JPS6365258U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6365258U JPS6365258U JP15970286U JP15970286U JPS6365258U JP S6365258 U JPS6365258 U JP S6365258U JP 15970286 U JP15970286 U JP 15970286U JP 15970286 U JP15970286 U JP 15970286U JP S6365258 U JPS6365258 U JP S6365258U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- semiconductor laser
- heat sink
- oscillation
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第１図ａ，ｂは本考案の第１の実施例を示す断
面図及び上面図、第２図は印加電流と発振波長の
関係を示す特性図、第３図は本考案の第２の実施
例を示す断面図、第４図は従来例を示す断面図で
ある。 １…半導体レーザチツプ、２…基板、３〜５…
発振領域、１４…ヒートシンク、１５ａ〜１５ｃ
…第１〜第３電極層、２０…溝。
面図及び上面図、第２図は印加電流と発振波長の
関係を示す特性図、第３図は本考案の第２の実施
例を示す断面図、第４図は従来例を示す断面図で
ある。 １…半導体レーザチツプ、２…基板、３〜５…
発振領域、１４…ヒートシンク、１５ａ〜１５ｃ
…第１〜第３電極層、２０…溝。
Claims (1)
- 複数のレーザ発振領域が同一基板上に配列され
てなる半導体レーザチツプと一主面に電極層が形
成されたヒートシンクとを有し、上記電極層には
上記チツプの発振領域側が固着された半導体レー
ザ装置において、上記ヒートシンクの一主面には
上記電極層を上記発振領域毎に分離する溝が形成
されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15970286U JPS6365258U (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15970286U JPS6365258U (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365258U true JPS6365258U (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=31084379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15970286U Pending JPS6365258U (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365258U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256986A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビーム半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP15970286U patent/JPS6365258U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256986A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビーム半導体発光装置 |