JPH02194585A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02194585A JPH02194585A JP1368289A JP1368289A JPH02194585A JP H02194585 A JPH02194585 A JP H02194585A JP 1368289 A JP1368289 A JP 1368289A JP 1368289 A JP1368289 A JP 1368289A JP H02194585 A JPH02194585 A JP H02194585A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、ＭＢＥ装置を用いて製造されるＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザの製造方法に関する。
ｓ系半導体レーザの製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
第３図（Ａ）、第３図（Ｂ）、第３図（Ｃ）及び第３図
（Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造方法を示す工程説
明図である。
（Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造方法を示す工程説
明図である。
この半導体レーザの製造方法は、ＭＢＥ装置を使用し、
２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レーザを形成して
いる。
２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レーザを形成して
いる。
第３図（Ａ）は、半導体基板１に第１の成長層を形成す
る工程を示している。ＭＢＥ （モレキュラービームエ
ピタキシー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓからなる
半導体基Ｆｉｌを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた
原料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型Ａ１．
Ｇａ、−にＡｓからなる下部りランド層２１、八ｌＸ
’Ｇａ、−，’ Ａｓから成る活性層２２、Ｐ型ＡＩＸ
Ｇａ１−ｘ Ａｓから成る第１の上部クラッド層２３
、Ｎ型ＧａＡｓから成る光吸収Ｗ１２４、Ｎ型ＡＩＸ”
Ｇａ、、、Ｘ″Ａｓから成る蒸発防止層２５を、半導体
基板１表面に順次積層して第１の成長層２を成形する。
る工程を示している。ＭＢＥ （モレキュラービームエ
ピタキシー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓからなる
半導体基Ｆｉｌを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた
原料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型Ａ１．
Ｇａ、−にＡｓからなる下部りランド層２１、八ｌＸ
’Ｇａ、−，’ Ａｓから成る活性層２２、Ｐ型ＡＩＸ
Ｇａ１−ｘ Ａｓから成る第１の上部クラッド層２３
、Ｎ型ＧａＡｓから成る光吸収Ｗ１２４、Ｎ型ＡＩＸ”
Ｇａ、、、Ｘ″Ａｓから成る蒸発防止層２５を、半導体
基板１表面に順次積層して第１の成長層２を成形する。
次に第３図（Ｂ）は、第１の成長層２にストライプ溝を
形成するホトエツチング工程を示している。上記第１の
成長層２を形成した半導体基板１を、ＭＢＥ装置から取
り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外の蒸発防止
ｒｒ４２５をホトレジスト６で覆う。このホトレジス［
・６をマスクとして光吸収層２４が適宜残るように、蒸
発防止層２５と光吸収層２４どをエツチングして所望幅
のストライプ溝３を形成する。
形成するホトエツチング工程を示している。上記第１の
成長層２を形成した半導体基板１を、ＭＢＥ装置から取
り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外の蒸発防止
ｒｒ４２５をホトレジスト６で覆う。このホトレジス［
・６をマスクとして光吸収層２４が適宜残るように、蒸
発防止層２５と光吸収層２４どをエツチングして所望幅
のストライプ溝３を形成する。
更に、第３図（Ｃ）は、ストライプ溝の形成により前記
残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示している
。ホトレジスト６を除去した半導体、ｊ、（板（第１の
成長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、
半導体基板１を再変ＭＢＥ装置内に装着する。ここで、
半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板】を
加熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記残された光吸収層２４とを蒸発さ廿る。
残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示している
。ホトレジスト６を除去した半導体、ｊ、（板（第１の
成長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、
半導体基板１を再変ＭＢＥ装置内に装着する。ここで、
半導体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板】を
加熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等の
不純物と、前記残された光吸収層２４とを蒸発さ廿る。
これにより、光吸収層２４も選択的に蒸発されるため、
第１の上部クラッド層２３の表面が露出する。
第１の上部クラッド層２３の表面が露出する。
第３図（Ｄ）は、半導体基板１に第２の成長層４を形成
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型Ａｌｙ
Ｇａ、−ｖ Ａｓから成る第２の上部クラッド層４１
と、Ｐ“型ＧａＡｓから成るキャップ層４２とを順次積
層し、第２の成長層４を形成する。そして、半導体基板
１の裏面にＮ型電極１ａ、キャンプ層４２の表面にＰ聖
堂ｔ’Ｔｈ４２ａを設ける。
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型Ａｌｙ
Ｇａ、−ｖ Ａｓから成る第２の上部クラッド層４１
と、Ｐ“型ＧａＡｓから成るキャップ層４２とを順次積
層し、第２の成長層４を形成する。そして、半導体基板
１の裏面にＮ型電極１ａ、キャンプ層４２の表面にＰ聖
堂ｔ’Ｔｈ４２ａを設ける。
かくして得られた半導体レーザは、キャリアーの注入に
より反転分布（誘導放出）が生じ、Ｐｒｉ接合でコヒー
レントな光が誘導放射される。
より反転分布（誘導放出）が生じ、Ｐｒｉ接合でコヒー
レントな光が誘導放射される。
（ハ）発明が解決しようとする課題
従来の゛１′、導体レーザの製造方法では、ストライプ
溝部において、Ｐ型である第１の上部クラッド１ｉ２３
と、Ｐ型である第２の１一部クラッド層４１とが接面す
るように形成される。従って、Ｐ聖堂Ｊｉ ４２ ａ側
から第２の成長層、１及び第１の成長層２を介してＮ聖
堂極ｌａ側へ電）・在を流す時、電流はストライプ゛；
苺３、つまり５文いｉ苫部を通じてＰれることとなる。
溝部において、Ｐ型である第１の上部クラッド１ｉ２３
と、Ｐ型である第２の１一部クラッド層４１とが接面す
るように形成される。従って、Ｐ聖堂Ｊｉ ４２ ａ側
から第２の成長層、１及び第１の成長層２を介してＮ聖
堂極ｌａ側へ電）・在を流す時、電流はストライプ゛；
苺３、つまり５文いｉ苫部を通じてＰれることとなる。
このため、狭幅のストライプ溝３によって狭′窄された
電流が、第１の上部クラッド層２３に到達した時、つま
り狭幅のストライプ溝３を脱した時、電流の−・部が第
１の上部クラッドｒ呵２３５こおいて横方向（Ｎ聖堂楕
に対し平行方向）・・・広がり無効電流となる結果、し
きい値電流が高くなる不利がある。このため、従来方法
では、しきい値電流が低く電；奇、効率の良い半導体レ
ーザを製造することが困難であった。。
電流が、第１の上部クラッド層２３に到達した時、つま
り狭幅のストライプ溝３を脱した時、電流の−・部が第
１の上部クラッドｒ呵２３５こおいて横方向（Ｎ聖堂楕
に対し平行方向）・・・広がり無効電流となる結果、し
きい値電流が高くなる不利がある。このため、従来方法
では、しきい値電流が低く電；奇、効率の良い半導体レ
ーザを製造することが困難であった。。
この発明は、上記課題を解消させ、しきい値電流が低く
電流効率のよい半導体レーザを得る製造方法を１３供す
ることを［］的とする。
電流効率のよい半導体レーザを得る製造方法を１３供す
ることを［］的とする。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用この゛１′：
導体レーザの製造方法は、ＭＩＣＥ装置を（Ｆ ＩＴＩ
Ｌ、て製造される半導体レーザの製造方法であって、 ゛ｌ′−導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、
第１の」一部クラッド層、Ｎ型若しくはアンドープ層、
光吸収層及び蒸発防止層を順次積層して第１の成長層を
形成する工程と、 この第１の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエツチング工
程と、 ｉ？Ｉ記光吸光吸収層トライプ溝対応部分に対し、Ｐ型
ドー・バントとなり得るイオンを注入するイオン注入工
程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工
程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第２の
−１一部クラッド層とキャップ１日とを順次積層して第
２の成Ｕ層を形成する工程とから成る。
導体レーザの製造方法は、ＭＩＣＥ装置を（Ｆ ＩＴＩ
Ｌ、て製造される半導体レーザの製造方法であって、 ゛ｌ′−導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、
第１の」一部クラッド層、Ｎ型若しくはアンドープ層、
光吸収層及び蒸発防止層を順次積層して第１の成長層を
形成する工程と、 この第１の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエツチング工
程と、 ｉ？Ｉ記光吸光吸収層トライプ溝対応部分に対し、Ｐ型
ドー・バントとなり得るイオンを注入するイオン注入工
程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工
程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第２の
−１一部クラッド層とキャップ１日とを順次積層して第
２の成Ｕ層を形成する工程とから成る。
このような工程から成る半導体レーザの製造方法では、
ストライプ溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層と
Ｐ型の第２の上部クラッド層との間に、Ｎ型若しくはア
ンドープ層が介在することとなる。そして、このＮ型若
しくはアンドープ層のＰ型ドーパントイオン注入部が、
Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面することとなる。
ストライプ溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層と
Ｐ型の第２の上部クラッド層との間に、Ｎ型若しくはア
ンドープ層が介在することとなる。そして、このＮ型若
しくはアンドープ層のＰ型ドーパントイオン注入部が、
Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面することとなる。
従って、いまキャップ層表面に形成したＰ型室極側から
、半導体基板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を流す時
、電流はストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れる
こととなる。狭幅のストラ、イブ溝によって狭窄された
電流は、Ｎ型若しくはアンドープ層において、狭窄状態
から脱し、Ｎ型若しくはアンドープ層内で、横方向（電
極に対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、この層
はＮ型若しくはアンドープの層であり、Ｐ型の第２のＬ
部りラッド層とは導体パターンが異なる。
、半導体基板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を流す時
、電流はストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れる
こととなる。狭幅のストラ、イブ溝によって狭窄された
電流は、Ｎ型若しくはアンドープ層において、狭窄状態
から脱し、Ｎ型若しくはアンドープ層内で、横方向（電
極に対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、この層
はＮ型若しくはアンドープの層であり、Ｐ型の第２のＬ
部りラッド層とは導体パターンが異なる。
従って、横方向への広がりを防止する。このため、電流
はＮ型若しくはアンドープ層に形成されたＰ型イオン注
入部を通じて、Ｐ型である第１の上部クラッド層へと流
れることとなり、無効電流の発生が大幅に低減される。
はＮ型若しくはアンドープ層に形成されたＰ型イオン注
入部を通じて、Ｐ型である第１の上部クラッド層へと流
れることとなり、無効電流の発生が大幅に低減される。
従って、しきい値電流が低くなり電流効率の高い半導体
レーザが得られる。
レーザが得られる。
（ホ）実施例
第１図（Ａ）、第１図（Ｂ）、第１図（］及び第１図（
Ｄ）は、この発明に係る半導体レーザの製造方法を示す
工程説明図である。
Ｄ）は、この発明に係る半導体レーザの製造方法を示す
工程説明図である。
この半導体レーザの製造方法は、ＭＢＥ装置（図示せず
）を使用し、２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レー
ザを形成している。
）を使用し、２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レー
ザを形成している。
第１図（Ａ）は、半導体基板１に第１の成長層を形成す
る工程を示している。ＭＢＥ （モレキュラービームエ
ピタキシー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓからなる
半導体基板ｌを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原
料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型Ａｌｘ
Ｇａ１−ＸＡｓからなる下部クラッド層２１、ＡＩＤＢ
’Ｇａｐ−ｘ’Ａｓから成る活性［２２、Ｐ型ＡＩＸ
Ｇａｔ−ｘ Ａｓから成る第１の上部クラッド層２３、
及びＮ型若しくはアンドープＲＩＪ ２３ ａ 、更に
Ｎ型ＧａＡｓから成る光吸収層２４、Ｎ型ＡＩＸ″Ｇａ
、−ＸＡｓから成る蒸発防止層２５を、半導体基板１表
面に順次積層して第１の成長層２を形成させる。
る工程を示している。ＭＢＥ （モレキュラービームエ
ピタキシー）装置内に装着したＮ型のＧａＡｓからなる
半導体基板ｌを加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原
料物質や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型Ａｌｘ
Ｇａ１−ＸＡｓからなる下部クラッド層２１、ＡＩＤＢ
’Ｇａｐ−ｘ’Ａｓから成る活性［２２、Ｐ型ＡＩＸ
Ｇａｔ−ｘ Ａｓから成る第１の上部クラッド層２３、
及びＮ型若しくはアンドープＲＩＪ ２３ ａ 、更に
Ｎ型ＧａＡｓから成る光吸収層２４、Ｎ型ＡＩＸ″Ｇａ
、−ＸＡｓから成る蒸発防止層２５を、半導体基板１表
面に順次積層して第１の成長層２を形成させる。
次に第１図（Ｂ）は、第１の成長層２にストライプ溝を
形成するホトエツチング工程と、この発明の特徴である
イオン注入工程とを示している。
形成するホトエツチング工程と、この発明の特徴である
イオン注入工程とを示している。
−に記第１の成長層２を形成した半導体基板１を、ＭＢ
Ｅ装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以
外の蒸発防止層２５をホトレジスト６で覆う。このホト
レジスト６をマスクとして光吸収層２４を若干（１００
０人程度程度すように、蒸発防止層２５と光吸収層２４
とをエツチングして所望幅のストライプ溝３を形成する
。
Ｅ装置から取り出し、ストライプ溝３を形成する部分以
外の蒸発防止層２５をホトレジスト６で覆う。このホト
レジスト６をマスクとして光吸収層２４を若干（１００
０人程度程度すように、蒸発防止層２５と光吸収層２４
とをエツチングして所望幅のストライプ溝３を形成する
。
この状態において、ストライプ溝３の底部に若干残され
た光吸収層２４の下には、Ｎ型層（若しくはアンドープ
ＪＷ）２３ａが臨出している。更に、この状態（ホトレ
ジスト６を備えた状態）で、ストライプ溝３に対し、Ｐ
型ドーパントとなり得るイオン、例えばＺｎイオン、Ｂ
ｅイオン、或いはＭｇイオン（実施例ではＺｎイオン）
を注入する。
た光吸収層２４の下には、Ｎ型層（若しくはアンドープ
ＪＷ）２３ａが臨出している。更に、この状態（ホトレ
ジスト６を備えた状態）で、ストライプ溝３に対し、Ｐ
型ドーパントとなり得るイオン、例えばＺｎイオン、Ｂ
ｅイオン、或いはＭｇイオン（実施例ではＺｎイオン）
を注入する。
この注入作業は、イオン源、イオン加速器、ｔｉｔ分Ｍ
器、ビーム走査系及びターゲット・チェンジャーから成
るイオン注入装置（図示せず）を用いて行う。つまり、
イオン源で発生させたＺｎイオンはレンズ系で加速され
、収束して偏向用電磁石によるｆｆｆｉ分離器に入る。
器、ビーム走査系及びターゲット・チェンジャーから成
るイオン注入装置（図示せず）を用いて行う。つまり、
イオン源で発生させたＺｎイオンはレンズ系で加速され
、収束して偏向用電磁石によるｆｆｆｉ分離器に入る。
ここで、イオンは偏向されて走査系に入る。そして、イ
オンはＮ型層（若しくはアンドープ層）２３ａ表面に衝
突し注入される。これにより、Ｎ型層（又はアンドープ
り２３ａのストライプ溝３対応部分に、Ｐ型上−パント
イオン注入部５が形成される。
オンはＮ型層（若しくはアンドープ層）２３ａ表面に衝
突し注入される。これにより、Ｎ型層（又はアンドープ
り２３ａのストライプ溝３対応部分に、Ｐ型上−パント
イオン注入部５が形成される。
このイオン注入工程は、実施例では２回に分ＬＪて実施
する。注入されたイオンは、Ｎ型層２３ａの原子と衝突
を繰り返しつつエネルギを失って停止するので、結晶面
とイオンの衝突の方向によってイオンが停止する深さが
異なる。１回の注入作業では深さ方向に対し所定の濃度
分布が得られない虞れがあるが、本実施例では２回に分
けてイオン注入作業を実行し〔第２図の破線■、破線■
〕、深さ方向に対するイオン濃度が所定の分布となるよ
うに図っている〔第２図の実線〕。
する。注入されたイオンは、Ｎ型層２３ａの原子と衝突
を繰り返しつつエネルギを失って停止するので、結晶面
とイオンの衝突の方向によってイオンが停止する深さが
異なる。１回の注入作業では深さ方向に対し所定の濃度
分布が得られない虞れがあるが、本実施例では２回に分
けてイオン注入作業を実行し〔第２図の破線■、破線■
〕、深さ方向に対するイオン濃度が所定の分布となるよ
うに図っている〔第２図の実線〕。
更に、第１図（Ｃ）は、ストライプ溝３の形成により前
記残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホＩ・レジスト６を除去した半導体基板（第１の成
長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、半
導体基板１を再度ＭＢＥ父置内に装着する。ここで、半
導体基板１にＡＳ分子線を当てながら半導体基板１を加
熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等の不
純物と前記残された光吸収層を蒸発さＱ・る。これによ
り、ストライプ澗３底部にＰ型ドーパントイオン注入部
５表面が露出する。
記残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホＩ・レジスト６を除去した半導体基板（第１の成
長層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、半
導体基板１を再度ＭＢＥ父置内に装着する。ここで、半
導体基板１にＡＳ分子線を当てながら半導体基板１を加
熱し、半導体基板１０表面に付着している酸化物等の不
純物と前記残された光吸収層を蒸発さＱ・る。これによ
り、ストライプ澗３底部にＰ型ドーパントイオン注入部
５表面が露出する。
第１図（Ｄ）は、半導体基板１に第２の成長層４を形成
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型Ａｌ、
Ｇａ、−ｙ Ａｓから成る第２の上部クラッド層４１
と、Ｐ゛型ＧａＡｓから成るキャンプ層４２とを順次積
層し、第２の成長層４を形成する。そして、″＋導体基
板１の裏面にＮ型電極１ａ、キヤ・・ブ層ｔ２の表面に
Ｐ型電極４２ａを設ける。
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型Ａｌ、
Ｇａ、−ｙ Ａｓから成る第２の上部クラッド層４１
と、Ｐ゛型ＧａＡｓから成るキャンプ層４２とを順次積
層し、第２の成長層４を形成する。そして、″＋導体基
板１の裏面にＮ型電極１ａ、キヤ・・ブ層ｔ２の表面に
Ｐ型電極４２ａを設ける。
このような製造方法によって得られる半導体レーザは、
ストライプ溝において、Ｐ型の第１のＬ部りランド層２
３と、Ｐ型の第２の上部クラッド層４】との間に、Ｎ型
層（若しくはアンドープ層）２３ａが介在することとな
る。そして、このＮ型層２３ａのＰ型ドーパントイオン
注入部５が、Ｐ型の第２の−Ｌ部クりッド層４１と接面
することとなる。
ストライプ溝において、Ｐ型の第１のＬ部りランド層２
３と、Ｐ型の第２の上部クラッド層４】との間に、Ｎ型
層（若しくはアンドープ層）２３ａが介在することとな
る。そして、このＮ型層２３ａのＰ型ドーパントイオン
注入部５が、Ｐ型の第２の−Ｌ部クりッド層４１と接面
することとなる。
これにより、Ｐ型電極４２ａ側からＮ型電極１ａ （！
！ｌへ、つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストラ
イプ溝３、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。
！ｌへ、つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストラ
イプ溝３、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。
狭幅のストライプ溝３によって狭窄された電流は、Ｎ型
層（若しくはアンドープＨ）２３ａにおいて、狭窄状態
から脱し、Ｎ型層（アンドープｒｒＩｉ）２３ａ内で横
方向（電ｔｌｉｌａ、４２ａに対し平行方向）へ広がろ
うとする。しかし、この層２３ａはＮ型若しくはアンド
ープの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは
導体パターンが異なる。従って、横方向への広がりを防
１トする。このため、電流はＮ型層（アンドープ層）２
３ａに形成されたＰ型イオン注入部５を通じて、Ｐ型で
ある第１の上部クラッド層２３へと流れることとなり、
無効電流の発生が大幅に低減される。
層（若しくはアンドープＨ）２３ａにおいて、狭窄状態
から脱し、Ｎ型層（アンドープｒｒＩｉ）２３ａ内で横
方向（電ｔｌｉｌａ、４２ａに対し平行方向）へ広がろ
うとする。しかし、この層２３ａはＮ型若しくはアンド
ープの層であり、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは
導体パターンが異なる。従って、横方向への広がりを防
１トする。このため、電流はＮ型層（アンドープ層）２
３ａに形成されたＰ型イオン注入部５を通じて、Ｐ型で
ある第１の上部クラッド層２３へと流れることとなり、
無効電流の発生が大幅に低減される。
従って、しきい値電流が低く電流効率の高い１（導体レ
ーザが得られる。
ーザが得られる。
（へ）発明の効果
以」−のように、この発明の半導体レーザ製造方法では
、第１の上部クラッド層上にＮ型若しくはアンドープＩ
を設け、このＮ型若しくはアンドープ層のストライプ溝
対応部分に、Ｐ型ドーパント上なり得る・イオンを注入
する二七、としたから、ストライプ溝によって狭窄され
た電流の一部が、Ｎ１ヤＩ層によって横力同一・の広が
りが防止され、目、・−）Ｐ型ドーパユ・トイオン注入
部を通して第１の上部クラッド層へスムーズに流れる。
、第１の上部クラッド層上にＮ型若しくはアンドープＩ
を設け、このＮ型若しくはアンドープ層のストライプ溝
対応部分に、Ｐ型ドーパント上なり得る・イオンを注入
する二七、としたから、ストライプ溝によって狭窄され
た電流の一部が、Ｎ１ヤＩ層によって横力同一・の広が
りが防止され、目、・−）Ｐ型ドーパユ・トイオン注入
部を通して第１の上部クラッド層へスムーズに流れる。
従って、この５：、１遣方法により無効電滓、が大幅に
低減され、しきい（Ｊ電）・すが低い゛１６導体り、・
−ザが得られる等、発明目的を達成した優れた効果を有
する。
低減され、しきい（Ｊ電）・すが低い゛１６導体り、・
−ザが得られる等、発明目的を達成した優れた効果を有
する。
第１図（Ａ）、第１しＴｈ（Ｂ）、第１図（Ｃ）ルび第
を図（ｒｌ）は、実施例′Ｐ導体レし１Ｆの製造工程を
示す説明図であり、第１し１（Ａ）は第１の成格治をＶ
Ｆ６成する説明図、第１Ｌ２１（Ｂ）はストライ？”、
’ｌｔ六のＴｆ′３成および「型ドーバントイオシ注入
部を形成する説明図、第１図（Ｃ）は再蒸発工程を示す
説明図、第１図（ｆ））は第２の成長層を形成する説明
図、第２図は、２回に分けて行うイオン注入の深さと濃
度の関係を示す説明図、第３図（Ａ）、第３図（Ｂ）、
第３図（Ｃ）、第３図（Ｄ）は、従、東の半導体レーザ
の製造工程を示す説明図であり、第３図（Ａ）は第１の
成長層を形成する説明図、第３図（Ｂ）はホ［・エッヂ
ング工程を示す説明図、第３図（Ｃ）は再蒸発工程を示
す説明図、第３図（Ｉ））は第２の成長層を形成する説
明図である。 １：半導体基板、 ２：第１の成長層、；３；ス
トライプ溝 ５：）３型ドーパ〉′トイオン注入部、２３：第１の上
部クラッド層、 ２３ａ：Ｎ型層（若（５くはアンドープ層）。 特許出ｆ＋ｆｉ人 ローノ、株式会社代
理人 弁理士 中 村 茂 信第 図 第 図 第 ？ 図 （已′￥的 λ
を図（ｒｌ）は、実施例′Ｐ導体レし１Ｆの製造工程を
示す説明図であり、第１し１（Ａ）は第１の成格治をＶ
Ｆ６成する説明図、第１Ｌ２１（Ｂ）はストライ？”、
’ｌｔ六のＴｆ′３成および「型ドーバントイオシ注入
部を形成する説明図、第１図（Ｃ）は再蒸発工程を示す
説明図、第１図（ｆ））は第２の成長層を形成する説明
図、第２図は、２回に分けて行うイオン注入の深さと濃
度の関係を示す説明図、第３図（Ａ）、第３図（Ｂ）、
第３図（Ｃ）、第３図（Ｄ）は、従、東の半導体レーザ
の製造工程を示す説明図であり、第３図（Ａ）は第１の
成長層を形成する説明図、第３図（Ｂ）はホ［・エッヂ
ング工程を示す説明図、第３図（Ｃ）は再蒸発工程を示
す説明図、第３図（Ｉ））は第２の成長層を形成する説
明図である。 １：半導体基板、 ２：第１の成長層、；３；ス
トライプ溝 ５：）３型ドーパ〉′トイオン注入部、２３：第１の上
部クラッド層、 ２３ａ：Ｎ型層（若（５くはアンドープ層）。 特許出ｆ＋ｆｉ人 ローノ、株式会社代
理人 弁理士 中 村 茂 信第 図 第 図 第 ？ 図 （已′￥的 λ
Claims (1)
- （１）ＭＢＥ装置を使用して製造される半導体レーザの
製造方法であって、 半導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、第１の
上部クラッド層、Ｎ型若しくはアンドープ層、光吸収層
及び蒸発防止層を順次積層して第１の成長層を形成する
工程と、 この第１の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエッチング工
程と、 前記光吸収層のストライプ溝対応部分に対し、Ｐ型ドー
パントとなり得るイオンを注入するイオン注入工程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び前記残された光吸収層を蒸発させる再蒸
発工程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第２の
上部クラッド層とキャップ層とを順次積層して第２の成
長層を形成する工程とから成る半導体レーザの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013682A JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013682A JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194585A true JPH02194585A (ja) | 1990-08-01 |
| JPH0654826B2 JPH0654826B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=11839956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1013682A Expired - Fee Related JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654826B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729825A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体基板とその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142987A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1013682A patent/JPH0654826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142987A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS63222489A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729825A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体基板とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0654826B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |