JPH0653604A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0653604A JPH0653604A JP20646492A JP20646492A JPH0653604A JP H0653604 A JPH0653604 A JP H0653604A JP 20646492 A JP20646492 A JP 20646492A JP 20646492 A JP20646492 A JP 20646492A JP H0653604 A JPH0653604 A JP H0653604A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＡｌＧａＩｎＰ系レーザの作製に不純物拡散
による無秩序化技術を用いる際に、無秩序化により発生
する転位を少なくすること。 【構成】 導電型半導体基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ系結
晶の第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上
に量子井戸構造を含む活性層と、活性層上にＡｌＧａＩ
ｎＰ系結晶の第２導電型クラッド層を、さらにその上に
ＡｌＧａＡｓ系結晶のストライプ状のコンタクト層を備
え、コンタクト層から距離を置いて、第２導電型クラッ
ド層上部から不純物（Ｓｉ）拡散により拡散領域14を形
成する。このとき拡散領域14が第２導電型クラッド層と
コンタクト層10との接合面15には到達しないようにす
る。拡散領域14にＡｌＧａＡｓ系結晶層10とＡｌＧａＩ
ｎＰ系結晶層9の接合がなければ、不純物拡散による無
秩序化技術を行っても、格子不整合面が発生することは
なく、転位の発生を抑制できる。
による無秩序化技術を用いる際に、無秩序化により発生
する転位を少なくすること。 【構成】 導電型半導体基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ系結
晶の第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上
に量子井戸構造を含む活性層と、活性層上にＡｌＧａＩ
ｎＰ系結晶の第２導電型クラッド層を、さらにその上に
ＡｌＧａＡｓ系結晶のストライプ状のコンタクト層を備
え、コンタクト層から距離を置いて、第２導電型クラッ
ド層上部から不純物（Ｓｉ）拡散により拡散領域14を形
成する。このとき拡散領域14が第２導電型クラッド層と
コンタクト層10との接合面15には到達しないようにす
る。拡散領域14にＡｌＧａＡｓ系結晶層10とＡｌＧａＩ
ｎＰ系結晶層9の接合がなければ、不純物拡散による無
秩序化技術を行っても、格子不整合面が発生することは
なく、転位の発生を抑制できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報処理などに利用さ
れる半導体レーザに関し、特にＡｌＧａＩｎＰ系レーザ
に関するものである。
れる半導体レーザに関し、特にＡｌＧａＩｎＰ系レーザ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】不純物拡散による無秩序化技術（ＩＩＬ
Ｄ：Impurity Induced LayerDisordering）を利用した
半導体レーザとしては、ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス，Ｖｏｌ．５７，５３４５頁（１９８
５）などに報告されている。この技術は、再成長を必要
としないプレーナ構造の屈折率導波型レーザであり、低
しきい値、高効率を達成している。また、用いられてい
る結晶層はＡｌＧａＡｓ系結晶だけで構成されており、
上記ＩＩＬＤにより原子の移動が発生しても、格子不整
合による転位は発生しない。
Ｄ：Impurity Induced LayerDisordering）を利用した
半導体レーザとしては、ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス，Ｖｏｌ．５７，５３４５頁（１９８
５）などに報告されている。この技術は、再成長を必要
としないプレーナ構造の屈折率導波型レーザであり、低
しきい値、高効率を達成している。また、用いられてい
る結晶層はＡｌＧａＡｓ系結晶だけで構成されており、
上記ＩＩＬＤにより原子の移動が発生しても、格子不整
合による転位は発生しない。
【０００３】一方、赤色半導体レーザにはＡｌＧａＩｎ
Ｐ系結晶が用いられる。ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
に、ＩＩＬＤ技術を利用した報告としては、ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス，Ｖｏｌ．６６，４
８２頁（１９８９）がある。しかし、この報告にあるレ
ーザは、その作製中、特にＳｉ拡散中に発生した転位が
多くレーザ特性は悪い。
Ｐ系結晶が用いられる。ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
に、ＩＩＬＤ技術を利用した報告としては、ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス，Ｖｏｌ．６６，４
８２頁（１９８９）がある。しかし、この報告にあるレ
ーザは、その作製中、特にＳｉ拡散中に発生した転位が
多くレーザ特性は悪い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＡｌＧａＩｎＰ系レー
ザにおいても、電極と接触するコンタクト層には低抵抗
化を図るために、ＡｌＧａＡｓ系結晶を用いる。このＡ
ｌＧａＡｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層との界面
では、不純物の拡散後に容易に転位が発生する。なぜな
らば、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の場合、ＧａＡｓ結晶と格
子整合するためには、ＡｌＧａＰの混晶比をＩｎＰに対
して（ＡｌＧａ）／Ｉｎ≒１／１にしておく必要があ
る。ところが、不純物拡散による無秩序化技術が施され
ると、拡散領域にある各原子が移動し両層（ＡｌＧａＡ
ｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層）の材料組成が変
化する。したがって、材料組成の変化した領域には、格
子不整合面が発生し、これが転位の原因となるのであ
る。すなわち、結晶成長の段階では、格子整合していた
ＡｌＧａＡｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層間で原
子の往来があると、その結果格子不整合面ができ、転位
が発生する。この結晶中の転位は半導体レーザの特性の
劣化に繋がる。そこで、本発明の目的は、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系レーザの作製に不純物拡散による無秩序化技術を用
いる際に、無秩序化により発生する転位を少なくするこ
とである。
ザにおいても、電極と接触するコンタクト層には低抵抗
化を図るために、ＡｌＧａＡｓ系結晶を用いる。このＡ
ｌＧａＡｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層との界面
では、不純物の拡散後に容易に転位が発生する。なぜな
らば、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の場合、ＧａＡｓ結晶と格
子整合するためには、ＡｌＧａＰの混晶比をＩｎＰに対
して（ＡｌＧａ）／Ｉｎ≒１／１にしておく必要があ
る。ところが、不純物拡散による無秩序化技術が施され
ると、拡散領域にある各原子が移動し両層（ＡｌＧａＡ
ｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層）の材料組成が変
化する。したがって、材料組成の変化した領域には、格
子不整合面が発生し、これが転位の原因となるのであ
る。すなわち、結晶成長の段階では、格子整合していた
ＡｌＧａＡｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層間で原
子の往来があると、その結果格子不整合面ができ、転位
が発生する。この結晶中の転位は半導体レーザの特性の
劣化に繋がる。そこで、本発明の目的は、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系レーザの作製に不純物拡散による無秩序化技術を用
いる際に、無秩序化により発生する転位を少なくするこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成によって達成される。導電型半導体基板上に、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系結晶で構成された第１導電型クラッド層
と、その第１導電型クラッド層上に量子井戸構造を含む
活性層と、その活性層上にＡｌＧａＩｎＰ系結晶で構成
された第２導電型クラッド層を、さらにその上にＡｌＧ
ａＡｓ系結晶で構成されたストライプ状のコンタクト層
を備え、このストライプ状のＡｌＧａＡｓ系結晶コンタ
クト層から距離を置いて、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶で構成
された第２導電型クラッド層上部から、不純物拡散によ
る無秩序化技術を施し、導波路を形成する工程におい
て、その不純物が拡散した無秩序化領域が、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系結晶で構成された第２導電型クラッド層とＡｌＧ
ａＡｓ系結晶で構成されたストライプ状のコンタクト層
との接合面には到達しないようにした半導体レーザ装置
の製造方法である。前記半導体レーザ装置における不純
物拡散による無秩序化工程として不純物を使わないで、
絶縁膜による超格子の無秩序化工程により置き換えるこ
ともできる。
構成によって達成される。導電型半導体基板上に、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系結晶で構成された第１導電型クラッド層
と、その第１導電型クラッド層上に量子井戸構造を含む
活性層と、その活性層上にＡｌＧａＩｎＰ系結晶で構成
された第２導電型クラッド層を、さらにその上にＡｌＧ
ａＡｓ系結晶で構成されたストライプ状のコンタクト層
を備え、このストライプ状のＡｌＧａＡｓ系結晶コンタ
クト層から距離を置いて、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶で構成
された第２導電型クラッド層上部から、不純物拡散によ
る無秩序化技術を施し、導波路を形成する工程におい
て、その不純物が拡散した無秩序化領域が、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系結晶で構成された第２導電型クラッド層とＡｌＧ
ａＡｓ系結晶で構成されたストライプ状のコンタクト層
との接合面には到達しないようにした半導体レーザ装置
の製造方法である。前記半導体レーザ装置における不純
物拡散による無秩序化工程として不純物を使わないで、
絶縁膜による超格子の無秩序化工程により置き換えるこ
ともできる。
【０００６】
【作用】不純物を拡散させる領域にＡｌＧａＡｓ系結晶
層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層の接合がないレーザ構造と
すること、つまりＡｌＧａＩｎＰ系結晶層にだけ不純物
拡散を行う構造とする。不純物を拡散させる領域にＡｌ
ＧａＡｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層の接合がな
ければ、不純物拡散による無秩序化技術を行ってても、
格子不整合面が発生することはなく、転位の発生を抑制
できる。
層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層の接合がないレーザ構造と
すること、つまりＡｌＧａＩｎＰ系結晶層にだけ不純物
拡散を行う構造とする。不純物を拡散させる領域にＡｌ
ＧａＡｓ系結晶層とＡｌＧａＩｎＰ系結晶層の接合がな
ければ、不純物拡散による無秩序化技術を行ってても、
格子不整合面が発生することはなく、転位の発生を抑制
できる。
【０００７】
【実施例】次に本発明の一実施例を図面とともに説明す
る。図１は、本発明による半導体レーザの作製工程を示
す。まず、図１（ａ）に示すようにＭＯＣＶＤ法によ
り、下からｎ−ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ：ｎ〜１×
１０18／ｃｍ3）、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２（ｎ〜１
×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．２μｍ）、ｎ−Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐバッファ層３（ｎ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜
０．２μｍ）、ｎ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ下部クラッド層４
（ｎ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．９μｍ）、ｕｎ
ｄｏｐｅｄ−（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込
め層５（厚さ〜０．０９μｍ）、ｕｎｄｏｐｅｄ−Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層６（厚さ〜１００Å）、ｕｎｄｏｐ
ｅｄ−（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込め層７
（厚さ〜０．０９μｍ）、ｐ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ上部ク
ラッド層８（ｐ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．８μ
ｍ）、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層９（ｐ〜１×１
０18／ｃｍ3；厚さ〜０．１μｍ）、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層１０（ｐ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．４
μｍ）を順次形成する。
る。図１は、本発明による半導体レーザの作製工程を示
す。まず、図１（ａ）に示すようにＭＯＣＶＤ法によ
り、下からｎ−ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ：ｎ〜１×
１０18／ｃｍ3）、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２（ｎ〜１
×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．２μｍ）、ｎ−Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐバッファ層３（ｎ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜
０．２μｍ）、ｎ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ下部クラッド層４
（ｎ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．９μｍ）、ｕｎ
ｄｏｐｅｄ−（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込
め層５（厚さ〜０．０９μｍ）、ｕｎｄｏｐｅｄ−Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層６（厚さ〜１００Å）、ｕｎｄｏｐ
ｅｄ−（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込め層７
（厚さ〜０．０９μｍ）、ｐ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ上部ク
ラッド層８（ｐ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．８μ
ｍ）、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層９（ｐ〜１×１
０18／ｃｍ3；厚さ〜０．１μｍ）、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層１０（ｐ〜１×１０18／ｃｍ3；厚さ〜０．４
μｍ）を順次形成する。
【０００８】その上にフォトリソ工程により、図１
（ａ）に示すようにストライプ状のレジスト１１を形成
する。その後、このレジスト１１をマスクとして、ＮＨ
4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝１：２：１００により、ｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層１０を図１（ｂ）に示すようにエッ
チングする。上記エッチング液はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ結晶
（バッファ層９）に対して、ＧａＡｓ結晶（コンタクト
層１０）を選択的にエッチングするので、エッチング時
間は長くすれば、ＧａＡｓコンタクト層１０のサイドエ
ッチが進み、レジスト１１のオーバーハングは大きくな
っていく。次工程で蒸着されるＳｉ層１２のエッジとＧ
ａＡｓコンタクト層１０のエッジとの距離を１．０μｍ
としたい時には、このオーバーハング（片側）も１．０
μｍとすればよい。
（ａ）に示すようにストライプ状のレジスト１１を形成
する。その後、このレジスト１１をマスクとして、ＮＨ
4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝１：２：１００により、ｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層１０を図１（ｂ）に示すようにエッ
チングする。上記エッチング液はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ結晶
（バッファ層９）に対して、ＧａＡｓ結晶（コンタクト
層１０）を選択的にエッチングするので、エッチング時
間は長くすれば、ＧａＡｓコンタクト層１０のサイドエ
ッチが進み、レジスト１１のオーバーハングは大きくな
っていく。次工程で蒸着されるＳｉ層１２のエッジとＧ
ａＡｓコンタクト層１０のエッジとの距離を１．０μｍ
としたい時には、このオーバーハング（片側）も１．０
μｍとすればよい。
【０００９】次に、図２（ａ）に示すようにＥＢ蒸着機
でＳｉ層１２を厚さ１００Åとなるように蒸着する。さ
らに、リフトオフ工程でレジスト１１とその上のＳｉ層
１２を取り除いたのちに、スパッタリングによりＳｉＯ
2層１３を３００Åの厚さで積層した後、石英管の中に
少量のリンとともに真空封じして、８５０℃で熱処理す
ると、図２（ｂ）に示すようにＳｉが結晶中に拡散し、
拡散した領域１４は無秩序化し、水平方向の導波路が形
成される。本実施例では、光閉じ込め層５、７は、Ｓｉ
層１２から約１μｍの深さにあるので、Ｓｉの深さ方向
の拡散が約１μｍになるように熱処理時間を調節する。
この時、Ｓｉの拡散は水平方向にも進むが、Ｓｉ層１２
のエッジとＧａＡｓコンタクト層１０のエッジの間隔を
上記図１（ｂ）に説明した方法で離しておけば、Ｓｉ拡
散はＧａＡｓコンタクト層１０とＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッ
ファ層９の接合面１５には到達しない。通常、水平方向
にも、深さ方向と同等のＳｉ拡散が発生するので、本実
施例では、図２（ａ）に示した工程でＳｉ層１２のエッ
ジとＧａＡｓコンタクト層１０のエッジとの距離を１．
２μｍぐらい間隔であけるようにしておく。
でＳｉ層１２を厚さ１００Åとなるように蒸着する。さ
らに、リフトオフ工程でレジスト１１とその上のＳｉ層
１２を取り除いたのちに、スパッタリングによりＳｉＯ
2層１３を３００Åの厚さで積層した後、石英管の中に
少量のリンとともに真空封じして、８５０℃で熱処理す
ると、図２（ｂ）に示すようにＳｉが結晶中に拡散し、
拡散した領域１４は無秩序化し、水平方向の導波路が形
成される。本実施例では、光閉じ込め層５、７は、Ｓｉ
層１２から約１μｍの深さにあるので、Ｓｉの深さ方向
の拡散が約１μｍになるように熱処理時間を調節する。
この時、Ｓｉの拡散は水平方向にも進むが、Ｓｉ層１２
のエッジとＧａＡｓコンタクト層１０のエッジの間隔を
上記図１（ｂ）に説明した方法で離しておけば、Ｓｉ拡
散はＧａＡｓコンタクト層１０とＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッ
ファ層９の接合面１５には到達しない。通常、水平方向
にも、深さ方向と同等のＳｉ拡散が発生するので、本実
施例では、図２（ａ）に示した工程でＳｉ層１２のエッ
ジとＧａＡｓコンタクト層１０のエッジとの距離を１．
２μｍぐらい間隔であけるようにしておく。
【００１０】次に、図３に示すようにＳｉＯ2層１３に
フォトリソ工程とエッチングによりコンタクト用の穴を
あける。その後、図示していないが、通常の半導体レー
ザ作製プロセスと同様にｎ−ＧａＡｓ基板１を１００μ
ｍ程度の厚さまで研磨した後、ｐ側電極およびｎ側電極
を蒸着し、へき開によって長さ３００μｍ程度のファブ
リペロー型共振器を形成する。チップはヒートシンクに
マウントし、リード線を取り付けて完成する。
フォトリソ工程とエッチングによりコンタクト用の穴を
あける。その後、図示していないが、通常の半導体レー
ザ作製プロセスと同様にｎ−ＧａＡｓ基板１を１００μ
ｍ程度の厚さまで研磨した後、ｐ側電極およびｎ側電極
を蒸着し、へき開によって長さ３００μｍ程度のファブ
リペロー型共振器を形成する。チップはヒートシンクに
マウントし、リード線を取り付けて完成する。
【００１１】以上の実施例においては、ＳｉをＩＩＬＤ
技術に利用したが、Ｇｅ、Ｚｎ、ＳｅまたはＭｇなどの
不純物を用いても良い。また、不純物を用いずに、格子
欠陥を利用した無秩序化技術を本発明に適用しても良
い。
技術に利用したが、Ｇｅ、Ｚｎ、ＳｅまたはＭｇなどの
不純物を用いても良い。また、不純物を用いずに、格子
欠陥を利用した無秩序化技術を本発明に適用しても良
い。
【００１２】
【発明の効果】上記のように本発明は、転位の発生が少
ない不純物拡散による無秩序化技術により導波路を形成
したＡｌＧａＩｎＰ系のプレーナ構造屈折率導波型レー
ザを提供するものである。このレーザは低しきい電流
値、高効率、低非点収差などの高特性を提供する。
ない不純物拡散による無秩序化技術により導波路を形成
したＡｌＧａＩｎＰ系のプレーナ構造屈折率導波型レー
ザを提供するものである。このレーザは低しきい電流
値、高効率、低非点収差などの高特性を提供する。
【図１】 本発明の一実施例の半導体レーザの作製工程
を示した図である。
を示した図である。
【図２】 本発明の一実施例の半導体レーザの作製工程
を示した図である。
を示した図である。
【図３】 本発明の一実施例の半導体レーザの作製工程
を示した図である。
を示した図である。
１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−ＧａＡｓバッファ層、
３…ｎ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層、４…ｎ−Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ下部クラッド層、５…ｕｎｄｏｐｅｄ−
（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込め層、６…ｕ
ｎｄｏｐｅｄ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層、７…ｕｎｄｏ
ｐｅｄ−（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込め
層、８…ｐ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ上部クラッド層、９…ｐ
−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層、１０…ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層、１１…レジスト、１２…Ｓｉ層、１３…Ｓ
ｉＯ2層、１４…拡散領域、１５…ＧａＡｓコンタクト
層とＧａＩｎＰバッファ層の接合面
３…ｎ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層、４…ｎ−Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ下部クラッド層、５…ｕｎｄｏｐｅｄ−
（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込め層、６…ｕ
ｎｄｏｐｅｄ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層、７…ｕｎｄｏ
ｐｅｄ−（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ光閉じ込め
層、８…ｐ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ上部クラッド層、９…ｐ
−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層、１０…ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層、１１…レジスト、１２…Ｓｉ層、１３…Ｓ
ｉＯ2層、１４…拡散領域、１５…ＧａＡｓコンタクト
層とＧａＩｎＰバッファ層の接合面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上柳 喜一 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ックス株式会社海老名事業所内 (72)発明者 植木 伸明 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ックス株式会社海老名事業所内 (72)発明者 乙間 広己 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ックス株式会社海老名事業所内
Claims (1)
- 【請求項１】 導電型半導体基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ
系結晶で構成された第１導電型クラッド層と、その第１
導電型クラッド層上に量子井戸構造を含む活性層と、そ
の活性層上にＡｌＧａＩｎＰ系結晶で構成された第２導
電型クラッド層を、さらにその上にＡｌＧａＡｓ系結晶
で構成されたストライプ状のコンタクト層を備え、この
ストライプ状のＡｌＧａＡｓ系結晶コンタクト層から距
離を置いて、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶で構成された第２導
電型クラッド層上部から、不純物拡散による無秩序化技
術を施し、導波路を形成する工程において、その不純物
が拡散した無秩序化領域が、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶で構
成された第２導電型クラッド層とＡｌＧａＡｓ系結晶で
構成されたストライプ状のコンタクト層との接合面には
到達しないようにしたことを特徴とする半導体レーザ装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20646492A JPH0653604A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20646492A JPH0653604A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653604A true JPH0653604A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16523815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20646492A Pending JPH0653604A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653604A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712185A1 (en) * | 1994-11-10 | 1996-05-15 | Xerox Corporation | Index-guided visible laser formed by selectively randomizing the ordered phase of ALGaInP |
| US5588016A (en) * | 1994-09-06 | 1996-12-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1992
- 1992-08-03 JP JP20646492A patent/JPH0653604A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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