープ層)23a
に形成されたP型・イオン注入部5を通じて、P型であ
る第1の上部クラッド層23へと流れることとなり、無
効電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値電
流が低くなり電流効率を向上させ得る。
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝3
、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。狭幅のス
トライプ溝3によって狭窄された電流は、N型層(若し
くはアンドープ層)23aにおいて、狭窄状態から脱し
、N型層(アンドープ層)23a内で横方向(電極1a
、42aに対し平行方向)へ広がろうとする。しかし、
この層23al;!N型若しくはアンドープの層であり
、P型の第2の上部クラッド層41とは導体パターンが
異なる。従って、横方向への広がりを防止する。このた
め、Ti、流はN型層(若しくはアンドープ層)23a
に形成されたP型・イオン注入部5を通じて、P型であ
る第1の上部クラッド層23へと流れることとなり、無
効電流の発生が大幅に低減される。従って、しきい値電
流が低くなり電流効率を向上させ得る。
(へ)発明の効果
この発明では、以上のように、第1の成長層を構成する
第1の上部クラッド層と光吸収層との間にN 11’J
若しくはアンドープ層を形成し、このN型若しくはアン
ドープ層のストライプ溝対応部分に、p j’(9ド一
パントイオン注入部を形成することとしたから、ストラ
イプ溝においてP型ドーパントイオン注入部と、P型で
ある第2の」二部クララ1′層とが接面する。従って、
狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、N型層
(若しくはアンドープ層)において狭窄状態から脱し、
N型層(若しくはアン)゛−ブ層)内で、横方向(電極
に対し平行方向)へ広がろうとするが、この層はN型(
又はアンドープの層であり、P型の第2の上部クラッド
層とは導体パターンが異なる。従って、横方向への広が
りを防止する。このため、電流はN型層(若しくはアン
ドープ層)に形成されたP型イオン注入部を通じて、P
型である第1の上部クラッド層へと流れることとなり、
無効電流の発生が低減される。従って、しきい値電流が
低くなり電流効率を向上させ得る等、発明目的を達成し
た優れた効果を有する。
第1の上部クラッド層と光吸収層との間にN 11’J
若しくはアンドープ層を形成し、このN型若しくはアン
ドープ層のストライプ溝対応部分に、p j’(9ド一
パントイオン注入部を形成することとしたから、ストラ
イプ溝においてP型ドーパントイオン注入部と、P型で
ある第2の」二部クララ1′層とが接面する。従って、
狭幅のストライプ溝によって狭窄された電流は、N型層
(若しくはアンドープ層)において狭窄状態から脱し、
N型層(若しくはアン)゛−ブ層)内で、横方向(電極
に対し平行方向)へ広がろうとするが、この層はN型(
又はアンドープの層であり、P型の第2の上部クラッド
層とは導体パターンが異なる。従って、横方向への広が
りを防止する。このため、電流はN型層(若しくはアン
ドープ層)に形成されたP型イオン注入部を通じて、P
型である第1の上部クラッド層へと流れることとなり、
無効電流の発生が低減される。従って、しきい値電流が
低くなり電流効率を向上させ得る等、発明目的を達成し
た優れた効果を有する。
第1図は、実施例半導体レーザを示す側面図、第2図(
A)、第2図(B)、第2図(C)及び第2図(D)は
、実施例¥導体レーザの製造工程を示す説明図であり、
第2図(A)は第1の成長層を形成する説明図、第2図
(13)はP型ドーパントイオン注入部を形成した状態
を示す説明図、第2図(C)は再蒸発工程を示す説明図
、第2図(D)は第2の成長層を形成した状態を示す説
明図、第3図は、従来の半導体レーザを示す側面図、第
4図(A)、第4図(B)、第4図(C)及び第4図(
D)は、従来の半導体レーザの製造工程を示す説明図で
あり、第4図(A)は第1の成長層を形成した状態を示
す説明図、第4図(B)はホトエッチング工程を示す説
明図、第4図(C)は再蒸発工程を示す説明図、第4図
(D)は第2成長層を形成した状態を示す説明図である
。 l;基板、 2:第1の成長層、3ニスドラ
イブ溝、 4:第2の成長層、5FP型ド一パントイ
オン注入部、 23:第1の上部クランド層、 23a : N型層 (若しくはアンドープ層) 特許用1911人 ローム株式会社
A)、第2図(B)、第2図(C)及び第2図(D)は
、実施例¥導体レーザの製造工程を示す説明図であり、
第2図(A)は第1の成長層を形成する説明図、第2図
(13)はP型ドーパントイオン注入部を形成した状態
を示す説明図、第2図(C)は再蒸発工程を示す説明図
、第2図(D)は第2の成長層を形成した状態を示す説
明図、第3図は、従来の半導体レーザを示す側面図、第
4図(A)、第4図(B)、第4図(C)及び第4図(
D)は、従来の半導体レーザの製造工程を示す説明図で
あり、第4図(A)は第1の成長層を形成した状態を示
す説明図、第4図(B)はホトエッチング工程を示す説
明図、第4図(C)は再蒸発工程を示す説明図、第4図
(D)は第2成長層を形成した状態を示す説明図である
。 l;基板、 2:第1の成長層、3ニスドラ
イブ溝、 4:第2の成長層、5FP型ド一パントイ
オン注入部、 23:第1の上部クランド層、 23a : N型層 (若しくはアンドープ層) 特許用1911人 ローム株式会社
Claims (1)
- (1)半導体基板と、この半導体基板上に下部クラッド
層、活性層、第1の上部クラッド層、N型若しくはアン
ドープ層、光吸収層及び蒸発防止層を順次積層して成る
第1の成長層と、この第1の成長層に対し、任意幅で上
記N型若しくはアンドープ層を残すような深さに形成さ
れたストライプ溝を介して、第2の上部クラッド層及び
キャップ層を順次積層して成る第2の成長層と、前記N
型若しくはアンドープ層のストライプ溝対応部分に注入
形成されたP型ドーパントイオン注入部とから成る半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1368189A JPH02194584A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1368189A JPH02194584A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02194584A true JPH02194584A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11839926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1368189A Pending JPH02194584A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02194584A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6142985A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1368189A patent/JPH02194584A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6142985A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
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