JPH0878776A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0878776A JPH0878776A JP6212650A JP21265094A JPH0878776A JP H0878776 A JPH0878776 A JP H0878776A JP 6212650 A JP6212650 A JP 6212650A JP 21265094 A JP21265094 A JP 21265094A JP H0878776 A JPH0878776 A JP H0878776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- region
- diffusion
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3206—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures ordering or disordering the natural superlattice in ternary or quaternary materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/321—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures having intermediate bandgap layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Si不純物拡散による混晶化技術を利用した
AlGaInP埋めこみ型レーザに生じる漏れ電流を抑
制し、低閾値、高効率半導体レーザ装置を提供するこ
と。 【構成】 半導体基板102上にn型クラッド層105
と量子井戸活性層106とp型クラッド層107と中間
層109の半導体層を順次積層させ、中間層109上の
ある領域の一部にコンタクト層113を形成し、中間層
109上からSiを拡散させ、コンタクト層113とコ
ンタクト層下部の半導体層を除く領域を混晶化させた半
導体レーザ装置において、コンタクト層113、およ
び、中間層109は、n型半導体層であるか、または、
非導電性の半導体層であり、かつ、コンタクト層113
上からZnを拡散させて形成されたp型低抵抗領域が、
Siによる混晶化領域と重ならないように配置されてい
る。
AlGaInP埋めこみ型レーザに生じる漏れ電流を抑
制し、低閾値、高効率半導体レーザ装置を提供するこ
と。 【構成】 半導体基板102上にn型クラッド層105
と量子井戸活性層106とp型クラッド層107と中間
層109の半導体層を順次積層させ、中間層109上の
ある領域の一部にコンタクト層113を形成し、中間層
109上からSiを拡散させ、コンタクト層113とコ
ンタクト層下部の半導体層を除く領域を混晶化させた半
導体レーザ装置において、コンタクト層113、およ
び、中間層109は、n型半導体層であるか、または、
非導電性の半導体層であり、かつ、コンタクト層113
上からZnを拡散させて形成されたp型低抵抗領域が、
Siによる混晶化領域と重ならないように配置されてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、不純物拡散による混
晶化技術を用いた、可視光の埋め込み型半導体レーザ装
置に関するものである。
晶化技術を用いた、可視光の埋め込み型半導体レーザ装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】AlGaAs−GaAsなどのような組
成の異なる数〜数十nmの厚さの半導体層が積層された
超格子では、Znなどの不純物を熱拡散またはイオン注
入すると超格子が破壊されて一様な混晶に変化すること
が知られている。混晶化が生じると、屈折率や禁制帯幅
が変化することから、光やキャリアの閉じ込めに用いる
ことができる。このような不純物拡散による混晶化技術
を用いた埋め込み型半導体レーザは、低しきい値で高効
率、安定した横モード、集積化が容易であることなどか
ら、近赤外半導体レーザの材料であるAlGaAs系で
多く作製されている。
成の異なる数〜数十nmの厚さの半導体層が積層された
超格子では、Znなどの不純物を熱拡散またはイオン注
入すると超格子が破壊されて一様な混晶に変化すること
が知られている。混晶化が生じると、屈折率や禁制帯幅
が変化することから、光やキャリアの閉じ込めに用いる
ことができる。このような不純物拡散による混晶化技術
を用いた埋め込み型半導体レーザは、低しきい値で高効
率、安定した横モード、集積化が容易であることなどか
ら、近赤外半導体レーザの材料であるAlGaAs系で
多く作製されている。
【0003】従来、可視半導体レーザの材料であるAl
GaInP系での不純物拡散による混晶化技術として
は、Appl.Phys.Lett.54,p2136
(1989)にあるように、Zn拡散を用いたものが知
られている。しかしながらここで示されているようにZ
n拡散では、可視半導体レーザの材料であるAlGaI
nPの自然超格子の混晶化が生じるのみで、AlとGa
の相互拡散は顕著には起こらない。ここで自然超格子と
は、AlGaInPをMOCVD法により結晶成長させ
た場合、III族原子が規則的に配列するもので、この
現象については応用物理、第58巻第9号p1360
(1989)に記載されている。したがって、自然超格
子の混晶化では混晶化領域と非混晶化領域の間に、キャ
リアを閉じ込めるための禁制帯幅の差や、光を閉じ込め
るための屈折率差を十分大きくとることができない。
GaInP系での不純物拡散による混晶化技術として
は、Appl.Phys.Lett.54,p2136
(1989)にあるように、Zn拡散を用いたものが知
られている。しかしながらここで示されているようにZ
n拡散では、可視半導体レーザの材料であるAlGaI
nPの自然超格子の混晶化が生じるのみで、AlとGa
の相互拡散は顕著には起こらない。ここで自然超格子と
は、AlGaInPをMOCVD法により結晶成長させ
た場合、III族原子が規則的に配列するもので、この
現象については応用物理、第58巻第9号p1360
(1989)に記載されている。したがって、自然超格
子の混晶化では混晶化領域と非混晶化領域の間に、キャ
リアを閉じ込めるための禁制帯幅の差や、光を閉じ込め
るための屈折率差を十分大きくとることができない。
【0004】そこで、キャリアや光を効率的に閉じ込め
るためにはAlとGaの間で相互拡散を生じさせ、混晶
化領域と非混晶化領域の間で禁制帯幅や屈折率を大きく
変えることが必要となる。
るためにはAlとGaの間で相互拡散を生じさせ、混晶
化領域と非混晶化領域の間で禁制帯幅や屈折率を大きく
変えることが必要となる。
【0005】そのような方法の一つとして、AlGaI
nP系においてSi拡散による混晶化技術を用いた半導
体レーザ装置がJournal of Applied
Physics,Vol.66,p482(198
9)に報告されている。Si拡散による埋めこみ型可視
半導体レーザは、リッジストライプ型可視半導体レーザ
に比べプロセスが簡略であるため製造が容易であるとい
う利点がある。
nP系においてSi拡散による混晶化技術を用いた半導
体レーザ装置がJournal of Applied
Physics,Vol.66,p482(198
9)に報告されている。Si拡散による埋めこみ型可視
半導体レーザは、リッジストライプ型可視半導体レーザ
に比べプロセスが簡略であるため製造が容易であるとい
う利点がある。
【0006】しかし、この報告にあるレーザは、その作
製中、特にSi拡散中に発生した転位や欠陥が多くレー
ザ特性は悪い。透過型電子顕微鏡観察によれば、これら
の転位や欠陥は、Si拡散を施した領域の内、主に第二
導電型のGaInP中間層の表層に集中していることが
我々の実験結果から明らかとなっている。
製中、特にSi拡散中に発生した転位や欠陥が多くレー
ザ特性は悪い。透過型電子顕微鏡観察によれば、これら
の転位や欠陥は、Si拡散を施した領域の内、主に第二
導電型のGaInP中間層の表層に集中していることが
我々の実験結果から明らかとなっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この転位や欠陥が半導
体レーザーにおよぼす影響を述べる。図9は、特開平6
−53604号公報に記載の従来のSi不純物拡散によ
る混晶化技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レー
ザである。401はn側電極、402はn型GaAs基
板、403はn型GaInPバッファ層、404はn型
AlInPクラッド層、405はGaInP活性層、4
06はp型AlInPクラッド層、407はp型GaI
nP中間層、408はSi拡散源膜、409はSiO2
拡散保護膜かつSiO2 電流ブロック層、410はp側
電極、411はp+ 型GaAsコンタクト層、412は
Si拡散領域、413はSi拡散によって誘発された表
面近傍の転位や欠陥の多数存在する領域である。
体レーザーにおよぼす影響を述べる。図9は、特開平6
−53604号公報に記載の従来のSi不純物拡散によ
る混晶化技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レー
ザである。401はn側電極、402はn型GaAs基
板、403はn型GaInPバッファ層、404はn型
AlInPクラッド層、405はGaInP活性層、4
06はp型AlInPクラッド層、407はp型GaI
nP中間層、408はSi拡散源膜、409はSiO2
拡散保護膜かつSiO2 電流ブロック層、410はp側
電極、411はp+ 型GaAsコンタクト層、412は
Si拡散領域、413はSi拡散によって誘発された表
面近傍の転位や欠陥の多数存在する領域である。
【0008】このような従来タイプのSi拡散によるA
lGaInP埋めこみ型レーザにおいて、理想的にはp
側電極410より注入された電流は、p型GaInP中
間層407とn型Si拡散領域412の境界に形成され
るpn接合により電流狹搾が行われ、活性層にのみ効率
良く電流が注入される。
lGaInP埋めこみ型レーザにおいて、理想的にはp
側電極410より注入された電流は、p型GaInP中
間層407とn型Si拡散領域412の境界に形成され
るpn接合により電流狹搾が行われ、活性層にのみ効率
良く電流が注入される。
【0009】しかし、実際は表面近傍の転位や欠陥の多
数存在する領域413とp型GaInP中間層407と
の境界414や415から転位や欠陥を通して漏れ電流
が生じ、その結果、活性層に効率良く電流が注入され
ず、閾電流値の上昇、効率の低下、及び温度特性の悪化
が生じてしまう問題があった。
数存在する領域413とp型GaInP中間層407と
の境界414や415から転位や欠陥を通して漏れ電流
が生じ、その結果、活性層に効率良く電流が注入され
ず、閾電流値の上昇、効率の低下、及び温度特性の悪化
が生じてしまう問題があった。
【0010】本発明の目的は、上記Si不純物拡散によ
る混晶化技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レー
ザに生じる漏れ電流を抑制し、低閾値、高効率半導体レ
ーザ装置を提供することにある。
る混晶化技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レー
ザに生じる漏れ電流を抑制し、低閾値、高効率半導体レ
ーザ装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願発明は、半導体基板
と、この半導体基板上に少なくとも第一導電型のクラッ
ド層と量子井戸活性層と第二導電型のクラッド層と中間
層の半導体層を順次積層させ、前記中間層上のある領域
の一部にコンタクト層を形成し、前記中間層上から第一
の不純物を拡散させ、前記コンタクト層と前記コンタク
ト層下部の半導体層を除く領域を混晶化させた半導体レ
ーザ装置において、前記コンタクト層、および、前記中
間層は、第一の導電型の半導体層であるか、または、非
導電性の半導体層であり、かつ、前記コンタクト層上か
ら第二の不純物を拡散させて形成された第二導電型の低
抵抗領域が、前記第一の不純物による混晶化領域と重な
らないように配置されていることを特徴とする半導体レ
ーザ装置である。
と、この半導体基板上に少なくとも第一導電型のクラッ
ド層と量子井戸活性層と第二導電型のクラッド層と中間
層の半導体層を順次積層させ、前記中間層上のある領域
の一部にコンタクト層を形成し、前記中間層上から第一
の不純物を拡散させ、前記コンタクト層と前記コンタク
ト層下部の半導体層を除く領域を混晶化させた半導体レ
ーザ装置において、前記コンタクト層、および、前記中
間層は、第一の導電型の半導体層であるか、または、非
導電性の半導体層であり、かつ、前記コンタクト層上か
ら第二の不純物を拡散させて形成された第二導電型の低
抵抗領域が、前記第一の不純物による混晶化領域と重な
らないように配置されていることを特徴とする半導体レ
ーザ装置である。
【0012】
【作用】本発明によれば、Si不純物拡散による混晶化
技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レーザにおい
て、p型GaInP中間層のうちの転位や欠陥の集中す
るSi拡散領域上層部を避けるように電流通路が形成さ
れるために、転位や欠陥をを通じて漏れる電流を抑止す
ることが可能となる。その結果、低閾電流値、高効率、
高温度特性を有する可視半導体レーザを提供することが
可能となる。
技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レーザにおい
て、p型GaInP中間層のうちの転位や欠陥の集中す
るSi拡散領域上層部を避けるように電流通路が形成さ
れるために、転位や欠陥をを通じて漏れる電流を抑止す
ることが可能となる。その結果、低閾電流値、高効率、
高温度特性を有する可視半導体レーザを提供することが
可能となる。
【0013】
〔第1実施例〕図1は本発明の実施例である半導体レー
ザ装置の断面図である。なお、本実施例では、この半導
体レーザ装置は、共振器の伸びる方向が半導体基板面に
対して平行な方向(紙面に対して垂直方向)である端面
発光型半導体レーザである。
ザ装置の断面図である。なお、本実施例では、この半導
体レーザ装置は、共振器の伸びる方向が半導体基板面に
対して平行な方向(紙面に対して垂直方向)である端面
発光型半導体レーザである。
【0014】図において、101はn側電極、102は
n型GaAs基板、103はn型GaAsバッファ層、
104はn型GaInPバッファ層、105はn型(A
lXGa1-X )0.5 In0.5 P(0.5<X≦1)クラ
ッド層、106はGaInP活性層、107はp型(A
lX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0.5<X≦1)クラ
ッド層、108はSi拡散領域、109はn型または非
導電性(AlX Ga1- X )0.5 In0.5 P(0≦X<
0.5)中間層、110はSi拡散源膜、111はSi
O2 電流ブロック層、112はp側電極、113はn型
または非導電性GaAsコンタクト層、114はZn拡
散領域である。
n型GaAs基板、103はn型GaAsバッファ層、
104はn型GaInPバッファ層、105はn型(A
lXGa1-X )0.5 In0.5 P(0.5<X≦1)クラ
ッド層、106はGaInP活性層、107はp型(A
lX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0.5<X≦1)クラ
ッド層、108はSi拡散領域、109はn型または非
導電性(AlX Ga1- X )0.5 In0.5 P(0≦X<
0.5)中間層、110はSi拡散源膜、111はSi
O2 電流ブロック層、112はp側電極、113はn型
または非導電性GaAsコンタクト層、114はZn拡
散領域である。
【0015】このように、中間層109とコンタクト層
113をn型または非導電性とすること、および、Zn
拡散領域114を図1のように、Zn拡散領域114が
Si拡散領域108と重ならないようなプロファイルに
形成することによって、p側電極112から注入された
電流は、Si不純物拡散によって中間層109の上層の
転位や欠陥が生じる部分を避ける様に流れることにな
り、したがって、漏れ電流が生じない。
113をn型または非導電性とすること、および、Zn
拡散領域114を図1のように、Zn拡散領域114が
Si拡散領域108と重ならないようなプロファイルに
形成することによって、p側電極112から注入された
電流は、Si不純物拡散によって中間層109の上層の
転位や欠陥が生じる部分を避ける様に流れることにな
り、したがって、漏れ電流が生じない。
【0016】図2で、p側電極112から注入された電
流は、Si不純物拡散によって中間層109のうち上層
の転位や欠陥が生じる部分を避ける様に流れる機構を詳
細に説明する。図2は、図1の中間層109を強調した
図である。115、116はSi不純物拡散によって中
間層109のうち上層の転位や欠陥が生じる部分であ
る。図2(a)の117部分をさらに拡大したものが図
2(b)である。202は転位や欠陥が少ないSi不純
物拡散領域108と中間層109の境界であるが、20
1はSi不純物拡散により転位や欠陥が多数生じる部分
115と中間層109との境界であるため、従来技術の
ように中間層109をp型とし境界201にpn接合を
形成しても転位や欠陥を通じて電流漏れが発生する。
流は、Si不純物拡散によって中間層109のうち上層
の転位や欠陥が生じる部分を避ける様に流れる機構を詳
細に説明する。図2は、図1の中間層109を強調した
図である。115、116はSi不純物拡散によって中
間層109のうち上層の転位や欠陥が生じる部分であ
る。図2(a)の117部分をさらに拡大したものが図
2(b)である。202は転位や欠陥が少ないSi不純
物拡散領域108と中間層109の境界であるが、20
1はSi不純物拡散により転位や欠陥が多数生じる部分
115と中間層109との境界であるため、従来技術の
ように中間層109をp型とし境界201にpn接合を
形成しても転位や欠陥を通じて電流漏れが発生する。
【0017】そこで、本発明では、中間層109をn型
とし、pn接合による電子の空乏領域を、Zn拡散領域
114と中間層109との欠陥が存在しない境界203
に形成することによって、転位や欠陥を通じての電流漏
れを阻止している。また、中間層109がアンドープ高
抵抗層としても、この領域117はpin接合となり、
しかも、i層である中間層109の幅Wが、後述するセ
ルフアラインのプロセスにより約1μm程度に大きくと
れるため、pin接合の抵抗は十分に大きくなり(pi
n接合の抵抗は幅Wの2乗に比例する)、したがって、
Zn拡散領域114から境界202へのキャリアの移動
(204で示す)は阻止されることになる。
とし、pn接合による電子の空乏領域を、Zn拡散領域
114と中間層109との欠陥が存在しない境界203
に形成することによって、転位や欠陥を通じての電流漏
れを阻止している。また、中間層109がアンドープ高
抵抗層としても、この領域117はpin接合となり、
しかも、i層である中間層109の幅Wが、後述するセ
ルフアラインのプロセスにより約1μm程度に大きくと
れるため、pin接合の抵抗は十分に大きくなり(pi
n接合の抵抗は幅Wの2乗に比例する)、したがって、
Zn拡散領域114から境界202へのキャリアの移動
(204で示す)は阻止されることになる。
【0018】次に本発明の実施例の製造方法を図3〜図
7を用いて説明する。まず、n型GaAs基板102上
にSiドープn型GaAsでなる厚さ0.2μmのバッ
ファ層103、Siドープn型Ga0.5 In0.5 Pでな
る厚さ0.2μmのバッファ層104、Siドープn型
(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0.5<X≦1)
でなる厚さ1μmのクラッド層105、アンドープ活性
層106、Znドープp型(AlX Ga1-X )0.5 In
0.5 P(0.5<X≦1)でなる厚さ0.5μmのクラ
ッド層107、Siドープn型または、アンドープ(A
lX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0≦X<0.5)でな
る厚さ0.1μmの中間層109、Siドープn型また
は、アンドープGaAsでなる厚さ0.2μmのコンタ
クト層114からなる半導体層を有機金属気相成長法
(MOCVD)、あるいは、ガスソース分子線エピタキ
シー法(GSMBE)により順次積層する。活性層は、
それぞれの厚さが10nmのGa0.5 In0.5 P井戸層
3層を二層それぞれの厚さ10nmの(Al0.5 Ga
0.5 )0.5 In0.5 P障壁層2層によって分離し、これ
らをそれぞれ厚さが70nmの(Al0.5 Ga0.5 )
0.5 In0.5 P光導波層2層により挟んだ構造である。
7を用いて説明する。まず、n型GaAs基板102上
にSiドープn型GaAsでなる厚さ0.2μmのバッ
ファ層103、Siドープn型Ga0.5 In0.5 Pでな
る厚さ0.2μmのバッファ層104、Siドープn型
(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0.5<X≦1)
でなる厚さ1μmのクラッド層105、アンドープ活性
層106、Znドープp型(AlX Ga1-X )0.5 In
0.5 P(0.5<X≦1)でなる厚さ0.5μmのクラ
ッド層107、Siドープn型または、アンドープ(A
lX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0≦X<0.5)でな
る厚さ0.1μmの中間層109、Siドープn型また
は、アンドープGaAsでなる厚さ0.2μmのコンタ
クト層114からなる半導体層を有機金属気相成長法
(MOCVD)、あるいは、ガスソース分子線エピタキ
シー法(GSMBE)により順次積層する。活性層は、
それぞれの厚さが10nmのGa0.5 In0.5 P井戸層
3層を二層それぞれの厚さ10nmの(Al0.5 Ga
0.5 )0.5 In0.5 P障壁層2層によって分離し、これ
らをそれぞれ厚さが70nmの(Al0.5 Ga0.5 )
0.5 In0.5 P光導波層2層により挟んだ構造である。
【0019】この上に図3(a)に示すように、フォト
リソグラフィにより7μm幅のストライプ状のレジスト
301を形成する。次いで図3(b)に示すように、こ
のレジスト301をマスクとしてNH4 OH:H
2 O2 :H2 O=1:2:100で混合したエッチング
液でGaAsコンタクト層113を3μm幅のストライ
プ状に、(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P中間層10
9に対して選択的にエッチングする。ここで用いたエッ
チング液は、(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P中間層
109をほとんどエッチングしないため、GaAsコン
タクト層113のサイドエッチングのみ行うことがで
き、したがって、GaAsコンタクト層113の幅を制
御することができる。
リソグラフィにより7μm幅のストライプ状のレジスト
301を形成する。次いで図3(b)に示すように、こ
のレジスト301をマスクとしてNH4 OH:H
2 O2 :H2 O=1:2:100で混合したエッチング
液でGaAsコンタクト層113を3μm幅のストライ
プ状に、(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P中間層10
9に対して選択的にエッチングする。ここで用いたエッ
チング液は、(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P中間層
109をほとんどエッチングしないため、GaAsコン
タクト層113のサイドエッチングのみ行うことがで
き、したがって、GaAsコンタクト層113の幅を制
御することができる。
【0020】次に図4(a)に示すように、不純物拡散
源として電子ビーム加熱蒸着装置により、1.3×10
-4Pa以下の真空中で5nmの厚さのSi拡散源膜11
0,302を、レジスト301を残したまま全面に蒸着
する。この時、レジスト301の下部のGaAsコンタ
クト層113上と、GaAsコンタクト層113のサイ
ドエッチによって表面に出たレジスト301下部の中間
層109上の領域303は、レジスト301によってマ
スクをされているためSiは蒸着されない。
源として電子ビーム加熱蒸着装置により、1.3×10
-4Pa以下の真空中で5nmの厚さのSi拡散源膜11
0,302を、レジスト301を残したまま全面に蒸着
する。この時、レジスト301の下部のGaAsコンタ
クト層113上と、GaAsコンタクト層113のサイ
ドエッチによって表面に出たレジスト301下部の中間
層109上の領域303は、レジスト301によってマ
スクをされているためSiは蒸着されない。
【0021】その後、図4(b)に示すように、レジス
ト301を除去することによって、GaAsコンタクト
層113上のSi膜302をリフトオフにより除去す
る。
ト301を除去することによって、GaAsコンタクト
層113上のSi膜302をリフトオフにより除去す
る。
【0022】次いで図5(a)に示すように、表面保護
膜として50nmの厚さのSiO2膜111を全面に着
膜する。
膜として50nmの厚さのSiO2膜111を全面に着
膜する。
【0023】これを石英管中にリンと共に封かんし、電
気炉中で850°C、3時間熱処理して、図5(b)に
示すようにn型(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 Pクラ
ッド層105に達するまでSiを拡散させ、Si拡散領
域108を形成する。Si拡散領域108はn型とな
り、中間層109とp型(AlX Ga1-X )0.5 In0.
5 Pクラッド層107との間で、またp型(AlX Ga
1-X )0.5 In0.5 Pクラッド層107と活性層106
とn型(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 Pクラッド層1
05の間で混晶化が生じる。また、Si拡散の横方向拡
散により、Si拡散領域はSi蒸着端よりもW1だけ内
側に入る。なお、本実施例のプロセスではW1は、約1
μm程度である。
気炉中で850°C、3時間熱処理して、図5(b)に
示すようにn型(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 Pクラ
ッド層105に達するまでSiを拡散させ、Si拡散領
域108を形成する。Si拡散領域108はn型とな
り、中間層109とp型(AlX Ga1-X )0.5 In0.
5 Pクラッド層107との間で、またp型(AlX Ga
1-X )0.5 In0.5 Pクラッド層107と活性層106
とn型(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 Pクラッド層1
05の間で混晶化が生じる。また、Si拡散の横方向拡
散により、Si拡散領域はSi蒸着端よりもW1だけ内
側に入る。なお、本実施例のプロセスではW1は、約1
μm程度である。
【0024】次にこれを石英管から取り出して、フォト
レジスト304をSiO2 膜111上に塗布し、通常の
フォトリソグラフにより図6(a)のような窓305を
形成する。窓305の幅は、GaAsコンタクト層11
3の幅306よりも小さくとる。次にバッファードフッ
酸を用いて窓305直下のSiO2 膜111を除去し、
さらに、レジスト304を有機洗浄で除去する(図6
(b)参照)。
レジスト304をSiO2 膜111上に塗布し、通常の
フォトリソグラフにより図6(a)のような窓305を
形成する。窓305の幅は、GaAsコンタクト層11
3の幅306よりも小さくとる。次にバッファードフッ
酸を用いて窓305直下のSiO2 膜111を除去し、
さらに、レジスト304を有機洗浄で除去する(図6
(b)参照)。
【0025】これを再び石英管中に亜鉛とリン、ヒ素と
共に封かんし、電気炉中で550°C、20分間熱処理
することにより、図7に示すようにSiO2 膜111を
マスクとしてn型あるいはアンドープGaAsコンタク
ト層113に選択的にZnを拡散させて、Zn拡散領域
114を形成する。熱処理温度や時間については、Zn
拡散領域114の拡散フロントが少なくともp型Al
0.5 In0.5 Pクラッド層107に達することのできる
条件ならば、上記の熱処理条件のみに限らない。また、
Zn拡散は等方的な拡散であるため、横方向拡散距離も
深さ方向の拡散距離程度(約0.1μm)であり、もと
もと幅W2が1μmもあるため、Zn拡散領域114は
Si拡散領域108と重ならない。
共に封かんし、電気炉中で550°C、20分間熱処理
することにより、図7に示すようにSiO2 膜111を
マスクとしてn型あるいはアンドープGaAsコンタク
ト層113に選択的にZnを拡散させて、Zn拡散領域
114を形成する。熱処理温度や時間については、Zn
拡散領域114の拡散フロントが少なくともp型Al
0.5 In0.5 Pクラッド層107に達することのできる
条件ならば、上記の熱処理条件のみに限らない。また、
Zn拡散は等方的な拡散であるため、横方向拡散距離も
深さ方向の拡散距離程度(約0.1μm)であり、もと
もと幅W2が1μmもあるため、Zn拡散領域114は
Si拡散領域108と重ならない。
【0026】その後、p側電極112、n側電極101
をそれぞれ蒸着することにより、図1に示した半導体レ
ーザ装置が形成される。
をそれぞれ蒸着することにより、図1に示した半導体レ
ーザ装置が形成される。
【0027】〔第2実施例〕第2実施例では、第1実施
例の図1中のn型あるいは非導電性中間層109をn型
(第一導電型)あるいは非導電性のGaInP薄膜層と
AlInP薄膜層を交互に積層した超格子層に換えたも
のである。このように、n型あるいは非導電性のGaI
nP薄膜層とAlInP薄膜層を交互に積層した超格子
層にすることにより、中間層にミニバンドが形成され
る。GaInP薄膜層の膜厚とAlInP薄膜層の膜厚
を調整し、中間層の実質のバンドギャップを活性層のバ
ンドギャップより拡大せしめ、なおかつp型(第二導電
型)のクラッド層のバンドギャップより小さくする。こ
のことにより、図2(b)で示した領域のpn接合、ま
たは、pin接合の立ち上がり電圧が活性層の立ち上が
り電圧より増加し、漏れ電流を抑止する効果を向上させ
ることができると同時に、コンタクト層とp型(第二導
電型)のクラッド層のバンド不連続量を低減し、直列抵
抗を抑えることができる。
例の図1中のn型あるいは非導電性中間層109をn型
(第一導電型)あるいは非導電性のGaInP薄膜層と
AlInP薄膜層を交互に積層した超格子層に換えたも
のである。このように、n型あるいは非導電性のGaI
nP薄膜層とAlInP薄膜層を交互に積層した超格子
層にすることにより、中間層にミニバンドが形成され
る。GaInP薄膜層の膜厚とAlInP薄膜層の膜厚
を調整し、中間層の実質のバンドギャップを活性層のバ
ンドギャップより拡大せしめ、なおかつp型(第二導電
型)のクラッド層のバンドギャップより小さくする。こ
のことにより、図2(b)で示した領域のpn接合、ま
たは、pin接合の立ち上がり電圧が活性層の立ち上が
り電圧より増加し、漏れ電流を抑止する効果を向上させ
ることができると同時に、コンタクト層とp型(第二導
電型)のクラッド層のバンド不連続量を低減し、直列抵
抗を抑えることができる。
【0028】〔第3実施例〕第1および第2実施例で
は、共振器の伸びる方向が半導体基板面に対して平行な
方向である、すなわち、端面発光型半導体レーザを取り
上げたが、共振器の伸びる方向が半導体基板面に対して
垂直な方向である、いわゆる、垂直共振器型(面発光
型)半導体レーザにも適用できる。
は、共振器の伸びる方向が半導体基板面に対して平行な
方向である、すなわち、端面発光型半導体レーザを取り
上げたが、共振器の伸びる方向が半導体基板面に対して
垂直な方向である、いわゆる、垂直共振器型(面発光
型)半導体レーザにも適用できる。
【0029】図8は、本発明が適用された垂直共振器型
半導体レーザの部分断面斜視図である。図において、5
01がn側電極、502がn型GaAs基板、503が
バッファ層、504がn型半導体多層反射膜、505が
上からp型クラッド層/活性層/n型クラッド層の3層
構造層、506がp型半導体多層反射膜、507がアン
ドープまたはn型中間層、508がアンドープまたはn
型コンタクト層、509がSi膜、510がSiO2 拡
散保護膜兼電流ブロック層、511がSi拡散領域、5
12がZn拡散領域、513がp側電極である。
半導体レーザの部分断面斜視図である。図において、5
01がn側電極、502がn型GaAs基板、503が
バッファ層、504がn型半導体多層反射膜、505が
上からp型クラッド層/活性層/n型クラッド層の3層
構造層、506がp型半導体多層反射膜、507がアン
ドープまたはn型中間層、508がアンドープまたはn
型コンタクト層、509がSi膜、510がSiO2 拡
散保護膜兼電流ブロック層、511がSi拡散領域、5
12がZn拡散領域、513がp側電極である。
【0030】p側電極513より注入された電流は、太
線部分514でブロッキングされるためにSi拡散によ
って生じた欠陥層部分516による漏れ電流が生じな
い。したがって、効率よく電流狹搾が行え、レーザ光は
窓515より出射される。
線部分514でブロッキングされるためにSi拡散によ
って生じた欠陥層部分516による漏れ電流が生じな
い。したがって、効率よく電流狹搾が行え、レーザ光は
窓515より出射される。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、Si不純物拡散による
混晶化技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レーザ
において、中間層のSi拡散領域上層部に相当する部位
に発生する転位や欠陥を通じて漏れる電流を抑止するこ
とが可能となり、リッジストライプ型可視半導体レーザ
に比べプロセスが簡略であるSi拡散による埋めこみ型
可視半導体レーザにおいて、低閾電流値、高効率、高温
度特性を可能にすることができる。これにより、低価
格、低消費電力である可視半導体レーザを提供すること
が可能となる。
混晶化技術を利用したAlGaInP埋めこみ型レーザ
において、中間層のSi拡散領域上層部に相当する部位
に発生する転位や欠陥を通じて漏れる電流を抑止するこ
とが可能となり、リッジストライプ型可視半導体レーザ
に比べプロセスが簡略であるSi拡散による埋めこみ型
可視半導体レーザにおいて、低閾電流値、高効率、高温
度特性を可能にすることができる。これにより、低価
格、低消費電力である可視半導体レーザを提供すること
が可能となる。
【図1】 本発明の第1実施例である埋め込み半導体レ
ーザ装置の断面図である。
ーザ装置の断面図である。
【図2】 第1実施例での中間層における漏れ電流の抑
止のメカニズムを説明する図である。
止のメカニズムを説明する図である。
【図3】 本発明の第1実施例である埋め込み半導体レ
ーザ装置の製造手順を示す断面図である。
ーザ装置の製造手順を示す断面図である。
【図4】 図3に続く埋め込み半導体レーザ装置の製造
手順を示す断面図である。
手順を示す断面図である。
【図5】 図4に続く埋め込み半導体レーザ装置の製造
手順を示す断面図である。
手順を示す断面図である。
【図6】 図5に続く埋め込み半導体レーザ装置の製造
手順を示す断面図である。
手順を示す断面図である。
【図7】 図6に続く埋め込み半導体レーザ装置の製造
手順を示す断面図である。
手順を示す断面図である。
【図8】 本発明の第3実施例である垂直共振器型半導
体レーザ装置の断面および要斜視図である。
体レーザ装置の断面および要斜視図である。
【図9】 従来の埋め込み半導体レーザ装置の断面図と
漏れ電流の発生するメカニズムを説明する図である。
漏れ電流の発生するメカニズムを説明する図である。
101…n側電極、102…n型GaAs基板、103
…n型GaAsバッファ層、104…n型GaInPバ
ッファ層、105…n型(AlX Ga1-X )0. 5 In
0.5 P(0.5<X≦1)クラッド層、106…GaI
nP活性層、107…p型(AlX Ga1-X )0.5 In
0.5 P(0.5<X≦1)クラッド層、108…Si拡
散領域、109…n型または非導電性(AlX G
a1-X )0.5 In0.5 P(0≦X<0.5)中間層、1
10…Si拡散源膜、111…SiO2 電流ブロック
層、112…p側電極、113…n型または非導電性G
aAsコンタクト層、114…Zn拡散領域、115と
116…Si不純物拡散によって中間層109のうち転
位や欠陥が生じる上層の部分、201…中間層109と
Si不純物拡散により転位や欠陥が生じる部分115の
境界、202…Si不純物拡散の転位や欠陥が生じてい
ない部分、203…Zn拡散領域114と中間層109
との境界、204…Zn拡散領域114から中間層10
9へのホールの移動、301…7μm幅のストライプ状
のレジスト、302…Si拡散源膜、303…GaAs
コンタクト層のサイドエッチによって表面に出たレジス
ト301下部かつ中間層109上の領域、304…フォ
トレジスト、305…窓、306…GaAsコンタクト
層の幅、401…n側電極、402…n型GaAs基
板、403…n型GaInPバッファ層、404…n型
AlInPクラッド層、405…GaInP活性層、4
06…p型AlInPクラッド層、407…p型GaI
nP中間層、408…Si拡散源膜、409…SiO2
拡散保護膜かつSiO2 電流ブロック層、410…p側
電極、411…p+ 型GaAsコンタクト層、412…
Si拡散領域、413…Si拡散によって誘発された表
面近傍の転位や欠陥の多数存在する領域、414と41
5…領域413とp型GaInP中間層407との境
界、501…n側電極、502…n型GaAs基板、5
03…バッファ層、504…n型半導体多層反射膜、5
05…クラッド層と活性層、506…p型半導体多層反
射膜、507…アンドープまたはn型中間層、508…
アンドープまたはn型コンタクト層、509…Si膜、
510…SiO2 拡散保護膜兼電流ブロック層、511
…Si拡散領域、512…Zn拡散領域、513…p側
電極、514…太線、515…レーザ光出射窓、516
…Si拡散によって生じた欠陥層部分W…中間層に形成
されるpin接合のi層の幅、W1…Si拡散の横方向
拡散によりSi蒸着端より内側に入ったSi拡散領域の
幅、W2…Si拡散領域とGaAsコンタクト層113
までの距離
…n型GaAsバッファ層、104…n型GaInPバ
ッファ層、105…n型(AlX Ga1-X )0. 5 In
0.5 P(0.5<X≦1)クラッド層、106…GaI
nP活性層、107…p型(AlX Ga1-X )0.5 In
0.5 P(0.5<X≦1)クラッド層、108…Si拡
散領域、109…n型または非導電性(AlX G
a1-X )0.5 In0.5 P(0≦X<0.5)中間層、1
10…Si拡散源膜、111…SiO2 電流ブロック
層、112…p側電極、113…n型または非導電性G
aAsコンタクト層、114…Zn拡散領域、115と
116…Si不純物拡散によって中間層109のうち転
位や欠陥が生じる上層の部分、201…中間層109と
Si不純物拡散により転位や欠陥が生じる部分115の
境界、202…Si不純物拡散の転位や欠陥が生じてい
ない部分、203…Zn拡散領域114と中間層109
との境界、204…Zn拡散領域114から中間層10
9へのホールの移動、301…7μm幅のストライプ状
のレジスト、302…Si拡散源膜、303…GaAs
コンタクト層のサイドエッチによって表面に出たレジス
ト301下部かつ中間層109上の領域、304…フォ
トレジスト、305…窓、306…GaAsコンタクト
層の幅、401…n側電極、402…n型GaAs基
板、403…n型GaInPバッファ層、404…n型
AlInPクラッド層、405…GaInP活性層、4
06…p型AlInPクラッド層、407…p型GaI
nP中間層、408…Si拡散源膜、409…SiO2
拡散保護膜かつSiO2 電流ブロック層、410…p側
電極、411…p+ 型GaAsコンタクト層、412…
Si拡散領域、413…Si拡散によって誘発された表
面近傍の転位や欠陥の多数存在する領域、414と41
5…領域413とp型GaInP中間層407との境
界、501…n側電極、502…n型GaAs基板、5
03…バッファ層、504…n型半導体多層反射膜、5
05…クラッド層と活性層、506…p型半導体多層反
射膜、507…アンドープまたはn型中間層、508…
アンドープまたはn型コンタクト層、509…Si膜、
510…SiO2 拡散保護膜兼電流ブロック層、511
…Si拡散領域、512…Zn拡散領域、513…p側
電極、514…太線、515…レーザ光出射窓、516
…Si拡散によって生じた欠陥層部分W…中間層に形成
されるpin接合のi層の幅、W1…Si拡散の横方向
拡散によりSi蒸着端より内側に入ったSi拡散領域の
幅、W2…Si拡散領域とGaAsコンタクト層113
までの距離
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 秀生 神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロッ クス株式会社内 (72)発明者 瀬古 保次 神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロッ クス株式会社内 (72)発明者 布施 マリオ 神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロッ クス株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体基板と、この半導体基板上に少な
くとも第一導電型のクラッド層と量子井戸活性層と第二
導電型のクラッド層と中間層の半導体層を順次積層さ
せ、前記中間層上のある領域の一部にコンタクト層を形
成し、前記中間層上から第一の不純物を拡散させ、前記
コンタクト層と前記コンタクト層下部の半導体層を除く
領域を混晶化させた半導体レーザ装置において、 前記コンタクト層、および、前記中間層は、第一の導電
型の半導体層であるか、または、非導電性の半導体層で
あり、かつ、前記コンタクト層上から第二の不純物を拡
散させて形成された第二導電型の低抵抗領域が、前記第
一の不純物による混晶化領域と重ならないように配置さ
れていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項2】 前記第二導電型の低抵抗領域が第二導電
型のクラッド層にまで到達していることを特徴とする請
求項1記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項3】 前記中間層が、前記量子井戸活性層より
もバンドギャップが大きく、かつ、第二導電型クラッド
層よりも小さなバンドギャップを有する半導体層である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項4】 前記中間層が超格子層であることを特徴
とする請求項3記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項5】 前記第一クラッド層、量子井戸活性層、
第二クラッド層、中間層がAlGaInP混晶系からな
ることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6212650A JPH0878776A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 半導体レーザ装置 |
US08/523,389 US5588016A (en) | 1994-09-06 | 1995-09-05 | Semiconductor laser device |
US08/687,938 US5648295A (en) | 1994-09-06 | 1996-07-29 | Method of making a semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6212650A JPH0878776A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0878776A true JPH0878776A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16626147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6212650A Pending JPH0878776A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5588016A (ja) |
JP (1) | JPH0878776A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005322919A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射および/またはビーム受信半導体素子および半導体基体にコンタクトを構造化してデポジットする方法 |
KR100982423B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 이중채널 전류주입구조를 구비하는 면발광 레이저 소자 |
KR100982421B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 깔대기 형태의 전류주입영역을 구비하는 면발광 고출력레이저 소자 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0784363B1 (en) * | 1995-12-26 | 2000-10-11 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Vertical-cavity surface-emitting laser and method for manufacturing the same |
US5748665A (en) * | 1996-01-16 | 1998-05-05 | Motorola, Inc. | Visible VCSEL with hybrid mirrors |
US5719892A (en) * | 1996-04-23 | 1998-02-17 | Motorola, Inc. | Hybrid mirror structure for a visible emitting VCSEL |
US5998232A (en) * | 1998-01-16 | 1999-12-07 | Implant Sciences Corporation | Planar technology for producing light-emitting devices |
KR100611951B1 (ko) * | 1999-02-06 | 2006-08-11 | 삼성전자주식회사 | 표면광 레이저 |
JP2002141604A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Sony Corp | 半導体レーザ |
KR20060034456A (ko) * | 2004-10-19 | 2006-04-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0727873B2 (ja) * | 1987-11-04 | 1995-03-29 | 三菱電機株式会社 | 化合物半導体へのSi拡散方法 |
US5219785A (en) * | 1989-01-27 | 1993-06-15 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Method of forming current barriers in semiconductor lasers |
JPH081930B2 (ja) * | 1989-09-11 | 1996-01-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH04219989A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH0770782B2 (ja) * | 1991-02-07 | 1995-07-31 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JPH0582463A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | P形不純物の拡散方法及び半導体レーザ |
FR2675308A1 (fr) * | 1991-04-12 | 1992-10-16 | Thomson Csf | Procede de realisation de dispositifs optoelectroniques a semiconducteurs. |
US5256596A (en) * | 1992-03-26 | 1993-10-26 | Motorola, Inc. | Top emitting VCSEL with implant |
JPH0653604A (ja) * | 1992-08-03 | 1994-02-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
JPH0653605A (ja) * | 1992-08-03 | 1994-02-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
US5567646A (en) * | 1992-12-28 | 1996-10-22 | Philips Electronics North America Corporation | Method of making a stripe-geometry II/VI semiconductor gain-guided injection laser structure using ion implantation |
US5376583A (en) * | 1993-12-29 | 1994-12-27 | Xerox Corporation | Method for producing P-type impurity induced layer disordering |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP6212650A patent/JPH0878776A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-05 US US08/523,389 patent/US5588016A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-29 US US08/687,938 patent/US5648295A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005322919A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射および/またはビーム受信半導体素子および半導体基体にコンタクトを構造化してデポジットする方法 |
KR100982421B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 깔대기 형태의 전류주입영역을 구비하는 면발광 고출력레이저 소자 |
KR100982423B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 이중채널 전류주입구조를 구비하는 면발광 레이저 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5648295A (en) | 1997-07-15 |
US5588016A (en) | 1996-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5764669A (en) | Semiconductor laser including disordered window regions | |
US4932033A (en) | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same | |
US6876002B2 (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same | |
JPH10200190A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
KR100232993B1 (ko) | 반도체 레이저장치 및 그 제조방법 | |
JPH08279649A (ja) | 半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ | |
JPH0878776A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US5546418A (en) | Semiconductor laser having a flat groove for selected crystal planes | |
JPH0997948A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP3832200B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2005286192A (ja) | 光集積素子 | |
US7298769B2 (en) | Semiconductor laser | |
JPH10261835A (ja) | 半導体レーザ装置、及びその製造方法 | |
JP2001057459A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH09214045A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JPH10256647A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JPH0846283A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP2780625B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JPH07235723A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP3146501B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JPH0878775A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JPH11145553A (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製法 | |
JP2000058969A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH08125280A (ja) | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 | |
JPH07154026A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製法 |