JPH0878775A

JPH0878775A - 半導体レーザ装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0878775A
Application number: JP21264394A
Authority: JP
Inventors: Hideki Fukunaga; 秀樹福永; Mario Fuse; マリオ布施; Yasuji Seko; 保次瀬古; Hideo Nakayama; 秀生中山; Nobuaki Ueki; 伸明植木; Hiroki Otoma; 広己乙間
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1994-09-06
Filing date: 1994-09-06
Publication date: 1996-03-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】漏れ電流の小さい埋め込み型半導体レーザ装
置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板１上にバッファ層２、第一クラッ
ド層３、量子井戸活性層４、第二クラッド層５、中間層
６、コンタクト層７を順次積層し、第一の不純物導入に
より第一と第二のクラッド層３と５、及び量子井戸活性
層４の間の相互拡散により混晶化領域を形成し、非混晶
化領域を活性領域として混晶化領域に埋め込んだ半導体
レーザ装置において、コンタクト層７を除いた領域の中
間層６上から第一の不純物を導入して混晶化領域を形成
し、コンタクト層７の下部に活性領域を形成する。コン
ククト層７上から、その下の中間層６と第二クラッド層
５の間で混晶化が生じた領域に達するまで第二の不純物
を導入して生じた混晶化領域に第二の不純物を拡散して
ｐ−ｎ接合を形成する。この接合のターンオン電圧は量
子井戸活性層４のターンオン電圧よりも高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、不純物拡散による混
晶化技術を用いた、可視光の埋め込み型半導体レーザ装
置及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＡｌＧａＡｓ−ＧａＡｓなどのような組
成の異なる数〜数十ｎｍの厚さの半導体層が積層された
超格子では、Ｚｎなどの不純物を熱拡散またはイオン注
入すると超格子が破壊されて一様な混晶に変化すること
が知られている。混晶化が生じると、屈折率や禁制帯幅
が変化することから、光やキャリアの閉じ込めに用いる
ことができる。このような不純物拡散による混晶化技術
を用いた埋め込み型半導体レーザは、低しきい値で高効
率、安定した横モード、かつプレーナ型であるために集
積化が容易であることなどから、近赤外半導体レーザの
材料であるＡｌＧａＡｓ系で多く作製されている。

【０００３】従来、可視半導体レーザの材料であるＡｌ
ＧａＩｎＰ系での不純物拡散による混晶化技術として
は、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５４，ｐ２１３６
（１９８９）にあるように、Ｚｎ拡散を用いたものが知
られている。しかしながらここで示されているように、
Ｚｎ拡散では、可視半導体レーザの材科であるＡｌＧａ
ＩｎＰの自然超格子の混晶化が生じるのみで、ＡｌとＧ
ａの相互拡散は顕著には起こらない。ここで自然超格子
とは、ＡｌＧａＩｎＰをＭＯＣＶＤ法により結晶成長さ
せた場合、ＩＩＩ族原子が規則的に配列するもので、こ
の現象については応用物理、第５８巻第９号ｐ１３６
０（１９８９）に記載されている。したがって、自然超
格子の混晶化では混晶化領域と非混晶化領域の間に、キ
ャリアを閉じ込めるための禁制帯幅の差や、光を閉じ込
めるための屈折率差を十分大きくとることができない。
そこで、キャリアや光を効率的に閉じ込めるためにはＡ
ｌとＧａの間で相互拡散を生じさせ、混晶化領域と非混
晶化領域の間で禁制帯幅や屈折率を大きく変えることが
必要となる。

【０００４】そのような方法のーつとして、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系においてＳｉ拡散による混晶化技術を用いた半導
体レーザ装置がＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐ１ｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．６６，ｐ４８２（１９８
９）に報告されている。

【０００５】しかし、この報告にあるレーザは、その作
製中、特にＳｉ拡散中に発生した転位が多くレーザ特性
は悪い。

【０００６】ＡｌＧａＩｎＰ系においても、電極と接触
するコンタクト層には、低抵抗化を図るために、ＡｌＧ
ａＡｓ系材科が通常用いられる。このＡｌＧａＡｓとＡ
ｌＧａＩｎＰとの界面で、Ｓｉ等の導入によって構成元
素の相互拡散が起こると、格子不整が生じ、転位が発生
する。そこで、ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＩｎＰ第
一クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性屓、ｐ型Ａ
ｌＩｎＰ第二クラッド層を積層し、その上にｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層をストライプ状に形成して、ＡｌＩｎＰ
第二クラッド層上からＡｌＧａＩｎＰ系の領域にのみＳ
ｉを導入することにより、格子不整に伴った転位の発生
を抑えることができる。

【０００７】しかしながら、この構造の場合、ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層とｐ型ＡｌＩｎＰ第二クラッド層との
ヘテロ界面が存在するために、この二層の間の禁制帯幅
の大きな不連続性が価電子帯に大きなエネルギースパイ
クを作り、正孔が流れにくくなって半導体レーザ装置が
高抵抗化してしまう。この問題のためには、上述のＧａ
Ａｓコンタクト層と第二クラッド層二層の間に禁制帯幅
が二層の中間の値を持つｐ型ＧａＩｎＰを挿入し、エネ
ルギースパイクを小さな二つのスパイクに分割し、素子
抵抗を下げる手段が、特開平２−１７２２８８号公報に
示されている。

【０００８】図７に従来の半導体レーザ装置の断面図を
示す。ｎ型ＧａＡｓ基板上１０１にｎ型ＧａＩｎＰバッ
ファ層１０２、ｎ型ＡＩ１ｎＰ第一クラッド層１０３、
ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性層１０４、ｐ型ＡｌＩｎＰ
第二クラッド層１０５、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０６が
積層され、その上にストライプ状のｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１０７が形成される。次に中間層１０６上からコ
ンタクト層１０７を除く領域に、第一クラッド層１０３
に達するまで導入されたＳｉにより、Ｓｉ拡散領域１１
１が形成される。ここで、第二クラッド層１０５と中間
層１０６では、このＳｉ拡散領域１１１とＳｉが拡散し
ていない領域の間にはｐ−ｎ接合１１６が形成される。
その後、ストライプ状に窓が開いた電流阻止層１１０を
設けた後、ｐ側電極１１４、ｎ側電極１１５を蒸着する
ことによって埋め込み型半導体レーザが作製される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述の半導体レーザ装
置の作製において、ストライプ状のｐ型コンタクト層が
形成された領域を除くＧａＩｎＰ中間層上からＳｉを導
入した場合、Ｓｉはｎ型のドーパントであるため、Ｓｉ
が拡散した領域はｎ型の半導体層となる。したがって、
ＧａＩｎＰ中間層およびＡｌＩｎＰ第二クラッド層のＳ
ｉの導入領域と非導入領域の間にはｐ−ｎ接合が形成さ
れる。

【００１０】ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性層の禁制帯幅
は、ＧａＩｎＰ中間層と同程度かもしくはそれよりも広
いため、ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性層を電流が流れ始
めるターンオン電圧は、ＧａＩｎＰ中間層内にできたｐ
−ｎ接合のターンオン電圧と同程度かもしくはそれより
も高く、電流はＳｉ拡散によってＧａＩｎＰ中間層内に
できたｐ−ｎ接合を流れやすくなる。したがって、電流
には図７中の矢印で示した横方向に流れる成分が生じ、
活性領域以外である混晶化領域への漏れ電流が発生する
という問題がある。

【００１１】従って、本発明の目的は、活性領域以外の
混晶化領域へ流れ込む漏れ電流の小さい埋め込み型半導
体レーザ装置及びその製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一導電型の
半導体基板と、この半導体基板上に少なくとも第一導電
型のバッファ層と第一導電型の第一クラッド層と量子井
戸活性層と第二導電型の第二クラッド層と第二導電型の
中間層と第二導電型のコンタクト層の半導体層が順次積
層され、半導体中で第一導電型となる第一の不純物の導
入により前記第一クラッド層と量子井戸活性層と第二ク
ラッド層との間の相互拡散によって混晶化した領域が形
成され、不純物が導入されず混晶化していない領域が、
レーザ発振が起こる活性領域として前記混晶化領域によ
り埋め込まれた半導体レーザ装置において、前記コンタ
クト層がストライプ状で、前記コンタクト層を除いた領
域の前記中間層上から前記第一の不純物が導入されて前
記混晶化領域が形成され、前記コンタクト層下部にレー
ザ発振の生じる活性領域が形成され、前記コンククト層
上から、少なくとも前記コンククト層と、前記コンタク
ト層下部の前記中間層と、前記中間層と前記第二クラッ
ド層の間で混晶化が生じた領域に達するまで第二の不純
物が導入されており、前記中間層と前記第二クラッド層
の間で混晶化が生じた領域において、前記第二の不純物
を拡散することによって形成されたｐ−ｎ接合のターン
オン電圧が、前記量子井戸活性層のターンオン電圧より
も高いことことを特徴とする。

【００１３】

【作用】第二クラッド層とコンタクト層の間の禁制帯幅
の不連続量の緩和のために、第二クラッド層とコンタク
ト層の間に中間層を設けた場合、中間層上から第一導電
型となる第一の不純物を導入することにより、中間層に
活性領域と同程度のターンオン電圧となるｐ−ｎ接合が
形成される。

【００１４】ここで本発明においては、第二導電型とな
る第二の不純物を半導体層表面から導入することによっ
て、中間層と第二クラッド層が混晶化して禁制帯幅が混
晶化前の中間層よりも広くなった領域にｐ−ｎ接合が形
成される。このように禁制帯幅が広いために半導体層表
面のｐ−ｎ接合のターンオン電圧は高くなり、それによ
って電流がこのｐ−ｎ接合を流れにくくすることができ
る。なお、ここでは選択的に第二の不純物を拡散させて
いるため、形成されたｐ−ｎ接合領域も局所的であり、
このｐ−ｎ接合を通る電流量を抑えることができる。

【００１５】

【実施例】図１は本発明の第一の実施例である半導体レ
ーザ装置の断面図である。１はｎ型ＧａＡｓ基板、２は
バッファ層、３は第一クラッド層、４は量子井戸活性
層、５は第二クラッド層、６は中間層、７はコンタクト
層、９はＳｉ膜、１０は電流阻止膜、１１はＳｉ拡散領
域、１３はＺｎ拡散領域、１４はｐ側電極、１５はｎ側
電極、１６はＳｉ拡歎によって形成されたｐ−ｎ按合、
１７はＺｎ拡散によって混晶化領域内に形成されたｐ−
ｎ接合である。Ｓｉが拡散していない領域の量子井戸活
性層は、活性領域として、Ｓｉ拡散領域である混晶化領
域によって埋め込まれている。

【００１６】以下、本発明の第一の実施例を図２を用い
て説明する。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型Ｇａ
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐでなる厚さ０．２μｍバッファ層２、ｎ
型（Ａｌ_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０．５＜Ｘ≦
１）でなる厚さ１μｍの第一クラッド層３、アンドープ
量子井戸活性層４、ｐ型（Ａｌ_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐ（０．５＜Ｘ≦１）でなる厚さ０．５μｍの第二
クラッド層５、ｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐでなる厚さ０．
１μｍの中間層６、ｐ型ＧａＡｓでなる厚さ０．２μｍ
のコンタクト層７からなる半導体層をＭＯＣＶＤ法によ
り順次積層する。量子井戸活性層は、それぞれの厚さが
１０ｎｍのＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ井戸層３層を二層それぞ
れの厚さ１０ｎｍの（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5
Ｐ障壁層２層によって分離し、これらをそれぞれ厚さが
１７０ｎｍの（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光導
波層２層により挟んだ構造である。

【００１７】なお、本実施例では、量子井戸活性層を上
記構成としたが、井戸層、障壁層、光導波層の組成、厚
さは必要に応じて変えてもよい。また、光導波層を、井
戸層からクラッド層にいくにしたがって組成が連続的も
しくは段階的に変化したグレーデッド構造にしてもよ
い。さらに、各半導体層の厚さは、各層の組成に応じて
適切な厚さに変更してもよい。

【００１８】この上に図２（ａ）に示すように、フォト
リソグラフィにより５μｍ幅のストライプ状のレジスト
８を形成する。次いで図２（ｂ）に示すように、このレ
ジスト８をマスクとしてＮＨ₄ＯＨ：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ
＝１：２：１００で混合したエッチング液でコンタクト
層７を３μｍ幅のストライプ状に、中間層６に対して選
択的にエッチングする。ここで用いたエッチング液で
は、中間層６はほとんどエッチングされない。また、コ
ンタクト層７のサイドエッチングを行うことにより、コ
ンタクト層７の幅を制御することができる。ここで用い
たエッチング液の混合比はエッチング後の表面状態やコ
ンタクト層７の形状、制御性を考慮して、任意に変えて
もよい。また、ＡｌＧａＩｎＰに対してＧａＡｓを選択
的にエッチングするエッチング液として、Ｈ₂ＳＯ₄：
Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏを適当な比で混合した混合液を用いる
こともできる。

【００１９】次に図２（ｃ）に示すように、不純物拡散
源として電子ビーム加熱蒸着装置により、１．３×１０
^-4Ｐａ以下の真空中で５ｎｍの厚さのＳｉ膜９を、レジ
スト８を残したまま全面に蒸着する。この時、レジスト
８下部のコンタクト層７上と、コンタクト層７のサイド
エッチによって表面に出たレジスト８下部の中間層６上
は、レジスト８によつてマスクをされているためＳｉは
蒸着されない。したがって、コンタクト層７のサイドエ
ッチによってできたレジスト８下部の空洞領域の幅を、
Ｓｉの横方向の拡散距離よりも広くとることにより、Ｇ
ａＡｓとＡｌＧａＩｎＰの界面にはＳｉは達しない。そ
の後、図２（ｄ）に示すように、レジスト８を除去する
ことによって、コンタクト層７上のＳｉ膜９をリフトオ
フにより除去し、続いて絶縁膜として、ＲＦスパッタに
より全面に厚さ１００ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄膜１０を着膜す
る。

【００２０】これを石英管中にリンと共に封かんし、電
気炉中で８５０°Ｃ、４時間熱処理して、図３（ａ）に
示すように第一クラッド層３に達するまでＳｉを拡散さ
せ、Ｓｉ拡散領域１１を形成する。ただし、熱処理の時
間と温度は半導体層の構成とＳｉ拡散の条件により、必
要に応じて変えてもよい。ここで、Ｓｉはｎ型のドーパ
ントであるためＳｉ拡散領域１１はｎ型となるために、
中間層６および第二クラッド層５にｐ−ｎ接合１６が形
成される。中間層６および第二クラッド層５の禁制帯幅
は共に量子井戸活性層４における禁制帯幅よりも広いた
め、ここに形成されたｐ−ｎ接合のターンオン電圧は量
子井戸活性層におけるターンオン電圧よりも高く電流は
流れにくい。また、Ｓｉ拡散領域内では中間層６と第二
クラッド層５との間で、また第二クラッド層５と量子井
戸活性層４と第一クラッド層３の間で混晶化が生じ、混
晶化されてない領域が混晶化領域に埋め込まれる。混晶
化領域の量子井戸活性層は混晶化によって禁制帯幅が広
がるため、混晶化されてない領域の量子井戸活性層にキ
ャリアは閉じ込められ、さらに混晶化領域の光導波層も
混晶化によって屈折率が小さくなるため、混晶化されて
ない領域の光導波層に光も閉じ込められる。このように
して、キャリアと光が効率よく閉じ込められる活性領域
が形成される。

【００２１】次に、基板を石英管から取り出して、図３
（ｂ）に示すようにフォトリソグラフィにより８μｍ幅
のストライプ状の窓の開いたレジスト１２を形成し、図
３（ｃ）に示すように、このレジスト１２をマスクとし
てＳｉ₃Ｎ₄膜１０をエッチングし、ストライプ状の窓
を形成する。その後、レジスト１２を除去し、図３
（ｄ）に示すように、これを再び石英管中にＺｎとリ
ン、ヒ素と共に封管し、電気炉中で５５０°Ｃ、２０分
間熱処理することにより、Ｓｉ₃Ｎ₄膜１０をマスクと
して選択的にＺｎを拡散させて、Ｚｎ拡散領域１３を形
成する。Ｚｎはｐ型のドーパントであるためＺｎが拡散
した領域は高いキャリア濃度のｐ型となり、さらに、Ｓ
ｉ拡散によってｎ型になった中間層６と第二クラッド層
５との混晶化領域でもＺｎが拡散するとｐ型となる。し
たがって、この混晶化領域内に達するまでＺｎを拡散さ
せることにより、混晶化して禁制帯幅が広がった半導体
層表面にｐ−ｎ接合１７が形成される。その後、ｐ側電
極１４、ｎ側電極１５をそれぞれ蒸着することにより、
図１に示した半導体レーザ装置が形成される。

【００２２】図４は、本発明の第二の実施例である半導
体レーザ装置の断面図である。１はｎ型ＧａＡｓ基板、
２はバッファ層、３は第一クラッド層、４は量子井戸活
性層、５は第二クラッド層、６は中間層、７はコンタク
ト層、１０’は電流阻止層、１１はＳｉ拡散領域、１３
はＺｎ拡散領域、１４はｐ側電極、１５はｎ側電極、１
６はＳｉ拡散によって形成されたｐ−ｎ接合、１７はＺ
ｎ拡散によって混晶化領域内に形成されたｐ−ｎ接合で
ある。

【００２３】本発明の第二の実施例を図５を用いて説明
する。まず、第一の実施例と同様の半導体層をＭＯＣＶ
Ｄ法により順次積層し、次に、第一の実施例と同じ工程
によりＳｉ拡散を行う。

【００２４】その後、石英管から取り出して、図５
（ａ）に示すようにＣＦ₄ガスを用いたドライエッチン
グにより、Ｓｉ膜９とＳｉ₃Ｎ₄膜１０をエッチングに
よって除去する。次いで図５（ｂ）に示すように、電流
阻止層としてＳｉ₃Ｎ₄膜１０’を全面に着膜した後、
図５（ｃ）に示すようにフォトリソグラフィにより３μ
ｍ幅のストライプ状の窓の開いたレジスト１２を形成
し、図５（ｄ）に示すようにこのレジスト１２をマスク
としてＳｉ₃Ｎ₄膜１０’をエッチングし、ストライプ
状の窓を形成する。その後、レジスト１２を除去し、こ
れを再び石英管中にＺｎとリン、ヒ素と共に封管し、電
気炉中で５５０°Ｃ、２０分間熱処理することにより、
図６に示すようにＳｉ₃Ｎ₄膜１０をマスクとして選択
的にＺｎを拡散させて、Ｚｎ拡散領域１３を形成する。
その後、ｐ側電極１４、ｎ側電極１５をそれぞれ蒸着す
ることにより、図４に示した半導体レーザ装置が形成さ
れる。

【００２５】本発明では、絶縁膜としてＳｉ₃Ｎ₄膜を
用いたが、これ以外にもＳｉＮｘ膜やＳｉＯ₂膜のよう
に、ＧａＡｓやＡｌＧａＩｎＰの半導体層を腐食せず、
電気的に絶縁でかつ耐熱性を持つ膜であればよい。

【００２６】また、本発明で用いたＳｉやＺｎ以外に
も、ｎ型不純物としてはＳ、Ｓｅ、Ｇｅを、ｐ型不純物
としてはＢｅ、Ｍｇを用いてもよい。

【００２７】さらに本発明の半導体レーザ装置は、前記
実施例の半導体組成以外からも構成することができ、例
えばＧａＩｎＡｓＰ混晶系、ＡｌＩｎＡｓＰ混晶系、Ｚ
ｎＳＳｅ混晶系、ＣｄＺｎＳＳｅ混晶系、ＺｎＭｇＳＳ
ｅ混晶系、その他の材料、あるいはこれらの材料の組合
せにおいても同様の効果が得られる。

【００２８】

【発明の効果】本発明によればＳｉ拡散によって一旦中
間層に形成されたｐ−ｎ接合を、Ｚｎ拡散によって、中
間層と第二クラッドが混晶化して禁制帯幅が広がった領
域に再形成することにより、そこでのターンオン電圧を
活性領域のターンオン電圧よりも高くしている。これに
より、このｐ−ｎ接合を通ってＳｉ拡散領域に流れる漏
れ電流を抑制することができ、効率の高い半導体レーザ
装置を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例である埋め込み半導体
レーザ装置の断面図である。

【図２】本発明の第一の実施例である埋め込み半導体
レーザ装置の製造手順を示す断面図である。

【図３】図２に続く埋め込み半導体レーザ装置の製造
手順を示す断面図である。

【図４】本発明の第二の実施例である埋め込み半導体
レーザ装置の断面図である。

【図５】本発明の第二の実施例である埋め込み半導体
レーザ装置の製造手順を示す断面図である。

【図６】図５に続く埋め込み半導体レーザ装置の製造
手順を示す断面図である。

【図７】従来の埋め込み半導体レーザ装置の断面図で
ある。

【符号の説明】

１，１０１…ＧａＡｓ基板、２，１０２…バッファ層、
３，１０３…第一クラッド層、４，１０４…量子井戸活
性層、５，１０５…第二クラッド層、６，１０６…中間
層、７，１０７…コンタクト層、８，１２…レジスト、
９…Ｓｉ膜、１０，１０’…電流阻止膜、１１，１１１
…Ｓｉ拡散領域、１３…Ｚｎ拡散領域、１４，１１４…
ｐ側電極、１５，１１５…ｎ側電極、１６，１７，１１
６…ｐ−ｎ接合

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中山秀生神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者植木伸明神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者乙間広己神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロックス株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一導電型の半導体基板と、この半導体
基板上に少なくとも第一導電型のバッファ層と第一導電
型の第一クラッド層と量子井戸活性層と第二導電型の第
二クラッド層と第二導電型の中間層と第二導電型のコン
タクト層の半導体層が順次積層され、半導体中で第一導
電型となる第一の不純物の導入により前記第一クラッド
層と量子井戸活性層と第二クラッド層との間の相互拡散
によって混晶化した領域が形成され、不純物が導入され
ず混晶化していない領域が、レーザ発振が起こる活性領
域として前記混晶化領域により埋め込まれた半導体レー
ザ装置において、前記コンタクト層がストライプ状で、前記コンタクト層
を除いた領域の前記中間層上から前記第一の不純物が導
入されて前記混晶化領域が形成され、前記コンタクト層
下部にレーザ発振の生じる活性領域が形成され、前記コ
ンククト層上から、少なくとも前記コンククト層と、前
記コンタクト層下部の前記中間層と、前記中間層と前記
第二クラッド層の間で混晶化が生じた領域に達するまで
第二の不純物が導入されており、前記中間層と前記第二
クラッド層の間で混晶化が生じた領域において、前記第
二の不純物を拡散することによって形成されたｐ−ｎ接
合のターンオン電圧が、前記量子井戸活性層のターンオ
ン電圧よりも高いことことを特徴とする半導体レーザ装
置。
【請求項２】請求項１に記載の半導体レーザ装置を製
造する方法であって、ストライプ状レジストをマスクとして前記コンタクト層
を前記中間層に対して選択的にストライプ状にエッチン
グする工程と、前記ストライプ状レジストをマスクとして前記コンタク
ト層がエッチングされた前記第二クラッド層上に第一不
純物拡散源膜を着膜する工程と、前記ストライプ状レジスト上の前記第一不純物拡散源膜
を前記ストライプ状レジストと共に除去する工程と、前記コンタクト層と前記第二クラッド層と前記第二クラ
ッド層上の前記第一不純物拡散源膜の上に絶縁膜を着膜
する工程と、前記第一不純物拡散源膜から不純物を前記第一クラッド
層に達するまで熱拡散させる工程と、前記コンタクト層上の前記絶縁膜に電流注入のためのス
トライプ状の窓を形成する工程と、前記絶縁膜をマスクとして前記中間層から前記不純物が
導入されて前記中間層と前記第二クラッド層の間で混晶
化が生じた領域に達するまで、気相中より第二の不純物
を熱拡散させる工程を含むことを特徴とする半導体レー
ザ装置の製造方法。