JPH0575204A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPH0575204A JPH0575204A JP23671991A JP23671991A JPH0575204A JP H0575204 A JPH0575204 A JP H0575204A JP 23671991 A JP23671991 A JP 23671991A JP 23671991 A JP23671991 A JP 23671991A JP H0575204 A JPH0575204 A JP H0575204A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体発光装置及びその製造方法に関し，低
しきい値電流，高効率，高出力の可視光半導体レーザ装
置の提供を目的とする。 【構成】 第１のメサストライプ構造1aを有する化合物
半導体基板１と, 化合物半導体基板１上に順に積層され
た下部クラッド層４，活性層５，上部クラッド層６，8a
と, 上部クラッド層8aの両側に配設された上部電流ブロ
ック層11とを有する半導体発光装置であって, 活性層５
は平坦部とそれにつづいて両側に傾斜部を有し, 上部ク
ラッド層６, 8aは活性層５の平坦部上部に第２のメサス
トライプ構造8aを有し, 上部電流ブロック層11は第２の
メサストライプ構造8aの両側に配設されている構造を有
する半導体発光装置により構成する。また，上記の構造
に加えて，第１のメサストライプ構造1aの両側に下部電
流ブロック層2aが配設された構造を有する半導体発光装
置により構成する。
しきい値電流，高効率，高出力の可視光半導体レーザ装
置の提供を目的とする。 【構成】 第１のメサストライプ構造1aを有する化合物
半導体基板１と, 化合物半導体基板１上に順に積層され
た下部クラッド層４，活性層５，上部クラッド層６，8a
と, 上部クラッド層8aの両側に配設された上部電流ブロ
ック層11とを有する半導体発光装置であって, 活性層５
は平坦部とそれにつづいて両側に傾斜部を有し, 上部ク
ラッド層６, 8aは活性層５の平坦部上部に第２のメサス
トライプ構造8aを有し, 上部電流ブロック層11は第２の
メサストライプ構造8aの両側に配設されている構造を有
する半導体発光装置により構成する。また，上記の構造
に加えて，第１のメサストライプ構造1aの両側に下部電
流ブロック層2aが配設された構造を有する半導体発光装
置により構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光装置及びその
製造方法に係り，特に，ＡｌＧａＩｎＰ系横モード制御
型の可視光半導体レーザ装置及びその製造方法に関す
る。
製造方法に係り，特に，ＡｌＧａＩｎＰ系横モード制御
型の可視光半導体レーザ装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】近年，0.6 μｍ帯の可視光半導体レーザ
は，ＰＯＳ端末装置，光ディスク装置，レーザプリンタ
等の光情報処理装置の高性能化を実現できる光源とし
て，大いに期待されている。
は，ＰＯＳ端末装置，光ディスク装置，レーザプリンタ
等の光情報処理装置の高性能化を実現できる光源とし
て，大いに期待されている。
【０００３】このような可視光半導体レーザには，低し
きい値電流，高効率の特性，さらに高出力が要求されて
いる。
きい値電流，高効率の特性，さらに高出力が要求されて
いる。
【０００４】
【従来の技術】可視光半導体レーザとしてＡｌＧａＩｎ
Ｐ系のレーザが知られているが，この系のレーザは従来
のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のレーザとは異なり，Ａｌ
を含む層上へのＡｌを含む材料の成長が非常に困難であ
る。従って，横方向の屈折率変化を，ＢＨ(Buried Hete
rostructure)レーザのようにＡｌを含む材料で埋め込む
ことによって達成することは困難であった。
Ｐ系のレーザが知られているが，この系のレーザは従来
のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のレーザとは異なり，Ａｌ
を含む層上へのＡｌを含む材料の成長が非常に困難であ
る。従って，横方向の屈折率変化を，ＢＨ(Buried Hete
rostructure)レーザのようにＡｌを含む材料で埋め込む
ことによって達成することは困難であった。
【０００５】そこで，従来の実用化されている横モード
制御型ＡｌＧａＩｎＰ系レーザは活性層が平坦であり，
上部クラッド層をメサストライプ構造とすることで横方
向の屈折率変化をつけている（例えば特開昭６２−2007
86）。
制御型ＡｌＧａＩｎＰ系レーザは活性層が平坦であり，
上部クラッド層をメサストライプ構造とすることで横方
向の屈折率変化をつけている（例えば特開昭６２−2007
86）。
【０００６】図４はこのようなレーザの断面図を示し，
21はｎ−ＧａＡｓ基板，22はｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下部ク
ラッド層，23はＧａＩｎＰ活性層，24はp-ＡｌＧａＩｎ
Ｐ上部クラッド層，25はｐ−ＧａＩｎＰスパイク防止
層，26はノンドープＧａＡｓ電流ブロック層，27はｐ−
ＧａＡｓコンタクト層，28はｐ側電極，29はｎ側電極を
表す。
21はｎ−ＧａＡｓ基板，22はｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下部ク
ラッド層，23はＧａＩｎＰ活性層，24はp-ＡｌＧａＩｎ
Ｐ上部クラッド層，25はｐ−ＧａＩｎＰスパイク防止
層，26はノンドープＧａＡｓ電流ブロック層，27はｐ−
ＧａＡｓコンタクト層，28はｐ側電極，29はｎ側電極を
表す。
【０００７】しかしながらこの構造では，メサストライ
プ構造の両側の埋込み層（ノンドープＧａＡｓ電流ブロ
ック層26) が光を吸収するＧａＡｓであり，ロスガイド
構造であるので光使用効率の高いレーザが得にくいとい
う欠点があった。
プ構造の両側の埋込み層（ノンドープＧａＡｓ電流ブロ
ック層26) が光を吸収するＧａＡｓであり，ロスガイド
構造であるので光使用効率の高いレーザが得にくいとい
う欠点があった。
【０００８】これに対して，段差を有する基板上にダブ
ルヘテロ構造を成長することにより活性層に段差をつ
け，横モード制御を可能としたレーザが知られており，
発明者等は緩やかな段差をつけたレーザ素子を提案して
いる（特願平２−159997) 。
ルヘテロ構造を成長することにより活性層に段差をつ
け，横モード制御を可能としたレーザが知られており，
発明者等は緩やかな段差をつけたレーザ素子を提案して
いる（特願平２−159997) 。
【０００９】図５はこのようなレーザの断面図を示し，
31はｐ−ＧａＡｓ基板，32はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層，33はｐ−ＧａＡｓバッファ層，34はp-ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層，35はＧａＩｎＰ活性層，36はｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層，37はｎ−ＧａＡｓコンタクト層，
38はｎ側電極，39はｐ側電極を表す。
31はｐ−ＧａＡｓ基板，32はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層，33はｐ−ＧａＡｓバッファ層，34はp-ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層，35はＧａＩｎＰ活性層，36はｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層，37はｎ−ＧａＡｓコンタクト層，
38はｎ側電極，39はｐ側電極を表す。
【００１０】この構造はロスガイド構造でないため，光
の吸収は考えなくてもよいが，上側のｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層36部分で電流が広がるため，電流閉じ込め
性が十分でない。
の吸収は考えなくてもよいが，上側のｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層36部分で電流が広がるため，電流閉じ込め
性が十分でない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，光の吸収がなく電流閉じ込め性もよい構造の半導
体レーザ及びその構造を実現するための方法を提供する
ことを目的とする。
鑑み，光の吸収がなく電流閉じ込め性もよい構造の半導
体レーザ及びその構造を実現するための方法を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１(a), (b)は本発明の
半導レーザの断面図であり，図２(a) 〜(d) は第１の実
施例を示す工程順断面図, 図３(a) 〜(d) は第２の実施
例を示す工程順断面図である。
半導レーザの断面図であり，図２(a) 〜(d) は第１の実
施例を示す工程順断面図, 図３(a) 〜(d) は第２の実施
例を示す工程順断面図である。
【００１３】上記課題は，第１のメサストライプ構造1a
を有する化合物半導体基板１と, 該化合物半導体基板１
上に順に積層された下部クラッド層４，活性層５，上部
クラッド層6, 8a と, 該上部クラッド層8aの両側に配設
された上部電流ブロック層11とを有する半導体発光装置
であって, 該活性層５は平坦部とそれにつづいて両側に
傾斜部を有し, 該上部クラッド層6, 8a は該活性層５の
平坦部上部に第２のメサストライプ構造8aを有し, 該上
部電流ブロック層11は該第２のメサストライプ構造8aの
両側に配設されている構造を有する半導体発光装置によ
って解決される。
を有する化合物半導体基板１と, 該化合物半導体基板１
上に順に積層された下部クラッド層４，活性層５，上部
クラッド層6, 8a と, 該上部クラッド層8aの両側に配設
された上部電流ブロック層11とを有する半導体発光装置
であって, 該活性層５は平坦部とそれにつづいて両側に
傾斜部を有し, 該上部クラッド層6, 8a は該活性層５の
平坦部上部に第２のメサストライプ構造8aを有し, 該上
部電流ブロック層11は該第２のメサストライプ構造8aの
両側に配設されている構造を有する半導体発光装置によ
って解決される。
【００１４】また，上記の構造に加えて，前記第１のメ
サストライプ構造1aの両側に下部電流ブロック層2aが配
設された構造を有する半導体発光装置によって解決され
る。また，前記下部クラッド層４がＡｌＧａＩｎＰ，前
記活性層５がＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰ，前記上部
クラッド層６がＡｌＧａＩｎＰであるダブルヘテロ構造
を有する前記の半導体発光装置によって解決される。
サストライプ構造1aの両側に下部電流ブロック層2aが配
設された構造を有する半導体発光装置によって解決され
る。また，前記下部クラッド層４がＡｌＧａＩｎＰ，前
記活性層５がＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰ，前記上部
クラッド層６がＡｌＧａＩｎＰであるダブルヘテロ構造
を有する前記の半導体発光装置によって解決される。
【００１５】また，化合物半導体基板１に第１のメサス
トライプ構造1aを形成する工程と，気相堆積法により該
第１のメサストライプ構造1aを有する化合物半導体基板
１上に下部クラッド層となる第１の化合物半導体層４，
活性層となる第２の化合物半導体層５，第１の上部クラ
ッド層となる第３の化合物半導体層６，エッチングスト
ップ層となる第４の化合物半導体層７，第２の上部クラ
ッド層となる第５の化合物半導体層８を連続して堆積す
る工程と，該第５の化合物半導体層８上にストライプマ
スク15を形成し，それをマスクにして該第５の化合物半
導体層８を選択的にエッチングして該第４の化合物半導
体層７を露出することにより第２のメサストライプ構造
8aを形成する工程と，該第４の化合物半導体層７上に上
部電流ブロック層となる第６の化合物半導体層11を選択
的に成長する工程とを有する半導体発光装置の製造方法
によって解決される。
トライプ構造1aを形成する工程と，気相堆積法により該
第１のメサストライプ構造1aを有する化合物半導体基板
１上に下部クラッド層となる第１の化合物半導体層４，
活性層となる第２の化合物半導体層５，第１の上部クラ
ッド層となる第３の化合物半導体層６，エッチングスト
ップ層となる第４の化合物半導体層７，第２の上部クラ
ッド層となる第５の化合物半導体層８を連続して堆積す
る工程と，該第５の化合物半導体層８上にストライプマ
スク15を形成し，それをマスクにして該第５の化合物半
導体層８を選択的にエッチングして該第４の化合物半導
体層７を露出することにより第２のメサストライプ構造
8aを形成する工程と，該第４の化合物半導体層７上に上
部電流ブロック層となる第６の化合物半導体層11を選択
的に成長する工程とを有する半導体発光装置の製造方法
によって解決される。
【００１６】
【作用】半導体発光装置を本発明の構造にすると，活性
層５の両側はロスガイド構造でないから光の吸収損失は
極めて小さくなり，光の使用効率が高くなる。また，上
部クラッド層8aの両側に上部電流ブロック層11が配設さ
れているので，電流閉じ込め性がよくなる。
層５の両側はロスガイド構造でないから光の吸収損失は
極めて小さくなり，光の使用効率が高くなる。また，上
部クラッド層8aの両側に上部電流ブロック層11が配設さ
れているので，電流閉じ込め性がよくなる。
【００１７】化合物半導体基板１に形成された第１のメ
サストライプ構造1aの両側に下部電流ブロック層2aが配
設された構造とすることにより，電流閉じ込め性をさら
によくすることができる。
サストライプ構造1aの両側に下部電流ブロック層2aが配
設された構造とすることにより，電流閉じ込め性をさら
によくすることができる。
【００１８】本発明の構造は，下部クラッド層４がＡｌ
ＧａＩｎＰ，活性層５がＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎ
Ｐ，上部クラッド層６がＡｌＧａＩｎＰであるダブルヘ
テロ構造を有する半導体発光装置に適用する時，その効
果が大きい。
ＧａＩｎＰ，活性層５がＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎ
Ｐ，上部クラッド層６がＡｌＧａＩｎＰであるダブルヘ
テロ構造を有する半導体発光装置に適用する時，その効
果が大きい。
【００１９】また，ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系結晶
は液相成長が困難であるが，本発明の方法によれば，気
相堆積法による連続成長が可能となる。
は液相成長が困難であるが，本発明の方法によれば，気
相堆積法による連続成長が可能となる。
【００２０】
【実施例】図２(a) 〜(d) は第１の実施例を示す工程順
断面図であり，以下，これらの図を参照しながら第１の
実施例について説明する。
断面図であり，以下，これらの図を参照しながら第１の
実施例について説明する。
【００２１】図２(a) 参照 Ｓｉドープｎ−ＧａＡｓ（１００）基板１上にＳｉＯ2
をスパッタリングし，それを加工して＜０１１＞方向に
延びるＳｉＯ2 マスクを形成し（図示せず），それをマ
スクにして基板をエッチングし，（１１１）Ｂ面が現れ
るような段差をもつ深さ0.4 μｍのメサストライプ構造
1aを形成する。
をスパッタリングし，それを加工して＜０１１＞方向に
延びるＳｉＯ2 マスクを形成し（図示せず），それをマ
スクにして基板をエッチングし，（１１１）Ｂ面が現れ
るような段差をもつ深さ0.4 μｍのメサストライプ構造
1aを形成する。
【００２２】次に，メサストライプ構造1aを有する基板
１上に，ＭＯＶＰＥ法により，厚さ１μｍのＳｅドープ
ｎーＧａＡｓバッファ層２，厚さ0.1μｍのＳｅドープ
ｎーＧａＩｎＰのｎ側スパイク防止層３，厚さ 0.8 μ
ｍのｎーＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層４，厚さ0.08μ
ｍのＧａＩｎＰ活性層５（波長換算0.67μｍ組成），厚
さ0.4 μｍのＭｇドープｐーＡｌＧａＩｎＰ第１の上部
クラッド層６，厚さ100 ÅのｐーＧａＩｎＰエッチング
ストップ層７，厚さ0.4 μｍのＭｇドープｐーＡｌＧａ
ＩｎＰ第２の上部クラッド層８，厚さ0.1 μｍのＺｎド
ープｐーＧａＩｎＰのｎ側スパイク防止層９，厚さ0.2
μｍのＺｎドープｐーＧａＡｓコンタクト層10を連続成
長した。
１上に，ＭＯＶＰＥ法により，厚さ１μｍのＳｅドープ
ｎーＧａＡｓバッファ層２，厚さ0.1μｍのＳｅドープ
ｎーＧａＩｎＰのｎ側スパイク防止層３，厚さ 0.8 μ
ｍのｎーＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層４，厚さ0.08μ
ｍのＧａＩｎＰ活性層５（波長換算0.67μｍ組成），厚
さ0.4 μｍのＭｇドープｐーＡｌＧａＩｎＰ第１の上部
クラッド層６，厚さ100 ÅのｐーＧａＩｎＰエッチング
ストップ層７，厚さ0.4 μｍのＭｇドープｐーＡｌＧａ
ＩｎＰ第２の上部クラッド層８，厚さ0.1 μｍのＺｎド
ープｐーＧａＩｎＰのｎ側スパイク防止層９，厚さ0.2
μｍのＺｎドープｐーＧａＡｓコンタクト層10を連続成
長した。
【００２３】その場合の成長温度は 700℃，Ｖ／III 比
（Ｖ族元素原料ガスのIII 族元素原料ガスに対する流量
比）はＧａＡｓは８０，ＡｌＧａＩｎＰは 300, ＧａＩ
ｎＰは 600とした。
（Ｖ族元素原料ガスのIII 族元素原料ガスに対する流量
比）はＧａＡｓは８０，ＡｌＧａＩｎＰは 300, ＧａＩ
ｎＰは 600とした。
【００２４】図２(b) 参照 ｐーＧａＡｓコンタクト層10上にＳｉＯ2 をスパッタリ
ングし，それを加工して＜０１１＞方向に延びるＳｉＯ
2 マスク15を形成し，それをマスクにしてアンモニアと
過酸化水素の混合液でｐーＧａＡｓコンタクト層10をエ
ッチングした後，臭化水素溶液でｐーＧａＩｎＰのｎ側
スパイク防止層９とｐーＡｌＧａＩｎＰ第２の上部クラ
ッド層８をｐーＧａＩｎＰエッチングストップ層７まで
エッチングした。
ングし，それを加工して＜０１１＞方向に延びるＳｉＯ
2 マスク15を形成し，それをマスクにしてアンモニアと
過酸化水素の混合液でｐーＧａＡｓコンタクト層10をエ
ッチングした後，臭化水素溶液でｐーＧａＩｎＰのｎ側
スパイク防止層９とｐーＡｌＧａＩｎＰ第２の上部クラ
ッド層８をｐーＧａＩｎＰエッチングストップ層７まで
エッチングした。
【００２５】このようにして，メサストライプ構造の上
部クラッド層8a, スパイク防止層9a, コンタクト層10a
を形成した。 図２(c) 参照 ＳｉＯ2 マスク15を残したまま，ＭＯＶＰＥ法によりｐ
ーＧａＩｎＰエッチングストップ層７上に，厚さ0.8 μ
ｍのｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層11を選択的に成長し
た。メサストライプ構造の上部クラッド層8aの両側はｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層11で埋め込まれた。
部クラッド層8a, スパイク防止層9a, コンタクト層10a
を形成した。 図２(c) 参照 ＳｉＯ2 マスク15を残したまま，ＭＯＶＰＥ法によりｐ
ーＧａＩｎＰエッチングストップ層７上に，厚さ0.8 μ
ｍのｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層11を選択的に成長し
た。メサストライプ構造の上部クラッド層8aの両側はｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層11で埋め込まれた。
【００２６】図２(d) 参照 ＳｉＯ2 マスク15を剥離した後，ＭＯＶＰＥ法により，
厚さ２μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層12を成長した。
厚さ２μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層12を成長した。
【００２７】ｐ−ＧａＡｓコンタクト層12上にＡｕＺｎ
／Ａｕ層のｐ側電極13, 基板１下にＡｕＧｅ層のｎ側電
極14を形成した。その後，へき開，端面コーティング，
そしてｎ側を下にしてヒートシンクにボンディングし
た。
／Ａｕ層のｐ側電極13, 基板１下にＡｕＧｅ層のｎ側電
極14を形成した。その後，へき開，端面コーティング，
そしてｎ側を下にしてヒートシンクにボンディングし
た。
【００２８】かくして，横モード制御が良好で，光の使
用効率が高く，電流閉じ込め性がよい可視光半導体レー
ザが実現できた。本実施例では活性層として，ＧａＩｎ
Ｐ活性層５（波長換算0.67μｍ組成）を用いたが，それ
に替えてＡｌを含むＡｌＧａＩｎＰ活性層５（波長換算
0.63μｍ組成）を用いても，同じ工程を採用することが
できる。
用効率が高く，電流閉じ込め性がよい可視光半導体レー
ザが実現できた。本実施例では活性層として，ＧａＩｎ
Ｐ活性層５（波長換算0.67μｍ組成）を用いたが，それ
に替えてＡｌを含むＡｌＧａＩｎＰ活性層５（波長換算
0.63μｍ組成）を用いても，同じ工程を採用することが
できる。
【００２９】次に，第２の実施例について説明する。図
３(a) 〜(d) は第２の実施例を示す工程順断面図であ
り，以下，これらの図を参照しながら説明する。
３(a) 〜(d) は第２の実施例を示す工程順断面図であ
り，以下，これらの図を参照しながら説明する。
【００３０】図３(a) 参照 Ｓｉドープｎ−ＧａＡｓ（１００）基板１上にＳｉＯ2
をスパッタリングし，それを加工して＜０１１＞方向に
延びるＳｉＯ2 マスク16を形成し，それをマスクにして
基板をエッチングし，（１１１）Ｂ面が現れるような段
差をもつ深さ２μｍのメサストライプ構造1aを形成す
る。
をスパッタリングし，それを加工して＜０１１＞方向に
延びるＳｉＯ2 マスク16を形成し，それをマスクにして
基板をエッチングし，（１１１）Ｂ面が現れるような段
差をもつ深さ２μｍのメサストライプ構造1aを形成す
る。
【００３１】次にＳｉＯ2 マスク16を残したまま，ＭＯ
ＶＰＥ法によりｎ−ＧａＡｓ基板１上に，厚さ１μｍの
ｐ−ＧａＡｓ下部電流ブロック層2aを選択的に成長し
た。 図３(b) 参照 ＳｉＯ2 マスク16を除去した後，ＭＯＶＰＥ法により厚
さ0.05μｍのＳｅドープｎーＧａＡｓバッファ層2b，厚
さ0.1 μｍのＳｅドープｎーＧａＩｎＰのｎ側スパイク
防止層３，厚さ 0.8 μｍのｎーＡｌＧａＩｎＰ下部ク
ラッド層４，厚さ0.08μｍのＧａＩｎＰ活性層５（波長
換算0.67μｍ組成），厚さ0.4 μｍのＭｇドープｐーＡ
ｌＧａＩｎＰ第１の上部クラッド層６，厚さ100 Åの ｐーＧａＩｎＰエッチングストップ層７，厚さ0.4 μｍ
のＭｇドープ ｐーＡｌＧａＩｎＰ第２の上部クラッド層８，厚さ0.1
μｍのＺｎドープ ｐーＧａＩｎＰのｎ側スパイク防止層９，厚さ0.2 μｍ
のＺｎドープ ｐーＧａＡｓコンタクト層10を連続成長した。
ＶＰＥ法によりｎ−ＧａＡｓ基板１上に，厚さ１μｍの
ｐ−ＧａＡｓ下部電流ブロック層2aを選択的に成長し
た。 図３(b) 参照 ＳｉＯ2 マスク16を除去した後，ＭＯＶＰＥ法により厚
さ0.05μｍのＳｅドープｎーＧａＡｓバッファ層2b，厚
さ0.1 μｍのＳｅドープｎーＧａＩｎＰのｎ側スパイク
防止層３，厚さ 0.8 μｍのｎーＡｌＧａＩｎＰ下部ク
ラッド層４，厚さ0.08μｍのＧａＩｎＰ活性層５（波長
換算0.67μｍ組成），厚さ0.4 μｍのＭｇドープｐーＡ
ｌＧａＩｎＰ第１の上部クラッド層６，厚さ100 Åの ｐーＧａＩｎＰエッチングストップ層７，厚さ0.4 μｍ
のＭｇドープ ｐーＡｌＧａＩｎＰ第２の上部クラッド層８，厚さ0.1
μｍのＺｎドープ ｐーＧａＩｎＰのｎ側スパイク防止層９，厚さ0.2 μｍ
のＺｎドープ ｐーＧａＡｓコンタクト層10を連続成長した。
【００３２】図３(c) 参照 この工程は図１(b) の工程と同じであり，説明を省略す
る。 図３(d) 参照 この工程も図１(c), (d)の工程と同じであり，詳細な説
明は省略するが，ｎ−ＧａＡｓ層11はｐ−ＧａＡｓ下部
電流ブロック層2aに対して上部電流ブロック層となる。
る。 図３(d) 参照 この工程も図１(c), (d)の工程と同じであり，詳細な説
明は省略するが，ｎ−ＧａＡｓ層11はｐ−ＧａＡｓ下部
電流ブロック層2aに対して上部電流ブロック層となる。
【００３３】実施例２の構造を活性層５の上下に上部電
流ブロック層11と下部電流ブロック層2aが配置されてい
るので，電流閉じ込め性はさらに向上する。
流ブロック層11と下部電流ブロック層2aが配置されてい
るので，電流閉じ込め性はさらに向上する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
光の使用効率が高く，電流閉じ込め性のよい横モード制
御型の半導体レーザが実現できる。
光の使用効率が高く，電流閉じ込め性のよい横モード制
御型の半導体レーザが実現できる。
【００３５】本発明により，低しきい値電流で高効率，
高出力の可視光半導体レーザを提供することができる。
高出力の可視光半導体レーザを提供することができる。
【図１】(a), (b)は本発明の半導体レーザの断面図であ
る。
る。
【図２】(a) 〜(d) は第１の実施例を示す工程順断面図
である。
である。
【図３】(a) 〜(d) は第２の実施例を示す工程順断面図
である。
である。
【図４】従来例を示す断面図である。
【図５】他の従来例を示す断面図である。
１は化合物半導体基板であってｎ−ＧａＡｓ基板 1aはメサストライプ構造であって第１のメサストライプ
構造。 ２，2bはバッファ層であってｎ−ＧａＡｓ層 2aは下部電流ブロック層であってｐ−ＧａＡｓ層 ３はｎ側スパイク防止層であってｎ−ＧａＩｎＰ層 ４は下部クラッド層であってｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層 ５は活性層であってＧａＩｎＰ層 ６は上部クラッド層であり第１の上部クラッド層であっ
てｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 ７はエッチングストップ層であってｐ−ＧａＩｎＰ層 ８は上部クラッド層であり第２の上部クラッド層であっ
てｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 8aは上部クラッド層であり第２のメサストライプ構造で
あってｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 ９，9aはｐ側スパイク防止層であってｐ−ＧａＩｎＰ層 10, 10a はコンタクト層であってｐ−ＧａＡｓ層 11は電流ブロック層であり上部電流ブロック層であって
ｎ−ＧａＡｓ層 12はコンタクト層であってｐ−ＧａＡｓ層 13はｐ側電極であってＡｕＺｎ／Ａｕ層 14はｎ側電極であってＡｕＧｅ層 15，16はストライプマスクであってＳｉＯ2 マスク 21は化合物半導体基板であってｎ−ＧａＡｓ基板 22はバッファ層であり下部クラッド層であってｎ−Ａｌ
ＧａＩｎＰ層 23は活性層であってＧａＩｎＰ層 24は上部クラッド層でってｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 25はスパイク防止層であってｐ−ＧａＩｎＰ層 26は電流ブロック層であってアンドープＧａＡｓ層 27はコンタクト層であってｐ−ＧａＡｓ層 28はｐ側電極であってＡｕＺｎ／Ａｕ層 29はｎ側電極であってＡｕＧｅ層 31は化合物半導体基板であってｐ−ＧａＡｓ基板 32は電流ブロック層であってｎ−ＧａＡｓ層 33はバッファ層であってｐ−ＧａＡｓ層 34は下部クラッド層であってｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 35は活性層であってＧａＩｎＰ層 36は上部クラッド層でってｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層 37はコンタクト層であってｎ−ＧａＡｓ層 38はｎ側電極であってＡｕＧｅ層 39はｐ側電極であってＡｕＺｎ／Ａｕ層
構造。 ２，2bはバッファ層であってｎ−ＧａＡｓ層 2aは下部電流ブロック層であってｐ−ＧａＡｓ層 ３はｎ側スパイク防止層であってｎ−ＧａＩｎＰ層 ４は下部クラッド層であってｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層 ５は活性層であってＧａＩｎＰ層 ６は上部クラッド層であり第１の上部クラッド層であっ
てｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 ７はエッチングストップ層であってｐ−ＧａＩｎＰ層 ８は上部クラッド層であり第２の上部クラッド層であっ
てｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 8aは上部クラッド層であり第２のメサストライプ構造で
あってｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 ９，9aはｐ側スパイク防止層であってｐ−ＧａＩｎＰ層 10, 10a はコンタクト層であってｐ−ＧａＡｓ層 11は電流ブロック層であり上部電流ブロック層であって
ｎ−ＧａＡｓ層 12はコンタクト層であってｐ−ＧａＡｓ層 13はｐ側電極であってＡｕＺｎ／Ａｕ層 14はｎ側電極であってＡｕＧｅ層 15，16はストライプマスクであってＳｉＯ2 マスク 21は化合物半導体基板であってｎ−ＧａＡｓ基板 22はバッファ層であり下部クラッド層であってｎ−Ａｌ
ＧａＩｎＰ層 23は活性層であってＧａＩｎＰ層 24は上部クラッド層でってｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 25はスパイク防止層であってｐ−ＧａＩｎＰ層 26は電流ブロック層であってアンドープＧａＡｓ層 27はコンタクト層であってｐ−ＧａＡｓ層 28はｐ側電極であってＡｕＺｎ／Ａｕ層 29はｎ側電極であってＡｕＧｅ層 31は化合物半導体基板であってｐ−ＧａＡｓ基板 32は電流ブロック層であってｎ−ＧａＡｓ層 33はバッファ層であってｐ−ＧａＡｓ層 34は下部クラッド層であってｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層 35は活性層であってＧａＩｎＰ層 36は上部クラッド層でってｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層 37はコンタクト層であってｎ−ＧａＡｓ層 38はｎ側電極であってＡｕＧｅ層 39はｐ側電極であってＡｕＺｎ／Ａｕ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古谷 章 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 菅野 真実 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 第１のメサストライプ構造(1a)を有する
化合物半導体基板(1) と, 該化合物半導体基板(1) 上に
順に積層された下部クラッド層(4), 活性層(5), 上部
クラッド層(6, 8a) と, 該上部クラッド層(8a)の両側に
配設された上部電流ブロック層(11)とを有する半導体発
光装置であって, 該活性層(5) は平坦部とそれにつづいて両側に傾斜部を
有し, 該上部クラッド層(6, 8a) は該活性層(5) の平坦
部上部に第２のメサストライプ構造(8a)を有し, 該上部
電流ブロック層(11)は該第２のメサストライプ構造(8a)
の両側に配設されている構造を有することを特徴とする
半導体発光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の構造に加えて，前記第１
のメサストライプ構造(1a)の両側に下部電流ブロック層
(2a)が配設された構造を有することを特徴とする半導体
発光装置。 - 【請求項３】 前記下部クラッド層(4) がＡｌＧａＩｎ
Ｐ，前記活性層(5)がＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰ，
前記上部クラッド層(6) がＡｌＧａＩｎＰであるダブル
ヘテロ構造を有することを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体発光装置。 - 【請求項４】 化合物半導体基板(1) に第１のメサスト
ライプ構造(1a)を形成する工程と， 気相堆積法により該第１のメサストライプ構造(1a)を有
する化合物半導体基板(1) 上に下部クラッド層となる第
１の化合物半導体層(4), 活性層となる第２の化合物半
導体層(5), 第１の上部クラッド層となる第３の化合物
半導体層(6),エッチングストップ層となる第４の化合物
半導体層(7), 第２の上部クラッド層となる第５の化合
物半導体層(8) を連続して堆積する工程と， 該第５の化合物半導体層(8) 上にストライプマスク(15)
を形成し，それをマスクにして該第５の化合物半導体層
(8) を選択的にエッチングして該第４の化合物半導体層
(7) を露出することにより第２のメサストライプ構造(8
a)を形成する工程と， 該第４の化合物半導体層(7) 上に上部電流ブロック層と
なる第６の化合物半導体層(11)を選択的に成長する工程
とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23671991A JPH0575204A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23671991A JPH0575204A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575204A true JPH0575204A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17004766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23671991A Withdrawn JPH0575204A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575204A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206629A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Sony Corp | オーディオ出力装置、オーディオ出力方法 |
| JP2011200279A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Panasonic Corp | 炊飯器 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23671991A patent/JPH0575204A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206629A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Sony Corp | オーディオ出力装置、オーディオ出力方法 |
| US8165314B2 (en) | 2008-02-26 | 2012-04-24 | Sony Corporation | Audio output apparatus and audio output method |
| JP2011200279A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Panasonic Corp | 炊飯器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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