JPH02194585A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02194585A JPH02194585A JP1368289A JP1368289A JPH02194585A JP H02194585 A JPH02194585 A JP H02194585A JP 1368289 A JP1368289 A JP 1368289A JP 1368289 A JP1368289 A JP 1368289A JP H02194585 A JPH02194585 A JP H02194585A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は、MBE装置を用いて製造されるAlGaA
s系半導体レーザの製造方法に関する。
s系半導体レーザの製造方法に関する。
(ロ)従来の技術
第3図(A)、第3図(B)、第3図(C)及び第3図
(D)は、従来の半導体レーザの製造方法を示す工程説
明図である。
(D)は、従来の半導体レーザの製造方法を示す工程説
明図である。
この半導体レーザの製造方法は、MBE装置を使用し、
2回のMBE成長を行うことで半導体レーザを形成して
いる。
2回のMBE成長を行うことで半導体レーザを形成して
いる。
第3図(A)は、半導体基板1に第1の成長層を形成す
る工程を示している。MBE (モレキュラービームエ
ピタキシー)装置内に装着したN型のGaAsからなる
半導体基Filを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた
原料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、N型A1.
Ga、−にAsからなる下部りランド層21、八lX
’Ga、−,’ Asから成る活性層22、P型AIX
Ga1−x Asから成る第1の上部クラッド層23
、N型GaAsから成る光吸収W124、N型AIX”
Ga、、、X″Asから成る蒸発防止層25を、半導体
基板1表面に順次積層して第1の成長層2を成形する。
る工程を示している。MBE (モレキュラービームエ
ピタキシー)装置内に装着したN型のGaAsからなる
半導体基Filを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた
原料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、N型A1.
Ga、−にAsからなる下部りランド層21、八lX
’Ga、−,’ Asから成る活性層22、P型AIX
Ga1−x Asから成る第1の上部クラッド層23
、N型GaAsから成る光吸収W124、N型AIX”
Ga、、、X″Asから成る蒸発防止層25を、半導体
基板1表面に順次積層して第1の成長層2を成形する。
次に第3図(B)は、第1の成長層2にストライプ溝を
形成するホトエツチング工程を示している。上記第1の
成長層2を形成した半導体基板1を、MBE装置から取
り出し、ストライプ溝3を形成する部分以外の蒸発防止
rr425をホトレジスト6で覆う。このホトレジス[
・6をマスクとして光吸収層24が適宜残るように、蒸
発防止層25と光吸収層24どをエツチングして所望幅
のストライプ溝3を形成する。
形成するホトエツチング工程を示している。上記第1の
成長層2を形成した半導体基板1を、MBE装置から取
り出し、ストライプ溝3を形成する部分以外の蒸発防止
rr425をホトレジスト6で覆う。このホトレジス[
・6をマスクとして光吸収層24が適宜残るように、蒸
発防止層25と光吸収層24どをエツチングして所望幅
のストライプ溝3を形成する。
更に、第3図(C)は、ストライプ溝の形成により前記
残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示している
。ホトレジスト6を除去した半導体、j、(板(第1の
成長層2を形成した基板)1を有機洗浄する。その後、
半導体基板1を再変MBE装置内に装着する。ここで、
半導体基板1にAs分子線を当てながら半導体基板】を
加熱し、半導体基板10表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記残された光吸収層24とを蒸発さ廿る。
残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示している
。ホトレジスト6を除去した半導体、j、(板(第1の
成長層2を形成した基板)1を有機洗浄する。その後、
半導体基板1を再変MBE装置内に装着する。ここで、
半導体基板1にAs分子線を当てながら半導体基板】を
加熱し、半導体基板10表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記残された光吸収層24とを蒸発さ廿る。
これにより、光吸収層24も選択的に蒸発されるため、
第1の上部クラッド層23の表面が露出する。
第1の上部クラッド層23の表面が露出する。
第3図(D)は、半導体基板1に第2の成長層4を形成
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層24が蒸発された半導体基板1の表面に、P型Aly
Ga、−v Asから成る第2の上部クラッド層41
と、P“型GaAsから成るキャップ層42とを順次積
層し、第2の成長層4を形成する。そして、半導体基板
1の裏面にN型電極1a、キャンプ層42の表面にP聖
堂t’Th42aを設ける。
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層24が蒸発された半導体基板1の表面に、P型Aly
Ga、−v Asから成る第2の上部クラッド層41
と、P“型GaAsから成るキャップ層42とを順次積
層し、第2の成長層4を形成する。そして、半導体基板
1の裏面にN型電極1a、キャンプ層42の表面にP聖
堂t’Th42aを設ける。
かくして得られた半導体レーザは、キャリアーの注入に
より反転分布(誘導放出)が生じ、Pri接合でコヒー
レントな光が誘導放射される。
より反転分布(誘導放出)が生じ、Pri接合でコヒー
レントな光が誘導放射される。
(ハ)発明が解決しようとする課題
従来の゛1′、導体レーザの製造方法では、ストライプ
溝部において、P型である第1の上部クラッド1i23
と、P型である第2の1一部クラッド層41とが接面す
るように形成される。従って、P聖堂Ji 42 a側
から第2の成長層、1及び第1の成長層2を介してN聖
堂極la側へ電)・在を流す時、電流はストライプ゛;
苺3、つまり5文いi苫部を通じてPれることとなる。
溝部において、P型である第1の上部クラッド1i23
と、P型である第2の1一部クラッド層41とが接面す
るように形成される。従って、P聖堂Ji 42 a側
から第2の成長層、1及び第1の成長層2を介してN聖
堂極la側へ電)・在を流す時、電流はストライプ゛;
苺3、つまり5文いi苫部を通じてPれることとなる。
このため、狭幅のストライプ溝3によって狭′窄された
電流が、第1の上部クラッド層23に到達した時、つま
り狭幅のストライプ溝3を脱した時、電流の−・部が第
1の上部クラッドr呵235こおいて横方向(N聖堂楕
に対し平行方向)・・・広がり無効電流となる結果、し
きい値電流が高くなる不利がある。このため、従来方法
では、しきい値電流が低く電;奇、効率の良い半導体レ
ーザを製造することが困難であった。。
電流が、第1の上部クラッド層23に到達した時、つま
り狭幅のストライプ溝3を脱した時、電流の−・部が第
1の上部クラッドr呵235こおいて横方向(N聖堂楕
に対し平行方向)・・・広がり無効電流となる結果、し
きい値電流が高くなる不利がある。このため、従来方法
では、しきい値電流が低く電;奇、効率の良い半導体レ
ーザを製造することが困難であった。。
この発明は、上記課題を解消させ、しきい値電流が低く
電流効率のよい半導体レーザを得る製造方法を13供す
ることを[]的とする。
電流効率のよい半導体レーザを得る製造方法を13供す
ることを[]的とする。
(ニ)課題を解決するための手段及び作用この゛1′:
導体レーザの製造方法は、MICE装置を(F ITI
L、て製造される半導体レーザの製造方法であって、 ゛l′−導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、
第1の」一部クラッド層、N型若しくはアンドープ層、
光吸収層及び蒸発防止層を順次積層して第1の成長層を
形成する工程と、 この第1の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエツチング工
程と、 i?I記光吸光吸収層トライプ溝対応部分に対し、P型
ドー・バントとなり得るイオンを注入するイオン注入工
程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工
程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第2の
−1一部クラッド層とキャップ1日とを順次積層して第
2の成U層を形成する工程とから成る。
導体レーザの製造方法は、MICE装置を(F ITI
L、て製造される半導体レーザの製造方法であって、 ゛l′−導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、
第1の」一部クラッド層、N型若しくはアンドープ層、
光吸収層及び蒸発防止層を順次積層して第1の成長層を
形成する工程と、 この第1の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエツチング工
程と、 i?I記光吸光吸収層トライプ溝対応部分に対し、P型
ドー・バントとなり得るイオンを注入するイオン注入工
程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工
程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第2の
−1一部クラッド層とキャップ1日とを順次積層して第
2の成U層を形成する工程とから成る。
このような工程から成る半導体レーザの製造方法では、
ストライプ溝において、P型の第1の上部クラッド層と
P型の第2の上部クラッド層との間に、N型若しくはア
ンドープ層が介在することとなる。そして、このN型若
しくはアンドープ層のP型ドーパントイオン注入部が、
P型の第2の上部クラッド層と接面することとなる。
ストライプ溝において、P型の第1の上部クラッド層と
P型の第2の上部クラッド層との間に、N型若しくはア
ンドープ層が介在することとなる。そして、このN型若
しくはアンドープ層のP型ドーパントイオン注入部が、
P型の第2の上部クラッド層と接面することとなる。
従って、いまキャップ層表面に形成したP型室極側から
、半導体基板裏面に形成したN型電極側へ電流を流す時
、電流はストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れる
こととなる。狭幅のストラ、イブ溝によって狭窄された
電流は、N型若しくはアンドープ層において、狭窄状態
から脱し、N型若しくはアンドープ層内で、横方向(電
極に対し平行方向)へ広がろうとする。しかし、この層
はN型若しくはアンドープの層であり、P型の第2のL
部りラッド層とは導体パターンが異なる。
、半導体基板裏面に形成したN型電極側へ電流を流す時
、電流はストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れる
こととなる。狭幅のストラ、イブ溝によって狭窄された
電流は、N型若しくはアンドープ層において、狭窄状態
から脱し、N型若しくはアンドープ層内で、横方向(電
極に対し平行方向)へ広がろうとする。しかし、この層
はN型若しくはアンドープの層であり、P型の第2のL
部りラッド層とは導体パターンが異なる。
従って、横方向への広がりを防止する。このため、電流
はN型若しくはアンドープ層に形成されたP型イオン注
入部を通じて、P型である第1の上部クラッド層へと流
れることとなり、無効電流の発生が大幅に低減される。
はN型若しくはアンドープ層に形成されたP型イオン注
入部を通じて、P型である第1の上部クラッド層へと流
れることとなり、無効電流の発生が大幅に低減される。
従って、しきい値電流が低くなり電流効率の高い半導体
レーザが得られる。
レーザが得られる。
(ホ)実施例
第1図(A)、第1図(B)、第1図(]及び第1図(
D)は、この発明に係る半導体レーザの製造方法を示す
工程説明図である。
D)は、この発明に係る半導体レーザの製造方法を示す
工程説明図である。
この半導体レーザの製造方法は、MBE装置(図示せず
)を使用し、2回のMBE成長を行うことで半導体レー
ザを形成している。
)を使用し、2回のMBE成長を行うことで半導体レー
ザを形成している。
第1図(A)は、半導体基板1に第1の成長層を形成す
る工程を示している。MBE (モレキュラービームエ
ピタキシー)装置内に装着したN型のGaAsからなる
半導体基板lを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原
料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、N型Alx
Ga1−XAsからなる下部クラッド層21、AIDB
’Gap−x’Asから成る活性[22、P型AIX
Gat−x Asから成る第1の上部クラッド層23、
及びN型若しくはアンドープRIJ 23 a 、更に
N型GaAsから成る光吸収層24、N型AIX″Ga
、−XAsから成る蒸発防止層25を、半導体基板1表
面に順次積層して第1の成長層2を形成させる。
る工程を示している。MBE (モレキュラービームエ
ピタキシー)装置内に装着したN型のGaAsからなる
半導体基板lを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原
料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、N型Alx
Ga1−XAsからなる下部クラッド層21、AIDB
’Gap−x’Asから成る活性[22、P型AIX
Gat−x Asから成る第1の上部クラッド層23、
及びN型若しくはアンドープRIJ 23 a 、更に
N型GaAsから成る光吸収層24、N型AIX″Ga
、−XAsから成る蒸発防止層25を、半導体基板1表
面に順次積層して第1の成長層2を形成させる。
次に第1図(B)は、第1の成長層2にストライプ溝を
形成するホトエツチング工程と、この発明の特徴である
イオン注入工程とを示している。
形成するホトエツチング工程と、この発明の特徴である
イオン注入工程とを示している。
−に記第1の成長層2を形成した半導体基板1を、MB
E装置から取り出し、ストライプ溝3を形成する部分以
外の蒸発防止層25をホトレジスト6で覆う。このホト
レジスト6をマスクとして光吸収層24を若干(100
0人程度程度すように、蒸発防止層25と光吸収層24
とをエツチングして所望幅のストライプ溝3を形成する
。
E装置から取り出し、ストライプ溝3を形成する部分以
外の蒸発防止層25をホトレジスト6で覆う。このホト
レジスト6をマスクとして光吸収層24を若干(100
0人程度程度すように、蒸発防止層25と光吸収層24
とをエツチングして所望幅のストライプ溝3を形成する
。
この状態において、ストライプ溝3の底部に若干残され
た光吸収層24の下には、N型層(若しくはアンドープ
JW)23aが臨出している。更に、この状態(ホトレ
ジスト6を備えた状態)で、ストライプ溝3に対し、P
型ドーパントとなり得るイオン、例えばZnイオン、B
eイオン、或いはMgイオン(実施例ではZnイオン)
を注入する。
た光吸収層24の下には、N型層(若しくはアンドープ
JW)23aが臨出している。更に、この状態(ホトレ
ジスト6を備えた状態)で、ストライプ溝3に対し、P
型ドーパントとなり得るイオン、例えばZnイオン、B
eイオン、或いはMgイオン(実施例ではZnイオン)
を注入する。
この注入作業は、イオン源、イオン加速器、tit分M
器、ビーム走査系及びターゲット・チェンジャーから成
るイオン注入装置(図示せず)を用いて行う。つまり、
イオン源で発生させたZnイオンはレンズ系で加速され
、収束して偏向用電磁石によるfffi分離器に入る。
器、ビーム走査系及びターゲット・チェンジャーから成
るイオン注入装置(図示せず)を用いて行う。つまり、
イオン源で発生させたZnイオンはレンズ系で加速され
、収束して偏向用電磁石によるfffi分離器に入る。
ここで、イオンは偏向されて走査系に入る。そして、イ
オンはN型層(若しくはアンドープ層)23a表面に衝
突し注入される。これにより、N型層(又はアンドープ
り23aのストライプ溝3対応部分に、P型上−パント
イオン注入部5が形成される。
オンはN型層(若しくはアンドープ層)23a表面に衝
突し注入される。これにより、N型層(又はアンドープ
り23aのストライプ溝3対応部分に、P型上−パント
イオン注入部5が形成される。
このイオン注入工程は、実施例では2回に分LJて実施
する。注入されたイオンは、N型層23aの原子と衝突
を繰り返しつつエネルギを失って停止するので、結晶面
とイオンの衝突の方向によってイオンが停止する深さが
異なる。1回の注入作業では深さ方向に対し所定の濃度
分布が得られない虞れがあるが、本実施例では2回に分
けてイオン注入作業を実行し〔第2図の破線■、破線■
〕、深さ方向に対するイオン濃度が所定の分布となるよ
うに図っている〔第2図の実線〕。
する。注入されたイオンは、N型層23aの原子と衝突
を繰り返しつつエネルギを失って停止するので、結晶面
とイオンの衝突の方向によってイオンが停止する深さが
異なる。1回の注入作業では深さ方向に対し所定の濃度
分布が得られない虞れがあるが、本実施例では2回に分
けてイオン注入作業を実行し〔第2図の破線■、破線■
〕、深さ方向に対するイオン濃度が所定の分布となるよ
うに図っている〔第2図の実線〕。
更に、第1図(C)は、ストライプ溝3の形成により前
記残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホI・レジスト6を除去した半導体基板(第1の成
長層2を形成した基板)1を有機洗浄する。その後、半
導体基板1を再度MBE父置内に装着する。ここで、半
導体基板1にAS分子線を当てながら半導体基板1を加
熱し、半導体基板10表面に付着している酸化物等の不
純物と前記残された光吸収層を蒸発さQ・る。これによ
り、ストライプ澗3底部にP型ドーパントイオン注入部
5表面が露出する。
記残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホI・レジスト6を除去した半導体基板(第1の成
長層2を形成した基板)1を有機洗浄する。その後、半
導体基板1を再度MBE父置内に装着する。ここで、半
導体基板1にAS分子線を当てながら半導体基板1を加
熱し、半導体基板10表面に付着している酸化物等の不
純物と前記残された光吸収層を蒸発さQ・る。これによ
り、ストライプ澗3底部にP型ドーパントイオン注入部
5表面が露出する。
第1図(D)は、半導体基板1に第2の成長層4を形成
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層24が蒸発された半導体基板1の表面に、P型Al、
Ga、−y Asから成る第2の上部クラッド層41
と、P゛型GaAsから成るキャンプ層42とを順次積
層し、第2の成長層4を形成する。そして、″+導体基
板1の裏面にN型電極1a、キヤ・・ブ層t2の表面に
P型電極42aを設ける。
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層24が蒸発された半導体基板1の表面に、P型Al、
Ga、−y Asから成る第2の上部クラッド層41
と、P゛型GaAsから成るキャンプ層42とを順次積
層し、第2の成長層4を形成する。そして、″+導体基
板1の裏面にN型電極1a、キヤ・・ブ層t2の表面に
P型電極42aを設ける。
このような製造方法によって得られる半導体レーザは、
ストライプ溝において、P型の第1のL部りランド層2
3と、P型の第2の上部クラッド層4】との間に、N型
層(若しくはアンドープ層)23aが介在することとな
る。そして、このN型層23aのP型ドーパントイオン
注入部5が、P型の第2の−L部クりッド層41と接面
することとなる。
ストライプ溝において、P型の第1のL部りランド層2
3と、P型の第2の上部クラッド層4】との間に、N型
層(若しくはアンドープ層)23aが介在することとな
る。そして、このN型層23aのP型ドーパントイオン
注入部5が、P型の第2の−L部クりッド層41と接面
することとなる。
これにより、P型電極42a側からN型電極1a (!
!lへ、つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストラ
イプ溝3、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。
!lへ、つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストラ
イプ溝3、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。
狭幅のストライプ溝3によって狭窄された電流は、N型
層(若しくはアンドープH)23aにおいて、狭窄状態
から脱し、N型層(アンドープrrIi)23a内で横
方向(電tlila、42aに対し平行方向)へ広がろ
うとする。しかし、この層23aはN型若しくはアンド
ープの層であり、P型の第2の上部クラッド層41とは
導体パターンが異なる。従って、横方向への広がりを防
1トする。このため、電流はN型層(アンドープ層)2
3aに形成されたP型イオン注入部5を通じて、P型で
ある第1の上部クラッド層23へと流れることとなり、
無効電流の発生が大幅に低減される。
層(若しくはアンドープH)23aにおいて、狭窄状態
から脱し、N型層(アンドープrrIi)23a内で横
方向(電tlila、42aに対し平行方向)へ広がろ
うとする。しかし、この層23aはN型若しくはアンド
ープの層であり、P型の第2の上部クラッド層41とは
導体パターンが異なる。従って、横方向への広がりを防
1トする。このため、電流はN型層(アンドープ層)2
3aに形成されたP型イオン注入部5を通じて、P型で
ある第1の上部クラッド層23へと流れることとなり、
無効電流の発生が大幅に低減される。
従って、しきい値電流が低く電流効率の高い1(導体レ
ーザが得られる。
ーザが得られる。
(へ)発明の効果
以」−のように、この発明の半導体レーザ製造方法では
、第1の上部クラッド層上にN型若しくはアンドープI
を設け、このN型若しくはアンドープ層のストライプ溝
対応部分に、P型ドーパント上なり得る・イオンを注入
する二七、としたから、ストライプ溝によって狭窄され
た電流の一部が、N1ヤI層によって横力同一・の広が
りが防止され、目、・−)P型ドーパユ・トイオン注入
部を通して第1の上部クラッド層へスムーズに流れる。
、第1の上部クラッド層上にN型若しくはアンドープI
を設け、このN型若しくはアンドープ層のストライプ溝
対応部分に、P型ドーパント上なり得る・イオンを注入
する二七、としたから、ストライプ溝によって狭窄され
た電流の一部が、N1ヤI層によって横力同一・の広が
りが防止され、目、・−)P型ドーパユ・トイオン注入
部を通して第1の上部クラッド層へスムーズに流れる。
従って、この5:、1遣方法により無効電滓、が大幅に
低減され、しきい(J電)・すが低い゛16導体り、・
−ザが得られる等、発明目的を達成した優れた効果を有
する。
低減され、しきい(J電)・すが低い゛16導体り、・
−ザが得られる等、発明目的を達成した優れた効果を有
する。
第1図(A)、第1しTh(B)、第1図(C)ルび第
を図(rl)は、実施例′P導体レし1Fの製造工程を
示す説明図であり、第1し1(A)は第1の成格治をV
F6成する説明図、第1L21(B)はストライ?”、
’lt六のTf′3成および「型ドーバントイオシ注入
部を形成する説明図、第1図(C)は再蒸発工程を示す
説明図、第1図(f))は第2の成長層を形成する説明
図、第2図は、2回に分けて行うイオン注入の深さと濃
度の関係を示す説明図、第3図(A)、第3図(B)、
第3図(C)、第3図(D)は、従、東の半導体レーザ
の製造工程を示す説明図であり、第3図(A)は第1の
成長層を形成する説明図、第3図(B)はホ[・エッヂ
ング工程を示す説明図、第3図(C)は再蒸発工程を示
す説明図、第3図(I))は第2の成長層を形成する説
明図である。 1:半導体基板、 2:第1の成長層、;3;ス
トライプ溝 5:)3型ドーパ〉′トイオン注入部、23:第1の上
部クラッド層、 23a:N型層(若(5くはアンドープ層)。 特許出f+fi人 ローノ、株式会社代
理人 弁理士 中 村 茂 信第 図 第 図 第 ? 図 (已′¥的 λ
を図(rl)は、実施例′P導体レし1Fの製造工程を
示す説明図であり、第1し1(A)は第1の成格治をV
F6成する説明図、第1L21(B)はストライ?”、
’lt六のTf′3成および「型ドーバントイオシ注入
部を形成する説明図、第1図(C)は再蒸発工程を示す
説明図、第1図(f))は第2の成長層を形成する説明
図、第2図は、2回に分けて行うイオン注入の深さと濃
度の関係を示す説明図、第3図(A)、第3図(B)、
第3図(C)、第3図(D)は、従、東の半導体レーザ
の製造工程を示す説明図であり、第3図(A)は第1の
成長層を形成する説明図、第3図(B)はホ[・エッヂ
ング工程を示す説明図、第3図(C)は再蒸発工程を示
す説明図、第3図(I))は第2の成長層を形成する説
明図である。 1:半導体基板、 2:第1の成長層、;3;ス
トライプ溝 5:)3型ドーパ〉′トイオン注入部、23:第1の上
部クラッド層、 23a:N型層(若(5くはアンドープ層)。 特許出f+fi人 ローノ、株式会社代
理人 弁理士 中 村 茂 信第 図 第 図 第 ? 図 (已′¥的 λ
Claims (1)
- (1)MBE装置を使用して製造される半導体レーザの
製造方法であって、 半導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、第1の
上部クラッド層、N型若しくはアンドープ層、光吸収層
及び蒸発防止層を順次積層して第1の成長層を形成する
工程と、 この第1の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエッチング工
程と、 前記光吸収層のストライプ溝対応部分に対し、P型ドー
パントとなり得るイオンを注入するイオン注入工程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び前記残された光吸収層を蒸発させる再蒸
発工程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第2の
上部クラッド層とキャップ層とを順次積層して第2の成
長層を形成する工程とから成る半導体レーザの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1013682A JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1013682A JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02194585A true JPH02194585A (ja) | 1990-08-01 |
JPH0654826B2 JPH0654826B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=11839956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1013682A Expired - Fee Related JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0654826B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729825A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体基板とその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6142987A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1013682A patent/JPH0654826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6142987A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729825A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体基板とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0654826B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |