JPH07235723A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH07235723A JPH07235723A JP2506894A JP2506894A JPH07235723A JP H07235723 A JPH07235723 A JP H07235723A JP 2506894 A JP2506894 A JP 2506894A JP 2506894 A JP2506894 A JP 2506894A JP H07235723 A JPH07235723 A JP H07235723A
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- semiconductor
- semiconductor laser
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性および信頼性の良好な青から緑色領域の
光を放射する半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザにおいてはクラッ
ド層中にｐクラッドの場合はＴｅ系、ｎクラッドの場合
はＳ系の材料を多く含むキャリア障壁層を設ける。ＩＩ
Ｉ−Ｖ族半導体レーザにおいてはｐクラッドに例えばＢ
及びＰを含む層を設ける。 【効果】 低しきい値で動作し、信頼度の高い青緑色半
導体レーザが得られる。
光を放射する半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザにおいてはクラッ
ド層中にｐクラッドの場合はＴｅ系、ｎクラッドの場合
はＳ系の材料を多く含むキャリア障壁層を設ける。ＩＩ
Ｉ−Ｖ族半導体レーザにおいてはｐクラッドに例えばＢ
及びＰを含む層を設ける。 【効果】 低しきい値で動作し、信頼度の高い青緑色半
導体レーザが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子に係
り、特に光ディスク等の光源として好適な短波長半導体
レーザ素子に関する。
り、特に光ディスク等の光源として好適な短波長半導体
レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の短波長半導体レーザ素子、例えば
青緑色半導体レーザは図１に示すようにｎ型GaAs基板1
上にｎ型ZnMgＳSeクラッド層2、ｎ型ZnＳSe光ガイド層
3、ZnCdSe活性層4、ｐ型ZnＳSe光ガイド層5、ｐ型ZnMg
ＳSeクラッド層6、p-ZnSeコンタクト層7を積層した後、
SiＯ2電流狭窄層８及び全電極９を設けた構造であっ
た。
青緑色半導体レーザは図１に示すようにｎ型GaAs基板1
上にｎ型ZnMgＳSeクラッド層2、ｎ型ZnＳSe光ガイド層
3、ZnCdSe活性層4、ｐ型ZnＳSe光ガイド層5、ｐ型ZnMg
ＳSeクラッド層6、p-ZnSeコンタクト層7を積層した後、
SiＯ2電流狭窄層８及び全電極９を設けた構造であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体レー
ザ素子においては、活性層とクラッド層の禁制帯幅の差
が十分に取れないため活性層からの荷電粒子の漏れ出し
を十分に阻止できないことが問題であった。これは、格
子定数の一致を保ったままで禁制帯幅を広げると、導電
型制御が難しくなる、化学的安定性が悪くなる等の理由
でMgＳの組成を増やすことが難しかったためである。
ザ素子においては、活性層とクラッド層の禁制帯幅の差
が十分に取れないため活性層からの荷電粒子の漏れ出し
を十分に阻止できないことが問題であった。これは、格
子定数の一致を保ったままで禁制帯幅を広げると、導電
型制御が難しくなる、化学的安定性が悪くなる等の理由
でMgＳの組成を増やすことが難しかったためである。
【０００４】本発明の目的は導電制御が容易で化学的安
定性も良い構造でありながらキャリア漏れを防止できる
半導体レーザ素子を提供することにある。
定性も良い構造でありながらキャリア漏れを防止できる
半導体レーザ素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、半
導体レーザのクラッド層の少なくとも一方に半導体層の
主たる荷電粒子が存在するバンドと反対側のバンドすな
わち少数キャリア側のバンドに少数キャリアの運動を妨
げるエネルギ障壁を設けることにより達成される。エネ
ルギ障壁の具体的物質としてはｐ型クラッド層中に設け
た周囲の半導体層より多くのTeを含むII-VI族半導体層
及びｎ型クラッド層中に設けた周囲の半導体層より多く
のＳを含むII-VI族半導体層があげられる。
導体レーザのクラッド層の少なくとも一方に半導体層の
主たる荷電粒子が存在するバンドと反対側のバンドすな
わち少数キャリア側のバンドに少数キャリアの運動を妨
げるエネルギ障壁を設けることにより達成される。エネ
ルギ障壁の具体的物質としてはｐ型クラッド層中に設け
た周囲の半導体層より多くのTeを含むII-VI族半導体層
及びｎ型クラッド層中に設けた周囲の半導体層より多く
のＳを含むII-VI族半導体層があげられる。
【０００６】
【作用】本発明によれば半導体中に設けた障壁層は少数
キャリアに対しては障壁となるが多数キャリアに対して
は障壁とはならない。このため、活性層のキャリア漏れ
は防止しながら多数キャリアにたいしては何の障壁も持
たない構造が可能となる。このため、従来にない大きな
障壁を設定することが可能となり、少数キャリアの閉じ
込め効果が非常に大きい。しかも、この障壁層には多数
キャリアは到達するが少数キャリアは到達しないため、
結晶欠陥が発生しても素子特性の悪化を招かないという
利点がある。これを、より積極的に利用すると、この層
に周辺の半導体層の結晶欠陥を吸収させることにより半
導体レーザの信頼性を向上するという効果を得ることも
できる。
キャリアに対しては障壁となるが多数キャリアに対して
は障壁とはならない。このため、活性層のキャリア漏れ
は防止しながら多数キャリアにたいしては何の障壁も持
たない構造が可能となる。このため、従来にない大きな
障壁を設定することが可能となり、少数キャリアの閉じ
込め効果が非常に大きい。しかも、この障壁層には多数
キャリアは到達するが少数キャリアは到達しないため、
結晶欠陥が発生しても素子特性の悪化を招かないという
利点がある。これを、より積極的に利用すると、この層
に周辺の半導体層の結晶欠陥を吸収させることにより半
導体レーザの信頼性を向上するという効果を得ることも
できる。
【０００７】
（実施例１）本発明第１の実施例を図２に従い説明す
る。本構造ではまず分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法によ
りn-GaAs基板1上にn-Mg0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86クラッド
層102、n-ZnＳ0.07Se0.93光ガイド層103、ZnSe0.8Te0.2
歪量子井戸活性層104、p-ZnS0.07Se0.93光ガイド層10
5、p-Mg0.5Zn0.5Ｓ0.8Te0.2キャリア障壁層106、p-Mg
0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86クラッド層107、p-ZnSeコンタク
ト層108を順次積層する。本構造のバンド構造は図３の
ようになり、活性層の閉じ込めが不十分な電子の漏れも
p-MgZnＳTeキャリア障壁層106で阻止される。次に、気
相化学堆積法及びホトリソグラフ技術を用いてストライ
プ状のSiＯ2111/SiN112多層膜を形成、SiＯ2の選択サイ
ドエッチングにより図４のような形状に加工する。この
構造をマスクとしてp-MgZnＳSeクラッド層107、p-ZnSe
コンタクト層108を選択エッチングした。選択エッチン
グはp-MgZnＳTeキャリア障壁層106のTe含有量が多いこ
とを利用して容易に行うことができる。次にＭＢＥ法に
よりn-Zn0.4Cd0.6Ｓ埋込層109を結晶成長した後、SiＯ2
を除去してストライプ上の半導体層を露出させAu/Pt/Ag
/Te電極110を形成してレーザ構造とした。本構造によ
り、発振波長５１０ｎｍの緑色レーザ光が室温連続発振
で得られ、そのしきい電流は約１０ｍＡであった。
る。本構造ではまず分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法によ
りn-GaAs基板1上にn-Mg0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86クラッド
層102、n-ZnＳ0.07Se0.93光ガイド層103、ZnSe0.8Te0.2
歪量子井戸活性層104、p-ZnS0.07Se0.93光ガイド層10
5、p-Mg0.5Zn0.5Ｓ0.8Te0.2キャリア障壁層106、p-Mg
0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86クラッド層107、p-ZnSeコンタク
ト層108を順次積層する。本構造のバンド構造は図３の
ようになり、活性層の閉じ込めが不十分な電子の漏れも
p-MgZnＳTeキャリア障壁層106で阻止される。次に、気
相化学堆積法及びホトリソグラフ技術を用いてストライ
プ状のSiＯ2111/SiN112多層膜を形成、SiＯ2の選択サイ
ドエッチングにより図４のような形状に加工する。この
構造をマスクとしてp-MgZnＳSeクラッド層107、p-ZnSe
コンタクト層108を選択エッチングした。選択エッチン
グはp-MgZnＳTeキャリア障壁層106のTe含有量が多いこ
とを利用して容易に行うことができる。次にＭＢＥ法に
よりn-Zn0.4Cd0.6Ｓ埋込層109を結晶成長した後、SiＯ2
を除去してストライプ上の半導体層を露出させAu/Pt/Ag
/Te電極110を形成してレーザ構造とした。本構造によ
り、発振波長５１０ｎｍの緑色レーザ光が室温連続発振
で得られ、そのしきい電流は約１０ｍＡであった。
【０００８】（実施例２）本発明第２の実施例を図５に
従い説明する。本構造ではまずＭＢＥ法によりn-GaAs基
板1上にn-Mg0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86クラッド層102、n-Cd
0.4Zn0.6Ｓキャリア障壁層201、n-ZnＳ0.07Se0.93光ガ
イド層103、Cd0.2Zn0.8Se歪量子井戸活性層202、p-ZnＳ
0.07Se0.93光ガイド層105、p-Mg0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86
クラッド層107、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を順次
積層した図５のような構造を作製した。本構造のバンド
構造は図６のようになり、活性層の閉じ込めが不十分な
正孔の漏れもn-CdZnＳキャリア障壁層201で阻止され
る。次に、気相化学堆積法及びホトリソグラフ技術を用
いてストライプ状のSiＯ2/SiＮ多層膜を形成、SiＯ2の
選択サイドエッチングにより図２のような形状に加工す
る。この構造をマスクとしてp-MgZnＳSeクラッド層10
7、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を選択エッチングし
た。選択エッチングはp-MgZnＳTeキャリア障壁層106のT
e含有量が多いことを利用して容易に行うことができ
る。次にＭＢＥ法によりn-ZnCdS埋込層109を結晶成長し
た後SiＯ2を除去してストライプ上の半導体層を露出さ
せAu/Pt/Ag/Te電極110を形成してレーザ構造とした。本
構造により、発振波長５１０ｎｍの緑色レーザ光が室温
連続発振で得られ、そのしきい電流は約１０ｍＡであっ
た。
従い説明する。本構造ではまずＭＢＥ法によりn-GaAs基
板1上にn-Mg0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86クラッド層102、n-Cd
0.4Zn0.6Ｓキャリア障壁層201、n-ZnＳ0.07Se0.93光ガ
イド層103、Cd0.2Zn0.8Se歪量子井戸活性層202、p-ZnＳ
0.07Se0.93光ガイド層105、p-Mg0.1Zn0.9Ｓ0.14Se0.86
クラッド層107、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を順次
積層した図５のような構造を作製した。本構造のバンド
構造は図６のようになり、活性層の閉じ込めが不十分な
正孔の漏れもn-CdZnＳキャリア障壁層201で阻止され
る。次に、気相化学堆積法及びホトリソグラフ技術を用
いてストライプ状のSiＯ2/SiＮ多層膜を形成、SiＯ2の
選択サイドエッチングにより図２のような形状に加工す
る。この構造をマスクとしてp-MgZnＳSeクラッド層10
7、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を選択エッチングし
た。選択エッチングはp-MgZnＳTeキャリア障壁層106のT
e含有量が多いことを利用して容易に行うことができ
る。次にＭＢＥ法によりn-ZnCdS埋込層109を結晶成長し
た後SiＯ2を除去してストライプ上の半導体層を露出さ
せAu/Pt/Ag/Te電極110を形成してレーザ構造とした。本
構造により、発振波長５１０ｎｍの緑色レーザ光が室温
連続発振で得られ、そのしきい電流は約１０ｍＡであっ
た。
【０００９】（実施例３）本発明第３の実施例を図７に
従い説明する。本構造ではまずn-GaAs基板1上にn-ZnＳ
0.07Se0.93クラッド層301、n-Cd0.4Zn0.6Ｓキャリア障
壁層201、n-ZnＳ0.07Se0.93光ガイド層103、ZnSe歪量子
井戸活性層302、p-ZnＳ0.07Se0.93光ガイド層105、p-Mg
0.5Zn0.5Ｓ0.8Te0.2キャリア障壁層106、p-ZnＳ0.07Se
0.93クラッド層303、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を
順次積層した図７のような構造を作製した。本構造のバ
ンド構造は図８のようになり、活性層の閉じ込めが不十
分な正孔および電子の漏れはn-CdZnＳキャリア障壁層20
1およびp-MgZnＳTeキャリア障壁層106で阻止される。こ
のため、結晶性の不安定なMgを含む結晶の使用を最小限
に留めたレーザ構造が実現できる。しかも、Mgを含む層
が周囲の結晶欠陥を吸収し、無害化するため信頼性改善
効果が著しい。結晶欠陥が無害化する原因は図示したバ
ンド構造のためこの層には少数キャリアは侵入せず、多
数キャリアは周辺の結晶から十分に供給されるため枯渇
しないためである。次に、気相化学堆積法及びホトリソ
グラフ技術を用いてストライプ状のSiＯ2/SiＮ多層膜を
形成、SiＯ2の選択サイドエッチングにより図２のよう
な形状に加工する。この構造をマスクとしてp-MgZnＳSe
クラッド層107、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を選択
エッチングした。選択エッチングはp-MgZnＳTeキャリア
障壁層106のTe含有量が多いことを利用して容易に行う
ことができる。次にＭＢＥ法によりn-Zn0.6Cd0.4Ｓ埋込
層109を結晶成長した後SiＯ2を除去してストライプ上の
半導体層を露出させAu/Pt/Ag/Te電極110を形成してレー
ザ構造とした。本構造により、発振波長４７０ｎｍの青
色レーザ光が室温連続発振で得られ、そのしきい電流は
約１０ｍＡであった。しかも、障壁層の欠陥吸収作用に
より信頼性向上効果も見られ、光出力５０ｍＷにおいて
１００００時間以上の連続動作が可能であった。
従い説明する。本構造ではまずn-GaAs基板1上にn-ZnＳ
0.07Se0.93クラッド層301、n-Cd0.4Zn0.6Ｓキャリア障
壁層201、n-ZnＳ0.07Se0.93光ガイド層103、ZnSe歪量子
井戸活性層302、p-ZnＳ0.07Se0.93光ガイド層105、p-Mg
0.5Zn0.5Ｓ0.8Te0.2キャリア障壁層106、p-ZnＳ0.07Se
0.93クラッド層303、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を
順次積層した図７のような構造を作製した。本構造のバ
ンド構造は図８のようになり、活性層の閉じ込めが不十
分な正孔および電子の漏れはn-CdZnＳキャリア障壁層20
1およびp-MgZnＳTeキャリア障壁層106で阻止される。こ
のため、結晶性の不安定なMgを含む結晶の使用を最小限
に留めたレーザ構造が実現できる。しかも、Mgを含む層
が周囲の結晶欠陥を吸収し、無害化するため信頼性改善
効果が著しい。結晶欠陥が無害化する原因は図示したバ
ンド構造のためこの層には少数キャリアは侵入せず、多
数キャリアは周辺の結晶から十分に供給されるため枯渇
しないためである。次に、気相化学堆積法及びホトリソ
グラフ技術を用いてストライプ状のSiＯ2/SiＮ多層膜を
形成、SiＯ2の選択サイドエッチングにより図２のよう
な形状に加工する。この構造をマスクとしてp-MgZnＳSe
クラッド層107、p-ZnＳ0.6Te0.4コンタクト層203を選択
エッチングした。選択エッチングはp-MgZnＳTeキャリア
障壁層106のTe含有量が多いことを利用して容易に行う
ことができる。次にＭＢＥ法によりn-Zn0.6Cd0.4Ｓ埋込
層109を結晶成長した後SiＯ2を除去してストライプ上の
半導体層を露出させAu/Pt/Ag/Te電極110を形成してレー
ザ構造とした。本構造により、発振波長４７０ｎｍの青
色レーザ光が室温連続発振で得られ、そのしきい電流は
約１０ｍＡであった。しかも、障壁層の欠陥吸収作用に
より信頼性向上効果も見られ、光出力５０ｍＷにおいて
１００００時間以上の連続動作が可能であった。
【００１０】（実施例４）本発明第４の実施例を図９に
従い説明する。本構造ではまず有機金属気相成長法によ
りAl2O3基板401上にn-Al0.2Ga0.8Nクラッド層402、n-Ga
N光ガイド層403、Ga0.8In0.2N歪量子井戸活性層404、p-
GaN光ガイド層405、B0.3Al0.7N0.7P0.3キャリア障壁層4
06、p-Al0.2Ga0.8Nクラッド層407、p-GaNコンタクト層4
08を順次積層した図９のような構造を形成した。本構造
のバンド構造は図１０のようになり、活性層の閉じ込め
が不十分な電子の漏れもp-BAlNPキャリア障壁層406で阻
止される。次に、気相化学堆積法及びホトリソグラフ技
術を用いてストライプ状のSiＯ2/SiN多層膜を形成、Si
Ｏ2の選択サイドエッチングにより図４のような形状に
加工する。この構造をマスクとしてp-AlGaNクラッド層4
07、p-GaNコンタクト層408を選択エッチングした。次に
有機金属気相成長法によりn-Al0.4Ga0.6N埋込層409を結
晶成長した後、SiＯ2を除去してストライプ上の半導体
層を露出させAu/Pt/Ag/Te電極110を形成してレーザ構造
とした。本構造により、発振波長４５０ｎｍの緑色レー
ザ光が室温連続発振で得られ、しきい電流は約１０ｍＡ
であった。
従い説明する。本構造ではまず有機金属気相成長法によ
りAl2O3基板401上にn-Al0.2Ga0.8Nクラッド層402、n-Ga
N光ガイド層403、Ga0.8In0.2N歪量子井戸活性層404、p-
GaN光ガイド層405、B0.3Al0.7N0.7P0.3キャリア障壁層4
06、p-Al0.2Ga0.8Nクラッド層407、p-GaNコンタクト層4
08を順次積層した図９のような構造を形成した。本構造
のバンド構造は図１０のようになり、活性層の閉じ込め
が不十分な電子の漏れもp-BAlNPキャリア障壁層406で阻
止される。次に、気相化学堆積法及びホトリソグラフ技
術を用いてストライプ状のSiＯ2/SiN多層膜を形成、Si
Ｏ2の選択サイドエッチングにより図４のような形状に
加工する。この構造をマスクとしてp-AlGaNクラッド層4
07、p-GaNコンタクト層408を選択エッチングした。次に
有機金属気相成長法によりn-Al0.4Ga0.6N埋込層409を結
晶成長した後、SiＯ2を除去してストライプ上の半導体
層を露出させAu/Pt/Ag/Te電極110を形成してレーザ構造
とした。本構造により、発振波長４５０ｎｍの緑色レー
ザ光が室温連続発振で得られ、しきい電流は約１０ｍＡ
であった。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、化学的安定性や導電型
制御性に問題のある材料の使用を最低限に抑えながら、
良好な特性の青緑色半導体レーザがえられ、さらにその
信頼性を向上する効果も得られる。
制御性に問題のある材料の使用を最低限に抑えながら、
良好な特性の青緑色半導体レーザがえられ、さらにその
信頼性を向上する効果も得られる。
【図１】従来の半導体レーザの断面構造。
【図２】本発明第１の実施例の半導体レーザ用結晶の断
面構造。
面構造。
【図３】本発明第１の実施例の半導体レーザのバンド構
造。
造。
【図４】本発明第１の実施例の半導体レーザの導波路の
作製工程説明図。
作製工程説明図。
【図５】本発明第２の実施例の半導体レーザ用結晶の断
面構造。
面構造。
【図６】本発明第２の実施例の半導体レーザのバンド構
造。
造。
【図７】本発明第３の実施例の半導体レーザ用結晶の断
面構造。
面構造。
【図８】本発明第３の実施例の半導体レーザのバンド構
造。
造。
【図９】本発明第４の実施例の半導体レーザ用結晶の断
面構造。
面構造。
【図１０】本発明第４の実施例の半導体レーザのバンド
構造。
構造。
１…n-GaAs基板、２…ｎ型ZnMgＳSeクラッド層、３…ｎ
型ZnSSe光ガイド層、４…ZnCdSe活性層、５…ｐ型ZnＳS
e光ガイド層、６…ｐ型ZnMgＳSeクラッド層、７…ZnSe
コンタクト層、８…SiＯ2電流狭窄層、９…金電極、１
０２…n-MgZnＳSeクラッド層、１０３…n-ZnＳSe光ガイ
ド層、１０４…ZnSeTe歪量子井戸活性層、１０５…p-Zn
SSe光ガイド層、１０６…p-MgZnＳTeキャリア障壁層、
１０７…p-MgZnＳSeクラッド層、１０８…p-ZnSeコンタ
クト層、１０９…n-ZnCdＳ埋込層、１１０…Au/Pt/Ag/T
e電極、１１１…SiＯ2、１１２…SiＮ、２０１…n-CdZn
Ｓキャリア障壁層、２０２…CdZnSe歪量子井戸活性層、
２０３…p-ZnＳTeコンタクト層、３０１…n-ZnＳSeクラ
ッド層、３０２…ZnSe歪量子井戸活性層、３０３…p-Zn
ＳSeクラッド層、４０１…Al2O3基板、４０２…n-AlGaN
クラッド層、４０３…n-GaN光ガイド層、４０４…GaInN
歪量子井戸活性層、４０５…p-GaN光ガイド層、４０６
…BAlNPキャリア障壁層、４０７…p-AlGaNクラッド層、
４０８…p-GaNコンタクト層、４０９…n-Al0.4Ga0.6N埋
込層。
型ZnSSe光ガイド層、４…ZnCdSe活性層、５…ｐ型ZnＳS
e光ガイド層、６…ｐ型ZnMgＳSeクラッド層、７…ZnSe
コンタクト層、８…SiＯ2電流狭窄層、９…金電極、１
０２…n-MgZnＳSeクラッド層、１０３…n-ZnＳSe光ガイ
ド層、１０４…ZnSeTe歪量子井戸活性層、１０５…p-Zn
SSe光ガイド層、１０６…p-MgZnＳTeキャリア障壁層、
１０７…p-MgZnＳSeクラッド層、１０８…p-ZnSeコンタ
クト層、１０９…n-ZnCdＳ埋込層、１１０…Au/Pt/Ag/T
e電極、１１１…SiＯ2、１１２…SiＮ、２０１…n-CdZn
Ｓキャリア障壁層、２０２…CdZnSe歪量子井戸活性層、
２０３…p-ZnＳTeコンタクト層、３０１…n-ZnＳSeクラ
ッド層、３０２…ZnSe歪量子井戸活性層、３０３…p-Zn
ＳSeクラッド層、４０１…Al2O3基板、４０２…n-AlGaN
クラッド層、４０３…n-GaN光ガイド層、４０４…GaInN
歪量子井戸活性層、４０５…p-GaN光ガイド層、４０６
…BAlNPキャリア障壁層、４０７…p-AlGaNクラッド層、
４０８…p-GaNコンタクト層、４０９…n-Al0.4Ga0.6N埋
込層。
Claims (4)
- 【請求項１】第１の半導体層よりなる活性層を該活性層
より大きな禁制帯幅を持ち互いに反対の導電型を有する
第２及び第３の半導体層よりなるクラッド層で挾むこと
により形成され、通電により光利得を得る構造を有する
半導体レーザ素子であって、上記第２または第３の半導
体層の少なくとも一方にこれらの半導体層の主たる荷電
粒子が存在するバンドと反対側のバンドにのみ該反対側
のバンド中の荷電粒子の運動を妨げるエネルギ障壁を形
成する半導体層を設けたことを特徴とする半導体レーザ
素子。 - 【請求項２】上記エネルギー障壁はｐ型クラッド層中に
設けられており、周囲の半導体層より多くのMgあるいは
Teを含むII-VI族半導体層であることを特徴とする請求
項１に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】上記エネルギ障壁はｎ型クラッド層中に設
けられており、周囲の半導体層より多くのＳを含むII-V
I族半導体層であることを特徴とする請求項１に記載の
半導体レーザ素子。 - 【請求項４】上記エネルギー障壁はｐ型クラッド層中に
設けられており、周囲の半導体層より多くのアルミニウ
ム、硼素あるいはリンを含むIII-V族半導体層であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2506894A JPH07235723A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2506894A JPH07235723A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH07235723A true JPH07235723A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12155618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2506894A Pending JPH07235723A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235723A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027940A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー装置 |
| EP0971465A1 (en) * | 1997-03-27 | 2000-01-12 | Sharp Corporation | Compound semiconductor laser |
| KR100425341B1 (ko) * | 2000-02-08 | 2004-03-31 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| US7166869B2 (en) | 1995-11-06 | 2007-01-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor with active layer of quantum well structure with indium-containing nitride semiconductor |
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| USRE42074E1 (en) | 1996-04-26 | 2011-01-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP2506894A patent/JPH07235723A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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