JPS63195737U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63195737U JPS63195737U JP1987087672U JP8767287U JPS63195737U JP S63195737 U JPS63195737 U JP S63195737U JP 1987087672 U JP1987087672 U JP 1987087672U JP 8767287 U JP8767287 U JP 8767287U JP S63195737 U JPS63195737 U JP S63195737U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- beam lead
- insulating film
- opening
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
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- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例を説明するた
めの平面図およびＡ−Ａ′線断面図、第２図は従
来のビームリード型ダイオードの一例を説明する
ための断面図である。 １……Ｎ＋型ＧａＡｓ基板、２……Ｎ−型Ｇａ
Ａｓエピタキシヤル層、３……絶縁膜、４，５…
…電極、６……金属層、７，８……金めつき層。
めの平面図およびＡ−Ａ′線断面図、第２図は従
来のビームリード型ダイオードの一例を説明する
ための断面図である。 １……Ｎ＋型ＧａＡｓ基板、２……Ｎ−型Ｇａ
Ａｓエピタキシヤル層、３……絶縁膜、４，５…
…電極、６……金属層、７，８……金めつき層。
Claims (1)
- 一導電型高濃度不純物を有する半導体基板の一
主面に選択的に設けられた一導電型低濃度不純物
を有するメサ形のエピタキシヤル層と、前記エピ
タキシヤル層および前記半導体基板の表面に設け
られた絶縁膜と、前記エピタキシヤル層上の前記
絶縁膜に選択的に設けられた第１および第２の開
口部と、前記第１の開口部の前記エピタキシヤル
層表面とシヨツトキー接合を有する第１の電極と
、前記第２の開口部の前記エピタキシヤル層表面
とオーミツクコンタクトを有する第２の電極と、
前記第１および第２の電極のそれぞれと接続し前
記絶縁膜上に延在するビームリードとを含むビー
ムリード型ダイオードにおいて、前記ビームリー
ドの前記第１および第２の電極近傍に前記ビーム
リードの長さ方向とほぼ直交して設けられた溝を
有することを特徴とするビームリード型ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987087672U JPS63195737U (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987087672U JPS63195737U (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195737U true JPS63195737U (ja) | 1988-12-16 |
Family
ID=30945095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987087672U Pending JPS63195737U (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63195737U (ja) |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP1987087672U patent/JPS63195737U/ja active Pending
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